CN104347669B - 有机发光显示设备及其制造方法 - Google Patents

有机发光显示设备及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104347669B
CN104347669B CN201410111312.XA CN201410111312A CN104347669B CN 104347669 B CN104347669 B CN 104347669B CN 201410111312 A CN201410111312 A CN 201410111312A CN 104347669 B CN104347669 B CN 104347669B
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
area
region
display device
emitting display
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201410111312.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN104347669A (zh
Inventor
郑镇九
曹观铉
崔俊呼
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Priority to CN201910833847.0A priority Critical patent/CN110581158B/zh
Publication of CN104347669A publication Critical patent/CN104347669A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104347669B publication Critical patent/CN104347669B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023—Direction of light emission
    • H10K2102/3031—Two-side emission, e.g. transparent OLEDs [TOLED]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/351—Thickness

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明提供了一种有机发光显示设备及其制造方法，有机发光显示设备包括：基底；像素，限定在基底上，其中，每个像素包括具有发光区域的第一区域和具有透射区域的第二区域；第三区域，限定在基底上且设置在像素之间；第一电极，分别设置在基底上的像素中，其中，每个第一电极设置在对应的像素的第一区域中；有机发射层，设置为覆盖第一电极；第一辅助层，在第二区域中设置在有机发射层上并且暴露第一区域；第二电极，在第一区域中设置在有机发射层上；第二辅助层，设置在第一区域和第二区域中并且暴露第三区域；第三电极，设置在第三区域中并且与第二电极接触。

Description

有机发光显示设备及其制造方法
本申请要求于2013年7月23日提交的第10-2013-0086961号韩国专利申请的优先权和全部权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
本发明的一个或更多个示例性实施例涉及一种有机发光显示设备及制造该有机发光显示设备的方法。
背景技术
有机发光显示设备是电激发有机化合物来发光的自发光显示器。由于有机发光显示设备可以以低电压操作，可以容易地以薄的外形形成，并且可以具有宽的视角和快的响应速度，所以有机发光显示设备已经作为可以解决液晶显示装置的限制的先进的显示器而受到关注。
通过形成除了包括薄膜晶体管或有机发光器件的区域之外的透光部分，有机发光显示设备可以用作看起来是透明的透明显示设备。
当有机发光显示设备被用作透明显示设备时，可以将透明/半透明的金属设置在显示区域的整个区域上方，或者将不透明的金属图案化以暴露透光部分，来形成阴极，例如，上电极。当使用透明/半透明金属时，由于阴极的高薄膜电阻，可能难以有效地制造大尺寸面板，并且当使用不透明金属时，可能不能有效地使用通常在传统的有机材料图案化工艺中用于形成开口图案的精细金属掩模。
发明内容
本发明的一个或更多个示例性实施例包括可以容易地形成作为上电极的阴极图案并且可以降低电阻的有机发光显示设备，以及该有机发光显示设备的制造方法。
附加方面将在下面的描述中部分地阐述，并且将通过描述而部分地清楚，或者可以通过实践提出的实施例而学习。
根据本发明的一个或更多个实施例，一种有机发光显示设备包括：基底；多个像素，限定在基底上，其中，每个像素包括具有发射光的发光区域的第一区域和具有透射外部光的透射区域的第二区域；第三区域，限定在基底上且设置在像素之间；多个第一电极，分别设置在基底上的像素中，其中，每个第一电极设置在对应的像素的第一区域中；有机发射层，设置为覆盖第一电极；第一辅助层，在第二区域中设置在有机发射层上并且暴露第一区域；第二电极，在第一区域中设置在有机发射层上；第二辅助层，设置在第一区域和第二区域中并且暴露第三区域；第三电极，设置在第三区域中并且与第二电极接触。
在一个示例性实施例中，第二电极可以暴露第二区域。
在一个示例性实施例中，第二电极可以设置在第二区域中，第二电极在第二区域中的部分的厚度可以小于第二电极在第一区域中的部分的厚度。
在一个示例性实施例中，第二电极可以在第二区域中形成在第一辅助层上。
在一个示例性实施例中，第一辅助层可以设置在第三区域中。
在一个示例性实施例中，第三电极可以不设置在第一区域和第二区域中。
在一个示例性实施例中，第三电极也可以设置在第一区域和第二区域中，并且第三电极的设置在第一区域或第二区域中的部分的厚度可以小于第三电极的设置在第三区域中的部分的厚度。
在一个示例性实施例中，第三电极可以在第一区域和第二区域中设置在第二辅助层上。
在一个示例性实施例中，第三电极的厚度可以大于第二电极的厚度。
在一个示例性实施例中，第二电极与有机发射层的粘合性可以大于第二电极与第一辅助层的粘合性。
在一个示例性实施例中，第三电极与第二电极的粘合性可以大于第三电极与第二辅助层的粘合性。
在一个示例性实施例中，第一辅助层和第二辅助层中的至少一个可以包括：N,N'-二苯基-N,N'-二(9-苯基-9H-咔唑-3-基)联苯-4,4'-二胺、N-(联苯-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺、2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯并-[D]咪唑、4,4',4''-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺（m-MTDATA）、N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基[1,1'-联苯基]-4,4'-二胺或4,4'-二[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]联苯。
在一个示例性实施例中，第二电极和第三电极可以包括镁（Mg）。
在一个示例性实施例中，有机发光显示设备还可以包括：多条第一线，基本沿第一方向延伸，并且分别电连接到第一电极；多条第二线，基本沿垂直于第一方向的第二方向延伸，并且分别电连接到第一电极，其中，第一辅助层基本沿平行于第一线的直线设置。
在一个示例性实施例中，第二电极可以沿平行于第一线的直线被包括。
在一个示例性实施例中，第二辅助层可以基本沿平行于第二线的直线设置。
在一个示例性实施例中，第三电极可以基本沿平行于第二线的直线设置。
根据本发明的一个或更多个实施例，一种制造有机发光显示设备的方法包括下述步骤：在基底上限定多个像素，其中，每个像素包括具有发射光的发光区域的第一区域以及具有透射外部光的透射区域的第二区域；在像素中分别设置多个第一电极，其中，每个第一电极设置在对应的像素的第一区域中；设置有机发射层，以覆盖第一电极；在第二区域中在有机发射层上设置第一辅助层，以暴露第一区域；通过在有机发射层上沉积用于形成第二电极的金属来在第一区域中设置第二电极；设置第二辅助层来覆盖第一区域和第二区域中的第二电极并暴露限定在像素之间的第三区域；通过在第二电极上沉积用于形成第三电极的金属来在第三区域中设置第三电极，以与第二电极接触。
在一个示例性实施例中，设置第二电极的步骤可以包括在第一区域至第三区域中同时沉积用于形成第二电极的金属，其中，第二电极暴露第二区域。
在一个示例性实施例中，设置第二电极的步骤可以包括在第一区域至第三区域中同时沉积用于形成第二电极的金属，其中，第二电极设置在第二区域中，并且第二电极的设置在第二区域中的部分的厚度可以小于第二电极的设置在第一区域中的部分的厚度。
在一个示例性实施例中，设置第二电极的步骤可以包括在第二区域中在第一辅助层上设置第二电极。
在一个示例性实施例中，设置第一辅助层的步骤可以包括在第三区域中设置第一辅助层。
在一个示例性实施例中，设置第三电极的步骤可以包括在第一区域至第三区域中同时沉积用于形成第三电极的金属，其中，第三电极暴露第一区域和第二区域。
在一个示例性实施例中，设置第三电极的步骤可以包括在第一区域至第三区域中同时沉积用于形成第三电极的金属，其中，第三电极设置在第一区域和第二区域中，并且第三电极的设置在第一区域或第二区域中的部分的厚度可以小于第三电极的设置在第三区域中的部分的厚度。
在一个示例性实施例中，设置第三电极的步骤可以包括在第一区域和第二区域中在第二辅助层上设置第三电极。
在一个示例性实施例中，第三电极可以比第二电极厚。
在一个示例性实施例中，第二电极与有机发射层的粘合性可以大于第二电极与第一辅助层的粘合性。
在一个示例性实施例中，第三电极与第二电极的粘合性可以大于第三电极与第二辅助层的粘合性。
在一个示例性实施例中，第一辅助层和第二辅助层中的至少一个可以包括：N,N'-二苯基-N,N'-二(9-苯基-9H-咔唑-3-基)联苯-4,4'-二胺、N-(联苯-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺、2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯并-[D]咪唑、4,4',4''-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺（m-MTDATA）、N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基[1,1'-联苯基]-4,4'-二胺或4,4'-二[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]联苯。
在一个示例性实施例中，用于形成第二电极的金属和用于形成第三电极的金属可以包括镁（Mg）。
在一个示例性实施例中，所述方法还可以包括下述步骤：设置多条第一线，所述多条第一线基本沿第一方向延伸，并且分别电连接到第一电极；设置多条第二线，所述多条第二线基本沿垂直于第一方向的第二方向延伸，并且分别电连接到第一电极，其中，设置第一辅助层的步骤包括将第一辅助层图案化为基本沿平行于第一线的直线设置。
在一个示例性实施例中，设置第二辅助层的步骤可以包括将第二辅助层图案化为基本沿平行于第二线的直线设置。
根据本发明的示例性实施例，可以通过图案化来设置包括金属的第二电极和第三电极而不使用单独的图案化掩模，显著地简化了设置第二电极和第三电极的工艺。在这样的实施例中，第二电极和第三电极暴露包括透射区域的第二区域，因此，可以显著地提高整个面板的透射率。
在这样的实施例中，第三电极可以降低第二电极的电阻。
在这样的实施例中，有机发光显示设备可以是大尺寸显示设备。
附图说明
通过参照附图更具体地描述本发明的示例性实施例，本发明的这些和/或其他特征将变得更加清楚，在附图中：
图1是有机发光显示设备的示例性实施例的示意性剖视图；
图2是有机发光显示设备的可选示例性实施例的示意性剖视图；
图3是有机发光显示设备的另一可选示例性实施例的示意性剖视图；
图4是有机发光显示设备的示例性实施例的剖视图；
图5是有机发光显示设备的可选示例性实施例的剖视图；
图6是根据本发明的有机发光显示设备的示例性实施例的示意性平面图；
图7是图6的单个像素的平面图；
图8是沿图7的线I-I截取的剖视图；
图9是根据本发明的有机发光显示设备的可选示例性实施例的剖视图；
图10是根据本发明的有机发光显示设备的另一实施例的剖视图；
图11至图14是示出根据本发明的有机发光显示设备的制造方法的示例性实施例的平面图；
图15是根据本发明的有机发光显示设备的可选示例性实施例的平面图。
具体实施方式
将在下文中参照附图更充分地描述本发明，在附图中示出了本发明的实施例。然而，本发明可以以许多不同的形式实施，而不应被解释为局限于这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并且这些实施例将把本发明的范围充分地传达给本领域技术人员。同样的标号始终表示同样的元件。
将理解的是，当元件或层被称作“在”另一元件或层“上”或者“连接到”或“结合到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在另一元件或层上或者直接连接到或直接结合到另一元件或层，或者可以存在中间元件或中间层。相反，当元件被称作“直接在”另一元件或层“上”或者“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时，不存在中间元件或中间层。同样的标号始终表示同样的元件。如在这里使用的，术语和/或”包括一个或更多个相关所列项的任意组合和全部组合。
将理解的是，尽管在这里可使用术语第一、第二、第三等来描述不同的元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应该受这些术语的限制。这些术语仅是用来将一个元件、组件、区域、层或部分与另一个元件、组件、区域、层或部分区分开来。因此，在不脱离本发明的教导的情况下，下面讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可被命名为第二元件、组件、区域、层或部分。
为了方便描述，在这里可使用空间相对术语，如“在…之下”、“在…下方”、“下面的”、“在…上方”、“上面的”等，用来描述在图中所示的一个元件或特征与其他元件或特征的关系。将理解的是，空间相对术语意在包含除了在附图中描述的方位之外的装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果在附图中的装置被翻转，则描述为“在”其他元件或特征“下方”或“之下”的元件随后将被定位为“在”其他元件或特征“上方”。因而，示例性术语“在…下方”可包括“在…上方”和“在…下方”两种方位。所述装置可被另外定位（旋转90度或者在其他方位），并对在这里使用的空间相对描述符做出相应的解释。
这里使用的术语仅为了描述特定实施例的目的，而不意图限制本发明。如这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，说明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
除非另有定义，否则这里使用的所有术语（包括技术术语和科学术语）具有与本发明所属领域的普通技术人员所通常理解的意思相同的意思。还将理解的是，除非这里明确定义，否则术语（例如在通用的字典中定义的那些术语）应该被解释为具有与相关领域的环境中它们的意思一致的意思，而将不以理想的或者过于正式的意义进行解释。
在此参照作为本发明的理想实施例（和中间结构）的示意图的剖视图来描述本发明的实施例。这样，预计会出现例如由制造技术和/或公差引起的图示的形状的变化。因此，本发明的实施例不应该被解释为局限于在此示出的区域的特定形状，而将包括例如由制造导致的形状偏差。例如，示出为或描述为平坦的区域可以通常具有粗糙的和/或非线性的特征。另外，所示的尖角可以被导圆。因此，在附图中示出的区域实际上是示意性的，它们的形状并不意图示出区域的精确的形状，也不意图限制这里阐述的权利要求的范围。
除非这里另外指出或者通过上下文而明显矛盾，否则这里描述的所有方法可以以合适的顺序执行。除非另外声明，否则对任意和所有实例或者示例性语言（例如，“诸如”）的使用仅意图更好地说明本发明，而不对本发明的范围作出限制。如在这里使用的，在说明书中的任何语言均不应被解释为将未声明的元件指定为对本发明的实施是必要的。
在下文中，将参照附图更详细地描述本发明的示例性实施例。
图1是根据本发明的有机发光显示设备的示例性实施例的示意性剖视图，图2是有机发光显示设备的可选示例性实施例的示意性剖视图，图3是有机发光显示设备的另一可选示例性实施例的示意性剖视图。
参照图1，有机发光显示设备的示例性实施例包括在基底1上的显示单元2。
在有机发光显示设备的这样的实施例中，外部光可以透射基底1和显示单元2。
在这样的实施例中，当有机发光显示设备包括允许外部光透射的显示单元2时，用户可以在基底1下方观察到来自外部的图像，如图1中所示。
图1示出了第一像素P1和第二像素P2，第一像素P1和第二像素P2是有机发光显示设备的两个相邻的像素。
第一像素P1和第二像素P2均包括第一区域31和第二区域32。
由显示单元2通过第一区域31显示图像，外部光透射穿过第二区域32。
在本发明的示例性实施例中，像素P1和P2中的每个均包括用于显示图像的第一区域31和外部光透射穿过的第二区域32，从而当有机发光显示设备未显示图像时，透过的外部光可以被用户观察到。
在这样的实施例中，在第二区域32中可以不设置诸如薄膜晶体管、电容器和有机发光器件的器件，外部光的透射率可以最大化，并且可以基本减少由于器件（例如薄膜晶体管、电容器和有机发光器件）的影响而导致出现透射图像的变形。
在示例性实施例中，有机发光显示设备可以是底发射式，其中显示单元2的图像朝基底1的方向显示，如图1中所示。然而，本发明的实施例不限于此。在可选示例性实施例中，如图2中所示，有机发光显示设备可以是顶发射式，其中显示单元2的图像朝与基底1相反的方向显示。在另一可选示例性实施例中，如图3中所示，有机发光显示设备可以是双发射式，其中显示单元2的图像朝基底1的方向和与基底1相反的方向显示。
在下文中，将参照图4和图5更详细地描述有机发光显示设备的示例性实施例。
图4是有机发光显示设备的示例性实施例的剖视图，图5是有机发光显示设备的可选示例性实施例的剖视图。
参照图4，显示单元2包括设置在透明的基底1上的有机发光单元21以及密封有机发光单元21的密封基底23。
密封基底23可以阻止外部空气和湿气渗透到有机发光单元21中。在示例性实施例中，在如图2和图3中所示的显示单元2的图像朝与基底1相反的方向显示的情况下，密封基底23可以包括透明材料，从而由有机发光单元21显示的图像可以透过密封基底23。
在示例性实施例中，如图4中所示，基底1和密封基底23的边缘通过设置在它们之间的密封剂24彼此结合，从而密封基底1和密封基底23之间的空间25。在这样的实施例中，可以在空间25中设置吸收剂或填充剂。
在可选示例性实施例中，如图5中所示，可以通过在有机发光单元21上形成薄的密封膜26来保护有机发光单元21免受外部空气的影响。密封膜26可以具有将第一层和第二层彼此交替地并重复地堆叠的结构，第一层包括诸如氧化硅或氮化硅的无机材料，第二层包括诸如环氧树脂或聚酰亚胺的有机材料。然而，本发明的实施例不限于此，可以使用在透明薄膜上的任何密封结构。
图6是有机发光显示器的示例性实施例的示意性平面图，其示出了布置在基底1上的多个像素P，图7是图6的单个像素P的平面图，图8是沿图7的线I-I截取的剖视图。
在示例性实施例中，如图6中所示，基底1可以具有边沿彼此基本垂直的第一方向D1和第二方向D2延伸的矩形形状。在这样的实施例中，与第一方向D1平行的边可以比与第二方向D2平行的边长。
多条第一线331（基本沿第一方向D1延伸的布线）以及多条第二线332和第三线333（基本沿第二方向D2延伸的布线）可以布置在基底1上。第一线331至第三线333可以电连接到每个像素P并且可以电连接到设置在每个像素P中的像素电路单元（在图6中未示出）。每个像素P的像素电路单元可以包括多个薄膜晶体管和存储电容器。每个像素电路单元电连接到将在下面详细描述的第一电极。因此，第一线331至第三线333可以电连接到作为每个像素P的像素电极的第一电极。根据本发明的示例性实施例，第一线331可以是扫描线，第二线332可以是数据线，第三线333可以是电源电压线。然而，本发明的实施例不限于此。第一线331至第三线333中的任意一个可以是扫描线，另一个可以是数据线并且剩下的一个可以是电源电压线。
每个像素P包括第一区域31和第二区域32。第三区域33设置在像素P之间。
根据本发明的示例性实施例，如图6中所示，向每个像素P施加公共功率的第二电极222可以沿着与第一线331平行的方向基本呈直线设置。
第三电极223设置在第三区域33中。在示例性实施例中，如图6中所示，第三电极223可以沿着与第二线332平行的方向基本呈直线设置。
第三电极223与第二电极222接触。在这样的实施例中，第三电极223包括导电金属，第三电极223可以用作降低第二电极222的电阻的辅助电极。
在这样的实施例中，如图7中所示，每个像素P的第一区域31可以包括发光区域310，光从发光区域310发射。在本发明的这样的实施例中，发光区域310可以包括第一发光区域311、第二发光区域312和第三发光区域313。第一发光区域311、第二发光区域312和第三发光区域313可以分别对应于红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。
第一电极221均独立地设置在第一发光区域311、第二发光区域312和第三发光区域313中。
在示例性实施例中，分别电连接到第一电极221的像素电路单元（未示出）可以设置在每个像素P的第一区域31中，其中，像素电路单元可以被设置为与发光区域310叠置，或者可以使发光区域310暴露。包括被外部光透射的透射区域的第二区域32被设置为与第一区域31相邻。在示例性实施例中，如图7中所示，透射区域和第二区域32彼此基本相同。然而，本发明的实施例不限于此。在可选示例性实施例中，第二区域32可以比透射区域宽，从而因此包含透射区域。
在示例性实施例中，第二区域32可以延伸跨过第一发光区域311、第二发光区域321和第三发光区域313。在这样的实施例中，单个像素P包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素，且单个第二区域32可以被设置为与红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素相邻。在这样的实施例中，外部光透射穿过的第二区域32的面积可以增大，从而整个显示单元2的透射率可以增大。
然而，本发明的实施例不限于此。在可选示例性实施例中，第二区域32可以独立地设置在第一发光区域311、第二发光区域312或第三发光区域313中。
如图8中所示，像素电路单元可以包括薄膜晶体管TR。在示例性实施例中，像素电路单元可以包括多于一个薄膜晶体管TR。在一个示例性实施例中，例如，除了图8中示出的薄膜晶体管TR之外，在像素电路单元中还可以包括多个薄膜晶体管和存储电容器。
有机发光器件分别设置在第一发光区域311、第二发光区域312和第三发光区域313中。有机发光器件电连接到像素电路单元的薄膜晶体管TR。
在示例性实施例中，如图8中所示，缓冲层211设置在基底1上，包括薄膜晶体管TR的像素电路单元设置在缓冲层211上。
在这样的实施例中，半导体有源层212设置在缓冲层211上。
缓冲层211可以包括透明绝缘材料，并且可以用于有效地防止杂质元素的进入并且使基底1的表面平坦化。缓冲层211可以包括可以执行上述功能的各种材料。在一个示例性实施例中，例如，缓冲层211可以包括无机材料（例如，氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氧化钛和氮化钛）、有机材料（例如，聚酰亚胺、聚酯和亚克力）或它们的组合。在可选示例性实施例中，可以省略缓冲层211。
在示例性实施例中，半导体有源层212可以包括例如多晶硅。在可选示例性实施例中，半导体有源层212可以包括氧化物半导体。在一个示例性实施例中，例如，半导体有源层212可以包括氧化铟镓锌（IGZO），例如(In2O3)a(Ga2O3)b(ZnO)c（其中，a、b和c是满足下面的不等式的实数：a≥0、b≥0且c>0）。
栅绝缘层213设置在缓冲层211上，以覆盖半导体有源层212，栅极214设置在栅绝缘层213上。
层间绝缘层215设置在栅绝缘层213上，以覆盖栅极214，源极216和漏极217设置在层间绝缘层215上，以通过在层间绝缘层215中限定（例如，形成）的接触孔与半导体有源层212接触。
示例性实施例的薄膜晶体管TR的结构不限于图8中示出的结构，可以使用薄膜晶体管的各种类型的结构。
第一绝缘层218设置在层间绝缘层215上，以覆盖薄膜晶体管TR。第一绝缘层218可以具有单层结构或多层结构，其中，第一绝缘层218的顶表面可以被平坦化。第一绝缘层218可以包括无机材料和/或有机材料。
在这样的实施例中，如图8中所示，有机发光器件的电连接到薄膜晶体管TR的第一电极221设置在第一绝缘层218上。第一电极221可以是岛形。
第二绝缘层219设置在第一绝缘层218上，以覆盖第一电极221的边缘。例如，第二绝缘层219可以包括有机材料，例如亚克力和聚酰亚胺。
有机发射层220设置在第一电极221上，第二电极222被设置为覆盖有机发射层220，从而限定有机发光器件。
在这样的实施例中，例如，有机发射层220可以包括低分子量有机材料或聚合物有机材料。
在示例性实施例中，当有机发射层220包括低分子量有机材料时，有机发射层220可以包括堆叠为单个或组合结构的空穴注入层（HIL）、空穴传输层（HTL）、发射层（EML）、电子传输层（ETL）和电子注入层（EIL）。在这样的实施例中，可以通过真空沉积来提供（例如，形成）包括低分子量有机材料层的有机发射层220。
可以对红色、绿色和蓝色子像素中的每个（例如，在第一发光区域311、第二发光区域312和第三发光区域313中）独立地设置EML，HIL、HTL、ETL和EIL可以作为公共层共同地设置在第一发光区域311、第二发光区域312和第三发光区域313中。在示例性实施例中，如图7中所示，红色发射层可以基本沿与第二方向D2平行的直线形成，以穿过第一发光区域311，绿色发射层可以基本沿与第二方向D2平行的直线形成，以穿过第二发光区域312，蓝色发射层可以基本沿与第二方向D2平行的直线形成，以穿过第三发光区域313。在这样的实施例中，可以使用开口掩模将上面描述的公共层（例如，HIL、HTL、ETL和EIL）形成为覆盖整个像素P。
然而，本发明的实施例不需要限制于此，可以使用各种修改的实施例。例如，在一个可选示例性实施例中，红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层可以形成为点状图案，以分别对应于第一发光区域311、第二发光区域312和第三发光区域313。在另一可选示例性实施例中，在第一发光区域311、第二发光区域312和第三发光区域313中公共地形成蓝色发射层，红色发射层和绿色发射层可以分别在第一发光区域311和第二发光区域312中以点状图案形成，或者可以基本形成为与第二方向D2平行的直线图案，以穿过第一发光区域311和第二发光区域312。在示例性实施例中，至少一个公共层可以以与每个发射层相同的方式图案化。
HIL可以包括诸如铜酞菁的酞菁化合物、诸如三(4-咔唑基-9-基-苯基)胺（TCTA）、4,4’,4’’-三[N-3-甲基苯基-N-苯基氨基]三苯胺（m-MTDATA）和1,3,5-三[4-(3-甲基苯基苯氨基)苯基]苯（m-MTDAPB）的星放射型胺（star-bursttype amine）或它们的组合。
HTL可以包括N,N'-二(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1’-联苯基]-4,4’-二胺（TPD）、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基联苯胺（α-NPD）或它们的组合。
EIL可以包括诸如LiF、NaCl、CsF、Li2O、BaO或8-羟基喹啉锂（Liq）的材料。
ETL可以包括三(8-羟基喹啉)铝（Alq3）。
EML可以包括基质材料和掺杂剂材料。
EML的基质材料可以包括Alq3、9,10-二(萘-2-基)蒽（ADN）、2-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽（TBADN）、4,4'-二(2,2-二苯基-乙烯-1基)-联苯（DPVBi）或者4,4'-二[2,2-二(4-甲基苯基)-乙烯-1-基]联苯（p-DMDPVBi）。
EML的掺杂剂材料可以包括4,4'-二[4-(二-对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯（DPAVBi）、ADN或TBADN。
在示例性实施例中，第一电极221可以用作阳极，第二电极222可以用作阴极，但是不限于此。在可选示例性实施例中，第一电极221可以用作阴极，第二电极222可以用作阳极。
在示例性实施例中，当第一电极221用作阳极时，第一电极221可以包括高功函材料，例如氧化铟锡（ITO）、氧化铟锌（IZO）、氧化锌（ZnO）和氧化铟（In2O3）。在示例性实施例中，当有机发光显示器是朝与基底1相反的方向获得图像的顶发射型时，第一电极221还可以包括包含银（Ag）、镁（Mg）、铝（Al）、铂（Pt）、钯（Pd）、金（Au）、镍（Ni）、钕（Nd）、铱（Ir）、铬（Cr）、锂（Li）、镱（Yb）、钴（Co）、钐（Sm）、钙（Ca）或它们的组合的反射层（未示出）。
在示例性实施例中，当第二电极222用作阴极时，第二电极222可以包括例如金属，例如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Yb、Co、Sm或Ca。在示例性实施例中，当有机发光显示器是顶发射型时，第二电极222对光可以是透明和/或半透明的。在这样的实施例中，第二电极222可以设置为包含Mg和/或Mg合金的薄膜。第二电极222可以用作将共电压施加到像素的共电极。
在示例性实施例中，当第二电极222用作将共电压施加到全部像素的共电极时，当第二电极222的薄膜电阻增大时，会出现电压降现象。
在这样的实施例中，还可以设置第三电极223，以电连接到第二电极222来有效地防止电压降现象。第三电极223可以包括金属，例如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Yb、Co、Sm或Ca，并且可以包括与第二电极222的材料相同的材料。
根据示例性实施例，如图8中所示，在设置有机发射层220之后且在设置第二电极222之前，可以在第二区域32中在有机发射层220上设置（例如，形成）第一辅助层231。在这样的实施例中，可以利用掩模（未示出）来沉积第一辅助层231，第一辅助层231可以设置在第二区域32中并且可以不设置在第一区域31中。第一辅助层231可以形成在第三区域33的一部分中。在示例性实施例中，如图7中所示，当第一辅助层231沿平行于第一方向D1的直线形成时，第一辅助层231可以设置在第三区域33的与第二区域32相邻的部分中。然而，本发明的实施例不限于此。第一辅助层231可以被图案化以暴露第三区域33。
第一辅助层231可以包括与其上的层的材料（即，第二电极222的材料，例如，Mg和/或Mg合金）具有低粘合性的材料。
在一个示例性实施例中，例如，第一辅助层231可以包括N,N'-二苯基-N,N'-二(9-苯基-9H-咔唑-3-基)联苯-4,4'-二胺、N-(联苯-4-基)9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺、2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯并-[D]咪唑、m-MTDATA、α-NPD或TPD。
在设置第二电极222之前，将被图案化为设置在第二区域32中并且未设置在第一区域31中的第一辅助层231设置在有机发射层220上。
在示例性实施例中，可以通过使用开口掩模在包括第一区域31至第三区域33的整个像素上方共沉积用于形成第二电极222的金属来形成第二电极222。在这样的实施例中，如上所述，第二电极222可以被形成为薄膜，使得第二电极222可以成为透反射层或透明层。
在这样的实施例中，当利用开口掩模将用于形成第二电极222的金属共沉积在整个像素上方时，用于形成第二电极222的金属可能不会被很好地沉积在第一辅助层231上，但是可以很好地沉积在有机发射层220上。在这样的实施例中，当如上所述地图案化有机发射层220时，用于形成第二电极222的金属也可以沉积在其上未设置第一辅助层231的第二绝缘层219上。
在这样的实施例中，当用于形成第二电极222的金属可能不会被很好地沉积在第一辅助层231上但是可以很好地沉积在有机发射层220上时，第二电极222可以具有暴露包括透射区域的第二区域32的图案化形状。
在这样的实施例中，第二电极222与有机发射层220的粘合性大于第二电极222与第一辅助层231的粘合性，并且第二电极222被形成为薄膜，从而第二电极222被设置在第一区域31和第三区域33的其中未设置第一辅助层231的区域中，而未被设置在第二区域32和第三区域33的其中设置有第一辅助层231的区域中。
因此，在这样的实施例中，第二电极222可以被有效地图案化，而无需使用单独的用于图案化的掩模。
在这样的实施例中，第二绝缘层219和/或公共层可以包括与用于形成第二电极222的金属的粘合性大于与第一辅助层231的粘合性的材料。在一个示例性实施例中，例如，第二绝缘层219可以包括亚克力，公共层（例如，EIL）可以包括Liq。
然后，在第一区域31和第二区域32中设置第二辅助层232。第二辅助层232在第一区域31中设置在第二电极222上并且在第二区域32中设置在第一辅助层231上。第二辅助层232可以被图案化为暴露第三区域33。
第二辅助层232可以包括具有与其上的层的材料（即，第三电极222的金属，例如，Mg和/或Mg合金）具有低粘合性的材料。
第二辅助层232可以包括N,N'-二苯基-N,N'-二(9-苯基-9H-咔唑-3-基)联苯-4,4'-二胺、N-(联苯-4-基)9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺、2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯并-[D]咪唑、m-MTDATA、α-NPD或TPD。
在示例性实施例中，第二辅助层232可以用作在设置第三电极223时的掩模。
在这样的实施例中，在设置第二辅助层232之后，可以使用开口掩模将用于形成第三电极223的金属共同地沉积在第一区域31至第三区域33上方，第三电极223可能不会沉积在第一区域31和第二区域32中，但是可以仅设置在第三区域33中，从而第二辅助层232形成在第一区域31和第二区域32中。
第三电极223可以比第二电极222厚，结果，可以有效地防止施加共电压的第二电极222的电压降。
在如上所述的这样的实施例中，由于包括金属的第二电极222和第三电极223可以通过图案化来设置，而无需使用精细金属掩模，从而设置第二电极222和第三电极223的工艺可以显著地简化。在这样的实施例中，第二电极222和第三电极223不允许形成在包括透射区域的第二区域32中，因此，可以显著地改善整个面板的透射率。
有机发射层220、第一辅助层231和第二辅助层232可以使用在被未施加功率的状态下具有高透光率的材料。因此，可以有效地防止在第二区域32中的外部光的透射率减小。
图9是根据本发明的有机发光显示设备的可选示例性实施例的剖视图。
除了第二电极222和第三电极223之外，图9中的有机发光显示设备与图8中示出的有机发光显示设备基本相同。图9中示出的相同或相似的元件已经用与上面使用的用于描述图8中示出的有机发光显示设备的示例性实施例的标号相同的标号标注，并且在下文中将省略或简化任何对其重复性的详细描述。
在示例性实施例中，当第一辅助层231和/或第二辅助层232包括具有与其上的层的金属（例如，Mg和/或Mg合金）的粘合性低的材料时，少量的金属可以沉积在第一辅助层231和/或第二辅助层232上。
因此，在第一辅助层231形成在第二区域32中和第三区域33的一部分中并且未形成在第一区域31中和第三区域33的另一部分中的这样的实施例中，当如上所述地利用开口掩模将用于形成第二电极222的金属沉积在第一区域31至第三区域33中时，第二电极222可以完全设置在第一区域31至第三区域33中，如图9中所示。当第二电极222可以被完全地设置在第一区域31至第三区域33中时，第二电极222的设置在第二区域32中以及第三区域的所述一部分中的部分222b的厚度t2可以相对小于第二电极222的设置在第一区域31中以及第三区域33的所述另一部分中的部分222a的厚度t1。
在这样的实施例中，当第二辅助层232形成在第一区域31和第二区域32中并且未形成在第三区域33中时，当如上所述地利用开口掩模将用于形成第三电极223的金属沉积在第一区域31至第三区域33中时，第三电极223可以完全地形成在第一区域31至第三区域33中，如图9中所示。当第三电极223可以完全地形成在第一区域31至第三区域33中时，第三电极223的设置在第一区域31和第二区域32中的部分223b的厚度t4可以相对小于第三电极223的设置在第三区域33中的部分223a的厚度t3。
在这样的实施例中，如图9中所示，包括金属材料的第二电极222的部分222b和第三电极223的部分223b可以设置在第二区域32（例如，透射区域）中。在这样的实施例中，第二电极222的部分222b和第三电极223的部分223b非常薄，从而可以有效地防止外部光在第二区域32处的透射率明显降低。
图10是根据本发明的有机发光显示设备的另一可选示例性实施例的剖视图。
除了第二绝缘层219之外，图10中的有机发光显示设备与图8中示出的有机发光显示设备基本相同。图10中示出的相同或相似的元件已经用与上面使用的用于描述图8中示出的有机发光显示设备的示例性实施例的标号相同的标号标注，并且在下文中将省略或简化任何对其重复性的详细描述。
在示例性实施例中，如图10中所示，可以在第二绝缘层219的第二区域32中限定透射窗219a。可以通过去除第二绝缘层219的对应于第二区域32的部分来形成透射窗219a，从而可以显著提高外部光在第二区域32中的透射率。图10示出了透射窗219a仅限定在第二绝缘层219中的示例性实施例。然而，本发明的实施例不限于此，在可选示例性实施例中，透射窗也可以设置在第一绝缘层218、层间绝缘层215、栅绝缘层213和缓冲层211中的至少一个中。图10中示出的透射窗的结构可以设置到图9中示出的示例性实施例中。
有机发光显示设备的这样的实施例可以是大尺寸有机发光显示设备。使用精细金属掩模的图案化工艺可能不能有效率地且有效地用于制造大尺寸有机发光显示设备，从而对第二电极针对包括透射区域的第二区域进行图案化可能是困难的。然而，在本发明的示例性实施例中，可以使用开口掩模而不是精细金属掩模来对第二电极进行图案化，从而可以有效率地且有效地执行对第二电极针对包括透射区域的第二区域进行的图案化。
接下来，将参照图11至图14来描述根据本发明的有机发光显示设备的制造方法的示例性实施例。
图11至图14是示出根据本发明的有机发光显示设备的制造方法的示例性实施例的平面图。
如图11中所示，制备基底并且在基底上设置（例如，形成）第一辅助层231，在基底中，有机发射层220设置在每个像素P中。
如上所述，有机发射层220可以包括红色EML、绿色EML和蓝色EML，以及诸如HIL、HTL、ETL和EIL的公共层。红色EML、绿色EML和蓝色EML均可以独立地图案化为第一发光区域311、第二发光区域312和第三发光区域313，公共层可以公共地设置在第一发光区域311、第二发光区域312和第三发光区域313中。
根据本发明的示例性实施例，红色EML可以基本沿与第二方向D2平行的直线设置，以跨过第一发光区域311，绿色EML可以基本沿与第二方向D2平行的直线设置，以跨过第二发光区域312，蓝色EML可以基本沿与第二方向D2平行的直线设置，以跨过第三发光区域313。公共层可以利用开口掩模被设置为覆盖整个像素P。
然而，本发明的实施例不限于此，可以利用不同的方法来设置有机发射层220。在一个可选示例性实施例中，例如，红色EML、绿色EML和蓝色EML可以形成为点图案，以分别对应于第一发光区域311、第二发光区域312和第三发光区域313。在这样的实施例中，蓝色EML可以公共地形成在第一发光区域311、第二发光区域312和第三发光区域313中，红色EML和绿色EML可以以点图案分别形成在第一发光区域311和第二发光区域312中，或者可以基本沿平行于第二方向D2的直线图案形成，以跨过第一发光区域311和第二发光区域312。在另一可选示例性实施例中，公共层中的至少一个可以与每个EML相同的方式图案化。
第一辅助层231可以设置（例如，形成）在第二区域32中而不在第一区域31中。第一辅助层231可以设置在第三区域33的一部分中。
根据本发明的示例性实施例，第一辅助层231可以基本沿平行于第一方向D1的直线设置，如图11中所示。因此，第一辅助层231可以基本平行于第一线331（见图6）。
然后，利用开口掩模将用于形成第二电极222的金属共同地沉积在包括第一区域31至第三区域33的整个像素上方。在示例性实施例中，第二电极222可以形成为薄膜，使得第二电极222可以成为透反射层。
当利用开口掩模将用于形成第二电极222的金属公共地沉积在整个像素上方时，用于形成第二电极222的金属可以与第一辅助层231具有低粘合性，而与有机发射层220具有高粘合性。在这样的实施例中，当如上所述地图案化有机发射层220时，用于形成第二电极222的金属也可以被沉积在其上未设置第一辅助层231的第二绝缘层219上。
因此，第二电极222可以沿平行于第一方向D1的直线形成，如图12中所示。
然后，如图13中所示，在第一区域31和第二区域32中设置（例如，形成）第二辅助层232。第二辅助层232在第一区域31中设置在第二电极222上，在第二区域32中设置在第一辅助层231上。第二辅助层232可以被图案化以暴露第三区域33。
根据本发明的示例性实施例，第二辅助层232可以基本沿平行于第二方向D2的直线设置，如图13中所示。因此，第二辅助层232可以基本平行于第二线332（见图6）。
然后，利用开口掩模将用于形成第三电极223的金属公共地沉积在第一区域31至第三区域33上方。在示例性实施例中，第二辅助层232可以用作用于形成第三电极223的掩模。因此，第三电极223可以不被有效地设置在第一区域31和第二区域32中，但是可以仅被设置在第三区域33中，因此，第三电极223可以基本沿平行于第二方向D2的直线设置，如图14中所示。结果，第三电极223可以基本平行于第二线332（见图6）。第三电极223可以比第二电极222厚。
在这样的实施例中，可以通过图案化来形成包括金属的第二电极222和第三电极223，而不使用单独的掩模，从而可以显著简化设置第二电极222和第三电极223的工艺。在这样的实施例中，可以有效地防止第二电极222和第三电极223被设置到包括透射区域的第二区域32中，因此，可以显著提高整个面板的透射率。
图11至图14中示出的制造方法示出了制造图8中所示的有机发光显示设备的示例性实施例的方法的示例性实施例。然而，该制造方法也可以用于制造图9和图10中示出的有机发光显示设备的示例性实施例。
如图6中所示，如这里所描述的，有机发光显示设备的示例性实施例具有这样的结构，其中，基底1的长边沿第一方向D1延伸，并且基底1的短边沿第二方向D2延伸。然而，本发明的实施例不限于此。如图15中所示，有机发光显示设备的示例性实施例可以具有这样的结构，其中，基底1的短边沿第一方向D1延伸，并且基底1的长边沿第二方向D2延伸。
应当理解的是，这里描述的示例性实施例仅应当以说明性的意义来解释，而不是出于限制的目的。在每个实施例中的对特征或方面的描述应当通常被认为是可以用于在其他实施例中的其他相似特征或方面。
虽然已经参照本发明的示例性实施例具体地示出并描述了本发明，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离由权利要求所限定的本发明的精神和范围的情况下，可以对此进行形式和细节上的各种改变。

Claims (30)

1.一种有机发光显示设备，所述有机发光显示设备包括：
基底；
多个像素，限定在基底上，其中，每个像素包括具有发射光的发光区域的第一区域和具有透射外部光的透射区域的第二区域；
第三区域，限定在基底上且设置在像素之间；
多个第一电极，分别设置在基底上的像素中，其中，每个第一电极设置在对应的像素的第一区域中；
有机发射层，设置为覆盖第一电极；
第一辅助层，在第二区域和第三区域中设置在有机发射层上并且暴露第一区域；
第二电极，在第一区域中设置在有机发射层上，第一区域中的第二电极与第一辅助层位于同一层中；
第二辅助层，设置在第一区域和第二区域中并且暴露第三区域；以及
第三电极，在第三区域中设置在第一辅助层之上并且与第二电极接触。
2.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，第二电极暴露第二区域。
3.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，第二电极还设置在第二区域中，并且第二电极在第二区域中的部分的厚度小于第二电极在第一区域中的部分的厚度。
4.如权利要求3所述的有机发光显示设备，其中，第二电极在第二区域中设置在第一辅助层上。
5.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，第三电极暴露第一区域和第二区域。
6.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，第三电极设置在第一区域和第二区域中，并且第三电极在第一区域或第二区域中的部分的厚度小于第三电极在第三区域中的部分的厚度。
7.如权利要求6所述的有机发光显示设备，其中，第三电极在第一区域和第二区域中设置在第二辅助层上。
8.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，第三电极的厚度大于第二电极的厚度。
9.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，第二电极与有机发射层的粘合性大于第二电极与第一辅助层的粘合性。
10.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，第三电极与第二电极的粘合性大于第三电极与第二辅助层的粘合性。
11.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，第一辅助层和第二辅助层中的至少一个包括：N,N'-二苯基-N,N'-二(9-苯基-9H-咔唑-3-基)联苯-4,4'-二胺、N-(联苯-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺、2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯并-[D]咪唑、4,4',4”-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺、N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基[1,1'-联苯基]-4,4'-二胺或4,4'-二[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]联苯。
12.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，第二电极和第三电极包含镁。
13.如权利要求1所述的有机发光显示设备，所述有机发光显示设备还包括：
多条第一线，基本沿第一方向延伸，并且分别电连接到第一电极；以及
多条第二线，基本沿垂直于第一方向的第二方向延伸，并且分别电连接到第一电极，
其中，第一辅助层基本沿平行于第一线的直线设置。
14.如权利要求13所述的有机发光显示设备，其中，第二电极基本沿平行于第一线的直线设置。
15.如权利要求13所述的有机发光显示设备，其中，第二辅助层基本沿平行于第二线的直线设置。
16.如权利要求13所述的有机发光显示设备，其中，第三电极基本沿平行于第二线的直线设置。
17.一种制造有机发光显示设备的方法，所述方法包括下述步骤：
在基底上限定多个像素，其中，每个像素包括具有发射光的发光区域的第一区域以及具有透射外部光的透射区域的第二区域；
在像素中分别设置多个第一电极，其中，每个第一电极设置在对应的像素的第一区域中；
设置有机发射层，以覆盖第一电极；
在第二区域和第三区域中在有机发射层上设置第一辅助层，以暴露第一区域；
通过在有机发射层上沉积用于形成第二电极的金属来在第一区域中设置第二电极，第一区域中的第二电极与第一辅助层位于同一层中；
设置第二辅助层来覆盖第一区域和第二区域中的第二电极并暴露限定在像素之间的第三区域；以及
通过在第二电极上沉积用于形成第三电极的金属来在第三区域中在第一辅助层之上设置第三电极，以与第二电极接触。
18.如权利要求17所述的方法，其中，设置第二电极的步骤包括在第一区域至第三区域中同时沉积用于形成第二电极的金属，其中，第二电极暴露第二区域。
19.如权利要求17所述的方法，其中，设置第二电极的步骤包括在第一区域至第三区域中同时沉积用于形成第二电极的金属，其中，第二电极还设置在第二区域中，并且第二电极在第二区域中的部分的厚度小于第二电极在第一区域中的部分的厚度。
20.如权利要求19所述的方法，其中，设置第二电极的步骤包括在第二区域中在第一辅助层上设置第二电极。
21.如权利要求17所述的方法，其中，设置第三电极的步骤包括在第一区域至第三区域中同时沉积用于形成第三电极的金属，其中，第三电极暴露第一区域和第二区域。
22.如权利要求17所述的方法，其中，设置第三电极的步骤包括在第一区域至第三区域中同时沉积用于形成第三电极的金属，其中，第三电极设置在第一区域和第二区域中，并且第三电极在第一区域或第二区域中的部分的厚度小于第三电极在第三区域中的部分的厚度。
23.如权利要求22所述的方法，其中，设置第三电极的步骤包括在第一区域和第二区域中在第二辅助层上设置第三电极。
24.如权利要求17所述的方法，其中，第三电极比第二电极厚。
25.如权利要求17所述的方法，其中，第二电极与有机发射层的粘合性大于第二电极与第一辅助层的粘合性。
26.如权利要求17所述的方法，其中，第三电极与第二电极的粘合性大于第三电极与第二辅助层的粘合性。
27.如权利要求17所述的方法，其中，第一辅助层和第二辅助层中的至少一个包括：N,N'-二苯基-N,N'-二(9-苯基-9H-咔唑-3-基)联苯-4,4'-二胺、N-(联苯-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺、2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯并-[D]咪唑、4,4',4”-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺、N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基[1,1'-联苯基]-4,4'-二胺或4,4'-二[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]联苯。
28.如权利要求17所述的方法，其中，用于形成第二电极的金属和用于形成第三电极的金属包括镁。
29.如权利要求17所述的方法，所述方法还包括下述步骤：
设置多条第一线，所述多条第一线基本沿第一方向延伸，并且分别电连接到第一电极；以及
设置多条第二线，所述多条第二线基本沿垂直于第一方向的第二方向延伸，并且分别电连接到第一电极，
其中，设置第一辅助层的步骤包括将第一辅助层图案化为基本沿平行于第一线的直线设置。
30.如权利要求29所述的方法，其中，设置第二辅助层的步骤包括将第二辅助层图案化为基本沿平行于第二线的直线设置。
CN201410111312.XA 2013-07-23 2014-03-24 有机发光显示设备及其制造方法 Active CN104347669B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910833847.0A CN110581158B (zh) 2013-07-23 2014-03-24 有机发光显示设备及其制造方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2013-0086961 2013-07-23
KR1020130086961A KR102117607B1 (ko) 2013-07-23 2013-07-23 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910833847.0A Division CN110581158B (zh) 2013-07-23 2014-03-24 有机发光显示设备及其制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104347669A CN104347669A (zh) 2015-02-11
CN104347669B true CN104347669B (zh) 2019-09-27

Family

ID=52389726

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410111312.XA Active CN104347669B (zh) 2013-07-23 2014-03-24 有机发光显示设备及其制造方法
CN201910833847.0A Active CN110581158B (zh) 2013-07-23 2014-03-24 有机发光显示设备及其制造方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910833847.0A Active CN110581158B (zh) 2013-07-23 2014-03-24 有机发光显示设备及其制造方法

Country Status (4)

Country Link
US (2) US9088004B2 (zh)
KR (1) KR102117607B1 (zh)
CN (2) CN104347669B (zh)
TW (1) TWI624036B (zh)

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2917382A4 (en) 2012-11-06 2016-07-06 Oti Lumionics Inc METHOD OF DEPOSITING A CONDUCTIVE COATING ON A SURFACE
KR102381427B1 (ko) * 2013-07-23 2022-04-01 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시장치
KR102117607B1 (ko) * 2013-07-23 2020-06-02 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법
KR102421582B1 (ko) * 2015-02-24 2022-07-18 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102282217B1 (ko) * 2015-03-25 2021-07-27 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
JP6577224B2 (ja) 2015-04-23 2019-09-18 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN105047687B (zh) * 2015-07-03 2018-03-27 京东方科技集团股份有限公司 一种透明显示面板及显示装置
JP7016535B2 (ja) 2015-10-26 2022-02-07 オーティーアイ ルミオニクス インコーポレーテッド パターン化されたコーティングを含む表面およびデバイス上のコーティングをパターン化する方法
KR102471111B1 (ko) * 2015-11-23 2022-11-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
CN114975823A (zh) 2015-12-16 2022-08-30 Oti领英有限公司 包含屏障涂层的光电子器件
KR102581258B1 (ko) * 2016-06-10 2023-09-22 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 유기발광표시장치의 제조방법
KR102651858B1 (ko) 2016-07-04 2024-03-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 패널
WO2018033860A1 (en) 2016-08-15 2018-02-22 Oti Lumionics Inc. Light transmissive electrode for light emitting devices
KR102501705B1 (ko) 2017-03-24 2023-02-21 삼성디스플레이 주식회사 투명 표시 패널 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102563713B1 (ko) * 2017-04-26 2023-08-07 오티아이 루미오닉스 인크. 표면의 코팅을 패턴화하는 방법 및 패턴화된 코팅을 포함하는 장치
KR20200006569A (ko) 2017-05-17 2020-01-20 오티아이 루미오닉스 인크. 패턴화 코팅 위에 전도성 코팅을 선택적으로 증착시키는 방법 및 전도성 코팅을 포함하는 디바이스
CN107342372A (zh) * 2017-08-30 2017-11-10 京东方科技集团股份有限公司 顶发射有机电致发光二极管显示器件及其制造方法
KR102450339B1 (ko) 2017-11-28 2022-10-04 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 장치
CN110071138A (zh) * 2018-01-24 2019-07-30 株式会社日本有机雷特显示器 发光装置和显示装置
JP6872244B2 (ja) * 2018-01-24 2021-05-19 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示装置
US11751415B2 (en) 2018-02-02 2023-09-05 Oti Lumionics Inc. Materials for forming a nucleation-inhibiting coating and devices incorporating same
KR20200093737A (ko) * 2019-01-28 2020-08-06 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
WO2020178804A1 (en) 2019-03-07 2020-09-10 Oti Lumionics Inc. Materials for forming a nucleation-inhibiting coating and devices incorporating same
JP2020181190A (ja) * 2019-04-24 2020-11-05 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 表示装置及びその製造方法
CN117500334A (zh) 2019-06-26 2024-02-02 Oti照明公司 包括具有光衍射特征的光透射区域的光电设备
US11832473B2 (en) 2019-06-26 2023-11-28 Oti Lumionics Inc. Optoelectronic device including light transmissive regions, with light diffraction characteristics
KR20220045202A (ko) 2019-08-09 2022-04-12 오티아이 루미오닉스 인크. 보조 전극 및 파티션을 포함하는 광전자 디바이스
KR20210070667A (ko) 2019-12-05 2021-06-15 엘지디스플레이 주식회사 표시장치 및 그 제조방법
KR102651057B1 (ko) * 2020-05-26 2024-03-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시장치
JP2023553379A (ja) 2020-12-07 2023-12-21 オーティーアイ ルミオニクス インコーポレーテッド 核形成抑制被膜及び下地金属被膜を用いた導電性堆積層のパターニング
KR20220086057A (ko) * 2020-12-16 2022-06-23 엘지디스플레이 주식회사 투명 표시 장치
CN112952021B (zh) * 2021-02-09 2022-08-05 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN113053978B (zh) 2021-03-12 2022-09-27 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102169886A (zh) * 2010-02-24 2011-08-31 三星移动显示器株式会社 有机发光显示装置
CN102456713A (zh) * 2010-10-28 2012-05-16 三星移动显示器株式会社 有机发光显示装置及其制造方法
CN102856505A (zh) * 2011-06-02 2013-01-02 三星显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
CN103178079A (zh) * 2011-12-23 2013-06-26 三星显示有限公司 有机发光显示设备及其制造方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG143063A1 (en) 2002-01-24 2008-06-27 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
KR100712111B1 (ko) * 2004-12-14 2007-04-27 삼성에스디아이 주식회사 보조 전극 라인을 구비하는 유기전계발광소자 및 그의제조 방법
KR100754127B1 (ko) * 2006-02-14 2007-08-30 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광표시장치 및 그 제조방법
JP2008135259A (ja) * 2006-11-28 2008-06-12 Toppan Printing Co Ltd 有機ｅｌディスプレイパネルおよびその製造方法
KR101453878B1 (ko) * 2008-08-07 2014-10-23 삼성디스플레이 주식회사 평판 표시장치의 제조방법
JP5157825B2 (ja) * 2008-10-29 2013-03-06 ソニー株式会社 有機ｅｌディスプレイの製造方法
KR101097346B1 (ko) * 2010-03-10 2011-12-23 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101397110B1 (ko) * 2010-10-28 2014-05-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
KR20130007006A (ko) * 2011-06-28 2013-01-18 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR101821739B1 (ko) * 2011-08-25 2018-01-25 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102025836B1 (ko) * 2011-11-07 2019-09-27 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판, 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101837625B1 (ko) * 2011-11-10 2018-03-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101407309B1 (ko) * 2011-11-15 2014-06-16 엘지디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 표시 패널 및 그의 제조 방법
KR101883848B1 (ko) * 2011-12-28 2018-08-02 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
CN102956676B (zh) * 2012-11-02 2015-11-25 京东方科技集团股份有限公司 Tft阵列基板、制备方法及量子点发光二极管显示器件
KR102117607B1 (ko) 2013-07-23 2020-06-02 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102169886A (zh) * 2010-02-24 2011-08-31 三星移动显示器株式会社 有机发光显示装置
CN102456713A (zh) * 2010-10-28 2012-05-16 三星移动显示器株式会社 有机发光显示装置及其制造方法
CN102856505A (zh) * 2011-06-02 2013-01-02 三星显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
CN103178079A (zh) * 2011-12-23 2013-06-26 三星显示有限公司 有机发光显示设备及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20150280166A1 (en) 2015-10-01
CN104347669A (zh) 2015-02-11
US9406899B2 (en) 2016-08-02
KR20150011694A (ko) 2015-02-02
CN110581158A (zh) 2019-12-17
US9088004B2 (en) 2015-07-21
KR102117607B1 (ko) 2020-06-02
CN110581158B (zh) 2023-05-23
US20150028298A1 (en) 2015-01-29
TWI624036B (zh) 2018-05-11
TW201505159A (zh) 2015-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104347669B (zh) 有机发光显示设备及其制造方法
CN203367283U (zh) 有机发光显示装置
CN104377227B (zh) 有机发光显示设备及其制造方法
US10050095B2 (en) Transparent organic light-emitting diode display with capacitor overlapping light transmitting region
JP6084781B2 (ja) 有機発光表示装置及びその製造方法
KR101829890B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
TWI593089B (zh) 有機發光顯示設備
TWI549284B (zh) 有機發光顯示裝置及其製造方法
KR20160093749A (ko) 표시 기판, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 장치
JP2007108469A (ja) 有機ｅｌ装置の製造方法、有機ｅｌ装置及び電子機器
JP6872244B2 (ja) 表示装置
KR20130068920A (ko) 유기발광다이오드표시장치
KR102651057B1 (ko) 유기 발광 표시장치
KR102381427B1 (ko) 유기 발광 표시장치
KR20190057550A (ko) 플렉시블 전계발광 표시장치

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant