CN104328499A - 一种砷化镓基多晶无液封合成装置 - Google Patents

一种砷化镓基多晶无液封合成装置 Download PDF

Info

Publication number
CN104328499A
CN104328499A CN201410521834.7A CN201410521834A CN104328499A CN 104328499 A CN104328499 A CN 104328499A CN 201410521834 A CN201410521834 A CN 201410521834A CN 104328499 A CN104328499 A CN 104328499A
Authority
CN
China
Prior art keywords
unit
synthesis
graphite
heater
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201410521834.7A
Other languages
English (en)
Inventor
刘振宇
方清平
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
QINGDAO KANGHE FOOD Co Ltd
Original Assignee
QINGDAO KANGHE FOOD Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by QINGDAO KANGHE FOOD Co Ltd filed Critical QINGDAO KANGHE FOOD Co Ltd
Priority to CN201410521834.7A priority Critical patent/CN104328499A/zh
Publication of CN104328499A publication Critical patent/CN104328499A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/40AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • C30B29/42Gallium arsenide
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B28/00Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

本发明一种砷化镓基多晶无液封合成装置提供一种包括合成炉体和位于所述合成炉体内的石墨系统,石墨系统包括保温单元、加热单元和合成单元,所述保温单元包括石墨保温罩和石墨保温桶,所述加热单元包括电极、加热器和外围温控电路,所述合成单元、以及所述加热单元中的电极和加热器位于所述保温单元的内部,所述加热单元中的加热器和电极位于所述合成单元外围中下部,所述合成单元包括石墨坩埚盖、石墨坩埚和氮化硼坩埚,其特征在于,所述石墨系统还包括使所述合成单元升降转动的运动单元,所述运动单元与所述合成单元、所述合成炉体相连接;所述石墨坩埚和所述石墨坩埚盖在连接处设计有互相啮合的台阶形状。

Description

一种砷化镓基多晶无液封合成装置
技术领域
本发明涉及一种砷化镓基多晶的无液封接合成装置。
背景技术
近年以来,随着电子设备的迅速发展,越来越多半导体材料应用在光电器件中,例如砷化镓基多晶等半导体材料,而砷化镓基多晶等半导体材料在自然界中没有,需要人工合成来获得,但是目前现有的砷化镓基多晶的合成工艺存在着众多缺陷和不便,并且其合成工艺流程复杂,合成的砷化镓基多晶的结晶性不好并且成品率较低。因此,寻找一种能够避免以上缺陷的无液封接合成装置成为目前最为迫切的需要。
发明内容
本发明提供一种砷化镓基多晶无液封合成装置,包括合成炉体和位于所述合成炉体内的石墨系统,石墨系统包括保温单元、加热单元和合成单元,所述保温单元包括石墨保温罩和石墨保温桶,所述加热单元包括电极、加热器和外围温控电路,所述合成单元、以及所述加热单元中的电极和加热器位于所述保温单元的内部,所述加热单元中的加热器和电极位于所述合成单元外围中下部,所述合成单元包括石墨坩埚盖、石墨坩埚和氮化硼坩埚,其特征在于,所述石墨系统还包括使所述合成单元升降转动的运动单元,所述运动单元与所述合成单元、所述合成炉体相连接;所述石墨坩埚和所述石墨坩埚盖在连接处设计有互相啮合的台阶形状。
具体实施方式
下面结合具体实施例,进一步阐述本发明。应理解,这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。此外应理解,在阅读了本发明讲授的内容之后,本领域技术人员可以对本发明作各种改动或修改,这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。
该砷化镓基多晶无液封合成装置,包括合成炉体和位于所述合成炉体内的石墨系统,石墨系统包括保温单元、加热单元和合成单元,所述保温单元包括石墨保温罩和石墨保温桶,所述加热单元包括电极、加热器和外围温控电路,所述合成单元、以及所述加热单元中的电极和加热器位于所述保温单元的内部,所述加热单元中的加热器和电极位于所述合成单元外围中下部,所述合成单元包括石墨坩埚盖、石墨坩埚和氮化硼坩埚,其特征在于,所述石墨系统还包括使所述合成单元升降转动的运动单元,所述运动单元与所述合成单元、所述合成炉体相连接;所述石墨坩埚和所述石墨坩埚盖在连接处设计有互相啮合的台阶形状。

Claims (1)

1.一种砷化镓基多晶无液封合成装置,包括合成炉体和位于所述合成炉体内的石墨系统,石墨系统包括保温单元、加热单元和合成单元,所述保温单元包括石墨保温罩和石墨保温桶,所述加热单元包括电极、加热器和外围温控电路,所述合成单元、以及所述加热单元中的电极和加热器位于所述保温单元的内部,所述加热单元中的加热器和电极位于所述合成单元外围中下部,所述合成单元包括石墨坩埚盖、石墨坩埚和氮化硼坩埚,其特征在于,所述石墨系统还包括使所述合成单元升降转动的运动单元,所述运动单元与所述合成单元、所述合成炉体相连接;所述石墨坩埚和所述石墨坩埚盖在连接处设计有互相啮合的台阶形状。
CN201410521834.7A 2014-09-30 2014-09-30 一种砷化镓基多晶无液封合成装置 Pending CN104328499A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410521834.7A CN104328499A (zh) 2014-09-30 2014-09-30 一种砷化镓基多晶无液封合成装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410521834.7A CN104328499A (zh) 2014-09-30 2014-09-30 一种砷化镓基多晶无液封合成装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN104328499A true CN104328499A (zh) 2015-02-04

Family

ID=52403303

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410521834.7A Pending CN104328499A (zh) 2014-09-30 2014-09-30 一种砷化镓基多晶无液封合成装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104328499A (zh)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2885891Y (zh) * 2006-02-09 2007-04-04 姚荣华 生长砷化镓单晶的温控炉
CN201031264Y (zh) * 2007-05-09 2008-03-05 四川大学 多元化合物半导体单晶的生长装置
CN101498047A (zh) * 2009-01-23 2009-08-05 中国电子科技集团公司第四十六研究所 一种砷化镓多晶无液封合成方法和装置
CN103696013A (zh) * 2013-12-26 2014-04-02 青岛永通电梯工程有限公司 一种砷化镓多晶无液封合成装置
CN103741222A (zh) * 2013-12-23 2014-04-23 青岛润鑫伟业科贸有限公司 一种砷化镓多晶合成装置
CN103741223A (zh) * 2013-12-23 2014-04-23 青岛润鑫伟业科贸有限公司 一种砷化镓多晶合成装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2885891Y (zh) * 2006-02-09 2007-04-04 姚荣华 生长砷化镓单晶的温控炉
CN201031264Y (zh) * 2007-05-09 2008-03-05 四川大学 多元化合物半导体单晶的生长装置
CN101498047A (zh) * 2009-01-23 2009-08-05 中国电子科技集团公司第四十六研究所 一种砷化镓多晶无液封合成方法和装置
CN103741222A (zh) * 2013-12-23 2014-04-23 青岛润鑫伟业科贸有限公司 一种砷化镓多晶合成装置
CN103741223A (zh) * 2013-12-23 2014-04-23 青岛润鑫伟业科贸有限公司 一种砷化镓多晶合成装置
CN103696013A (zh) * 2013-12-26 2014-04-02 青岛永通电梯工程有限公司 一种砷化镓多晶无液封合成装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2009184879A (ja) p型SiC半導体単結晶の製造方法
CN107108235B (zh) 芯线支架以及硅的制造方法
JP2013212952A (ja) 炭化珪素単結晶の製造方法
CN102978691A (zh) 一种新型蓝宝石晶体生长炉加热系统
CN204966272U (zh) 一种干式变压器线圈的浇注装置
CN104328499A (zh) 一种砷化镓基多晶无液封合成装置
CN104695013A (zh) 一种磷化铟多晶无液封合成装置
CN103696013A (zh) 一种砷化镓多晶无液封合成装置
CN103741223A (zh) 一种砷化镓多晶合成装置
CN103741222A (zh) 一种砷化镓多晶合成装置
CN102607923B (zh) 碳化硅材料腐蚀炉
CN202131396U (zh) 带导气环的晶体生长炉热场装置
CN104372398A (zh) 一种磷化铟生长的压力罐
CN204743707U (zh) 用于烹饪真空包装食物的低温恒温烹饪锅
CN203999908U (zh) 多晶硅铸锭热场结构
CN204356441U (zh) 一种多晶铸锭炉容积调节装置
CN207608603U (zh) 一种处理蓝宝石长晶炉钨加热体并回收金属钼的装置
CN208008941U (zh) 一种太阳能石英坩埚用支架装置
CN107779945B (zh) 异型加热器及单晶提拉炉热场结构
CN106684028B (zh) 承载装置、反应腔室及半导体加工设备
CN203200375U (zh) 一种蓝宝石c轴生长热场装置
CN204373385U (zh) 微波熔铝装置
CN203904427U (zh) 粗铟除杂设备
CN109112617A (zh) 一种太阳能多晶硅的定向凝固炉及定向凝固方法
CN106807465A (zh) 一种氮化硅坩埚

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20150204