CN103872204B - 一种具有循环结构的p型插入层及生长方法 - Google Patents

一种具有循环结构的p型插入层及生长方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种具有循环结构的P型插入层及生长方法,其外延结构从下向上的顺序依次为：衬底、低温GaN缓冲层、GaN非掺杂层、N型GaN层、多量子阱结构MQW、低温P型GaN层、P型AlGaN层、高温P型GaN层和P型接触层，其生长方法包括以下具体步骤：其生长PAlGaN/PinGaN循环结构层，所述结构包括3‑10个PGaN和PInGaN交叠生长的结构，其生长分为两步：先生长Al组分逐渐升高PAlGaN层；Al组分逐渐升高PAlGaN层生长结束后，生长PInGaN层，而后连续生长6个PAlGaN层/PInGaN层的循环。本发明可以降低PGaN的位错密度，提高晶体质量；另外，本发明抑制了非辐射负荷中心的产生，提高的空穴的注入效率，进而提高氮化镓基LED的发光效率；第三，减少了Mg原子向有源区扩散，进而提高了内量子效率。

Description

一种具有循环结构的P型插入层及生长方法
技术领域
本发明涉及Ⅲ族氮化物材料制备技术领域，具体为一种具有循环结构的P型插入层及生长方法。
背景技术
发光二极管（LED，Light Emitting Diode）是一种半导体固体发光器件，通过在器件两端加载正向电压，电子和空穴在有源区复合产生大量光子，电能转化为光能。而氮化镓基半导体是继Si和GaAs之后的第三代半导体材料，近年来发展较为迅速。III族氮化物包括GaN、InN、AlN以及三元和四元固溶体都是直接带隙宽禁带材料，其禁带宽度从InN的0.7eV到AlN的6.28eV。而InGaAlN成为带隙跨越最宽的带隙材料在蓝绿光器件上获得了大量的应用。同时III族氮化物具有高带隙、高电子饱和速度、高临界击穿电压、小介电常数、高热导以及抗辐照等优点，高频及大功率电子器件有着广泛的应用前景。
用于氮化镓基LED外延生长的衬底主要有三种种，即蓝宝石（Al2O3）衬底和碳化硅（SiC）衬底以及GaN同质衬底，但因GaN同质衬底熔点高和平衡蒸汽压大，制备GaN单晶较困难，只是具有研究价值。SiC的价格昂贵，蓝宝石衬底晶体与GaN同为六方晶系，且其带隙宽（1.7eV），化学稳定性和热稳定性好，且可用于高温生长，因此大部分的LED企业采用蓝宝石衬底。然而Al2O3与GaN的晶格失配大并且热膨胀系数差异也较大，因此在外延生长过程中，往往引入了大量的晶格缺陷，如常见的螺旋位错、V型位错等。这些位错往往会沿着晶格通过多量子阱区域延伸到外延片的表面，形成穿透位错。实验证明大量V型位错的存在造成氮化镓基LED的漏电和抗静电等电性参数较差，限制了其进一步进入高端应用市场。研究发现，在P型GaN层中插入P-AlGaN层,可以显著减少外延片中PGaN的位错密度，可以减弱Mg的自补偿效应以及抑制并减少非辐射复合中心的产生，提高空穴的注入效率。因此这种外延结构已被广泛使用。
目前P型GaN中间Al组分是恒定不变的，随着Mg的增加，PGaN中空穴浓度单调上升，但在Mg的浓度在1.5*10-3时，空穴浓度达到最大。随着Mg的继续增加，Mg的自补偿深能级空穴浓度反而下降，且材料劣化且产生裂纹。因此，PAlGaN结构的设计对氮化镓基LED的内量子效率和发光效率有很重要的影响。
发明内容
本发明所解决的技术问题在于提供一种具有循环结构的P型插入层及生长方法，以解决上述背景技术中的问题。
本发明所解决的技术问题采用以下技术方案来实现：一种具有循环结构的P型插入层及生长方法,其外延结构从下向上的顺序依次为：衬底、低温GaN缓冲层、GaN非掺杂层、N型GaN层、多量子阱结构MQW、低温P型GaN层、P型AlGaN层、高温P型GaN层和P型接触层，其生长方法包括以下具体步骤：
（1）将蓝宝石衬底在1050-1150℃的氢气气氛里进行高温清洁处理10-15min，然后进行氮化处理；
（2）降温至500-600℃，生长厚度为25-40nm的低温GaN缓冲层，生长压力为500-800mbar，Ⅴ/Ⅲ比为200-800；
（3）低温GaN缓冲层生长结束后，停止通入三甲基镓（TMGa），衬底温度升高至800-1050℃，对低温GaN缓冲层进行原位热退火处理，退火时间为5-15min，退火之后，将温度调节至1000-1200℃，外延生长厚度为1-3μm的GaN非掺杂层，生长压力为150-650mbar，Ⅴ/Ⅲ比为500-2500；
（4）GaN非掺杂层生长结束后，生长掺杂浓度稳定的第一N型GaN层，厚度为0.3-1μm，生长温度为1050-1150℃，生长压力为150-650mbar，Ⅴ/Ⅲ比为500-2500；
（5）第一N型GaN层生长结束后，生长N型AlGaN插入层，生长温度为1000-1100℃，生长时间为10-20min，生长压力为100-600mbar，Ⅴ/Ⅲ比为50-500；
（6）N型AlGaN插入层生长结束后，生长掺杂浓度稳定的第二N型GaN层，厚度为0.5-3μm，生长温度为1050-1150℃，生长压力为150-650mbar，Ⅴ/Ⅲ比为500-2500；
（7）第二N型GaN层生长结束后，生长多量子阱层，所述多量子阱层包括5-20个依次交叠的量子阱结构，所述量子阱结构由InxGa1-xN(0<x<1)势阱层和Si掺杂的GaN势垒层依次生长而成，所述InxGa1-xN势阱层的生长温度为700-800℃，生长压力为150-650mbar，Ⅴ/Ⅲ比为1000-20000，厚度为1-4nm；所述Si掺杂GaN势垒层的生长温度为850-950℃，生长压力为150-650mbar，Ⅴ/Ⅲ比为1000-20000，厚度为5-20nm；
（8）多量子阱层生长结束后，生长厚度为30-150nm的低温P型GaN层，生长温度为600-800℃，生长时间为4-20min，生长压力为150-650mbar，Ⅴ/Ⅲ比为200-4000；
（9）低温P型GaN层生长结束后，生长PAlGaN/PinGaN循环结构层，所述结构包括3-10个PGaN和PInGaN交叠生长的结构，其生长分为两步：[1]先生长Al组分逐渐升高PAlGaN层，AI组分从0-20%变化生长，时间为1-3min，生长温度为850-1000℃,生长压力为100-600mbar，Ⅴ/Ⅲ比为50-500；[2]Al组分逐渐升高PAlGaN层生长结束后，停止通入三甲基铝（TMAl），生长温度降至820-970℃，其他条件不变的情况下通入三甲基铟（TMIn），In组分不变，生长PInGaN层，而后连续生长6个PAlGaN层/PInGaN层的循环，上述结构中Ga组分及Mg组分不变。
（10）P型AlGaN层生长结束后，生长厚度为50-300nm的高温P型GaN层，生长温度为850-1000℃，生长时间为10-30min，生长压力为150-650mbar，Ⅴ/Ⅲ比为200-4000；
（11）高温P型GaN层生长结束后，生长厚度为5-10nm的P型接触层，生长温度为650-900℃，生长时间为1-5min，生长压力为150-650mbar，Ⅴ/Ⅲ比为1000-20000；
（12）外延生长结束后，将反应室的温度降至600-900℃，采用纯氮气气氛进行退火处理5-20min，然后降至室温，随后，经过清洗、沉积、光刻和刻蚀后续加工工艺制成单颗蓝绿小尺寸芯片。
所述外延结构的生长过程中以三甲基镓（TMGa）、三乙基镓(TEGa)、三甲基铝（TMAl）、三甲基铟（TMIn）和氨气（NH3）分别作为Ga、Al、In和N源。
所述外延结构的生长过程中以硅烷（SiH4）和二茂镁（CP2Mg）分别作为N、P型掺杂剂。
所述外延结构的生长过程中以氢气（H2）或氮气（N2）作为载气。
与已公开技术相比，本发明存在以下优点：本发明可以降低PGaN的位错密度，提高晶体质量；另外，本发明抑制了非辐射负荷中心的产生，提高的空穴的注入效率，进而提高氮化镓基LED的发光效率；第三，减少了Mg原子向有源区扩散，进而提高了内量子效率。
附图说明
图1为本发明的Al组分渐变的P型AlGaN/P型InGaN插入层生长示意图。
具体实施方式
为了使本发明的技术手段、创作特征、工作流程、使用方法达成目的与功效易于明白了解，下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
一种具有循环结构的P型插入层及生长方法,其外延结构从下向上的顺序依次为：衬底、低温GaN缓冲层、GaN非掺杂层、N型GaN层、多量子阱结构MQW、低温P型GaN层、P型AlGaN层、高温P型GaN层和P型接触层，其生长方法包括以下具体步骤：
（1）将蓝宝石衬底在1050℃的氢气气氛里进行高温清洁处理10min，然后进行氮化处理；
（2）降温至500℃，生长厚度为25nm的低温GaN缓冲层，生长压力为500mbar，Ⅴ/Ⅲ比为200；
（3）低温GaN缓冲层生长结束后，停止通入三甲基镓（TMGa），衬底温度升高至800℃，对低温GaN缓冲层进行原位热退火处理，退火时间为5min，退火之后，将温度调节至1000℃，外延生长厚度为1μm的GaN非掺杂层，生长压力为150mbar，Ⅴ/Ⅲ比为500；
（4）GaN非掺杂层生长结束后，生长掺杂浓度稳定的第一N型GaN层，厚度为0.3μm，生长温度为1050℃，生长压力为150mbar，Ⅴ/Ⅲ比为500；
（5）第一N型GaN层生长结束后，生长N型AlGaN插入层，生长温度为1000℃，生长时间为10min，生长压力为100mbar，Ⅴ/Ⅲ比为50；
（6）N型AlGaN插入层生长结束后，生长掺杂浓度稳定的第二N型GaN层，厚度为0.5μm，生长温度为1050℃，生长压力为150mbar，Ⅴ/Ⅲ比为500；
（7）第二N型GaN层生长结束后，生长多量子阱层，所述多量子阱层包括5个依次交叠的量子阱结构，所述量子阱结构由InxGa1-xN(0<x<1)势阱层和Si掺杂的GaN势垒层依次生长而成，所述InxGa1-xN势阱层的生长温度为700℃，生长压力为150mbar，Ⅴ/Ⅲ比为1000，厚度为1nm；所述Si掺杂GaN势垒层的生长温度为850℃，生长压力为150mbar，Ⅴ/Ⅲ比为1000，厚度为5nm；
（8）多量子阱层生长结束后，生长厚度为30-150nm的低温P型GaN层，生长温度为600℃，生长时间为4min，生长压力为150mbar，Ⅴ/Ⅲ比为200；
（9）低温P型GaN层生长结束后，生长PAlGaN/PinGaN循环结构层，所述结构包括3个PGaN和PInGaN交叠生长的结构，其生长分为两步：[1]先生长Al组分逐渐升高PAlGaN层，AI组分从0-20%变化生长，时间为1min，生长温度为850℃,生长压力为100mbar，Ⅴ/Ⅲ比为50；[2]Al组分逐渐升高PAlGaN层生长结束后，停止通入三甲基铝（TMAl），生长温度降至820℃，其他条件不变的情况下通入三甲基铟（TMIn），In组分不变，生长PInGaN层，而后连续生长6个PAlGaN层/PInGaN层的循环，上述结构中Ga组分及Mg组分不变。
（10）P型AlGaN层生长结束后，生长厚度为50nm的高温P型GaN层，生长温度为850℃，生长时间为10min，生长压力为150mbar，Ⅴ/Ⅲ比为200；
（11）高温P型GaN层生长结束后，生长厚度为5nm的P型接触层，生长温度为650℃，生长时间为1min，生长压力为150mbar，Ⅴ/Ⅲ比为1000；
（12）外延生长结束后，将反应室的温度降至600℃，采用纯氮气气氛进行退火处理5min，然后降至室温，随后，经过清洗、沉积、光刻和刻蚀后续加工工艺制成单颗蓝绿小尺寸芯片。
本实施例中以三甲基镓（TMGa）、三乙基镓(TEGa)、三甲基铝（TMAl）、三甲基铟（TMIn）和氨气（NH3）分别作为Ga、Al、In和N源，以硅烷（SiH4）和二茂镁（CP2Mg）分别作为N、P型掺杂剂，以氮气（N2）作为载气。
实施例2
一种具有循环结构的P型插入层及生长方法,其外延结构从下向上的顺序依次为：衬底、低温GaN缓冲层、GaN非掺杂层、N型GaN层、多量子阱结构MQW、低温P型GaN层、P型AlGaN层、高温P型GaN层和P型接触层，其生长方法包括以下具体步骤：
（1）将蓝宝石衬底在1150℃的氢气气氛里进行高温清洁处理15min，然后进行氮化处理；
（2）降温至600℃，生长厚度为40nm的低温GaN缓冲层，生长压力为800mbar，Ⅴ/Ⅲ比为800；
（3）低温GaN缓冲层生长结束后，停止通入三甲基镓（TMGa），衬底温度升高至1050℃，对低温GaN缓冲层进行原位热退火处理，退火时间为15min，退火之后，将温度调节至1200℃，外延生长厚度为3μm的GaN非掺杂层，生长压力为650mbar，Ⅴ/Ⅲ比为2500；
（4）GaN非掺杂层生长结束后，生长掺杂浓度稳定的第一N型GaN层，厚度为1μm，生长温度为1150℃，生长压力为650mbar，Ⅴ/Ⅲ比为2500；
（5）第一N型GaN层生长结束后，生长N型AlGaN插入层，生长温度为1100℃，生长时间为20min，生长压力为600mbar，Ⅴ/Ⅲ比为500；
（6）N型AlGaN插入层生长结束后，生长掺杂浓度稳定的第二N型GaN层，厚度为3μm，生长温度为1150℃，生长压力为650mbar，Ⅴ/Ⅲ比为2500；
（7）第二N型GaN层生长结束后，生长多量子阱层，所述多量子阱层包括20个依次交叠的量子阱结构，所述量子阱结构由InxGa1-xN(0<x<1)势阱层和Si掺杂的GaN势垒层依次生长而成，所述InxGa1-xN势阱层的生长温度为700-800℃，生长压力为650mbar，Ⅴ/Ⅲ比为20000，厚度为4nm；所述Si掺杂GaN势垒层的生长温度为950℃，生长压力为650mbar，Ⅴ/Ⅲ比为20000，厚度为20nm；
（8）多量子阱层生长结束后，生长厚度为150nm的低温P型GaN层，生长温度为800℃，生长时间为20min，生长压力为650mbar，Ⅴ/Ⅲ比为4000；
（9）低温P型GaN层生长结束后，生长PAlGaN/PinGaN循环结构层，所述结构包括10个PGaN和PInGaN交叠生长的结构，其生长分为两步：[1]先生长Al组分逐渐升高PAlGaN层，AI组分从0-20%变化生长，时间为3min，生长温度为1000℃,生长压力为600mbar，Ⅴ/Ⅲ比为500；[2]Al组分逐渐升高PAlGaN层生长结束后，停止通入三甲基铝（TMAl），生长温度降至970℃，其他条件不变的情况下通入三甲基铟（TMIn），In组分不变，生长PInGaN层，而后连续生长6个PAlGaN层/PInGaN层的循环，上述结构中Ga组分及Mg组分不变。
（10）P型AlGaN层生长结束后，生长厚度为300nm的高温P型GaN层，生长温度为1000℃，生长时间为30min，生长压力为650mbar，Ⅴ/Ⅲ比为4000；
（11）高温P型GaN层生长结束后，生长厚度为10nm的P型接触层，生长温度为900℃，生长时间为5min，生长压力为650mbar，Ⅴ/Ⅲ比为20000；
（12）外延生长结束后，将反应室的温度降至900℃，采用纯氮气气氛进行退火处理20min，然后降至室温，随后，经过清洗、沉积、光刻和刻蚀后续加工工艺制成单颗蓝绿小尺寸芯片。
本实施例中以三甲基镓（TMGa）、三乙基镓(TEGa)、三甲基铝（TMAl）、三甲基铟（TMIn）和氨气（NH3）分别作为Ga、Al、In和N源，以硅烷（SiH4）和二茂镁（CP2Mg）分别作为N、P型掺杂剂，以氮气（N2）作为载气。
实施例3
一种具有循环结构的P型插入层及生长方法,其外延结构从下向上的顺序依次为：衬底、低温GaN缓冲层、GaN非掺杂层、N型GaN层、多量子阱结构MQW、低温P型GaN层、P型AlGaN层、高温P型GaN层和P型接触层，其生长方法包括以下具体步骤：
（1）将蓝宝石衬底在1100℃的氢气气氛里进行高温清洁处理12min，然后进行氮化处理；
（2）降温至550℃，生长厚度为30nm的低温GaN缓冲层，生长压力为600mbar，Ⅴ/Ⅲ比为300；
（3）低温GaN缓冲层生长结束后，停止通入三甲基镓（TMGa），衬底温度升高至900℃，对低温GaN缓冲层进行原位热退火处理，退火时间为8min，退火之后，将温度调节至1100℃，外延生长厚度为2μm的GaN非掺杂层，生长压力为350mbar，Ⅴ/Ⅲ比为900；
（4）GaN非掺杂层生长结束后，生长掺杂浓度稳定的第一N型GaN层，厚度为0.6μm，生长温度为1100℃，生长压力为450mbar，Ⅴ/Ⅲ比为900；
（5）第一N型GaN层生长结束后，生长N型AlGaN插入层，生长温度为1050℃，生长时间为15min，生长压力为300mbar，Ⅴ/Ⅲ比为200；
（6）N型AlGaN插入层生长结束后，生长掺杂浓度稳定的第二N型GaN层，厚度为2μm，生长温度为1100℃，生长压力为550mbar，Ⅴ/Ⅲ比为800；
（7）第二N型GaN层生长结束后，生长多量子阱层，所述多量子阱层包括15个依次交叠的量子阱结构，所述量子阱结构由InxGa1-xN(0<x<1)势阱层和Si掺杂的GaN势垒层依次生长而成，所述InxGa1-xN势阱层的生长温度为750℃，生长压力为250mbar，Ⅴ/Ⅲ比为15000，厚度为1-4nm；所述Si掺杂GaN势垒层的生长温度为900℃，生长压力为350mbar，Ⅴ/Ⅲ比为16000，厚度为16nm；
（8）多量子阱层生长结束后，生长厚度为90nm的低温P型GaN层，生长温度为700℃，生长时间为15min，生长压力为550mbar，Ⅴ/Ⅲ比为2500；
（9）低温P型GaN层生长结束后，生长PAlGaN/PinGaN循环结构层，所述结构包括6个PGaN和PInGaN交叠生长的结构，其生长分为两步：[1]先生长Al组分逐渐升高PAlGaN层，AI组分从0-20%变化生长，时间为2min，生长温度为950℃,生长压力为300mbar，Ⅴ/Ⅲ比为200；[2]Al组分逐渐升高PAlGaN层生长结束后，停止通入三甲基铝（TMAl），生长温度降至850℃，其他条件不变的情况下通入三甲基铟（TMIn），In组分不变，生长PInGaN层，而后连续生长6个PAlGaN层/PInGaN层的循环，上述结构中Ga组分及Mg组分不变。
（10）P型AlGaN层生长结束后，生长厚度为150nm的高温P型GaN层，生长温度为950℃，生长时间为15min，生长压力为250mbar，Ⅴ/Ⅲ比为1000；
（11）高温P型GaN层生长结束后，生长厚度为6nm的P型接触层，生长温度为800℃，生长时间为3min，生长压力为250mbar，Ⅴ/Ⅲ比为10000；
（12）外延生长结束后，将反应室的温度降至700℃，采用纯氮气气氛进行退火处理15min，然后降至室温，随后，经过清洗、沉积、光刻和刻蚀后续加工工艺制成单颗蓝绿小尺寸芯片。
本实施例中以三甲基镓（TMGa）、三乙基镓(TEGa)、三甲基铝（TMAl）、三甲基铟（TMIn）和氨气（NH3）分别作为Ga、Al、In和N源，以硅烷（SiH4）和二茂镁（CP2Mg）分别作为N、P型掺杂剂，以氮气（N2）作为载气。
本发明可以降低PGaN的位错密度，提高晶体质量；另外，本发明抑制了非辐射负荷中心的产生，提高的空穴的注入效率，进而提高氮化镓基LED的发光效率；第三，减少了Mg原子向有源区扩散，进而提高了内量子效率。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征及本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明的要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

Claims (4)

1.一种具有循环结构的P型插入层的LED的生长方法,其外延结构从下向上的顺序依次为：衬底、低温GaN缓冲层、GaN非掺杂层、N型GaN层、多量子阱结构MQW、低温P型GaN层、P型AlGaN层、高温P型GaN层和P型接触层，其特征在于：其生长方法包括以下具体步骤：
(1)将蓝宝石衬底在1050-1150℃的氢气气氛里进行高温清洁处理10-15min，然后进行氮化处理；
(2)降温至500-600℃，生长厚度为25-40nm的低温GaN缓冲层，生长压力为500-800mbar，Ⅴ/Ⅲ比为200-800；
(3)低温GaN缓冲层生长结束后，停止通入三甲基镓(TMGa)，衬底温度升高至800-1050℃，对低温GaN缓冲层进行原位热退火处理，退火时间为5-15min，退火之后，将温度调节至1000-1200℃，外延生长厚度为1-3μm的GaN非掺杂层，生长压力为150-650mbar，Ⅴ/Ⅲ比为500-2500；
(4)GaN非掺杂层生长结束后，生长掺杂浓度稳定的第一N型GaN层，厚度为0.3-1μm，生长温度为1050-1150℃，生长压力为150-650mbar，Ⅴ/Ⅲ比为500-2500；
(5)第一N型GaN层生长结束后，生长N型AlGaN插入层，生长温度为1000-1100℃，生长时间为10-20min，生长压力为100-600mbar，Ⅴ/Ⅲ比为50-500；
(6)N型AlGaN插入层生长结束后，生长掺杂浓度稳定的第二N型GaN层，厚度为0.5-3μm，生长温度为1050-1150℃，生长压力为150-650mbar，Ⅴ/Ⅲ比为500-2500；
(7)第二N型GaN层生长结束后，生长多量子阱层，所述多量子阱层包括5-20个依次交叠的量子阱结构，所述量子阱结构由InxGa1-xN(0<x<1)势阱层和Si掺杂的GaN势垒层依次生长而成，所述InxGa1-xN势阱层的生长温度为700-800℃，生长压力为150-650mbar，Ⅴ/Ⅲ比为1000-20000，厚度为1-4nm；所述Si掺杂GaN势垒层的生长温度为850-950℃，生长压力为150-650mbar，Ⅴ/Ⅲ比为1000-20000，厚度为5-20nm；
(8)多量子阱层生长结束后，生长厚度为30-150nm的低温P型GaN层，生长温度为600-800℃，生长时间为4-20min，生长压力为150-650mbar，Ⅴ/Ⅲ比为200-4000；
(9)低温P型GaN层生长结束后，生长P型AlGaN/P型InGaN循环结构层，所述结构包括3-10个P型AlGaN和P型InGaN交叠生长的结构，其生长分为两步：[1]先生长Al组分逐渐升高P型AlGaN层，Al组分从0-20％变化生长，时间为1-3min，生长温度为850-1000℃,生长压力为100-600mbar，Ⅴ/Ⅲ比为50-500；[2]Al组分逐渐升高P型AlGaN层生长结束后，停止通入三甲基铝(TMAl)，生长温度降至820-970℃，其他条件不变的情况下通入三甲基铟(TMIn)，In组分不变，生长P型InGaN层，而后连续生长余下的P型AlGaN层/P型InGaN层的循环，上述结构中Ga组分及Mg组分不变；
(10)P型AlGaN层生长结束后，生长厚度为50-300nm的高温P型GaN层，生长温度为850-1000℃，生长时间为10-30min，生长压力为150-650mbar，Ⅴ/Ⅲ比为200-4000；
(11)高温P型GaN层生长结束后，生长厚度为5-10nm的P型接触层，生长温度为650-900℃，生长时间为1-5min，生长压力为150-650mbar，Ⅴ/Ⅲ比为1000-20000；
(12)外延生长结束后，将反应室的温度降至600-900℃，采用纯氮气气氛进行退火处理5-20min，然后降至室温，随后，经过清洗、沉积、光刻和刻蚀后续加工工艺制成单颗蓝绿小尺寸芯片。
2.根据权利要求1所述的一种具有循环结构的P型插入层的LED的生长方法,其特征在于：所述外延结构的生长过程中以三甲基镓(TMGa)、三乙基镓(TEGa)、三甲基铝(TMAl)、三甲基铟(TMIn)和氨气(NH3)分别作为Ga、Al、In和N源。
3.根据权利要求1所述的一种具有循环结构的P型插入层的LED的生长方法，其特征在于：所述外延结构的生长过程中以硅烷(SiH4)和二茂镁(CP2Mg)分别作为N、P型掺杂剂。
4.根据权利要求1所述的一种具有循环结构的P型插入层的LED的生长方法,其特征在于：所述外延结构的生长过程中以氢气(H2)或氮气(N2)作为载气。
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