CN104362197A - 一种立体采光式全固态太阳能电池及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种立体采光式全固态太阳能电池及其制备方法，所述的太阳能电池包括透明玻璃壳体和封装在壳体内的电池芯，所述的电池芯由内至外依次由钛丝、二氧化钛纳米管阵列薄膜、硫氰酸亚铜薄膜及碳纤维构成。本发明电池是先采用阳极氧化法在钛丝表面制备二氧化钛纳米管阵列薄膜，并作退火处理；再采用计时电位法在二氧化钛纳米管阵列薄膜表面电沉积硫氰酸亚铜薄膜；然后将碳纤维缠绕在硫氰酸亚铜薄膜表面，得到结构为Ti/TiO2/CuSCN/碳纤维的全固态电池芯；最后将所得电池芯置入透明玻璃管中进行封装制备得到。本发明提高了太阳能电池对太阳光的利用率和长期工作的稳定性，且具有结构简单、紧凑，制作方便、成本低廉等优点。
Description
技术领域
本发明是涉及一种立体采光式全固态太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池技术领域。
背景技术
当今世界，能源消耗的绝大部分来源于煤、石油和天然气。随着经济和社会的发展，人们对能源的需求日益增长，而化石能源储量的日趋减少、资源濒临枯竭、以及业已造成的环境污染问题，迫使人们寻找利用清洁可再生的新能源。太阳能作为一种取之不尽、用之不竭的清洁能源，备受世人的关注，世界上许多国家掀起了开发利用太阳能的热潮。
太阳能电池的开发利用可以为解决能源危机和环境污染问题提供有效途径。目前，太阳能电池的种类已有很多，如硅太阳电池、薄膜太阳电池、有机太阳电池和染料敏化太阳能电池等等。
传统太阳能电池大多采用平板结构，平板结构的太阳能电池主要存在如下缺点：除正午时分太阳光能垂直照射到太阳能电池上外，其余时间太阳光都是斜射到太阳能电池上，导致对太阳光的利用率不高。
近年来，3D结构的立体式采光太阳能电池因能从各个方向吸收太阳光，提高了电池对太阳光的利用率，因而引起科研工作者的极大关注。但是，目前报道的3D结构立体采光式太阳能电池主要为液态电池，其液态电解质含有易挥发的有机溶剂，对电池的长期稳定性有不利影响，影响了太阳能电池的商业化应用。
发明内容
针对现有技术存在的上述问题，本发明的目的是提供一种立体采光式全固态太阳能电池及其制备方法，以克服平板结构太阳能电池所存在的对太阳光的利用率不高的缺陷及液态立体采光式太阳能电池所存在的长期工作稳定性不好的缺陷，以更好地满足太阳能电池的商业化应用要求。
为达上述目的，本发明采用如下技术方案：
一种立体采光式全固态太阳能电池，包括透明玻璃壳体和封装在壳体内的电池芯，其特征在于：所述的电池芯由内至外依次由钛丝、二氧化钛(TiO2)纳米管阵列薄膜、硫氰酸亚铜(CuSCN)薄膜及碳纤维构成，简记为：Ti/TiO2/CuSCN/碳纤维。
作为优选方案，在二氧化钛纳米管阵列薄膜与硫氰酸亚铜薄膜间形成p-n异质结。
本发明所述的立体采光式全固态太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：
a)用阳极氧化法在钛丝表面制备二氧化钛(TiO2)纳米管阵列薄膜，并作退火处理；
b)用计时电位法在二氧化钛纳米管阵列薄膜表面电沉积硫氰酸亚铜(CuSCN)薄膜；
c)将碳纤维缠绕在硫氰酸亚铜薄膜表面，得到结构为Ti/TiO2/CuSCN/碳纤维的全固态电池芯；
d)将所得电池芯置入透明玻璃管中进行封装。
作为优选方案，步骤a)包括如下操作：
a1)对钛丝进行表面预处理并清洗、吹干；
a2)以处理后的钛丝作为阳极，石墨片作为阴极，以含0.6wt％NH4F和3.5v％H2O的乙二醇溶液作为电解液，利用直流稳压电源控制60V电压，在室温及磁力搅拌下进行阳极氧化反应0.5～1.5小时；
a3)阳极氧化反应结束，用去离子水清洗、空气流吹干，得到钛丝/二氧化钛纳米管阵列薄膜；
a4)将得到的钛丝/二氧化钛纳米管阵列薄膜在400～500℃下热处理1～3小时后自然冷却至室温。
作为进一步优选方案，采用由硝酸与氢氟酸形成的混合水溶液对钛丝进行表面预处理。
作为优选方案，步骤b)包括如下操作：以步骤a)得到的经退火处理后的钛丝/二氧化钛纳米管阵列薄膜作为工作电极，铂丝作为对电极，以体积比为1:1:1:1的0.1mol/L的CuSO4水溶液、0.2mol/L的柠檬酸水溶液、0.2mol/L的KSCN水溶液和去离子水形成的混合溶液作为电解液，利用电化学工作站在恒电流为0.0002A进行电沉积2100～9000秒。
与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：
本发明提供的立体采光式全固态太阳能电池，可克服平板结构太阳能电池所存在的对太阳光的利用率不高的缺陷及液态立体采光式太阳能电池所存在的长期工作稳定性不好的缺陷，提高了太阳能电池对太阳光的利用率和长期工作的稳定性，且具有结构简单、紧凑，制作方便、成本低廉等优点，有利于促进太阳能电池的商业化应用，具有显著性应用价值。
附图说明
图1为本发明用阳极氧化法在钛丝表面制得的二氧化钛纳米管阵列薄膜的SEM图；
图2为本发明用计时电位法在二氧化钛纳米管阵列薄膜表面电沉积制得的硫氰酸亚铜薄膜的SEM图；
图3是构成本发明所述的立体采光式全固态太阳能电池的电池芯结构示意图，图中：1、钛丝；2、二氧化钛(TiO2)纳米管阵列薄膜；3、硫氰酸亚铜(CuSCN)薄膜；4、碳纤维；
图4为实施例1-4所获得的立体采光式全固态太阳能电池的I-V曲线图，图中：曲线a为实施例1；曲线b为实施例2；曲线c为实施例3；曲线d为实施例4；
图5为实施例3获得的立体采光式全固态太阳能电池的效率与工作时间的关系曲线图。
具体实施方式
下面结合具体实施例和附图，进一步阐述本发明。
实施例1
采用由V(去离子水)：V(浓硝酸)：V(氢氟酸)＝5:4:1形成的混合水溶液对钛丝进行表面预处理，处理后再用去离子水清洗洁净，再在空气流下吹干；
以预处理后的钛丝作为阳极，石墨片作为阴极，以含0.6wt％NH4F和3.5v％H2O的乙二醇溶液作为电解液，利用直流稳压电源控制60V电压，在室温及磁力搅拌下进行阳极氧化反应1小时，得到钛丝/二氧化钛纳米管阵列薄膜；用去离子水反复冲洗干净，并用空气流吹干，再在450℃下热处理2小时后自然冷却至室温，其形貌如图1所示。
以上述经退火处理的钛丝/二氧化钛纳米管阵列薄膜作为工作电极，铂丝作为对电极，以体积比为1:1:1:1的0.1mol/L的CuSO4水溶液、0.2mol/L的柠檬酸水溶液、0.2mol/L的KSCN水溶液和去离子水形成的混合溶液作为电解液，利用电化学工作站在恒电流为0.0002A进行电沉积2100秒，获得的硫氰酸亚铜薄膜的表面形貌如图2所示。
将碳纤维缠绕在硫氰酸亚铜薄膜的表面，即可得到构成本发明所述的立体采光式全固态太阳能电池的电池芯，其结构如图3所示：由内至外依次由钛丝1、二氧化钛(TiO2)纳米管阵列薄膜2、硫氰酸亚铜(CuSCN)薄膜3及碳纤维4构成，简记为：Ti/TiO2/CuSCN/碳纤维。
将上述电池芯置入透明玻璃管中进行封装，即获得本发明所述的立体采光式全固态太阳能电池。
实施例2
本实施例与实施例1的区别仅在于：进行电沉积的时间为3600秒，其余内容均与实施例1中所述相同。
实施例3
本实施例与实施例1的区别仅在于：进行电沉积的时间为5400秒，其余内容均与实施例1中所述相同。
实施例4
本实施例与实施例1的区别仅在于：进行电沉积的时间为9000秒，其余内容均与实施例1中所述相同。
效果测试：
图4为实施例1-4所获得的立体采光式全固态太阳能电池的I-V曲线图，图中：曲线a为实施例1；曲线b为实施例2；曲线c为实施例3；曲线d为实施例4；由图4可见：电沉积硫氰酸亚铜薄膜的最佳时间为5400秒(见图中的曲线c)，此时获得的立体采光式全固态太阳能电池的效率达最高。
图5为实施例3获得的立体采光式全固态太阳能电池的效率与工作时间的关系曲线图，由图5可见：本发明提供的立体采光式全固态太阳能电池在工作30天后，其能量转换效率几乎没有变化，说明具有相当稳定的电池性能，能够长时间安全、稳定地工作，具有商业化应用可能。
最后有必要在此说明的是：
上述实施例只用于对本发明的技术方案做进一步详细说明，仅用于帮助理解本发明的技术内容，不能理解为对本发明保护范围的限制。本领域的技术人员根据本发明的上述内容做出的非本质改进和调整均属于本发明所要求的保护范围。
Claims (6)
1.一种立体采光式全固态太阳能电池，包括透明玻璃壳体和封装在壳体内的电池芯，其特征在于：所述的电池芯由内至外依次由钛丝、二氧化钛纳米管阵列薄膜、硫氰酸亚铜薄膜及碳纤维构成，简记为：Ti/TiO2/CuSCN/碳纤维。
2.如权利要求1所述的立体采光式全固态太阳能电池，其特征在于：在二氧化钛纳米管阵列薄膜与硫氰酸亚铜薄膜间形成p-n异质结。
3.一种权利要求1所述的立体采光式全固态太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
a)用阳极氧化法在钛丝表面制备二氧化钛纳米管阵列薄膜，并作退火处理；
b)用计时电位法在二氧化钛纳米管阵列薄膜表面电沉积硫氰酸亚铜薄膜；
c)将碳纤维缠绕在硫氰酸亚铜薄膜表面，得到结构为Ti/TiO2/CuSCN/碳纤维的全固态电池芯；
d)将所得电池芯置入透明玻璃管中进行封装。
4.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤a)包括如下操作：
a1)对钛丝进行表面预处理并清洗、吹干；
a2)以处理后的钛丝作为阳极，石墨片作为阴极，以含0.6wt％NH4F和3.5v％H2O的乙二醇溶液作为电解液，利用直流稳压电源控制60V电压，在室温及磁力搅拌下进行阳极氧化反应0.5～1.5小时；
a3)阳极氧化反应结束，用去离子水清洗、空气流吹干，得到钛丝/二氧化钛纳米管阵列薄膜；
a4)将得到的钛丝/二氧化钛纳米管阵列薄膜在400～500℃下热处理1～3小时后自然冷却至室温。
5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于：采用由硝酸与氢氟酸形成的混合水溶液对钛丝进行表面预处理。
6.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤b)包括如下操作：以步骤a)得到的经退火处理后的钛丝/二氧化钛纳米管阵列薄膜作为工作电极，铂丝作为对电极，以体积比为1:1:1:1的0.1mol/L的CuSO4水溶液、0.2mol/L的柠檬酸水溶液、0.2mol/L的KSCN水溶液和去离子水形成的混合溶液作为电解液，利用电化学工作站在恒电流为0.0002A进行电沉积2100～9000秒。
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104959168A (zh) * | 2015-07-15 | 2015-10-07 | 济南大学 | 一种Cu2O/CH3NH3PbI3/TiO2复合光催化剂及其制备方法和应用 |
| CN105322093A (zh) * | 2015-10-30 | 2016-02-10 | 浙江理工大学 | 一种纤维状光活性化合物太阳能电池及其制备方法 |
| CN106847951A (zh) * | 2017-01-20 | 2017-06-13 | 中国计量大学 | 一种碳量子点负载硫氰酸亚铜光电薄膜及其制备方法 |
| CN110323303A (zh) * | 2019-07-09 | 2019-10-11 | 北京镓族科技有限公司 | 一种Ga2O3-CuSCN核壳异质结日盲紫外探测器及其制备方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101304073A (zh) * | 2002-01-25 | 2008-11-12 | 科纳卡科技有限公司 | 光电纤维 |
| CN101449386A (zh) * | 2006-03-18 | 2009-06-03 | 索林塔有限公司 | 壳体中的细长光伏电池 |
| CN102941077A (zh) * | 2012-11-07 | 2013-02-27 | 复旦大学 | 一种具有可见光活性的二氧化钛纳米管薄膜的制备方法 |
| CN103456818A (zh) * | 2006-05-19 | 2013-12-18 | 索林塔有限公司 | 全密封的非平面太阳能电池 |
-
2014
- 2014-10-23 CN CN201410571211.0A patent/CN104362197B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101304073A (zh) * | 2002-01-25 | 2008-11-12 | 科纳卡科技有限公司 | 光电纤维 |
| CN101449386A (zh) * | 2006-03-18 | 2009-06-03 | 索林塔有限公司 | 壳体中的细长光伏电池 |
| CN103456818A (zh) * | 2006-05-19 | 2013-12-18 | 索林塔有限公司 | 全密封的非平面太阳能电池 |
| CN102941077A (zh) * | 2012-11-07 | 2013-02-27 | 复旦大学 | 一种具有可见光活性的二氧化钛纳米管薄膜的制备方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| LIDONG SUN等: "Fabrication of TiO2/CuSCN Bulk Heterojunctions by Profile-Controlled Electrodeposition", 《JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY》, vol. 159, no. 5, 19 March 2012 (2012-03-19) * |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104959168A (zh) * | 2015-07-15 | 2015-10-07 | 济南大学 | 一种Cu2O/CH3NH3PbI3/TiO2复合光催化剂及其制备方法和应用 |
| CN105322093A (zh) * | 2015-10-30 | 2016-02-10 | 浙江理工大学 | 一种纤维状光活性化合物太阳能电池及其制备方法 |
| CN106847951A (zh) * | 2017-01-20 | 2017-06-13 | 中国计量大学 | 一种碳量子点负载硫氰酸亚铜光电薄膜及其制备方法 |
| CN106847951B (zh) * | 2017-01-20 | 2018-04-13 | 中国计量大学 | 一种碳量子点负载硫氰酸亚铜光电薄膜及其制备方法 |
| CN110323303A (zh) * | 2019-07-09 | 2019-10-11 | 北京镓族科技有限公司 | 一种Ga2O3-CuSCN核壳异质结日盲紫外探测器及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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