CN110028251B - 一种可后续加工含铜双银低辐射镀膜玻璃及制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种可后续加工含铜双银低辐射镀膜玻璃及制备方法，属于磁控溅射镀膜技术领域；本镀膜玻璃包括玻璃基片层和镀膜层，所述镀膜层自所述玻璃基片层向外依次复合有十三个膜层，其中第一层和第二层为第一电介质组合层，第三层层为低辐射功能层，第四层和第五层为晶床介质层，第六层为第一阻挡保护层，第七层、第八层和第九层为第二电介质组合层，第十层为低辐射功能层,第十一层和第十二层为晶床介质，第十三层第二阻挡保护层。本发明玻璃具有透过率高、耐氧化、可后续加工等优点。

Description

一种可后续加工含铜双银低辐射镀膜玻璃及制备方法
技术领域
本发明属于夹胶玻璃加工技术领域，具体涉及一种可后续加工含铜双银低辐射镀膜玻璃及制备方法。
背景技术
作为一种优良的建筑材料，玻璃由于其良好的通透性，具有透光、防紫外线及防风雪的功能，被广泛应用于建筑上。随着现代科技水平的发展，玻璃被赋予各种新的内涵，其中low-E玻璃以其美观大方的颜色、较好的质感以及优良的节能特性，在建筑幕墙领域已受到广泛应用。Low-E玻璃又称低辐射玻璃，常使用磁控溅射法在玻璃基片表面沉积出纳米膜层，进而改变玻璃的光学、电学、机械和化学等方面的性能，达到装饰、节能、环保等目的。
作为节能建筑材料，low-E玻璃的节能特性与普通玻璃及热反射镀膜玻璃相比，Low-E玻璃对远红外辐射具有极高的反射率。在有效减少室内外的热传递的作用下，保持室内温度稳定，减少建筑加热或制冷的能耗，起到了非常优秀的节能降耗作用。其中可钢膜系由于适于大面积生产，具备目前最高效的生产流程，可以进行后续切、磨、钢夹、等工艺加工，因此广受关注，成为未来low-E玻璃发展的大趋势。随着节能理念的倡导，各项鼓励节能环保的政策出台，LOW-E玻璃作为建筑节能产品，市场竞争愈发激烈，如何研发出新材料的LOW-E产品并达到良好的性能，从而满足客户需求是玻璃深加工企业提高竞争力的关键。
发明内容
本发明的目的是针对现有的技术存在的上述问题，提供一种可后续加工含铜双银低辐射镀膜玻璃及制备方法，本发明所要解决的技术问题是如何通过在常规双银镀膜玻璃基础上，通过膜层优化设计及溅射气体的改良，既提高了产品的耐氧化性能，又克服了现有双银产品钢化后颜色发生大幅改变的缺陷，使产品呈中性色。
本发明的目的可通过下列技术方案来实现：一种可后续加工含铜双银低辐射镀膜玻璃，其特征在于，本镀膜玻璃包括玻璃基片层和镀膜层，所述镀膜层自所述玻璃基片层向外依次复合有十三个膜层，其中第一层和第二层为第一电介质组合层，第三层为低辐射功能层，第四层和第五层为晶床介质层，第六层为第一阻挡保护层，第七层、第八层和第九层为第二电介质组合层，第十层为低辐射功能层,第十一层和第十二层为晶床介质，第十三层第二阻挡保护层。
一种可后续加工含铜双银低辐射镀膜玻璃，其特征在于，所述第一层为SiNX层，所述第二层为ZnAl层，所述第三层Ag层，所述第四层为NiCr层,所述第五层为AZO层,所述第六层为SiNX层，所述第七层为Cu层，所述第八层为SiNX层，所述第九层为ZnAl层，所述第十层为Ag层，所述第十一层为NiCr层，所述第十二层为AZO层，所述第十三层为SiNX层。
本镀膜玻璃中，其基片层为未钢化的玻璃原片，且其中的镀铜层上下均设有氮化硅层，其在高温钢化的过程中，不会与铜发生反应，使铜经过钢化高温后颜色变化不大，由此，该产品可先经过裁切、磨边等加工工序后，再进行钢化，而颜色变化不大，任然呈中性色。故该产品为可后续再加工的镀膜玻璃产品。
一种可后续加工含铜双银低辐射镀膜玻璃的制备方法，其特征在于，本方法包括如下步骤：
1)、磁控溅射镀膜层：
A、磁控溅射第一层：
靶材数量：交流旋转靶3～4个；靶材配置为硅铝(SiAl)；工艺气体比例：氩气和氮气，氩气和氮气的比例为1:1.14，溅射气压为3～5×10-3mbar；镀膜厚度为30～40nm；
B、磁控溅射第二层：
靶材数量：交流旋转靶1～2个；靶材配置为锌铝(ZnAl)；工艺气体比例：氩气和氧气，氩气和氧气的比例为1:2，溅射气压为3～5×10-3mbar；镀膜厚度为10～20nm；
C、磁控溅射第三层：
靶材数量：交流旋转靶1个；靶材配置为银(Ag)；工艺气体比例：纯氩气，溅射气压为2～3×10-3mbar；镀膜厚度为5～10nm；
D、磁控溅射第四层：
靶材数量：交流旋转靶1个；靶材配置为镍铬(NiCr)；工艺气体：纯氩气，溅射气压为2～3×10-3mbar；镀膜厚度为2～10nm；
E、磁控溅射第五层：
靶材数量：交流旋转靶1个；靶材配置为氧化锌铝(AZO)；工艺气体：纯氩气，溅射气压为2～3×10-3mbar；镀膜厚度为5～10nm；
F、磁控溅射第六层：
靶材数量：交流旋转靶3～5个；靶材配置为硅铝(SiAl)；工艺气体比例：氩气和氮气，氩气和氮气的比例为1:1.14，溅射气压为3～5×10-3mbar；镀膜厚度为20～40nm；
G、磁控溅射第七层：
靶材数量：交流旋转靶1个；靶材配置为铜(Cu)；工艺气体比例：纯氩气，溅射气压为2～3×10-3mbar；镀膜厚度为2～20nm；
H、磁控溅射第八层：
靶材数量：交流旋转靶3～5个；靶材配置为硅铝(SiAl)；工艺气体比例：氩气和氮气，氩气和氮气的比例为1:1.14，溅射气压为3～5×10-3mbar；镀膜厚度为50～100nm；
I、磁控溅射第九层：
靶材数量：交流旋转靶2～3个；靶材配置为锌铝(ZnAl)；工艺气体比例：氩气和氧气，氩气和氧气的比例为1:2，溅射气压为3～5×10-3mbar；镀膜厚度为5～20nm；
J、磁控溅射第十层：
靶材数量：交流旋转靶1个；靶材配置为银(Ag)；工艺气体比：纯氩气，溅射气压为2～3×10-3mbar；镀膜厚度为3～9nm；
K、磁控溅射第十一层：
靶材数量：交流旋转靶1个；靶材配置为镍铬(NiCr)；工艺气体：纯氩气，溅射气压为,2～3×10-3mbar；镀膜厚度为5～10nm；
L、磁控溅射第十二层：
靶材数量：交流旋转靶1个；靶材配置为氧化锌铝(AZO)；工艺气体：纯氩气，溅射气压为,2～3×10-3mbar；镀膜厚度为5～10nm；
M、磁控溅射第十三层：
靶材数量：交流旋转靶3～5个；靶材配置为硅铝(SiAl)；工艺气体比例：氩气和氮气，氩气和氮气的比例为1:1.14，溅射气压为3～5×10-3mbar；镀膜厚度为30～70nm
2)、镀膜层总厚度控制在154-369nm之间，溅射室传动走速控制在4.0-6.0m/min；
本发明优点：
1、本镀膜玻璃产品抗氧化新能高。
2、本镀膜玻璃产品透过a型在-4以内。
3、本镀膜玻璃产品遮阳效果比普通单片镀膜玻璃优越。
4、本镀膜玻璃产品6mm单片透过率T∈[30％，70％]。
5、本镀膜玻璃产品适用于大板系列产品，可加工厚度为3-19mm。
6、本镀膜玻璃产品经加热钢化工艺后颜色变化不大，可用于后续加工。
7、铜作为夹心层，产品颜色范围广泛，产品平弯搭配颜色任具一致性。
附图说明
图1是本镀膜玻璃的层状结构示意图。
图中，G、玻璃基片层；1、第一层；2、第二层；3、第三层；4、第四层；5、第五层；6、第六层；7、第七层；8、第八层；9、第九层；10、第十层；11、第十一层；12、第十二层；13、第十三层。
具体实施方式
以下是本发明的具体实施例并结合附图，对本发明的技术方案作进一步的描述，但本发明并不限于这些实施例。
如图1所示，一种可后续加工含铜双银低辐射镀膜玻璃，包括玻璃基片层G和镀膜层，镀膜层自玻璃基片层G向外依次复合有十三个膜层，其中第一层1和第二层2为第一电介质组合层，第三层3为低辐射功能层，第四层4和第五层5为晶床介质层，第六层6为第一阻挡保护层，第七层7、第八层8和第九层9为第二电介质组合层，第十层10为低辐射功能层,第十一层11和第十二层12为晶床介质，第十三层13第二阻挡保护层；第一层1为SiNX层，第二层2为ZnAl层，第三层3Ag层，第四层4为NiCr层,第五层5为AZO层,第六层6为SiNX层，第七层7为Cu层，第八层8为SiNX层，第九层9为ZnAl层，第十层10为Ag层，第十一层11为NiCr层，第十二层12为AZO层，第十三层13为SiNX层。
本镀膜玻璃中，其基片层G为未钢化的玻璃原片，且其中的镀铜层上下均设有氮化硅层，其在高温钢化的过程中，不会与铜发生反应，使铜经过钢化高温后颜色变化不大，由此，该产品可先经过裁切、磨边等加工工序后，再进行钢化，而颜色变化不大，任然呈中性色。故该产品为可后续再加工的镀膜玻璃产品。
一种可后续加工含铜双银低辐射镀膜玻璃的制备方法，包括如下步骤：
1)、磁控溅射镀膜层：
A、磁控溅射第一层1：
靶材数量：交流旋转靶3～4个；靶材配置为硅铝(SiAl)；工艺气体比例：氩气和氮气，氩气和氮气的比例为1:1.14，溅射气压为3～5×10-3mbar；镀膜厚度为30～40nm；
B、磁控溅射第二层2：
靶材数量：交流旋转靶1～2个；靶材配置为锌铝(ZnAl)；工艺气体比例：氩气和氧气，氩气和氧气的比例为1:2，溅射气压为3～5×10-3mbar；镀膜厚度为10～20nm；
C、磁控溅射第三层3：
靶材数量：交流旋转靶1个；靶材配置为银(Ag)；工艺气体比例：纯氩气，溅射气压为2～3×10-3mbar；镀膜厚度为5～10nm；
D、磁控溅射第四层4：
靶材数量：交流旋转靶1个；靶材配置为镍铬(NiCr)；工艺气体：纯氩气，溅射气压为2～3×10-3mbar；镀膜厚度为2～10nm；
E、磁控溅射第五层5：
靶材数量：交流旋转靶1个；靶材配置为氧化锌铝(AZO)；工艺气体：纯氩气，溅射气压为2～3×10-3mbar；镀膜厚度为5～10nm；
F、磁控溅射第六层6：
靶材数量：交流旋转靶3～5个；靶材配置为硅铝(SiAl)；工艺气体比例：氩气和氮气，氩气和氮气的比例为1:1.14，溅射气压为3～5×10-3mbar；镀膜厚度为20～40nm；
G、磁控溅射第七层7：
靶材数量：交流旋转靶1个；靶材配置为铜(Cu)；工艺气体比例：纯氩气，溅射气压为2～3×10-3mbar；镀膜厚度为2～20nm；
H、磁控溅射第八层8：
靶材数量：交流旋转靶3～5个；靶材配置为硅铝(SiAl)；工艺气体比例：氩气和氮气，氩气和氮气的比例为1:1.14，溅射气压为3～5×10-3mbar；镀膜厚度为50～100nm；
I、磁控溅射第九层9：
靶材数量：交流旋转靶2～3个；靶材配置为锌铝(ZnAl)；工艺气体比例：氩气和氧气，氩气和氧气的比例为1:2，溅射气压为3～5×10-3mbar；镀膜厚度为5～20nm；
J、磁控溅射第十层10：
靶材数量：交流旋转靶1个；靶材配置为银(Ag)；工艺气体比：纯氩气，溅射气压为2～3×10-3mbar；镀膜厚度为3～9nm；
K、磁控溅射第十一层11：
靶材数量：交流旋转靶1个；靶材配置为镍铬(NiCr)；工艺气体：纯氩气，溅射气压为,2～3×10-3mbar；镀膜厚度为5～10nm；
L、磁控溅射第十二层12：
靶材数量：交流旋转靶1个；靶材配置为氧化锌铝(AZO)；工艺气体：纯氩气，溅射气压为,2～3×10-3mbar；镀膜厚度为5～10nm；
M、磁控溅射第十三层13：
靶材数量：交流旋转靶3～5个；靶材配置为硅铝(SiAl)；工艺气体比例：氩气和氮气，氩气和氮气的比例为1:1.14，溅射气压为3～5×10-3mbar；镀膜厚度为30～70nm
2)、镀膜层总厚度控制在154-369nm之间，溅射室传动走速控制在4.0-6.0m/min；
本文中所描述的具体实施例仅仅是对本发明精神作举例说明。本发明所属技术领域的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代，但并不会偏离本发明的精神或者超越所附权利要求书所定义的范围。

Claims (1)

1.一种可后续加工含铜双银低辐射镀膜玻璃的制备方法，其特征在于，镀膜玻璃包括玻璃基片层(G)和镀膜层，所述镀膜层自所述玻璃基片层(G)向外依次复合有十三个膜层，其中第一层(1)和第二层(2)为第一电介质组合层，第三层(3)为低辐射功能层，第四层(4)和第五层(5)为晶床介质层，第六层(6)为第一阻挡保护层，第七层(7)、第八层(8)和第九层(9)为第二电介质组合层，第十层(10)为低辐射功能层,第十一层(11)和第十二层(12)为晶床介质，第十三层(13)第二阻挡保护层；
所述第一层(1)为SiNX层，所述第二层(2)为ZnAl层，所述第三层(3)Ag层，所述第四层(4)为NiCr层,所述第五层(5)为AZO层,所述第六层(6)为SiNX层，所述第七层(7)为Cu层，所述第八层(8)为SiNX层，所述第九层(9)为ZnAl层，所述第十层(10)为Ag层，所述第十一层(11)为NiCr层，所述第十二层(12)为AZO层，所述第十三层(13)为SiNX层；
制备方法包括如下步骤：
1)、磁控溅射镀膜层：
A、磁控溅射第一层(1)：
靶材数量：交流旋转靶3～4个；靶材配置为硅铝(SiAl)；工艺气体比例：氩气和氮气，氩气和氮气的比例为1:1.14，溅射气压为3～5×10-3mbar；镀膜厚度为30～40nm；
B、磁控溅射第二层(2)：
靶材数量：交流旋转靶1～2个；靶材配置为锌铝(ZnAl)；工艺气体比例：氩气和氧气，氩气和氧气的比例为1:2，溅射气压为3～5×10-3mbar；镀膜厚度为10～20nm；
C、磁控溅射第三层(3)：
靶材数量：交流旋转靶1个；靶材配置为银(Ag)；工艺气体比例：纯氩气，溅射气压为2～3×10-3mbar；镀膜厚度为5～10nm；
D、磁控溅射第四层(4)：
靶材数量：交流旋转靶1个；靶材配置为镍铬(NiCr)；工艺气体：纯氩气，溅射气压为2～3×10-3mbar；镀膜厚度为2～10nm；
E、磁控溅射第五层(5)：
靶材数量：交流旋转靶1个；靶材配置为氧化锌铝(AZO)；工艺气体：纯氩气，溅射气压为2～3×10-3mbar；镀膜厚度为5～10nm；
F、磁控溅射第六层(6)：
靶材数量：交流旋转靶3～5个；靶材配置为硅铝(SiAl)；工艺气体比例：氩气和氮气，氩气和氮气的比例为1:1.14，溅射气压为3～5×10-3mbar；镀膜厚度为20～40nm；
G、磁控溅射第七层(7)：
靶材数量：交流旋转靶1个；靶材配置为铜(Cu)；工艺气体比例：纯氩气，溅射气压为2～3×10-3mbar；镀膜厚度为2～20nm；
H、磁控溅射第八层(8)：
靶材数量：交流旋转靶3～5个；靶材配置为硅铝(SiAl)；工艺气体比例：氩气和氮气，氩气和氮气的比例为1:1.14，溅射气压为3～5×10-3mbar；镀膜厚度为50～100nm；
I、磁控溅射第九层(9)：
靶材数量：交流旋转靶2～3个；靶材配置为锌铝(ZnAl)；工艺气体比例：氩气和氧气，氩气和氧气的比例为1:2，溅射气压为3～5×10-3mbar；镀膜厚度为5～20nm；
J、磁控溅射第十层(10)：
靶材数量：交流旋转靶1个；靶材配置为银(Ag)；工艺气体比：纯氩气，溅射气压为2～3×10-3mbar；镀膜厚度为3～9nm；
K、磁控溅射第十一层(11)：
靶材数量：交流旋转靶1个；靶材配置为镍铬(NiCr)；工艺气体：纯氩气，溅射气压为,2～3×10-3mbar；镀膜厚度为5～10nm；
L、磁控溅射第十二层(12)：
靶材数量：交流旋转靶1个；靶材配置为氧化锌铝(AZO)；工艺气体：纯氩气，溅射气压为,2～3×10-3mbar；镀膜厚度为5～10nm；
M、磁控溅射第十三层(13)：
靶材数量：交流旋转靶3～5个；靶材配置为硅铝(SiAl)；工艺气体比例：氩气和氮气，氩气和氮气的比例为1:1.14，溅射气压为3～5×10-3mbar；镀膜厚度为30～70nm；
2)、镀膜层总厚度控制在154-369nm之间，溅射室传动走速控制在4.0-6.0m/min。
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