CN104332513B - 一种NiO纳米线紫外光探测器及其制备方法与应用 - Google Patents
一种NiO纳米线紫外光探测器及其制备方法与应用 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104332513B CN104332513B CN201410567389.8A CN201410567389A CN104332513B CN 104332513 B CN104332513 B CN 104332513B CN 201410567389 A CN201410567389 A CN 201410567389A CN 104332513 B CN104332513 B CN 104332513B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- nanowires
- interdigital electrode
- layer
- lead
- nio
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 title claims abstract description 247
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 32
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 29
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 23
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 13
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 66
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 40
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 39
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 32
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 31
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 21
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 21
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 19
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 15
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 claims description 15
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 14
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 12
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 11
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 11
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 11
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 11
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 5
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate Chemical compound [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 5
- 229910000363 nickel(II) sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 4
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 102
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 34
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 19
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000003491 array Methods 0.000 description 4
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 4
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 4
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 241000080590 Niso Species 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004071 biological effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000007123 defense Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000001652 electrophoretic deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 230000005622 photoelectricity Effects 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000011896 sensitive detection Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N titanium dioxide Inorganic materials O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
本发明提供了一种NiO纳米线紫外光探测器及其制备方法与应用。该探测器包括基底层、SiO2薄膜层、光敏层、叉指电极、第一引线和第二引线；SiO2薄膜层平行附着在所述基底层上；光敏层和叉指电极分别平行设置在SiO2薄膜层上，光敏层和叉指电极相接触连接，光敏层设置在叉指电极上层或者下层；第一引线和第二引线分别与叉指电极的两个电极相连接；光敏层为平行于基底层的有序排列的NiO纳米线阵列。本发明的紫外光探测器采用平行于基底的、大面积有序排列的NiO纳米线，具有灵敏度高，测量范围广，可实现连续波段或各波段的紫外光探测，制备简单，成本低廉，易于工业化生产，在实际应用上具有广阔前景。
Description
技术领域
本发明涉及一种NiO纳米线紫外光探测器及其制备方法与应用，属于半导体光电技术领域。
背景技术
紫外光探测在环境监测、生物效应、污染监测、保密通信、空间探测等方面具有非常重要的应用。与红外光探测器相比，新型紫外光探测器具有高温下稳定性强、响应快等优势，因此受到人们的广泛关注与研究。传统的半导体光传感器，由于对紫外光的灵敏度相对较弱，在做紫外光探测器时需要滤波，非常影响使用；人们利用GaN、BN和金刚石等半导体制备的紫外光探测器，工艺复杂，成本很高，很难实际投入生产；目前人们一直在探索成本低廉、相应迅速的新型紫外光探测器。
近年来，一维纳米材料在探测器方面的潜在用途引起了人们的极大关注。如今，已经有利用纳米线制作紫外光探测器的报道，例如：Venkata Chivukula等(VenkataChivukula,Daumantas Ciplys,Michael Shur,and Partha Dutta,ZnO nanoparticlesurface acoustic wave UV sensor,Applied Physics Letters,2010.96,233512)和C.J.Lin等(C.J.Lin,W.Y.Yu and S.H.Chien,Rough conical-shaped TiO2-nanotubearrays for flexible back illuminated dye-sensitized solar cells,AppliedPhysics Letters,2008.93:133107)使用了纳米线制作紫外光探测器，他们使用的纳米线均为宽带隙半导体材料，如ZnO和TiO2等。
虽然ZnO纳米线制作的紫外光探测器具有响应度高、抗辐射等优点，但它难承受酸碱腐蚀，不适用于恶劣的环境；而TiO2纳米线制作的紫外光探测器有非常强的紫外光吸收特性、耐高温、性质稳定，但其检测波段较窄。
NiO纳米线制作的紫外光探测器，则同时具有响应度高、测量范围广和性质稳定的特点。目前报道的该类紫外光探测器，生长方向垂直于基底平面，并依靠部分未溶解的模板作为支撑形成阵列。虽然有序性有所提高，但与电极部分接触少，这必然会影响探测器的灵敏度和稳定性。
发明内容
鉴于上述现有技术存在的缺陷，本发明的目的是提出一种NiO纳米线紫外光探测器及其制备方法与应用，能够提高现有NiO类紫外光探测器的灵敏度和稳定性。
本发明的目的通过以下技术方案得以实现：
一种NiO纳米线紫外光探测器，其特征在于：该探测器包括基底层、SiO2薄膜层、光敏层、叉指电极、第一引线和第二引线；
所述SiO2薄膜层平行附着在所述基底层上；
所述光敏层和所述叉指电极分别平行设置在所述SiO2薄膜层上，所述光敏层和所述叉指电极相接触连接，所述光敏层设置在所述叉指电极上层或者下层；
所述第一引线和所述第二引线分别与所述叉指电极的两个电极相连接；
所述光敏层为平行于基底层的有序排列的NiO纳米线阵列。
本发明主要在于选择平行于基底、有序排列的NiO纳米线阵列作为光敏层制作紫外光探测器，这种排列方式较垂直与基底的方式有效增加了与电极的接触面积，提高了探测器的灵敏度和稳定性。本发明探测器与其它结构(例如测量元件、数据处理元件等，可以参照现有技术类似产品的结构)连接，即可最终制得应用状态的NiO纳米线紫外光探测器。
本发明的NiO纳米线是由Ni纳米线经过施加磁场进行定向排列，然后经高温氧化获得的。
上述的NiO纳米线紫外光探测器中，所述基底层为110晶向的单抛硅片；SiO2薄膜层由硅片高温氧化形成，作为绝缘层。
上述的NiO纳米线紫外光探测器中，优选的，所述NiO纳米线阵列的纳米线为平行排列的纳米线，其排列方向与叉指方向垂直，其长度为5μm-50μm，直径为50-500nm，分布密度为1000-5000根/mm。
上述的NiO纳米线紫外光探测器中，优选的，当所述光敏层设置在所述叉指电极下层时，NiO纳米线阵列的纳米线的直径为200nm，分布密度为3000根/mm；当所述光敏层设置在所述叉指电极上层时，NiO纳米线阵列的纳米线直径为200nm，分布密度为5000根/mm。
上述的纳米线可通过改变电沉积时间来控制纳米线长度。纳米线分布密度是指单位长度内平行分布的纳米线的数量。
上述的NiO纳米线紫外光探测器中，优选的，所述叉指电极的指宽为5-100μm、指间距为5-100μm、指长为1-5mm；更优选的，所述叉指电极的指宽为10μm、指间距为10μm、指长为1mm。
上述的NiO纳米线紫外光探测器中，优选的，所述叉指电极的两极为膜厚500nm-2μm的金属膜电极；进一步优选的，所述叉指电极的两极为Ag电极，其膜厚为500nm。
上述的NiO纳米线紫外光探测器中，电极还可以为线状电极、圆形电极、片状电极等，所述的电极制备可以采用真空镀膜、化学沉积、溅射镀膜等方法；根据本发明的具体实施方案优选叉指电极，其材料可以为Ti、Au、Ag、Cu等金属。叉指电极具体形状、大小可以根据需要选择。进一步地，所述叉指电极的指宽和指间距为10μm，指长为1mm，连接电极部分(固定引线的电极与引线的连接部分)的面积为2×2mm2。
本发明还提供一种上述的NiO纳米线紫外光探测器的制备方法，包括如下步骤：
纳米线的生长：用模板制备Ni纳米线，溶解模板，释放纳米线；
纳米线的排列：将单晶硅片(例如在管式炉中)高温氧化，在其表面形成SiO2薄膜层，在磁场中，将Ni纳米线排列于SiO2薄膜层表面；
纳米线的氧化处理：将排列好的Ni纳米线在高温中氧化得到NiO纳米线；
制备叉指电极：在排有NiO纳米线的SiO2薄膜层表面进行光刻胶，用掩膜技术将准备生长叉指电极的部分曝光清洗，用磁控溅射的方法镀上金属电极，洗掉剩余光刻胶；
连接引线：从叉指电极的两极分别引出第一引线和第二引线，即得到NiO纳米线紫外光探测器。
本发明还提供一种上述的NiO纳米线紫外光探测器的制备方法，包括如下步骤：
制备叉指电极：将单晶硅片高温氧化，在其表面形成SiO2薄膜层，在SiO2薄膜层表面进行光刻胶，将准备生长叉指电极的部分曝光清洗，用磁控溅射的方法镀上金属电极，剥离剩余光刻胶；
纳米线的生长：用模板制备Ni纳米线，溶解模板，释放纳米线；
纳米线的排列：在磁场中，将Ni纳米线排列于金属电极的上层；
纳米线的氧化处理：将排列好的Ni纳米线在高温中氧化得到NiO纳米线；
连接引线：从叉指电极的两极分别引出第一引线和第二引线，即得到NiO纳米线紫外光探测器。
上述的制备方法中，进行光刻胶可以采用旋涂光刻胶的方式进行，旋涂光刻胶一般只用单层胶工艺，但在溅射好电极后，清洗剩余光刻胶时清洗液不容易接触到溅射材料下层的剩余光刻胶，容易残留光刻胶，剥离不好叉指电极。我们使用了两层不同的胶，利用两种不同胶的感光速率不同，光刻后形成下层宽，上层窄的叉指形状，在溅射好电极，清洗叉指电极部分剩余光刻胶时，有利于清洗液的浸入，从而清洗光刻胶，达到剥离叉指电极的效果。优选的，所述进行光刻胶包括旋涂两层不同胶的步骤，其中，底层胶甩胶为1000-3000转/分钟，上层胶胶甩胶为3000-8000转/分钟；优选的，底层胶甩胶为2000转/分钟，上层胶甩胶为6000转/分钟。
上述的制备方法中，曝光可以采用紫外曝光，曝光的时间为1-10s；优选的，曝光的时间为3s。
上述的制备方法中，进行磁控溅射时，溅射速度不能太快，保持5-100nm/min的速度，根据所需厚度选择溅射时间长短。优选磁控溅射的参数为腔体内压强6.0×10-1Pa，溅射时间为10min。
本发明的制备方法中：
释放纳米线的方法是将模板放入王水中5-10min，使模板溶解，释放出Ni纳米线，再用去离子水、无水乙醇交替清洗Ni纳米线；
第一引线和第二引线通过银胶结分别固定在叉指电极的两极上；第一引线和第二引线优选直径0.05mm的铜导线。
单晶硅片高温氧化的条件为：管式炉高温氧化，保持氧气气氛，保持1000℃氧化3h，得到作为绝缘层的SiO2薄膜。
本发明的制备方法中，制备Ni纳米线是采用电化学沉积法、溶胶-凝胶法或者电泳沉积法在背面镀有金属膜的阳极氧化铝模板中生长得到的，Ni纳米线的直径通过氧化铝模板的孔径的改变而改变；优选的，所述用模板制备Ni纳米线是利用氧化铝模板通过电化学沉积法制备Ni纳米线，其所用氧化铝模板的孔径为50-500nm，膜厚为50μm；更优选的，利用氧化铝模板通过电化学沉积法制备Ni纳米线所用氧化铝模板的孔径为200nm；所述电化学沉积法进行的条件为：用NiSO4·6H2O的稀硫酸溶液，保持3mA/cm2的恒流进行反应，反应时间为30min-3h。
上述的电化学沉积法可以参考现有技术，其具体参数并不影响本发明首要目的的实现，而为进一步提高本发明所用纳米线的质量，根据具体实施方案，所述电化学沉积法的条件为：向浓度为80g/L的NiSO4·6H2O溶液和浓度为45g/L的H3BO4溶液组成的混合溶液中，加入稀硫酸溶液，PH值调节至3；以6mA/cm2的恒流电流进行反应2min，接着以3mA/cm2的恒流电流反应30min-3h。
上述的制备方法中，优选的，纳米线的排列包括将释放的Ni纳米线放于乙醇溶液中，然后将表面氧化形成SiO2薄膜层的硅片置于该溶液中，加1-50mT的磁场排列Ni纳米线，待乙醇溶液挥发完后取出硅片的步骤；或者，
纳米线的排列包括将释放的Ni纳米线放于乙醇溶液中，然后将在表面的SiO2薄膜层上镀有金属电极的单晶硅片置于该溶液中，加1-50mT的磁场排列Ni纳米线，待乙醇溶液挥发完后取出硅片的步骤。
根据具体实施方案，纳米线的排列包括将释放的Ni纳米线放于乙醇溶液中，然后将表面氧化形成SiO2薄膜层的硅片置于该溶液中，加5mT的磁场排列Ni纳米线，待乙醇溶液挥发完后取出硅片的步骤；或者，
纳米线的排列包括将释放的Ni纳米线放于乙醇溶液中，然后将在表面的SiO2薄膜层上镀有金属电极的单晶硅片置于该溶液中，加5mT的磁场排列Ni纳米线，待乙醇溶液挥发完后取出硅片的步骤。
上述的纳米线的排列中，纳米线密度可根据需要调节，将不同量的纳米线溶于一定量的乙醇溶液中，即可得到不同密度排列的纳米线。
上述的制备方法中，优选的，所述纳米线的氧化处理为将排列好的Ni纳米线在管式炉中，400℃-800℃，氧化2h-8h，得到NiO纳米线。
上述纳米线的氧化处理的优选氧化条件为400℃，保持2h进行氧化处理。
本发明还提供一种上述的NiO纳米线紫外光探测器在探测紫外光强度中的应用。
本发明的突出效果为：
通过NiO纳米线的大面积有序排列，能够增大电极的接触部分，从而能够提高紫外光探测器的灵敏度和稳定性。
本发明的紫外光探测器采用平行于基底的、大面积有序排列的NiO纳米线，具有灵敏度高，测量范围广，可实现连续波段或各波段的紫外光探测，制备简单，成本低廉，易于工业化生产，在日常生活、工业、国防等方面具有广阔前景。
附图说明
图1a是实施例1利用平行基底的NiO纳米线有序阵列制作的NiO纳米线紫外光探测器的结构示意图；
图1b是实施例1利用平行基底的NiO纳米线有序阵列制作的NiO纳米线紫外光探测器的局部放大图；
图1c是实施例1应用于测量I-V曲线图状态下的NiO纳米线紫外光探测器的结构示意图；
图1d是实施例1应用于测量光开关特性状态下的NiO纳米线紫外光探测器的结构示意图；
图1e是实施例1的NiO纳米线紫外光探测器在模拟太阳光照下检测得到的I-V曲线图；
图2是实施例2利用平行基底排列的NiO纳米线制作的多个紫外光探测器阵列的NiO纳米线紫外光探测器结构示意图；
图3a是实施例3利用平行基底排列于叉指电极上层的NiO纳米线阵列制作的NiO纳米线紫外光探测器的结构示意图；
图3b是实施例3应用于测量I-V曲线图状态下的NiO纳米线紫外光探测器的结构示意图；
图3c是实施例3应用于测量光开关特性状态下的NiO纳米线紫外光探测器的结构示意图；
图3d是实施例3的NiO纳米线紫外光探测器在365nm光源照下检测得到的I-V曲线图；
图3e是实施例3的NiO纳米线紫外光探测器在模拟太阳光源照下检测得到的I-V曲线图；
图3f是实施例3的NiO纳米线紫外光探测器在模拟太阳光源照下检测得到的光生电压信号图；
图4是实施例4利用平行基底的NiO纳米线有序阵列制作的不同排列密度的NiO纳米线紫外光探测器的结构示意图。
附图标号说明：
1基底层 2SiO2薄膜层 3光敏层 4叉指电极 5第一引线 6第二引线 7直流电源 8示波器测量装置
具体实施方式
下面通过具体实施例对本发明的方法进行说明，以使本发明技术方案更易于理解、掌握，但本发明并不局限于此。下述实施例中所述实验方法，如无特殊说明，均为常规方法；所述试剂和材料，如无特殊说明，均可从商业途径获得。
实施例1
本实施例提供一种NiO纳米线紫外光探测器。如图1a和图1b所示，该紫外光探测器包括：用硅片制作的基底层1，氧化硅薄膜层2作为绝缘层，平行基底层和氧化硅薄膜层的有序排列的NiO纳米线阵列，作为光敏层3，叉指电极4，从交叉电极引出的第一引线5和第二引线6；
SiO2薄膜层2平行附着在基底层1上；
光敏层3和叉指电极4分别平行设置在SiO2薄膜层2上，光敏层3和叉指电极4相接触连接，光敏层3设置在叉指电极4的下层；其中，叉指电极的两极为Ag电极，其膜厚为500nm，指宽为10μm、指间距为10μm、指长为1mm；
第一引线5和第二引线6分别与叉指电极4的两个电极相连接；
光敏层3为平行于基底层的有序排列的NiO纳米线阵列，其纳米线为平行排列的纳米线，其排列方向与叉指方向垂直，其长度为20μm，直径为200nm，分布密度为3000根/mm。
本实施例的NiO纳米线紫外光探测器是通过下列方法制备得到的：
纳米线的生长：选用电化学沉积法，利用氧化铝模板直接生长Ni纳米线，用王水溶解掉模板以释放Ni纳米线。电化学沉积法的条件为：1.反应液为80g/L NiSO4·6H2O和45g/LH3BO4，加入稀硫酸溶液，PH值调节至3；2.反应参数为保持6mA/cm2的恒流进行反应2min，保持3mA/cm2恒流反应3h，得到20μm长的纳米线；上述释放Ni纳米线的方法是将模板放入王水中5-10min，溶解氧化铝模板，释放出Ni纳米线，并用去离子水、乙醇清洗Ni纳米线；
纳米线的排列：将1×1cm2的硅片放入管式炉中高温氧化，保持1000℃氧化3h，得到表层为SiO2绝缘层的硅片；将该氧化处理过的硅片放入溶解有Ni纳米线的乙醇溶液中，加上5mT的均匀磁场，待乙醇溶液完全挥发，取出硅片；
纳米线的氧化处理：将上述硅片放入管式炉中，保持400℃，氧化2h，得到NiO纳米线；
制备叉指电极：在制备好的NiO纳米线样品上生长叉指电极，即将排有NiO纳米线的硅片表面进行光刻胶，选用双层胶工艺，底层胶甩胶为2000转/分钟，上层胶甩胶为6000转/分钟，用掩膜技术将生长叉指电极的部分曝光清洗，用磁控溅射的方法镀上Ag电极，厚度为500nm，用丙酮溶液清洗剩余光刻胶，获得叉指电极；
连接引线：在叉指电极的两极分别引出第一引线和第二引线，该引出的导线是直径为0.05mm的铜导线并用银胶结将其固定在电极上，即得到NiO纳米线紫外光探测器。
本实施例提供的NiO纳米线紫外光探测器是这样应用的：
将本实施例的NiO纳米线紫外光探测器与现有技术类似产品的其他结构如直流电源、示波器测量装置等连接，形成应用状态下的NiO纳米线紫外光探测器。
将NiO纳米线紫外光探测器的第一引线和第二引线连接直流电源7正负极，如图1c所示，形成测试电路，用于测量I-V曲线图。
将NiO纳米线紫外光探测器的第一引线和第二引线并联连接直流电源7和示波器测量装置8(内部电阻为1MΩ)，如图1d所示，测量光开关特性。
用模拟太阳光照射该探测器，电极间输出光生电压信号，并被示波器测量装置检测并记录，由此完成紫外光的灵敏度检测，得到I-V曲线图，如图1e所示，从图中两条曲线对比可得，明场电流与暗场电流变化明显，明场电流可达暗场电流的近10倍。
实施例2
本实施例提供一种NiO纳米线紫外光探测器。如图2所示，该紫外光探测器是一种平行基底排列的、分块阵列NiO纳米线组成的多个紫外光探测器阵列，可以在同一基片上同时制备多个紫外光探测器。
如图2所示，该NiO纳米线紫外光探测器包括：用硅片制作的基底层1，氧化硅薄膜层2作为绝缘层，平行基底层和氧化硅薄膜层的的多个分块阵列NiO纳米线排列，作为光敏层3，作为电极同时固定纳米线的叉指电极阵列4，从交叉电极引出的第一引线5和第二引线6；
SiO2薄膜层2平行附着在基底层1上；
光敏层3和叉指电极4分别平行设置在SiO2薄膜层2上，光敏层3和叉指电极4相接触连接，光敏层3设置在叉指电极4的下层；其中，叉指电极的两极为Ag电极，其膜厚为500nm，指宽为10μm、指间距为10μm、指长为1mm；
第一引线5和第二引线6分别与叉指电极4的两个电极相连接；
光敏层3为平行于基底层的有序排列的NiO纳米线阵列，其纳米线为平行排列的纳米线，其排列方向与叉指方向垂直，其长度为20μm，直径为200nm，分布密度为3000根/mm。
本实施例提供的NiO纳米线紫外光探测器阵列是通过下列方法制备的到的：
纳米线的生长：选用电化学沉积法，利用氧化铝模板直接生长Ni纳米线，用王水溶解掉模板以释放Ni纳米线。电化学沉积法的条件为：1.反应液为80g/L NiSO4·6H2O和45g/LH3BO4，加入稀硫酸溶液，PH值调节至3；2.反应参数为保持6mA/cm2的恒流进行反应2min，保持3mA/cm2恒流反应3h，得到20μm长的纳米线；上述释放Ni纳米线的方法是将模板放入王水中5-10min，溶解氧化铝模板，释放出Ni纳米线，并用去离子水、乙醇清洗Ni纳米线；
纳米线的排列：将1×1cm2的硅片放入管式炉中高温氧化，保持1000℃氧化3h，得到表层为SiO2绝缘层的硅片；将该氧化处理过的硅片放入溶解有Ni纳米线的乙醇溶液中，加上5mT的均匀磁场，待乙醇溶液完全挥发，取出硅片；
纳米线的氧化处理：将上述硅片放入管式炉中，保持400℃，氧化2h，得到NiO纳米线样品；
制备叉指电极：在制备好的大面积定向排列的NiO纳米线样品上，利用光刻胶和掩膜技术，经光刻胶、掩膜曝光、清洗等常规步骤，使基片表面的NiO纳米线排列形成分块排列的多个纳米线阵列。此后，再次进行光刻胶，选用双层胶工艺，底层胶甩胶为2000转/分钟，上层胶甩胶为6000转/分钟，利用掩膜技术曝光出叉指电极形貌，并用磁控溅射方法镀上Ag电极，厚度为500nm，用丙酮溶液清洗剩余光刻胶，得到叉指电极阵列；
连接引线：在叉指电极的两极分别引出第一引线和第二引线，该引出的导线是直径为0.05mm的铜导线并用银胶结将其固定在电极上；叉指电极阵列皆是如此引出导线。然后再并联进直流电源7和示波器测量装置8(内部电阻为1MΩ)，形成外部电路，即得到应用状态下的NiO纳米线紫外光探测器阵列。
本实施例所得的紫外光照射该探测器阵列，每个探测器均可独立使用，由此完成紫外光的灵敏检测。在同一基片上制备多个紫外光探测器，为探测器生产的集成化和工业化提供了可能。
实施例3
本实施例提供一种NiO纳米线紫外光探测器。如图3a所示，该NiO纳米线紫外光探测器包括：用硅片制作的基底层1，氧化硅薄膜层2作为绝缘层，平行基底层和氧化硅薄膜层的有序排列的NiO纳米线阵列，作为光敏层3，叉指电极4，从交叉电极引出的第一引线5和第二引线6；
SiO2薄膜层2平行附着在基底层1上；
光敏层3和叉指电极4分别平行设置在SiO2薄膜层2上，光敏层3和叉指电极4相接触连接，光敏层3设置在叉指电极4的上层；其中，叉指电极的两极为Ag电极，其膜厚为500nm，指宽为10μm、指间距为10μm、指长为1mm；
第一引线5和第二引线6分别与叉指电极4的两个电极相连接；
光敏层3为平行于基底层的有序排列的NiO纳米线阵列，其纳米线为平行排列的纳米线，其排列方向与叉指方向垂直，其长度为20μm，直径为200nm，分布密度为5000根/mm。
本实施例的NiO纳米线紫外光探测器是通过下列方法制备得到的：
纳米线的生长：选用电化学沉积法，利用氧化铝模板直接生长Ni纳米线，用王水溶解掉模板以释放Ni纳米线。电化学沉积法的条件为：1.反应液为80g/L NiSO4·6H2O和45g/LH3BO4，加入稀硫酸溶液，PH值调节至3；2.反应参数为保持6mA/cm2的恒流进行反应2min，保持3mA/cm2恒流反应3h，得到50μm长的纳米线；上述释放Ni纳米线的方法是将模板放入王水中5-10min，溶解氧化铝模板，释放出Ni纳米线，并用去离子水、乙醇清洗Ni纳米线；
制备叉指电极：将1×1cm2的单晶硅片放入管式炉中高温氧化，保持1000℃氧化3h，得到表层为SiO2绝缘层的硅基底；在SiO2薄膜层表面进行光刻胶，选用双层胶工艺，底层胶甩胶为2000转/分钟，上层胶甩胶为6000转/分钟，紫外曝光3s，曝光出叉指电极形貌，用磁控溅射的方法镀上金属电极，剥离剩余光刻胶，得到所需尺寸和形状的叉指电极；其中光刻胶采用旋涂方式，使用双层胶工艺，底层胶甩胶为2000转/分钟，上层胶甩胶为6000转/分钟；紫外曝光的时间为3s；用磁控溅射的方法镀上Ag电极，厚度为500nm，磁控溅射的条件为保持腔体内压强为6.0×10-1Pa，溅射时间为10min；
纳米线的排列：将生长有叉指电极的SiO2/Si基底放入溶解有Ni纳米线的乙醇溶液中，加上5mT的均匀磁场，磁场方向与叉指方向垂直，待乙醇溶液完全挥发，取出硅片；
纳米线的氧化处理：将上述硅片放入管式炉中，保持400℃，氧化2h，得到NiO纳米线；
连接引线：在叉指电极的两极分别引出第一引线和第二引线，该引出的导线是直径为0.05mm的铜导线并用银胶结将其固定在电极上，即得到NiO纳米线紫外光探测器。
本实施例提供的NiO纳米线紫外光探测器是这样应用的：
将本实施例的NiO纳米线紫外光探测器与现有技术类似产品的其他结构如直流电源、示波器测量装置等连接，形成应用状态下的NiO纳米线紫外光探测器。
将NiO纳米线紫外光探测器的第一引线和第二引线连接直流电源7正负极，如图3b所示，形成测试电路，用于测量I-V曲线图。
将NiO纳米线紫外光探测器的第一引线和第二引线并联连接直流电源7和示波器测量装置8(内部电阻为1MΩ)，如图3c所示，测量光开关特性。
用365nm的紫外光照射该探测器，电极间输出光生电压信号，并被示波器测量装置检测并记录，得到I-V曲线图，如图3d所示，从图中两条曲线对比可得，明场电流与暗场电流变化明显，明场电流可达暗场电流的6倍。
用模拟太阳光源照射该探测器，电极间输出光生电压信号，并被示波器测量装置检测并记录，由此完成紫外光的灵敏度检测，其I-V曲线图如图3e所示，从图中两条曲线对比可得，明场电流与暗场电流变化明显，明场电流可达暗场电流的10-20倍。其光生电压信号图如图3f所示，从图中上升、下降沿可以看出，探测器响应速度非常快，可达到3ms左右，远快于一般紫外光探测器的响应速度(秒级甚至百秒级)。
实施例4
本实施例提供一种NiO纳米线紫外光探测器。如图4所示，该紫外光探测器的结构和制备方法与实施例一致，区别在于提高了纳米线的排列的步骤中、溶解有Ni纳米线的乙醇溶液中的Ni纳米线的浓度，即增加了NiO纳米线的分布密度，以满足器件对灵敏度和测量范围的实际需要。
由上可见，本发明的紫外光探测器采用平行于基底的有序排列的NiO纳米线，灵敏度高，测量范围广，可实现连续波段或特定波段的紫外光探测，制备简单，成本低廉，易于工业化生产，在实际应用中具有广阔前景。
Claims (13)
1.一种NiO纳米线紫外光探测器的制备方法，包括如下步骤：
纳米线的生长：用模板制备Ni纳米线，溶解模板，释放纳米线；
纳米线的排列：将单晶硅片高温氧化，在其表面形成SiO2薄膜层，在磁场中，将Ni纳米线排列于SiO2薄膜层表面；
纳米线的氧化处理：将排列好的Ni纳米线在高温中氧化得到NiO纳米线；
制备叉指电极：在排有NiO纳米线的SiO2薄膜层表面涂布光刻胶，用掩膜技术将准备生长叉指电极的部分曝光清洗，用磁控溅射的方法镀上金属电极，洗掉剩余光刻胶；
连接引线：从叉指电极的两极分别引出第一引线和第二引线，即得到NiO纳米线紫外光探测器；
其中，所述NiO纳米线紫外光探测器包括基底层、SiO2薄膜层、光敏层、叉指电极、第一引线和第二引线；
所述SiO2薄膜层平行附着在所述基底层上；
所述光敏层和所述叉指电极分别平行设置在所述SiO2薄膜层上，所述光敏层和所述叉指电极相接触连接，所述光敏层设置在所述叉指电极下层；
所述第一引线和所述第二引线分别与所述叉指电极的两个电极相连接；
所述光敏层为平行于基底层的有序排列的NiO纳米线阵列。
2.一种NiO纳米线紫外光探测器的制备方法，包括如下步骤：
制备叉指电极：将单晶硅片高温氧化，在其表面形成SiO2薄膜层，在SiO2薄膜层表面涂布光刻胶，将准备生长叉指电极的部分曝光清洗，用磁控溅射的方法镀上金属电极，剥离剩余光刻胶；
纳米线的生长：用模板制备Ni纳米线，溶解模板，释放纳米线；
纳米线的排列：在磁场中，将Ni纳米线排列于金属电极的上层；
纳米线的氧化处理：将排列好的Ni纳米线在高温中氧化得到NiO纳米线；
连接引线：从叉指电极的两极分别引出第一引线和第二引线，即得到NiO纳米线紫外光探测器；
其中，所述NiO纳米线紫外光探测器包括基底层、SiO2薄膜层、光敏层、叉指电极、第一引线和第二引线；
所述SiO2薄膜层平行附着在所述基底层上；
所述光敏层和所述叉指电极分别平行设置在所述SiO2薄膜层上，所述光敏层和所述叉指电极相接触连接，所述光敏层设置在所述叉指电极上层；
所述第一引线和所述第二引线分别与所述叉指电极的两个电极相连接；
所述光敏层为平行于基底层的有序排列的NiO纳米线阵列。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于：所述NiO纳米线阵列的纳米线为平行排列的纳米线，其排列方向与叉指方向垂直，其长度为5μm-50μm，直径为50-500nm，分布密度为1000-5000根/mm。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：当所述光敏层设置在所述叉指电极下层时，NiO纳米线阵列的纳米线的直径为200nm，分布密度为3000根/mm；当所述光敏层设置在所述叉指电极上层时，NiO纳米线阵列的纳米线的直径为200nm，分布密度为5000根/mm。
5.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于：所述叉指电极的指宽为5-100μm、指间距为5-100μm、指长为1-5mm。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于：所述叉指电极的两极为膜厚500nm-2μm的金属膜电极。
7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于：所述叉指电极的两极为Ag电极，其膜厚为500nm。
8.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于：所述涂布光刻胶包括旋涂两层不同胶的步骤，其中，底层胶甩胶为1000-3000转/分钟，上层胶胶甩胶为3000-8000转/分钟。
9.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于：所述用模板制备Ni纳米线是利用氧化铝模板通过电化学沉积法制备Ni纳米线，其所用氧化铝模板的孔径为50-500nm，膜厚为50μm。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于：所述电化学沉积法进行的条件为：用NiSO4·6H2O的稀硫酸溶液，保持3mA/cm2的恒流进行反应，反应时间为30min-3h。
11.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于：纳米线的排列包括将释放的Ni纳米线放于乙醇溶液中，然后将表面氧化形成SiO2薄膜层的硅片置于该溶液中，加1-50mT的磁场排列Ni纳米线，待乙醇溶液挥发完后取出硅片的步骤；或者，
纳米线的排列包括将释放的Ni纳米线放于乙醇溶液中，然后将在表面的SiO2薄膜层上镀有金属电极的单晶硅片置于该溶液中，加1-50mT的磁场排列Ni纳米线，待乙醇溶液挥发完后取出硅片的步骤。
12.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于：所述纳米线的氧化处理为将排列好的Ni纳米线在管式炉中，400℃-800℃，氧化2h-8h，得到NiO纳米线。
13.一种权利要求1-12任一项所述的NiO纳米线紫外光探测器的制备方法制备得到NiO纳米线紫外光探测器在探测紫外光强度中的应用。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410567389.8A CN104332513B (zh) | 2014-10-22 | 2014-10-22 | 一种NiO纳米线紫外光探测器及其制备方法与应用 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410567389.8A CN104332513B (zh) | 2014-10-22 | 2014-10-22 | 一种NiO纳米线紫外光探测器及其制备方法与应用 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104332513A CN104332513A (zh) | 2015-02-04 |
| CN104332513B true CN104332513B (zh) | 2016-11-02 |
Family
ID=52407205
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410567389.8A Expired - Fee Related CN104332513B (zh) | 2014-10-22 | 2014-10-22 | 一种NiO纳米线紫外光探测器及其制备方法与应用 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104332513B (zh) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105097981B (zh) * | 2015-07-01 | 2017-06-06 | 纳智源科技（唐山）有限责任公司 | 紫外光敏器件、制备方法及应用其检测紫外光的方法 |
| CN108375613B (zh) * | 2018-04-08 | 2023-08-22 | 浙江大学 | 三维立体叉指电极 |
| CN109768113B (zh) * | 2018-12-27 | 2020-06-19 | 华南理工大学 | 一种AlN纳米片探测器及其制备方法 |
| CN110098277A (zh) * | 2019-05-13 | 2019-08-06 | 长春理工大学 | 一种紫外光电探测器及其制备方法 |
| CN110207737B (zh) * | 2019-05-20 | 2021-09-10 | 天津大学 | 线阵列结构的微带天线传感器系统、传感器、检测及制备方法 |
| CN111354756B (zh) * | 2020-03-13 | 2022-08-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种光线探测基板及其制备方法、光线探测设备 |
| CN112582486B (zh) * | 2020-12-15 | 2023-09-26 | 广西大学 | 一种NiO紫外光电探测器及其制备方法 |
| CN112945377B (zh) * | 2021-02-01 | 2022-08-30 | 河北工业大学 | 一种基于等离子激元的深紫外光电探测器 |
| CN113759152B (zh) * | 2021-08-06 | 2024-03-12 | 三峡大学 | 磁场控制的磁性纳米线的测量方法 |
| CN115000244B (zh) * | 2022-05-31 | 2023-09-26 | 北京工业大学 | 一种高性能自驱动GaN纳米线紫外探测器的制作方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102280515A (zh) * | 2011-06-28 | 2011-12-14 | 合肥工业大学 | n型掺杂ZnS准一维纳米结构薄膜光电导型紫外探测器及制备方法 |
| CN103219418A (zh) * | 2013-03-26 | 2013-07-24 | 华中科技大学 | 一种具有纳米异质复合结构的紫外光探测器及其制备方法 |
| CN103441180A (zh) * | 2013-08-21 | 2013-12-11 | 中国石油大学(北京) | 一种纳米线紫外光探测器及其制备方法与应用 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004179258A (ja) * | 2002-11-25 | 2004-06-24 | Hamamatsu Photonics Kk | 紫外線センサ |
-
2014
- 2014-10-22 CN CN201410567389.8A patent/CN104332513B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102280515A (zh) * | 2011-06-28 | 2011-12-14 | 合肥工业大学 | n型掺杂ZnS准一维纳米结构薄膜光电导型紫外探测器及制备方法 |
| CN103219418A (zh) * | 2013-03-26 | 2013-07-24 | 华中科技大学 | 一种具有纳米异质复合结构的紫外光探测器及其制备方法 |
| CN103441180A (zh) * | 2013-08-21 | 2013-12-11 | 中国石油大学(北京) | 一种纳米线紫外光探测器及其制备方法与应用 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104332513A (zh) | 2015-02-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104332513B (zh) | 一种NiO纳米线紫外光探测器及其制备方法与应用 | |
| CN109709192B (zh) | 一种基于氧化钨/氧化锡核壳纳米片结构的气敏纳米材料、制备工艺及其应用 | |
| Hu et al. | Large-scale and rapid synthesis of ultralong ZnO nanowire films via anodization | |
| CN111952463B (zh) | 一种大面积钙钛矿纳米线阵列的制备方法 | |
| Li et al. | Full-solution processed all-nanowire flexible and transparent ultraviolet photodetectors | |
| CN106409975B (zh) | 一种可定制的高增益ZnO纳米线阵列紫外探测器及其制备方法 | |
| CN109580723B (zh) | 一种柔性湿度传感器的制备方法及产品 | |
| CN106549079A (zh) | 一种紫外光探测器及其制备方法 | |
| KR101341102B1 (ko) | 수직 정렬 나노선을 포함하는 이방성 투명 전기전도성 가요성 박막 구조체 및 그 제조 방법 | |
| CN100422730C (zh) | 纳米结构有序多孔薄膜型气敏元件及其制备方法 | |
| CN111778479B (zh) | 银纳米颗粒组装的空腔结构阵列及其制备方法和用途 | |
| Orhan et al. | Characterization of size-controlled ZnO nanorods produced by electrochemical deposition technique | |
| CN101698961A (zh) | 一种表面等离激元晶体的制备方法 | |
| CN106525942A (zh) | 一种以时间为读取信号的光致电传感器的构建方法 | |
| CN106501322A (zh) | 一种基于纳米网格结构v2o5薄膜的气敏传感器及其制备方法 | |
| Akhtarianfar et al. | Large scale ZnO nanorod-based UV sensor induced by optimal seed layer | |
| Zhang et al. | Metal-assisted photochemical etching of gallium nitride using electrodeposited noble metal nanoparticles as catalysts | |
| CN101425553A (zh) | MgZnO基光电导型紫外探测器的制作方法 | |
| CN110054791B (zh) | MOFs-贵金属有序复合材料及其制备方法和应用 | |
| KR102013825B1 (ko) | 수소가스센서 및 이의 제조방법 | |
| CN106556623B (zh) | 一种半导体气体传感器的气-液界面加工方法 | |
| CN109560148A (zh) | 一种基于纳米结构薄膜电极的纳米发电机及制备方法 | |
| CN110568025A (zh) | 基于烛灰纳米颗粒层的湿度传感器及其制备方法 | |
| CN103441180A (zh) | 一种纳米线紫外光探测器及其制备方法与应用 | |
| CN102243207A (zh) | 电极表面具有纳米凹凸结构的电化学传感器及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20161102 Termination date: 20211022 |