CN203651100U

CN203651100U - 可后续加工的含铜、银四层低辐射镀膜玻璃

Info

Publication number: CN203651100U
Application number: CN201320413365.8U
Authority: CN
Inventors: 林嘉宏
Original assignee: TG TIANJIN GLASS Co Ltd
Current assignee: TG TIANJIN GLASS Co Ltd
Priority date: 2013-07-12
Filing date: 2013-07-12
Publication date: 2014-06-18
Anticipated expiration: 2023-07-12

Abstract

本实用新型公开了一种可后续加工的含铜、银四层低辐射镀膜玻璃，其特征在于，所述膜层自玻璃基片向外依次包括：基层电介质组合层、第一阻挡层、铜层、第二阻挡层、第一隔层电介质组合层、第一电介质平铺层、第一银层、第一电介质保护层、第二隔层电介质组合层、第二电介质平铺层、第二银层、第二电介质保护层、第三隔层电介质组合层、第三电介质平铺层、第三银层、第三阻挡层、顶层电介质组合层。本实用新型采用一层铜和三层银相结合的独特膜系结构，相对四银低辐射镀膜玻璃而言具有价格低廉、辐射低、可见光透过率高、外观不呈现干扰色、选择系数高、节能效果佳、极好的耐候性，可进行后续加工。

Description

可后续加工的含铜、银四层低辐射镀膜玻璃

技术领域

本实用新型涉及建筑玻璃和汽车玻璃领域，尤其涉及一种可后续加工的含铜、银四层低辐射镀膜玻璃。

背景技术

三银低辐射镀膜玻璃作为目前市场上的高端产品，三银加铜低辐射镀膜玻璃可达到四银的低辐射效果，由三层的银层和一层的铜层组成，具有较高的可见光透过率、很高的红外线反射率，可以获得极佳的隔热保温效果，另外对于紫外线的阻挡也有着很好的效果。一种可后续加工的含铜、银四层低辐射镀膜玻璃可以实现先镀膜后再进行改切、磨边和钢化等后续加工，解决银和铜，尤其是铜，在后续热处理中被破坏的问题。

发明内容

本实用新型为解决公知技术中存在的技术问题而提供一种产品性能好，耐磨耗、抗腐蚀、抗氧化极优，在镀膜后可进行后续加工的含铜、银四层低辐射镀膜玻璃。

本实用新型为解决公知技术中存在的技术问题所采取的技术方案是：

一种可后续加工的含铜、银四层低辐射镀膜玻璃，包括玻璃基片和膜层，其特征在于，所述膜层自玻璃基片向外依次包括：基层电介质组合层、第一阻挡层、铜层、第二阻挡层、第一隔层电介质组合层、第一电介质平铺层、第一银层、第一电介质保护层、第二隔层电介质组合层、第二电介质平铺层、第二银层、第二电介质保护层、第三隔层电介质组合层、第三电介质平铺层、第三银层、第三阻挡层、顶层电介质组合层。

本实用新型还可以采用如下技术措施：

所述基层电介质组合层和顶层电介质组合层为硅的化合物。

所述基层电介质组合层和顶层电介质组合层为Si3N4、SiOxNy、SiO2中的至少一种。第一、第二和第三阻挡层为NiCr、NiV、NiVOx、Ti、Cr、Nb、Zr、NiCrOx、NiCrNx和CrNx中的一种。

所述第一、第二和第三隔层电介质组合层为Si3N4、ZnSnOX、ZnO、ZrO2、Nb3O5、In2O3、SnO、AZO、SiOXNy、Ta2O5、ZnAlOx、TiO2和InSbO中的一种或几种。

所述第一、第二和第三电介质平铺层为ZnAlOx、ZnO和AZO中的一种。

所述第一、第二电介质保护层为AZO。

所述的基层电介质组合层的厚度为10-100nm、第一阻挡层的厚度为0.5-5nm、铜层的厚度为3-30nm、第二阻挡层的厚度为0.5-5nm、第一隔层电介质组合层的厚度为10-150nm、第一电介质平铺层的厚度为1-20nm、第一银层的厚度为5-40nm、第一电介质保护层的厚度为2-20nm、第二隔层电介质组合层的厚度为10-150nm、第二电介质平铺层的厚度为1-20nm、第二银层的厚度为5-40nm、第二电介质保护层的厚度为2-20nm、第三隔层电介质组合层的厚度为10-150nm、第三电介质平铺层的厚度为1-20nm、第三银层的厚度为5-40nm、第三阻挡层的厚度为0.5-5nm、顶层电介质组合层的厚度为10-100nm。

本实用新型具有的优点和积极效果是：本实用新型采用一层铜和三层银相结合的独特膜系结构，解决了传统低辐射玻璃银层厚度和层数增加后可见光透过较低、外观颜色呈现干扰色、颜色选择受限等问题。产品具有价格低廉相对四银低辐射镀膜玻璃而言、辐射低、可见光透过率高、外观不呈现干扰色、选择系数高、节能效果佳、极好的耐候性等特点，且可进行后续加工。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图。

具体实施方式

为能进一步了解本实用新型的发明内容、特点及功效，兹例举以下实施例，并配合附图详细说明如下：

如图1所示，一种可后续加工的含铜、银四层低辐射镀膜玻璃，包括玻璃基片和膜层，其特征在于，所述膜层自玻璃基片向外依次包括：基层电介质组合层、第一阻挡层、铜层、第二阻挡层、第一隔层电介质组合层、第一电介质平铺层、第一银层、第一电介质保护层、第二隔层电介质组合层、第二电介质平铺层、第二银层、第二电介质保护层、第三隔层电介质组合层、第三电介质平铺层、第三银层、第三阻挡层、顶层电介质组合层。

本实用新型还可以采用如下技术措施：

所述基层电介质组合层和顶层电介质组合层为硅的化合物。

所述第一、第二和第三隔层电介质组合层为Si3N4、ZnSnOX、ZnO、ZrO2、Nb3O5、 In2O3、SnO、AZO、SiOXNy、Ta2O5、ZnAlOx、TiO2和InSbO中的一种或几种。

所述第一、第二电介质保护层为AZO。

用于生产上述可后续加工的含铜、银四层低辐射镀膜玻璃的制造方法，采用真空磁控溅射镀膜方式，具体包括以下步骤：

1、清洗玻璃基片，干燥后置于磁控溅射区。

2、在所述玻璃基片上自下向上依次沉积形成基层电介质组合层、第一阻挡层、铜层、第二阻挡层、第一隔层电介质组合层、第一电介质平铺层、第一银层、第一电介质保护层、第二隔层电介质组合层、第二电介质平铺层、第二银层、第二电介质保护层、第三隔层电介质组合层、第三电介质平铺层、第三银层、第三阻挡层、顶层电介质组合层。

3、形成产品。

所述基层电介质层、第一至第三电介质平铺层、第一至第三隔层电介质组合层和顶层电介质层均采用双旋转阴极、中频反应磁控溅射方式沉积；所述铜层、第一至第三银层、第一至第三阻挡层、第一至第二电介质保护层均采用平面阴极、直流磁控溅射的方式沉积。

所述的直流磁控溅射方式是在纯氧、氩氧或氩氮氛围中进行；所述的双旋转阴极、中频反应磁控溅射方式是在氩氧、氩氮、纯氩或氩氧氮氛围中进行。

本实用新型的可后续加工的含铜、银四层低辐射镀膜玻璃的膜层机构和厚度如下：

基层电介质组合层的厚度为10-100nm、第一阻挡层的厚度为0.5-5nm、铜层的厚度为3-30nm、第二阻挡层的厚度为0.5-5nm、第一隔层电介质组合层的厚度为10-150nm、第一电介质平铺层的厚度为1-20nm、第一银层的厚度为5-40nm、第一电介质保护层的厚度为2-20nm、第二隔层电介质组合层的厚度为10-150nm、第二电介质平铺层的厚度为1-20nm、第二银层的厚度为5-40nm、第二电介质保护层的厚度为2-20nm、第三隔层电介质组合层的厚度为10-150nm、第三电介质平铺层的厚度为1-20nm、第三银层的厚度为5-40nm、第三阻挡层的厚度为0.5-5nm、顶层电介质组合层的厚度为10-100nm。

下面为本实用新型的一个具体应用实例的材料膜层结构：

玻璃基片/Si3N4/NiCr/Cu/NiCr/Si3N4/ZnO/Ag/AZO/Si3N4/ZnO/Ag/AZO/Si3N4/ZnO/Ag/NiCr/Si3N4。

其中，基层基层电介质组合层为氮化硅Si3N4，膜层厚度为：48nm；

第一阻挡层为镍铬为NiCr，膜层厚度为：1nm；

铜层Cu膜层厚度为：12nm；

第二阻挡层为镍铬NiCr，膜层厚度为：0.8nm；

第一隔层电介质组合层为氮化硅Si3N4，膜层厚度为：77nm；

第一电介质平铺层为氧化锌ZnO，膜层厚度为：3.4nm；

第一银层膜层厚度为：14.6nm；

第一电介质保护层为AZO，膜层厚度为：3.7nm；

第二隔层电介质组合层为氮化硅Si3N4，膜层厚度为：57.7nm；

第二电介质平铺层为氧化锌ZnO，膜层厚度为：10.4nm；

第二银层膜层厚度为：17nm；

第二电介质保护层为AZO，膜层厚度为：5.0nm；

第三隔层电介质组合层为氮化硅Si3N4，膜层厚度为：60.7nm；

第三电介质平铺层为氧化锌ZnO，膜层厚度为：15.0nm；

第三银层膜层厚度为：16nm；

第三阻挡层为镍鉻，膜层厚度为：0.8nm；

顶层电介质组合层为氮化硅Si3N4，膜层厚度为：42.3nm。

上面所述的膜层加工工艺如下：

氮化硅(Si3N4)层使用硅铝(92∶8)靶，采用双旋转阴极、中频反应磁控溅射方式在氩、氮氛围中溅射沉积，工作气压约2.5E-3mbar，功率为20-110kw，电源频率为18-40kHz。

氧化锌(ZnO)层使用锌铝(98∶2)靶，采用双旋转阴极、中频反应磁控溅射方式在氩、氧氛围中溅射沉积，工作气压约3.0E-3mbar，功率为5-60kw，电源频率为18-40kHz。

AZO层使用氧化锌靶，采用双旋转阴极、中频反应磁控溅射方式在氩、氧氛围中溅射沉积，工作气压约2.5E-3mbar，功率为3-15kw，电源频率为18-40kHz。

镍铬(NiCr)层使用镍铬合金靶，采用平面阴极、直流磁控溅射方式在纯氩氛围中溅射沉积，工作气压约4.0E-3mbar，功率为1.6-10kw。

功能层Cu层使用无氧铜靶，采用平面阴极、直流磁控溅射方式在纯氩氛围中溅射沉积，工作气压约4.0E-3mbar，功率为3-30kw。

功能层Ag层使用银靶，采用平面阴极、直流磁控溅射方式在纯氩氛围中溅射沉积，工作气压约4.0E-3mbar，功率为3-20kw。

本实用新型制作流程如下：

(1).将玻璃基片清洗干燥后，将其置于真空溅射区，进行预真空过渡；

(2).在所述玻璃基片上沉积形成基层电介质组合层；

(3).在所述基层电介质组合层上沉积形成第一阻挡层；

(4).在所述的第一阻挡层上沉积形成功能层铜层；

(5).在所述的功能层铜层上沉积形成第二阻挡层；

(6).在所述的第二阻挡层上沉积形成第一隔层电介质组合层；

(7).在所述的第一隔层电介质组合层上沉积形成第一电介质平铺层；

(8).在所述的第一电介质平铺层上沉积形成功能层第一银层；

(9).在功能层第一银层上沉积形成第一电介质保护层；

(10).在第一电介质保护层上沉积形成第二隔层电介质组合层；

(11).在第二隔层电介质组合层上沉积形成第二电介质平铺层；

(12).在第二电介质平铺层上沉积形成功能层第二银层；

(13).在功能层第二银层上沉积形成第二电介质保护层；

(14).在第二电介质保护层上沉积形成第三隔层电介质组合层；

(15).在第三隔层电介质组合层上沉积形成第三电介质平铺层；

(16).在第三电介质平铺层上沉积形成功能层第三银层；

(17).在功能层第三银层上沉积形成第三阻挡层；

(18).在第三阻挡层上沉积形成顶层电介质组合层。

(19).形成产品；

(20).在线测量光学性能参数；

(21).成品检验；

(22).产品包装。

按照上面所述流程制作出来的玻璃产品，经过钢化后光学性能如下（玻璃为6mm普通白玻）：

玻璃可见光透过率T=60.5%；

可见光玻璃面反射率=10.5%；

可见光玻璃面色坐标a*值＝-1.5；

可见光玻璃面色坐标b*＝-9.5；

可见光膜面反射率＝4.2％；

可见光膜面色坐标a*值＝9.2；

可见光膜面色坐标b*＝-25；

玻璃辐射率E＝0.014；

膜层电阻低于1.1Ω·cm2。

使用本实用新型制成：6mm含银低辐射玻璃+12mm空气层+6mm普通白玻结构的中空玻璃，性能参数如下：

可见光透过率T＝55.2％；

可见光玻璃面反射率=12.7%；

太阳能透过率T＝15％；

太阳能反射率＝55％

G-value＝0.22；

遮阳系数SC＝0.25；

U值＝1.08W/m2·K；

选择系数光热比LSG＝2.5；

本实用新型提供一种独特的膜系结构，尤其是一层铜和三层银的相互组合，对传统的低辐射镀膜玻璃进行了改进，解决了以下问题：

传统以银或者铜和银组合作为红外线反射层的低辐射镀膜玻璃，不能再进行后续加工的原因：铜层和银层在钢化加热过程中极易被烧坏，导致膜层易脱膜、膜层表面发雾和减弱红外线反射功能等问题。本实用新型通过改变基层和顶层的工艺参数、铜层的前后增加耐高温阻挡层、银层前后选用了特殊工艺的保护层，保护了铜和银在钢化高温过程中不被破坏，可以实现先镀膜后进行钢化等后续加工。

本实用新型采用独特的膜系结构及特殊工艺，解决多膜层的易划伤、易脱膜和易氧化现象，满足了后续加工的要求。

以上所述仅是对本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型作任何形式上的限制，凡是依据本实用新型的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改，等同变化与修饰，均属于本实用新型技术方案的范围内。

Claims

1.一种可后续加工的含铜、银四层低辐射镀膜玻璃，包括玻璃基片和膜层，其特征在于，所述膜层自玻璃基片向外依次包括：基层电介质组合层、第一阻挡层、铜层、第二阻挡层、第一隔层电介质组合层、第一电介质平铺层、第一银层、第一电介质保护层、第二隔层电介质组合层、第二电介质平铺层、第二银层、第二电介质保护层、第三隔层电介质组合层、第三电介质平铺层、第三银层、第三阻挡层、顶层电介质组合层。

2.根据权利要求1所述的可后续加工的含铜、银四层低辐射镀膜玻璃，其特征在于，基层电介质组合层和顶层电介质组合层为硅的化合物。

3.根据权利要求2所述的可后续加工的含铜、银四层低辐射镀膜玻璃，其特征在于，基层电介质组合层和顶层电介质组合层为Si3N4、SiOxNy、SiO2中的一种。

4.根据权利要求1所述的可后续加工的含铜、银四层低辐射镀膜玻璃，其特征在于，第一、第二和第三阻挡层为NiCr、NiV、NiVOx、Ti、Cr、Nb、Zr、NiCrOx、NiCrNx和CrNx中的一种。

5.根据权利要求1所述的可后续加工的含铜、银四层低辐射镀膜玻璃，其特征在于，第一、第二和第三隔层电介质组合层为Si3N4、ZnSnOX、ZnO、ZrO2、Nb3O5、In2O3、

SnO、AZO、SiOXNy、Ta2O5、ZnAlOx、TiO2和InSbO中的一种。

6.根据权利要求1所述的可后续加工的含铜、银四层低辐射镀膜玻璃，其特征在于，第一、第二和第三电介质平铺层为ZnAlOx、ZnO和AZO中的一种。

7.根据权利要求1所述的可后续加工的含铜、银四层低辐射镀膜玻璃，其特征在于，第一、第二电介质保护层为AZO。

8.根据权利要求1所述的可后续加工的含铜、银四层低辐射镀膜玻璃，其特征在于，所述的基层电介质组合层的厚度为10-100nm、第一阻挡层的厚度为0.5-5nm、铜层的厚度为3-30nm、第二阻挡层的厚度为0.5-5nm、第一隔层电介质组合层的厚度为10-150nm、第一电介质平铺层的厚度为1-20nm、第一银层的厚度为5-40nm、第一电介质保护层的厚度为2-20nm、第二隔层电介质组合层的厚度为10-150nm、第二电介质平铺层的厚度为1-20nm、第二银层的厚度为5-40nm、第二电介质保护层的厚度为2-20nm、第三隔层电介质组合层的厚度为10-150nm、第三电介质平铺层的厚度为1-20nm、第三银层的厚度为5-40nm、第三阻挡层的厚度为0.5-5nm、顶层电介质组合层的厚度为10-100nm。