CN104385702A - 一种双银low-e镀膜玻璃 - Google Patents

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Abstract

一种双银LOW-E镀膜玻璃，包括玻璃基材，其特征在于：所述玻璃基材的上表面由下而上依次设有SixNy基膜层、第一TiOx膜层、第一NiCr阻挡层、第一Cu介质层、第一Ag层、第二NiCr阻挡层、第一ZnSnO3膜层、第三NiCr阻挡层、第二Cu介质层、第二Ag层、第四NiCr阻挡层、第二ZnSnO3膜层、第二TiOx膜层、以及SixNy顶膜层。本发明利用SixNy作为基膜层和顶膜层，使膜层具有较好的粘结性和较佳机械强度；同时，利用TiOx提高玻璃的透光率，第一Ag层和第二Ag层的底部，均利用Cu作为阻挡层，既可减少Ag的使用量，又能保证膜层的电导率不变，在保证膜系的性能不变的前提，降低了生产成本。

Description

一种双银LOW-E镀膜玻璃
技术领域：
本发明涉及一种双银LOW-E镀膜玻璃。
背景技术：
LOW-E玻璃，是一种新型高端的低辐射玻璃，是在玻璃基材表面镀制包括银层在内的多层金属及其它化合物组成的膜系产品。但现有LOW-E玻璃，其膜层粘结力较差，机械强度不佳，容易出现脱膜、氧化等质量缺陷。同时，Ag的使用量较多，生产成本较高。
故有必要对现有的LOW-E玻璃作出改进，以提供一种具有较好粘结性、较佳机械强度、且可减少Ag的使用量、降低生产成本的LOW-E镀膜玻璃。
发明内容：
本发明的目的在于提供一种双银LOW-E镀膜玻璃，其具有较好的粘结性和较佳机械强度，且可减少Ag的使用量，降低生产成本。
一种双银LOW-E镀膜玻璃，包括玻璃基材，所述玻璃基材的上表面由下而上依次设有SixNy基膜层、第一TiOx膜层、第一NiCr阻挡层、第一Cu介质层、第一Ag层、第二NiCr阻挡层、第一ZnSnO3膜层、第三NiCr阻挡层、第二Cu介质层、第二Ag层、第四NiCr阻挡层、第二ZnSnO3膜层、第二TiOx膜层、以及SixNy顶膜层。
本发明可通过如下方案进行改进：
所述SixNy基膜层的厚度为15～30nm，所述SixNy顶膜层的厚度为25～35nm。
所述第一TiOx膜层的厚度为25～35nm，第二TiOx膜层的厚度为15～25nm。
所述第一NiCr阻挡层的厚度为2～10nm，第二NiCr阻挡层的厚度为2～8nm，第三NiCr阻挡层的厚度为8～15nm，第四NiCr阻挡层的厚度为1～10nm。
所述第一Cu介质层和第二Cu介质层的厚度为5～10nm。
所述第一Ag层和第二Ag层的厚度为1～2nm。
所述第一ZnSnO3膜层和第二ZnSnO3膜层为15～25nm。
所述SixNy基膜层、所述SixNy顶膜层为Si3N4保护层。
本发明具有如下优点：1、利用SixNy作为基膜层和顶膜层，使膜层具有较好的粘结性和较佳机械强度；同时，利用TiOx提高玻璃的透光率，第一Ag层和第二Ag层的底部，均利用Cu作为阻挡层，既可减少Ag的使用量，又能保证膜层的电导率不变，在保证膜系的性能不变的前提，降低了生产成本。2、本玻璃透过率≥50％，辐射率≤0.6，反射率≤15，遮阳系数SC≤0.40；本玻璃颜色显灰色，通过色度仪可以测得如下颜色坐标值：a*＝-2.5～-3，b*＝-3.5～-5，光学性能良好。
附图说明：
图1为本发明结构剖视图。
具体实施方式：
如图所示，一种双银LOW-E镀膜玻璃，包括玻璃基材1，所述玻璃基材1的上表面由下而上依次设有SixNy基膜层2、第一TiOx膜层3、第一NiCr阻挡层4、第一Cu介质层5、第一Ag层6、第二NiCr阻挡层7、第一ZnSnO3膜层8、第三NiCr阻挡层9、第二Cu介质层10、第二Ag层11、第四NiCr阻挡层12、第二ZnSnO3膜层13、第二TiOx膜层14、以及SixNy顶膜层15。
进一步地，所述SixNy基膜层2的厚度为15～30nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用交流中频电源、氩气作为溅射气体、氮气作反应气体溅射硅铝靶(硅铝质量百分比92:8)制备而成，其中，氩氮比为(400SCCM～420SCCM)：(450SCCM～500SCCM)，氩氮比是该膜层的核心，决定了成膜的质量。
再进一步地，所述第一TiOx膜层3的厚度为25～35nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用交流中频电源、以氩气为溅射气体、氧气作反应气体射陶瓷钛靶制备而成，其中，氩氧比为(400SCCM～420SCCM)：(50SCCM～60SCCM)，氩氧比是该膜层的核心。
更进一步地，所述第一NiCr阻挡层4的厚度为2～10nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用直流电源溅射镍铬合金、用氩气作为溅射气体制备而成。
又进一步地，所述第一Cu介质层5的厚度为5～10nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用直流电源溅射铜靶、用氩气作为溅射气体制备而成，气体流量500～550SCCM。
再进一步地，所述第一Ag层6的厚度为1～2nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用直流电源溅射银靶、用氩气作为溅射气体制备而成，气体流量500～550SCCM。
再进一步地，所述第二NiCr阻挡层7的厚度为2～8nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用直流电源溅射镍铬合金、用氩气作为溅射气体制备而成。
再进一步地，所述第一ZnSnO3膜层8的厚度为15～25nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用交流中频电源、氩气作为溅射气体、氧气作反应气体溅射ZnSn(质量百分比Zn:Sn＝50:50)靶制备而成，其中，氩氧比为(400SCCM～420SCCM)：(450SCCM～500SCCM)，氩氧比是该膜层的核心，决定了成膜的质量。
再进一步地，所述第三NiCr阻挡层9的厚度为8～15nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用直流电源溅射镍铬合金、用氩气作为溅射气体制备而成。
再进一步地，所述第二Cu介质层10的厚度为5～10nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用直流电源溅射铜靶、用氩气作为溅射气体制备而成，气体流量500～550SCCM。
再进一步地，所述第二Ag层11的厚度为1～2nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用直流电源溅射银靶、用氩气作为溅射气体制备而成，气体流量500～550SCCM。
再进一步地，所述第四NiCr阻挡层12的厚度为1～10nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用直流电源溅射镍铬合金、用氩气作为溅射气体制备而成。
再进一步地，所述第二ZnSnO3膜层13的厚度为15～25nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用交流中频电源、氩气作为溅射气体、氧气作反应气体溅射ZnSn(质量百分比Zn:Sn＝50:50)靶制备而成，其中，氩氧比为(400SCCM～420SCCM)：(450SCCM～500SCCM)，氩氧比是该膜层的核心，决定了成膜的质量。
再进一步地，所述第二TiOx膜层14的厚度为15～25nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用交流中频电源、以氩气为溅射气体、氧气作反应气体射陶瓷钛靶制备而成，其中，氩氧比为(400SCCM～420SCCM)：(50SCCM～60SCCM)，氩氧比是该膜层的核心。
再进一步地，所述SixNy顶膜层15的厚度为25～35nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用交流中频电源、氩气作为溅射气体、氮气作反应气体溅射硅铝靶(硅铝质量百分比92:8)制备而成，其中，氩氮比为(400SCCM～420SCCM)：(450SCCM～500SCCM)，氩氮比是该膜层的核心，决定了成膜的质量。
具体地，所述SixNy基膜层2、所述SixNy顶膜层15为Si3N4保护层。
本发明利用SixNy作为基膜层和顶膜层，使膜层具有较好的粘结性和较佳机械强度；同时，利用TiOx提高玻璃的透光率，第一Ag层和第二Ag层的底部，均利用Cu作为阻挡层，既可减少Ag的使用量，又能保证膜层的电导率不变，在保证膜系的性能不变的前提，降低了生产成本。本发明透过率≥50％，辐射率≤0.6，反射率≤15，遮阳系数SC≤0.40；本发明颜色显灰色，通过色度仪可以测得如下颜色坐标值：a*＝-2.5～-3，b*＝-3.5～-5，光学性能良好。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并非用来限定本发明实施的范围，凡依本发明专利范围所做的同等变化与修饰，皆落入本发明专利涵盖的范围。

Claims (8)

1.一种双银LOW-E镀膜玻璃，包括玻璃基材，其特征在于：所述玻璃基材的上表面由下而上依次设有SixNy基膜层、第一TiOx膜层、第一NiCr阻挡层、第一Cu介质层、第一Ag层、第二NiCr阻挡层、第一ZnSnO3膜层、第三NiCr阻挡层、第二Cu介质层、第二Ag层、第四NiCr阻挡层、第二ZnSnO3膜层、第二TiOx膜层、以及SixNy顶膜层。
2.根据权利要求1所述的一种双银LOW-E镀膜玻璃，其特征在于：所述SixNy基膜层的厚度为15～30nm，所述SixNy顶膜层的厚度为25～35nm。
3.根据权利要求1所述的一种双银LOW-E镀膜玻璃，其特征在于：所述第一TiOx膜层的厚度为25～35nm，第二TiOx膜层的厚度为15～25nm。
4.根据权利要求1所述的一种双银LOW-E镀膜玻璃，其特征在于：所述第一NiCr阻挡层的厚度为2～10nm，第二NiCr阻挡层的厚度为2～8nm，第三NiCr阻挡层的厚度为8～15nm，第四NiCr阻挡层的厚度为1～10nm。
5.根据权利要求1所述的一种双银LOW-E镀膜玻璃，其特征在于：所述第一Cu介质层和第二Cu介质层的厚度为5～10nm。
6.根据权利要求1所述的一种双银LOW-E镀膜玻璃，其特征在于：所述第一Ag层和第二Ag层的厚度为1～2nm。
7.根据权利要求1所述的一种双银LOW-E镀膜玻璃，其特征在于：所述第一ZnSnO3膜层和第二ZnSnO3膜层为15～25nm。
8.根据权利要求1或2所述的一种双银LOW-E镀膜玻璃，其特征在于：所述SixNy基膜层、所述SixNy顶膜层为Si3N4保护层。
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