CN104377278A - 一种p型GaN低阻值欧姆接触层的制备方法 - Google Patents
一种p型GaN低阻值欧姆接触层的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104377278A CN104377278A CN201410520243.8A CN201410520243A CN104377278A CN 104377278 A CN104377278 A CN 104377278A CN 201410520243 A CN201410520243 A CN 201410520243A CN 104377278 A CN104377278 A CN 104377278A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- type gan
- layer
- gan layer
- grown
- ohmic contact
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract 2
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 20
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 13
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 8
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 14
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 9
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 abstract description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 103
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 17
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 12
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 9
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001025261 Neoraja caerulea Species 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000004069 differentiation Effects 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/14—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0075—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds comprising nitride compounds
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
本申请公开了一种p型GaN低阻值欧姆接触层的制备方法，其特征在于，依次包含处理衬底、在衬底上生长缓冲层、在缓冲层上生长u型GaN层、在u型GaN层上生长n型GaN层、在n型GaN层上生长MQW有源层、在MQW有源层上生长AlGaN层、在AlGaN层上生长第一p型GaN层以及在第一p型GaN层上生长第二p型GaN层。与现有技术相比，由于第二p型GaN层具有较高的Mg浓度掺杂，接触层的空穴浓度较高，减少了第二p型GaN层与金属接触电阻率，亦使第二p型GaN层与金属产生的势垒区变窄，增加载流子通过隧穿穿越金属与半导体接触势垒区几率，减低大功率LED芯片的工作电压，从而提高大功率LED芯片的发光效率。
Description
技术领域
本申请涉及半导体照明技术领域，具体地说，是涉及一种p型GaN低阻值欧姆接触层的制备方法。
背景技术
发光二极管(LED)作为一种高效、环保和绿色新型固态照明光源，具有体积小、重量轻、寿命长、可靠性高及使用功耗低等优点，使其得以广泛应用。特别地，随着LED行业的迅猛发展，LED在照明领域的应用所占比例越来越高。随着大功率LED芯片在照明领域广泛应用，对大功率LED芯片发光效率要求与日俱增，要大功率LED芯片发光效率，一方面要提高大功率芯片的亮度，另外一方面要降低大功率芯片在高电流密度下的工作电压。
蓝光LED工作电压主要是由电压最小理论值、接触电阻、低载流子浓度和低迁移率材料的体电阻，载流子注入量子阱在导带和价带带阶处造成的能量损失等方面造成。因此通过减小接触电阻来降低工作电压是降电压的重要方式之一。
在p型GaN(GaN即为氮化镓)接触比较难做，很少能获得等于或小于10-3Ω·cm2的接触电阻率。低阻p型GaN材料欧姆接触主要是受到两个方面的制约：一方面是缺乏合适的的接触金属材料，另外一方面是很难获得高浓度p型掺杂GaN基材料。
金属与半导体接触时，若半导体一侧的掺杂浓度很高，则势垒区宽度将会变薄，载流子可以通过隧穿效应穿越势垒，产生相当大的隧穿电流，形成欧姆接触。另外，掺杂浓度越高，产生的空穴浓度越高，其电阻率越低。因此如何获得高掺杂浓度p型GaN层是减小接触阻值，增加载流子穿越金属与半导体接触势垒区几率是LED领域需要攻破的领域之一。
发明内容
本发明旨在提供一种p型GaN低阻值欧姆接触层的制备方法，以降低p型GaN基材料与金属接触电阻率，增加载流子通过隧穿穿越金属与半导体接触势垒区几率，减低大功率LED芯片的工作电压，从而提高大功率LED芯片的发光效率。
为了解决上述问题，本发明提供了一种p型GaN低阻值欧姆接触层的制备方法，其特征在于，依次包含处理衬底、在衬底上生长缓冲层、在缓冲层上生长u型GaN层、在u型GaN层上生长n型GaN层、在n型GaN层上生长MQW有源层、在MQW有源层上生长AlGaN层、在AlGaN层上生长第一p型GaN层以及在第一p型GaN层上生长第二p型GaN层，其中，
所述第二p型GaN层中的Mg浓度大于第一p型GaN层中Mg浓度，所述第二p型GaN层和所述第一p型GaN层是在相同温度条件以及相同压力条件下生长的，所述第二p型GaN层的生长速度为所述第一p型GaN层生长速度的1/5-1/3，
其中，所述第二p型GaN层Mg浓度为2.5×1020-4×1020atoms/cm3，所述第一p型GaN层Mg浓度为5×1019-8×1019atoms/cm3。
优选地，所述第二p型GaN层的厚度为5-12nm。
优选地，所述AlGaN层的厚度为40-70nm，所述第一p型GaN层的厚度为50-100nm。
优选地，所述第二p型GaN层是在940-980℃温度条件下生长的。
优选地，所述第一p型GaN层和所述第二p型GaN层采用相同的载气来生长。
优选地，所述载气为氢气。
与现有技术相比，本申请提供的p型GaN低阻值欧姆接触层的制备方法中，生长在第一p型GaN层上的第二p型GaN层即为接触层，第二p型GaN层中的Mg浓度在2.5×1020-4×1020atoms/cm3间，第二p型GaN层(即接触层)的Mg浓度大于第一p型GaN层的Mg浓度。由于第二p型GaN层(即接触层)具有较高的Mg浓度掺杂，接触层的空穴浓度较高，减少了第二p型GaN层(即接触层)与金属接触电阻率，亦使第二p型GaN层(即接触层)与金属产生的势垒区变窄，增加了载流子通过隧穿穿越金属与半导体接触势垒区几率，减低了大功率LED芯片的工作电压，从而提高了大功率LED芯片的发光效率。此外，本发明中的第二p型GaN层(即接触层)其生长厚度较厚，该层能让电流扩散更加均匀，电流分布均匀则会使得在测试抗静电能力时产生瞬间电流值减小，降低静电对芯片的损毁的几率，提升了芯片抗静电能力(ESD)的良率。本发明中制备方法实现起来方便和简单，易于推广应用。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：
图1为本发明提供的制备方法流程图；
图2为根据本发明提供的制备方法得到的接触层与现有技术中接触层电压对比图；
图3为根据本发明提供的制备方法得到的接触层与现有技术中接触层ESD良率对比图。
具体实施方式
如在说明书及权利要求当中使用了某些词汇来指称特定组件。本领域技术人员应可理解，硬件制造商可能会用不同名词来称呼同一个组件。本说明书及权利要求并不以名称的差异来作为区分组件的方式，而是以组件在功能上的差异来作为区分的准则。如在通篇说明书及权利要求当中所提及的“包含”为一开放式用语，故应解释成“包含但不限定于”。“大致”是指在可接收的误差范围内，本领域技术人员能够在一定误差范围内解决所述技术问题，基本达到所述技术效果。此外，“耦接”一词在此包含任何直接及间接的电性耦接手段。因此，若文中描述一第一装置耦接于一第二装置，则代表所述第一装置可直接电性耦接于所述第二装置，或通过其他装置或耦接手段间接地电性耦接至所述第二装置。说明书后续描述为实施本申请的较佳实施方式，然所述描述乃以说明本申请的一般原则为目的，并非用以限定本申请的范围。本申请的保护范围当视所附权利要求所界定者为准。
在本发明中术语p型GaN层是指掺杂Mg或掺杂Al或同时掺杂Mg和Al后形成的GaN层；术语n型GaN层是指掺杂Si后形成的GaN层；术语u型GaN层是指未掺杂的GaN层。
以下结合附图对本申请作进一步详细说明，但不作为对本申请的限定。
实施例1：
如图1所示，为本发明提供的p型GaN低阻值欧姆接触层的制备方法流程图，依次包含处理衬底101、在衬底上生长缓冲层102、在缓冲层上生长u型GaN层103、在u型GaN层上生长n型GaN层104、在n型GaN层上生长MQW有源层105、在MQW有源层上生长AlGaN层106、在AlGaN层上生长第一p型GaN层107以及在第一p型GaN层上生长第二p型GaN层108，第二p型GaN层中的Mg浓度大于第一p型GaN层中Mg浓度，第二p型GaN层和第一p型GaN层是在相同温度条件以及相同压力条件下生长的，第二p型GaN层的生长速度为第一p型GaN层生长速度的1/5-1/3。第二p型GaN层Mg浓度为2.5×1020-4×1020atoms/cm3，第一p型GaN层Mg浓度为5×1019-8×1019atoms/cm3。第二p型GaN层的厚度为5-12nm。AlGaN层的厚度为40-70nm，第一p型GaN层的厚度为50-100nm。第二p型GaN层是在940-980℃温度条件下生长的。第一p型GaN层和第二p型GaN层采用相同的载气来生长，该载气为氢气。
本发明提供的p型GaN低阻值欧姆接触层的制备方法，是运用MOCVD生长GaN外延层，采用高纯氢气或高纯氮气或氢气和氮气混合气体作为载气，高纯氨气作为N源，金属有机源三甲基镓(TMGa)作为镓源，三甲基铟(TMIn)作为铟源，p型掺杂剂为二茂镁(Cp2Mg)，衬底为蓝宝石衬底，反应压力在50mbar到650mbar之间。
本申请的实施例可以按照以下具体实施步骤进行：
1)处理衬底101：将衬底在氢气气氛里进行高温退火，清洁该衬底表面，温度控制在1040-1080℃之间，衬底是适合GaN及其半导体外延材料生长的材料，如蓝宝石，SiC，单晶Si等，反应室压力为50-150mbar，将衬底高温净化15-25min；
2)在衬底上生长缓冲层102：降低温度至500-560℃，反应室压力为500-650mbar，在氢气环境下，在步骤1)中衬底上生长20-35nm厚的缓冲层；
3)在缓冲层上生长u型GaN层103：将反应室温度升至1000-1120℃，反应室压力为500-650mbar，在氢气气氛下，在步骤2)中的缓冲层上生长2-3.5μm厚的u型GaN层；
4)在u型GaN层上生长n型GaN层104：将反应室温度升至1070-1110℃，反应室压力为500-650mbar，在氢气气氛下，在步骤3)中的u型GaN层上生长2-3.5μm厚的n型GaN层，Si的掺杂浓度为8×1018-1.5×1019atoms/cm3；
5)在n型GaN层上生长MQW有源层105：降温至800-970℃，反应室压力为300-500mbar，在氮气气氛下，在步骤4)中的n型GaN层上生长MQW有源层，MQW有源层是由InGaN和GaN组成的多量子阱组成的，其中InGaN层厚度为2-3.5nm，GaN厚度为8-13nm；
6)在MQW有源层上生长AlGaN层106：将反应室温度升至820-900℃，反应室压力为50-150mbar，在氮气气氛下，在上述的MQW有源层上生长AlGaN层；
7)在AlGaN层上生长第一p型GaN层107：将反应室温度升至940-980℃，反应室压力为300-500mbar，在氢气气氛下，在步骤6)的AlGaN层上生长70-100nm厚第一p型GaN层；
8)在第一p型GaN层上生长第二p型GaN层108：控制反应室温度为940-980℃，反应室压力为300-500mbar，在氢气气氛和低生长速度条件下，在步骤7)中的第一p型GaN层上生长5-12nm厚的第二p型GaN层，第二p型GaN层8的生长速度为步骤7)中第一p型GaN层7的生长速度的1/5-1/3，第二p型GaN层即为本申请中的接触层，Mg浓度为2.5×1020-4×1020atoms/cm3。
9)退火：将温度降至600～750℃，反应室压力为300-500mbar，在氮气气氛下，活化时间5-20min。
对比试验1：
本对比例提供了一种欧姆接触层的制备方法及包括其的P型GAN低阻值欧姆接触层的制备方法，包括以下步骤：
1、衬底处理：将温度升至1040-1080℃，反应室压力为50-150mbar，将衬底处理15-25min；
2、生长缓冲层：将温度升至500-560℃，反应室压力为500-650mbar，在氢气气气氛下，在上述衬底生长20-35nm厚的缓冲层；
3、生长uGaN层：将反应室温度升至1000-1120℃，反应室压力为500-650mbar，在氢气气氛下，在上述的缓冲层上生长2-3.5μm厚的u型GaN层；
4、生长nGaN层：将反应室温度升至1070-1110℃，反应室压力为500-650mbar，在氢气气氛下，在上述的u型GaN层上生长2-3.5μm厚的n型GaN层，Si的掺杂浓度为8×1018-1.5×1019atoms/cm3；
5、生长MQW有源层：将反应室温度升至800-970℃，反应室压力为300-500mbar，在氮气气氛下，在上述的n型GaN层上生长MQW有源层，MQW有源层是由InGaN和GaN组成的多量子阱组成的，其中InGaN层厚度为2-3.5nm，GaN厚度为8-13nm；
6、生长AlGaN层:将反应室温度升至820-900℃，反应室压力为50-150mbar，在氮气气氛下，在上述的MQW有源层上生长p型AlGaN层；
7、第一P型GaN层：将反应室温度升至940-980℃，反应室压力为300-500mbar，在氢气气气氛下，在上述的MQW有源层上生长70-100nm厚第一P型GaN层；
8、InGaN接触层，反应室温度为780-880℃，反应室压力为300-500mbar，在氮气气氛下，在上述的第一P型GaN层上生长2-5nm厚InGaN层作为接触层。
9、退火：将温度降至600-750℃，反应室压力为300-500mbar，在氮气气氛下，活化时间5-20min。
测试：将实施例1和对比例1得到的产品制成28mil×28mil的芯片，并进行性能测试。测试结果请见表1。
表1
| LOP(mw) | VF(V) | IR | ESD(2000V) | |
| 对比例1 | 231.8 | 3.35 | 0.015 | 86.3％ |
| 实施例1 | 232.1 | 3.29 | 0.021 | 89.5％ |
从表1可以看出，实施例1得到的芯片的电压(VF)和抗静电能力(ESD)均高于对比例1得到的芯片，LED芯片的光电性能更加优越，安全性能更高。
从以上实施例可以看出，本发明上述的实例实现了如下技术效果：
(1)本发明提供的P型GAN低阻值欧姆接触层的制备方法中，接触层是由低长速和高掺杂的方式生长的第二p型层，该接触层即第二p型GaN层可以实现较高Mg掺杂浓度，不但减少接触层即第二p型GaN层与金属接触电阻率，而且让接触层即第二p型GaN层与金属产生的势垒区变窄，增加载流子通过隧穿穿越金属与半导体接触势垒区几率，降低大功率LED芯片的工作电压。
(2)同时，接触层即第二p型GaN层其生长厚度偏厚，该层能让电流扩散更加均匀，电流分布均匀则会使得在测试抗静电能力时产生瞬间电流值减小，降低静电对芯片的损毁的几率，提升了芯片抗静电能力(ESD)的良率。
上述说明示出并描述了本申请的若干优选实施例，但如前所述，应当理解本申请并非局限于本文所披露的形式，不应看作是对其他实施例的排除，而可用于各种其他组合、修改和环境，并能够在本文所述申请构想范围内，通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本申请的精神和范围，则都应在本申请所附权利要求的保护范围内。
Claims (6)
1.一种p型GaN低阻值欧姆接触层的制备方法，其特征在于，依次包含处理衬底、在衬底上生长缓冲层、在缓冲层上生长u型GaN层、在u型GaN层上生长n型GaN层、在n型GaN层上生长MQW有源层、在MQW有源层上生长AlGaN层、在AlGaN层上生长第一p型GaN层以及在第一p型GaN层上生长第二p型GaN层，其中，
所述第二p型GaN层中的Mg浓度大于第一p型GaN层中Mg浓度，所述第二p型GaN层和所述第一p型GaN层是在相同温度条件以及相同压力条件下生长的，所述第二p型GaN层的生长速度为所述第一p型GaN层生长速度的1/5-1/3，
其中，所述第二p型GaN层Mg浓度为2.5×1020-4×1020atoms/cm3，所述第一p型GaN层Mg浓度为5×1019-8×1019atoms/cm3。
2.根据权利要求1所述的P型GAN低阻值欧姆接触层的制备方法，其特征在于，所述第二p型GaN层的厚度为5-12nm。
3.根据权利要求1所述的P型GAN低阻值欧姆接触层的制备方法，其特征在于，所述AlGaN层的厚度为40-70nm，所述第一p型GaN层的厚度为50-100nm。
4.根据权利要求1所述的P型GAN低阻值欧姆接触层的制备方法，其特征在于，所述第二p型GaN层是在940-980℃温度条件下生长的。
5.根据权利要求1所述的P型GAN低阻值欧姆接触层的制备方法，其特征在于，所述第一p型GaN层和所述第二p型GaN层采用相同的载气来生长。
6.根据权利要求5所述的P型GAN低阻值欧姆接触层的制备方法，其特 征在于，所述载气为氢气。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410520243.8A CN104377278B (zh) | 2014-09-30 | 2014-09-30 | 一种p型GaN低阻值欧姆接触层的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410520243.8A CN104377278B (zh) | 2014-09-30 | 2014-09-30 | 一种p型GaN低阻值欧姆接触层的制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104377278A true CN104377278A (zh) | 2015-02-25 |
| CN104377278B CN104377278B (zh) | 2017-07-18 |
Family
ID=52556055
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410520243.8A Active CN104377278B (zh) | 2014-09-30 | 2014-09-30 | 一种p型GaN低阻值欧姆接触层的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104377278B (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107731974A (zh) * | 2017-08-30 | 2018-02-23 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 一种GaN基发光二极管外延片及其生长方法 |
| CN109920892A (zh) * | 2019-01-29 | 2019-06-21 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 发光二极管外延片及其生长方法 |
| CN110797399A (zh) * | 2019-09-30 | 2020-02-14 | 西安交通大学 | 一种低比接触电阻率的p-GaN欧姆接触电极及其制备方法和应用 |
| CN113421917A (zh) * | 2021-03-09 | 2021-09-21 | 广西飓芯科技有限责任公司 | 一种降低p型III-V族半导体材料与接触电极的比接触电阻率的方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH104210A (ja) * | 1996-06-14 | 1998-01-06 | Toyoda Gosei Co Ltd | ３族窒化物化合物半導体発光素子 |
| JPH1168252A (ja) * | 1997-08-25 | 1999-03-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光素子 |
| CN103165785A (zh) * | 2011-12-19 | 2013-06-19 | 丰田合成株式会社 | 用于制造半导体器件的方法 |
| CN103681993A (zh) * | 2012-09-21 | 2014-03-26 | 丰田合成株式会社 | 用于制造第iii族氮化物半导体发光器件的方法 |
| CN104009140A (zh) * | 2014-03-24 | 2014-08-27 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 一种发光二极管外延片及其制作方法 |
-
2014
- 2014-09-30 CN CN201410520243.8A patent/CN104377278B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH104210A (ja) * | 1996-06-14 | 1998-01-06 | Toyoda Gosei Co Ltd | ３族窒化物化合物半導体発光素子 |
| JPH1168252A (ja) * | 1997-08-25 | 1999-03-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光素子 |
| CN103165785A (zh) * | 2011-12-19 | 2013-06-19 | 丰田合成株式会社 | 用于制造半导体器件的方法 |
| CN103681993A (zh) * | 2012-09-21 | 2014-03-26 | 丰田合成株式会社 | 用于制造第iii族氮化物半导体发光器件的方法 |
| CN104009140A (zh) * | 2014-03-24 | 2014-08-27 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 一种发光二极管外延片及其制作方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107731974A (zh) * | 2017-08-30 | 2018-02-23 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 一种GaN基发光二极管外延片及其生长方法 |
| CN107731974B (zh) * | 2017-08-30 | 2019-08-23 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 一种GaN基发光二极管外延片及其生长方法 |
| CN109920892A (zh) * | 2019-01-29 | 2019-06-21 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 发光二极管外延片及其生长方法 |
| CN110797399A (zh) * | 2019-09-30 | 2020-02-14 | 西安交通大学 | 一种低比接触电阻率的p-GaN欧姆接触电极及其制备方法和应用 |
| CN113421917A (zh) * | 2021-03-09 | 2021-09-21 | 广西飓芯科技有限责任公司 | 一种降低p型III-V族半导体材料与接触电极的比接触电阻率的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104377278B (zh) | 2017-07-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106410005B (zh) | 一种氮化镓基led外延片及其生长方法 | |
| US7193236B2 (en) | Light emitting device using nitride semiconductor and fabrication method of the same | |
| JP4341702B2 (ja) | Ｉｉｉ族窒化物系半導体発光素子 | |
| CN108198921B (zh) | 一种氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法 | |
| CN102969416A (zh) | 一种氮化物led外延片及其生长方法 | |
| CN106159048B (zh) | 一种发光二极管外延片及其生长方法 | |
| CN102931303A (zh) | 外延结构及其生长方法 | |
| CN108461592A (zh) | 一种发光二极管外延片及其制造方法 | |
| CN107731974A (zh) | 一种GaN基发光二极管外延片及其生长方法 | |
| CN102044598A (zh) | 一种GaN基发光二极管外延片及其生长方法 | |
| CN103413877A (zh) | 外延结构量子阱应力释放层的生长方法及其外延结构 | |
| CN104576853B (zh) | 一种改善GaN基LED芯片电流扩展的外延方法 | |
| CN104377278A (zh) | 一种p型GaN低阻值欧姆接触层的制备方法 | |
| CN103178178A (zh) | 一种提高氮化镓基发光二极管电子迁移率的结构及其生产方法 | |
| CN108831974A (zh) | 一种发光二极管外延片及其制造方法 | |
| CN105304781A (zh) | 提升Mg空穴浓度的LED外延结构及其生长方法 | |
| CN103258927A (zh) | 一种提高GaN基LED抗静电能力的外延结构及其生长方法 | |
| CN103400914A (zh) | 一种提高氮化镓基电流扩展的外延结构及其生长方法 | |
| CN105185885A (zh) | Led芯片及其制备方法 | |
| CN107482095B (zh) | 一种led外延生长方法 | |
| CN205092260U (zh) | GaN基LED外延结构 | |
| CN103337571A (zh) | 改善GaN基外延片内波长集中度的外延结构及生长方法 | |
| CN103872204B (zh) | 一种具有循环结构的p型插入层及生长方法 | |
| CN105304778A (zh) | 提高GaN基LED抗静电性能的外延结构及其制备方法 | |
| CN104269474A (zh) | Led外延结构 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |