CN102910839A - 一种金色低辐射镀膜玻璃及其制备方法 - Google Patents

一种金色低辐射镀膜玻璃及其制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明提出一种金色低辐射镀膜玻璃，其特征在于，该镀膜玻璃包括：玻璃基板/底层电介质层/底层阻挡层/功能层/顶层阻挡层/顶层电介质层/顶层金属层；其中，底层电介质层为TiOx层，底层阻挡层为NiCr层或CrNx层，功能层为Ag层，顶层阻挡层为NiCrNx层或CrNx层，顶层电介质层为Si3N4层或ZnSnOx+Si3N4层，顶层金属层为Si层。本发明提出的一种金色LOW-E镀膜玻璃，不仅解决了普通单银玻璃在80°-90°无反射光的现象，还提出了利用非纯金镀金色的制备方法，使LOW-E镀膜玻璃集美观，舒适，价廉于一体，满足了市场的需求。

Description

一种金色低辐射镀膜玻璃及其制备方法
技术领域
本发明涉及镀膜玻璃技术领域，具体地，涉及一种金色低辐射镀膜玻璃及其制备方法。 
背景技术
Low-E玻璃又称低辐射玻璃，是在玻璃表面镀上多层金属或其他化合物组成的膜系产品。其镀膜层具有对可见光高透过及对中远红外线高反射的特性，使其与普通玻璃及传统的建筑用镀膜玻璃相比，具有优异的隔热效果和良好的透光性。随着经济的发展，市场对LOW-W玻璃的要求越来越高，不仅要求其具有较高的性能，较强的实用性，还必须集美观、舒适、价廉于一体。但是，市场上普通的镀膜玻璃，从侧面角度看无反射光，没有颜色；而且市场上的金色LOW-E玻璃，使用纯金靶材，价格昂贵。 
发明内容
为了克服现有技术的上述缺陷，本发明的目的在于改善镀膜玻璃透视的颜色及效果，同时降低金色玻璃的制造成本。 
本发明提出一种金色低辐射镀膜玻璃，其特征在于，该镀膜玻璃包括：玻璃基板/底层电介质层/底层阻挡层/功能层/顶层阻挡层/顶层电介质层/顶层金属层；其中，底层电介质层为TiOx层，底层阻挡层为NiCr层或CrNx层，功能层为Ag层，顶层阻挡层为NiCrNx层或CrNx层，顶层电介质层为Si3N4层或ZnSnOx+Si3N4层，顶层金属层为Si层。 
其中，所述底层电介质层膜厚为10～30nm，底层阻挡层膜厚为0～10nm，功能层膜厚为10～30nm，顶层阻挡层膜厚为0～10nm，顶层电介质层膜厚为80～110nm，顶层金属层膜厚为0～10nm。 
较优地，所述底层电介质层膜厚为19.1nm。所述底层阻挡层膜厚为1.7nm。所述功能层膜厚为15.3nm。所述顶层阻挡层膜厚为3.9nm。所述顶层电介质层膜厚为91.5nm。所述顶层金属层膜厚为5nm。 
本发明还提出一种金色低辐射镀膜玻璃的制备方法，其特征在于：包括如下步骤： 
（1）洗片；使用纯水，通过洗片机，利用圆盘刷和滚筒刷等工具完成对玻璃基板的清洗；
（2）风干；使用热风机进行风干；
（3）逐层镀膜；将风干后的所述玻璃基板，置入真空磁控溅射镀膜设备的靶材室进行逐层镀膜，包括：在玻璃基板上镀底层电介质；在底层电介质上镀底层阻挡层；在底层阻挡层上镀功能层；在功能层上镀顶层阻挡层；顶层阻挡层上镀顶层电介质层；在顶层电介质层上镀顶层金属层。
其中，所述底层电介质层为TiOx；底层阻挡层为NiCr层或CrNx层，功能层为Ag层，顶层阻挡层为NiCrNx层或CrNx层，顶层电介质层为Si3N4层或ZnSnOx+Si3N4层，顶层金属层为Si。 
其中，所述底层电介质层TiOx膜层使用氧化钛靶，采用双阴极，中频溅射的方式，在工艺气体O2和Ar的参与下，在玻璃基板表面沉积成膜。溅射功率为：60KW-90KW；真空溅射气压为:5.0E-3mbar-1.0E-3mbar。 
其中，所述底层阻挡层NiCr层或CrNx层，使用镍镉靶，采用平面阴极，直流磁控溅射的方式，在工艺气体Ar的参与下，在底层电介质TiOx上沉积成膜。溅射功率为：1KW-5KW；真空溅射气压为：1.0E-3mbar-3.0E-6mbar。 
其中，所述功能层Ag层使用银靶，采用平面阴极，直流磁控溅射的方式，在工艺气体Ar的参与下，在底层阻挡层NiCr或CrNx上沉积成膜。溅射功率为：5KW-15KW；真空溅射气压为：5.0E-3mbar-1.0E-3mbar。 
其中，所述顶层阻挡层NiCrNx层或CrNx层，使用镍镉靶，采用平面阴极，直流磁控溅射的方式，在工艺气体Ar的参与下，在功能层Ag层上沉积形膜。溅射功率为：1KW-10KW；真空溅射气压为：5.0E-3mbar-1.0E-3mbar。 
其中，所述顶层电介质层Si3N4层或ZnSnOx+Si3N4层，使用硅铝靶，采用双阴极，中频溅射的方式，在工艺气体N2和Ar的参与下，在顶层阻挡层NiCrNx或CrNx上沉积成膜。溅射功率为：30KW-50KW；真空溅射气压为：5.0E-3mbar-1.0E-3mbar。 
其中，所述顶层金属层Si膜层使用硅靶，采用平面阴极，直流磁控溅射的方式，在工艺气体Ar的参与下，在顶层电介质层Si3N4或ZnSnOx+Si3N4上沉积成膜。溅射功率为：5KW-15KW；真空溅射气压为：5.0E-3mbar-1.0E-3mbar。 
本发明提出的一种金色LOW-E镀膜玻璃，不仅解决了普通单银玻璃在80°- 90°无反射光的现象，还提出了利用非纯金镀金色的制备方法，使LOW-E镀膜玻璃集美观，舒适，价廉于一体，满足了市场的需求。 
附图说明
关于本发明的优点与精神可以通过以下的发明详述及所附图式得到进一步的了解。
图1为本发明金色LOW-E镀膜玻璃的结构示意图； 
图2为本发明金色LOW-E镀膜玻璃的膜面反射光谱曲线图；
图3为本发明金色LOW-E镀膜玻璃的玻璃面反射光谱曲线图；
图4为本发明金色LOW-E镀膜玻璃的透射特性谱图；
图5为单片本发明金色LOW-E镀膜玻璃在不同角度的玻璃颜色坐标；
图6为双片本发明金色LOW-E镀膜玻璃在不同角度的玻璃颜色坐标。
具体实施方式
下面结合附图详细说明本发明的具体实施例。 
如图1所示，本发明的一种金色LOW-E镀膜玻璃，包括有玻璃基板1和多个膜层。从玻璃基板1向上，依次包括底层电介质层TiOx层2，底层阻挡层NiCr层或CrNx层3，功能层Ag层4，顶层阻挡层NiCrNx层或CrNx层5，顶层电介质层Si3N4层或ZnSnOx+Si3N4层6以及顶层金属层Si层7。 
本发明的一种金色LOW-E镀膜玻璃，第一层膜层TiOx层2，是底层电介质层。TiOx为底层减反射膜。该膜层使用氧化钛靶，采用双阴极，中频溅射的方式，在工艺气体O2和Ar的参与下，在玻璃基板表面上沉积形膜。溅射功率为：60KW-90KW；真空溅射气压为5.0E-3mbar -1.0E-3mbar；膜厚为10～30nm，优选19.1nm。 
第二层膜层NiCr层或CrNx层3，是底层阻挡层。 NiCr可作为钠离子的阻挡层，它可以很好的阻挡底层电介质层中游离的氧离子侵蚀银层，是银层很好的保护层。该膜层使用镍镉靶，采用平面阴极，直流磁控溅射的方式，在工艺气体Ar的参与下，在底层电介质TiOx上沉积形膜。溅射功率为：1KW-5KW；真空溅射气压为：1.0E-3mbar-3.0E-6mbar；膜厚为0～10nm，优选1.7nm。 
第三层膜层Ag层4,是功能层。Ag不仅决定了膜层的辐射率；而且可以保持玻璃在80°-90°之间时，反光是有颜色的，改善了普通单银侧面无颜色的特点。该膜层使用银靶，采用平面阴极，直流磁控溅射的方式，在工艺气体Ar的参与下，在底层阻挡层NiCr或CrNx上沉积形膜。溅射功率为：5KW-15KW；真空溅射气压为：5.0E-3mbar-1.0E-3mbar；膜厚为10～30nm，优选15.3nm。 
第四层膜层NiCrNx层或CrNx层5，是顶层阻挡层。NiCrNx一方面可以更好地保护银层免受沉积过程中等离子体的破坏；另一方面通过影响银层与顶层电介质之间的附着力来改善膜层的耐磨性。其中加入了反应气体N2，具有降低玻璃面反射的作用。该膜层使用镍镉靶，采用平面阴极，直流磁控溅射的方式，在工艺气体N2和Ar的参与下，在功能层Ag层上沉积形膜。溅射功率为：30KW-50KW；真空溅射气压为：5.0E-3mbar-1.0E-3mbar；膜厚为0～10nm，优选3.9nm。 
第五层膜层Si3N4层或ZnSnOx+Si3N4层6，顶层电介质层。Si3N4与最后的银层间的附着力对耐磨性的影响非常大，而且Si3N4还决定了膜系的耐刮伤性、耐磨性和耐化学侵蚀性。该膜层使用硅铝靶，采用双阴极，中频溅射的方式，在工艺气体N2和Ar的参与下，在顶层阻挡层NiCrNx或CrNx上沉积形膜。溅射功率为：30KW-50KW；真空溅射气压为：5.0E-3mbar- 1.0E-3mbar；膜厚为80～110nm，优选91.5nm。 
第六层膜层Si层7，是顶层金属层。本发明运用很薄的纯金属形态Si可以更好地降低膜层的反射率及透过率，对于改善透视颜色也有很明显的效果。该膜层使用硅靶，采用平面阴极，直流磁控溅射的方式，在工艺气体Ar的参与下，在顶层电介质层Si3N4层或ZnSnOx+ Si3N4上沉积形膜。溅射功率为：5KW-15KW；真空溅射气压为：5.0E-3mbar-1.0E-3mbar；膜厚为0～10nm，优选5nm。 
图2为本发明金色LOW-E镀膜玻璃的膜面反射光谱曲线图，是玻璃的镀膜面在可见光不同的频段内对可见光的反光率。图3为本发明金色LOW-E镀膜玻璃的玻璃面反射光谱曲线图，是玻璃面在可见光不同的频段内对可见光的反光率。图4为本发明金色LOW-E镀膜玻璃的透射特性谱图，是镀膜玻璃在可见光不同的频段内对可见光的透过率。图5为单片本发明金色LOW-E镀膜玻璃在不同角度的玻璃颜色坐标，是单片镀膜玻璃的在D65光源10°下不同角度所反应出来a*、b*的对应值。其中，标准光源箱中的D65光源是模拟人工日光，保证在室内、阴雨天观测物品的颜色效果时，有一个近似在太阳光底下观测的照明效果。颜色坐标a*向正趋于红色光，向负趋于绿色光。b*向正趋于黄色光，向负趋于蓝色光。图6为双片本发明金色LOW-E镀膜玻璃在不同角度的玻璃颜色坐标，是6mm白玻-金色LOW-E+12A+6mm白玻配置下的中空玻璃在D65光源10°下不同角度所反应出来a*、b*的对应值。 
本发明的一种金色LOW-E镀膜玻璃的颜色数据如下： 
Figure 20121045126881000021
 如表所示：可见光的玻璃面反射率为29.8%，可见光的玻璃面色坐标a*为9.2，可见光的玻璃面色坐标b*为46.6，可见光的玻璃面亮度值L为61.5；可见光的膜面反射率为49.9%，可见光的膜面色坐标a*为-0.8，可见光的膜面色坐标b*为17.4，可见光的膜面亮度值L为76；可见光的透过率为32.9%，可见光的透视色坐标a*为-3.8，可见光的透视色坐标b*为-8.0，可见光的透视亮度值L为64.1；方块电阻值为4.2Ω。
本发明的一种金色LOW-E镀膜玻璃，其不仅解决了普通单银玻璃在80°- 90°无反射光的现象。更采用了一种利用非纯金镀金色的制备方法。集美观，舒适，价廉于一体，满足了市场的需求。 
本说明书中所述的只是本发明的较佳具体实施例，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对本发明的限制。凡本领域技术人员依本发明的构思通过逻辑分析、推理或者有限的实验可以得到的技术方案，皆应在本发明的范围之内。 
  

Claims (16)

1.一种金色低辐射镀膜玻璃，其特征在于，该镀膜玻璃包括：玻璃基板/底层电介质层/底层阻挡层/功能层/顶层阻挡层/顶层电介质层/顶层金属层；其中，底层电介质层为TiOx层，底层阻挡层为NiCr层或CrNx层，功能层为Ag层，顶层阻挡层为NiCrNx层或CrNx层，顶层电介质层为Si3N4层或ZnSnOx+Si3N4层，顶层金属层为Si层。
2.根据权利要求1所述金色低辐射镀膜玻璃，其特征在于：所述底层电介质层膜厚为10～30nm，底层阻挡层膜厚为0～10nm，功能层膜厚为10～30nm，顶层阻挡层膜厚为0～10nm，顶层电介质层膜厚为80～110nm，顶层金属层膜厚为0～10nm。
3.根据权利要求2所述金色低辐射镀膜玻璃，其特征在于：所述底层电介质层膜厚为19.1nm。
4.根据权利要求2所述金色低辐射镀膜玻璃，其特征在于：所述底层阻挡层膜厚为1.7nm。
5.根据权利要求2所述金色低辐射镀膜玻璃，其特征在于：所述功能层膜厚为15.3nm。
6.根据权利要求2所述金色低辐射镀膜玻璃，其特征在于：所述顶层阻挡层膜厚为3.9nm。
7.根据权利要求2所述金色低辐射镀膜玻璃，其特征在于：所述顶层电介质层膜厚为91.5nm。
8.根据权利要求2所述金色低辐射镀膜玻璃，其特征在于：所述顶层金属层膜厚为5nm。
9.一种金色低辐射镀膜玻璃的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：
（1）洗片；使用纯水，通过洗片机，利用圆盘刷和滚筒刷等工具完成对玻璃基板的清洗；
（2）风干；使用热风机进行风干；
（3）逐层镀膜；将风干后的所述玻璃基板，置入真空磁控溅射镀膜设备的靶材室进行逐层镀膜，包括：在玻璃基板上镀底层电介质；在底层电介质上镀底层阻挡层；在底层阻挡层上镀功能层；在功能层上镀顶层阻挡层；顶层阻挡层上镀顶层电介质层；在顶层电介质层上镀顶层金属层。
10.如权利要求9所述的制备方法，其特征在于：所述底层电介质层为TiOx；底层阻挡层为NiCr层或CrNx层，功能层为Ag层，顶层阻挡层为NiCrNx层或CrNx层，顶层电介质层为Si3N4层或ZnSnOx+Si3N4层，顶层金属层为Si。
11.如权利要求10所述的制备方法，其特征在于：所述底层电介质层TiOx层使用氧化钛靶，采用双阴极，中频溅射的方式，在工艺气体O2和Ar的参与下，在玻璃基板表面沉积成膜；TiOx层的溅射功率为：60KW-90KW；真空溅射气压为:5.0E-3mbar-1.0E-3mbar。
12.如权利要求10所述的制备方法，其特征在于：所述底层阻挡层NiCr层或CrNx层，使用镍镉靶，采用平面阴极，直流磁控溅射的方式，在工艺气体Ar的参与下，在底层电介质TiOx上沉积成膜；NiCr层或CrNx层的溅射功率为：1KW-5KW；真空溅射气压为：1.0E-3mbar -3.0E-6mbar。
13.如权利要求10所述的制备方法，其特征在于：所述功能层Ag层使用银靶，采用平面阴极，直流磁控溅射的方式，在工艺气体Ar的参与下，在底层阻挡层NiCr或CrNx上沉积成膜；Ag层的溅射功率为：5KW-15KW；真空溅射气压为：5.0E-3mbar-1.0E-3mbar。
14.如权利要求10所述的制备方法，其特征在于：所述顶层阻挡层NiCrNx层或CrNx层，使用镍镉靶，采用平面阴极，直流磁控溅射的方式，在工艺气体Ar的参与下，在功能层Ag层上沉积形膜；NiCrNx层或CrNx层的溅射功率为：1KW-10KW；真空溅射气压为：5.0E-3mbar -1.0E-3mbar。
15.如权利要求10所述的制备方法，其特征在于：所述顶层电介质层Si3N4层或ZnSnOx+Si3N4层，使用硅铝靶，采用双阴极，中频溅射的方式，在工艺气体N2和Ar的参与下，在顶层阻挡层NiCrNx或CrNx上沉积成膜；Si3N4层或ZnSnOx+Si3N4层的溅射功率为：30KW-50KW；真空溅射气压为：5.0E-3mbar-1.0E-3mbar。
16.如权利要求10所述的制备方法，其特征在于：所述顶层金属层Si膜层使用硅靶，采用平面阴极，直流磁控溅射的方式，在工艺气体Ar的参与下，在顶层电介质层Si3N4或ZnSnOx+Si3N4上沉积成膜；Si膜层的溅射功率为：5KW-15KW；真空溅射气压为：5.0E-3mbar -1.0E-3mbar。
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Address before: 215434 Jiangsu Shenjiang port city of Suzhou port of Taicang economic and Technological Development Zone, Road No. 9

Patentee before: Lin Jiayou