CN202390316U - 低辐射镀膜玻璃 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种低辐射镀膜玻璃,所述低辐射镀膜玻璃包括玻璃基片和镀制在玻璃基片上的膜系,所述膜系自玻璃基片向外依次包括:第一电介质层、第二电介质层、第一功能层、第一阻挡层、中间电介质组合层、第三电介质层、第二功能层、第二阻挡层、顶层下电介质层、顶层上电介质层。本实用新型的玻璃产品呈自然色,颜色均一,并且在可见光区透过率高,在近红外区具有低辐射的优点。
Description
技术领域
本实用新型涉及玻璃深加工中的镀膜技术领域,具体是一种低辐射镀膜玻璃。
背景技术
传统的低辐射玻璃往往都是双银镀膜玻璃的结构,具体结构包括:玻璃基底和在玻璃基底上依次向上沉积的第一介电质层、银膜层、第一阻挡层、第二介电质层、银膜层、第二阻挡层,以及第三介电质层,按照所述结构生产的镀膜玻璃其透过色呈蓝绿色,此玻璃用于建筑后,透过此玻璃,从室内往室外看时,外界的物体也被增添了蓝绿色调,使得外界景物发生色变。
发明内容
本实用新型的技术目的是克服现有技术存在的缺陷,提供一种新型的低辐射镀膜玻璃,使镀膜后的玻璃呈自然色。
本实用新型的技术方案为:
一种低辐射镀膜玻璃,包括玻璃基片和镀制在玻璃基片上的膜系,其特征在于,所述膜系自玻璃基片向外依次包括:
第一电介质层、第二电介质层、第一功能层、第一阻挡层、中间电介质组合层、第三电介质层、第二功能层、第二阻挡层、顶层下电介质层、顶层上电介质层。
作为优选的技术方案:
所述第一功能层为Cu层,所述第二功能层为Ag层;
所述第一电介质层可设为Si3N4、ZnSnO3、TiO2或者SiOxNy膜层中的一种;
所述第二电介质层、第三电介质层为ZnO层;
所述第一阻挡层的为NiCr、AZO、Ti、Nb2O5或NiCrOx膜层中的一种;
所述中间电介质组合层为ZnSnO3、Si3N4膜层中的一种或者二者的组合层;
所述第二阻挡层设为NiCr、AZO、Ti、Nb2O5或NiCrOx膜层中的一种;
所述顶层下电介质层为ZnSnO3层;
所述顶层上电介质层为Si3N4层。
一种用于制造上述低辐射镀膜玻璃的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:
在所述玻璃基片上镀制Si3N4、ZnSnO3、TiO2或者SiOxNy膜层中的一种作为第一电介质层;
在所述第一电介质层上镀制作为第二电介质层的ZnO层;
在所述第二电介质层上镀制作为第一功能层的Cu层;
在所述第一功能层上镀制NiCr、AZO、Ti、Nb2O5或NiCrOx膜层中的一种作为第一阻挡层;
在所述第一阻挡层上镀制ZnSnO3、Si3N4膜层中的一种或者二者的组合层层作为中间电介质组合层;
在所述中间电介质组合层上镀制第三电介质层的ZnO层;
在所述第三电介质层上镀制第二功能层的Ag层;
在所述第二功能层上镀制NiCr、AZO、Ti、Nb2O5或NiCrOx膜层中的一种作为第二阻挡层;
在所述第二阻挡层上镀制作为顶层下电介质层的ZnSnO3层;
在所述顶层下电介质层上镀制作为顶层上电介质层的Si3N4层;
上述玻璃结构中,Si3N4层使用质量百分比为92:8的硅铝靶,采用双旋转阴极、中频反应磁控溅射方式在氩、氮氛围中溅射沉积,功率为20-80kw,电源频率为20-40kHz;
SiOxNy层使用质量百分比为92:8的硅铝靶,采用双旋转阴极、中频反应磁控溅射方式在氩、氮、氧氛围中溅射沉积,功率为20-80kw,电源频率为20-40kHz;
AZO层使用陶瓷锌铝靶,采用双旋转阴极、中频反应磁控溅射方式在氩、氧氛围中溅射沉积,功率为5-15kw,电源频率为20-40kHz;
ZnSnO3层使用质量百分比为50:50的锌锡合金靶,采用双旋转阴极、中频反应磁控溅射方式在氩、氧氛围中溅射沉积,功率为10-70kw,电源频率为20-40kHz;
NiCrOx层使用镍铬合金靶,采用平面阴极、直流磁控溅射方式在纯氩氛围中溅射沉积,功率为2-10kw;
功能层Ag层为使用银靶,采用平面阴极、直流磁控溅射方式在纯氩氛围中溅射沉积,功率为2-10kw;
功能层Cu层为使用铜靶,采用平面阴极、直流磁控溅射方式在纯氩氛围中溅射沉积,功率为2-10kw。
本实用新型的玻璃产品呈自然色,颜色均一,克服了现有产品的缺陷,并且在可见光区透过率高,在近红外区具有低辐射的优点,并且其镀膜方法简单,容易实施,镀出的膜层均匀,产品质量好。
附图说明
图1为实施例一低辐射镀膜玻璃的膜面反射光谱曲线;
图2为实施例一低辐射镀膜玻璃面的反射光谱曲线;
图3为实施例一低辐射镀膜玻璃的透射特性谱图;
图4为实施例一低辐射镀膜玻璃的单片色系坐标;
图5为实施例一低辐射镀膜玻璃构成的中空玻璃色系坐标;
图6为实施例二低辐射镀膜玻璃的膜面反射光谱曲线;
图7为实施例二低辐射镀膜玻璃的玻璃面反射光谱曲线;
图8为实施例二低辐射镀膜玻璃的透射特性谱图;
图9为实施例二低辐射镀膜玻璃的单片色系坐标;
图10为实施例二低辐射镀膜玻璃构成的中空玻璃色系坐标;
图11为本实用新型低辐射镀膜玻璃的结构示意图。
具体实施方式
为详细说明本实用新型创造的技术方案、技术目的以及技术效果,下面结合实施例并配合附图予以详细说明。
如图11所示,本实用新型低辐射镀膜玻璃在玻璃基片10上向外依次镀有第一电介质层11、第二电介质层12、第一功能层13、第一阻挡层14、中间电介质组合层15、第三电介质层16、第二功能层17、第二阻挡层18、顶层下电介质层19以及顶层上电介质层20。
所述第一电介质层11可设为Si3N4、ZnSnO3、TiO2或者SiOxNy膜层中的一种;
所述第二电介质层12优选为ZnO层;
所述第一功能层13为Cu层;
所述第一阻挡层14为NiCr、AZO、Ti、Nb2O5或NiCrOx层;
所述中间电介质组合层15为ZnSnO3或Si3N4层,或者是ZnSnO3和Si3N4的组合层;
所述第三电介质层16为ZnO层;
所述第二功能层17为Ag层;
所述第二阻挡层18优选为为NiCr、AZO、Ti、Nb2O5或NiCrOx层中的一种;
所述顶层下电介质层19为ZnSnO3层;
所述顶层上电介质层20为Si3N4层。
上述结构中,所有氮化硅(Si3N4)层使用硅铝(质量百分比92:8)靶,采用双旋转阴极、中频反应磁控溅射方式在氩、氮氛围中溅射沉积,功率为20-80kw,电源频率为20-40kHz;
所有氮氧化硅(SiOxNy )层使用硅铝(质量百分比92:8)靶,采用双旋转阴极、中频反应磁控溅射方式在氩、氮、氧氛围中溅射沉积,功率为20-80kw,电源频率为20-40kHz;
锌铝氧化物(AZO)层使用陶瓷锌铝靶,采用双旋转阴极、中频反应磁控溅射方式在氩、氧氛围中溅射沉积,功率为5-15kw,电源频率为20-40kHz;
氧化锌锡(ZnSnOx)层,如ZnSnO3,使用锌锡合金(质量百分比50:50)靶,采用双旋转阴极、中频反应磁控溅射方式在氩、氧氛围中溅射沉积,功率为10-70kw,电源频率为20-40kHz;
所有氧化镍铬(NiCrOx)层使用镍铬合金靶,采用平面阴极、直流磁控溅射方式在纯氩氛围中溅射沉积,功率为2-10kw;
功能层Ag层为使用银靶,采用平面阴极、直流磁控溅射方式在纯氩氛围中溅射沉积,功率为2-10kw;
功能层Cu层为使用铜靶,采用平面阴极、直流磁控溅射方式在纯氩氛围中溅射沉积,功率为2-10kw。
实施例一:
作为低辐射镀膜玻璃的一种优选结构,具体如下:
玻璃基片/Si3N4/ZnO/Cu/NiCr/ZnSnO3/ZnO/Ag/NiCr/ZnSnO3/Si3N4。
其中,所述第一电介质层11为Si3N4层, Si3N4厚度为19.5nm;
所述第二电介质层12为ZnO层,ZnO厚度为10nm;
所述第一功能层13为Cu层,Cu的厚度为7.5nm;
所述第一阻挡层14为NiCr层,NiCr的厚度为1.3nm;
所述中间电介质组合层15为ZnSnO3层,ZnSnO3的厚度为68.9nm;
所述第三电介质层16为ZnO层, ZnO的厚度为10nm;
所述第二功能层17为Ag层,Ag的厚度为16.8nm;
所述第二阻挡层18为NiCr层,NiCr的厚度为0.6nm;
所述顶层下电介质层19为ZnSnO3, ZnSnO3的厚度为20.4nm;
所述顶层上电介质层20为Si3N4,Si3N4的厚度为15.6nm。
玻璃膜层镀制完成后,产品参数如图所示:
图1为实施例一低辐射镀膜玻璃的膜面反射光谱曲线;
图2为实施例一低辐射镀膜玻璃的玻璃面反射光谱曲线;
图3为实施例一低辐射镀膜玻璃的透射特性谱图;
图4为实施例一低辐射镀膜玻璃的单片色系坐标;
图5为实施例一低辐射镀膜玻璃构成的中空玻璃色系坐标。
图1-图3中,虚线曲线为标准参照产品的测试曲线,实线曲线为实施例一产品的测试参数曲线;图4-图5为色坐标的a*值、b*值与角度的变化曲线图谱,虚线曲线为随着角度的变化a*值(绿到红的变化)的变化参数曲线,实线曲线为b*值(蓝到黄的变化)的参数曲线。
由图1、图2可知具有实施例一结构的低辐射镀膜玻璃在可见光区具有高透过率,对近红外区具有低辐射率。图3说明所述低辐射镀膜玻璃在可见光区具有高阳光透过率。图4、图5说明所述低辐射镀膜玻璃呈自然色,且从各角度观察,颜色具有均一性。 SHAPE \* MERGEFORMAT
实施例二:
低辐射镀膜玻璃的另一种优选结构,具体为:
玻璃基片/Si3N4/ZnO/Cu/NiCr/ZnSnO3/ZnO/Ag/NiCr/ZnSnO3/Si3N4。
其中,所述第一电介质层11为Si3N4层,Si3N4的厚度为15.7nm;
第二电介质层12为ZnO层, ZnO的厚度为10nm;
第一功能层13为Cu层, Cu的厚度为7.3nm;
第一阻挡层14为NiCr层,NiCr的厚度为0.6nm;
中间电介质组合层15为ZnSnO3层, ZnSnO3的厚度为68.7nm;
第三电介质层16为ZnO层, ZnO的厚度为10nm;
第二功能层17为Ag层,Ag的厚度为15.6nm;
第二阻挡层18为NiCr层,NiCr的厚度为0.6nm;
顶层下电介质层19为ZnSnO3层,ZnSnO3的厚度为20.6nm;
顶层上电介质层20为Si3N4层,Si3N4的厚度为14nm。
产品参数如图6-图10所示:
图6为实施例二低辐射镀膜玻璃的膜面反射光谱曲线;
图7为实施例二低辐射镀膜玻璃的玻璃面反射光谱曲线;
图8为实施例二低辐射镀膜玻璃的透射特性谱图;
图9为实施例二低辐射镀膜玻璃的单片色系坐标;
图10为实施例二低辐射镀膜玻璃构成的中空玻璃色系坐标。
图6-图8中,虚线曲线为标准参照产品的测试曲线,实线曲线为实施例二产品的测试参数曲线;图9-图10为色坐标的a*值、b*值与角度的变化曲线图谱,虚线曲线为随着角度的变化a*值(绿到红的变化)的变化参数曲线,实线曲线为b*值(蓝到黄的变化)的参数曲线。
由图6、图7可知具有实施例一结构的低辐射镀膜玻璃在可见光区具有高透过率,对近红外区具有低辐射率。图8说明所述低辐射镀膜玻璃在可见光区具有高阳光透过率。图9、图10说明所述低辐射镀膜玻璃呈自然色,且从各角度观察,颜色具有均一性。
本领域技术人员均应了解,在不脱离本实用新型的精神或范围的情况下,可以对本实用新型进行各种修改和变型。因而,如果任何修改或变型落入所附权利要求书及等同物的保护范围内时,认为本实用新型涵盖这些修改和变型。
Claims (9)
1.一种低辐射镀膜玻璃,包括玻璃基片和镀制在玻璃基片上的膜系,其特征在于,所述膜系自玻璃基片向外依次包括:
第一电介质层、第二电介质层、第一功能层、第一阻挡层、中间电介质组合层、第三电介质层、第二功能层、第二阻挡层、顶层下电介质层、顶层上电介质层。
2.根据权利要求1所述的一种低辐射镀膜玻璃,其特征在于:所述第一功能层为Cu层,所述第二功能层为Ag层。
3.根据权利要求1或2所述的一种低辐射镀膜玻璃,其特征在于:所述第一电介质层为Si3N4、ZnSnO3、TiO2或者SiOxNy膜层中的一种。
4.根据权利要求1或2所述的一种低辐射镀膜玻璃,其特征在于:所述第二电介质层、第三电介质层为ZnO层。
5.根据权利要求1或2所述的一种低辐射镀膜玻璃,其特征在于:所述第一阻挡层的为NiCr、AZO、Ti、Nb2O5或NiCrOx膜层中的一种。
6.根据权利要求1或2所述的一种低辐射镀膜玻璃,其特征在于:所述中间电介质组合层为ZnSnO3膜层、Si3N4膜层中的一种或者由ZnSnO3膜层和Si3N4膜层的组合层构成。
7.根据权利要求1或2所述的一种低辐射镀膜玻璃,其特征在于:所述第二阻挡层为NiCr、ZnAlO、Ti、Nb2O5或NiCrOx膜层中的一种。
8.根据权利要求1或2所述的一种低辐射镀膜玻璃,其特征在于:所述顶层下电介质层为ZnSnO3层。
9.根据权利要求1或2所述的一种低辐射镀膜玻璃,其特征在于:所述顶层上电介质层为Si3N4层。
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