CN104319620A - 用于光发射组件的装置以及光发射组件 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种用于光发射组件的装置，所述装置具有至少两个侧壁和一顶面，所述至少两个侧壁和所述顶面形成一凹部，使用时，所述装置的至少两个侧壁固定于光发射组件的过渡热沉上；其中，所述至少两个侧壁将位于过渡热沉上的发光芯片和热敏电阻部分地围住，所述顶面从上方将发光芯片和热敏电阻遮挡住，其中发光芯片的发光面和/或背光面朝向无侧壁的方向。本发明还公开了一种光发射组件。利用本发明可提高光发射组件的中心波长稳定性。
Description
技术领域
本发明涉及光发射组件技术领域，具体涉及一种用于光发射组件的装置以及光发射组件。
背景技术
基本的光纤通信系统由光发射器、传输光纤和光接收器三部分组成，常见的半导体光发射器有分布式反馈DFB激光器、法布里-珀罗FP激光器、分布式布拉格反射DBR激光器等，光发射组件(Transmitter OpticalSub-Assembly,TOSA)是光发射器的主要部件，光发射组件的核心是光源(如半导体发光二极管、激光二极管)，将光源和其它元件封装构成光发射组件。
另外，光纤陀螺是一种用于惯性导航的光纤传感器，是一种具有陀螺功能的光电装置或机电装置，其工作原理是基于萨格纳克Sagnac效应，Sagnac效应描述了在同一闭合光路中从同一光源发出的两束特征相等的光，以相反的方向进行传播，最后汇合到同一探测点。集成光学光纤陀螺光源的是超辐射发光二极管(Super Luminescent Diodes,SLD)光发射组件，一种典型的SLD光发射组件采用蝶型管壳封装。
中心波长稳定性是衡量光发射组件性能的重要指标，光发射组件的中心波长变化率越小，中心波长稳定性越好。以光纤陀螺的SLD光发射组件为例，光纤陀螺工作时，对SLD光发射组件不加温度控制时，中心波长变化率为400ppm/℃，中心波长稳定性较差；实施了温度控制时，中心波长变化率可控制在100-200ppm，中心波长稳定性有所提高。目前，100-200ppm的中心波长变化率尚能满足中低精度光纤陀螺的应用需求。但是，对于高精度光纤陀螺是远远不够的。DFB激光器、FP激光器、DBR激光器等也存在同样的问题，其光发射组件的中心波长稳定性有待提高。
发明内容
有鉴于此，本发明提出一种用于光发射组件的装置以及光发射组件，通过对光发射组件内部结构的改进，强化温控效果，达到了提高中心波长稳定性的目的。
本发明提供一种用于光发射组件的装置，所述装置具有至少两个侧壁和一顶面，所述至少两个侧壁和所述顶面形成一凹部，使用时，所述装置的至少两个侧壁固定于光发射组件的过渡热沉上；其中，所述至少两个侧壁将位于过渡热沉上的发光芯片和热敏电阻部分地围住，所述顶面从上方将发光芯片和热敏电阻遮挡住，其中发光芯片的发光面和/或背光面朝向无侧壁的方向。
优选地，所述装置具有两个侧壁和一顶面，所述两个侧壁和所述顶面形成一凹部，其中，所述两个侧壁的位置相对。
优选地，所述装置具有三个侧壁和一顶面，所述三个侧壁和所述顶面形成一凹部，其中，所述三个侧壁向所述顶面的同一侧延伸。
本发明还提供一种光发射组件，包括：封装管壳、热电制冷器、热沉、过渡热沉、发光芯片、热敏电阻和光纤组件，还包括上述的用于光发射组件的装置；其中，所述装置的至少两个侧壁固定于光发射组件中的过渡热沉上，所述至少两个侧壁将位于过渡热沉上的发光芯片和热敏电阻部分地围住，所述装置的顶面从上方将发光芯片和热敏电阻遮挡住，其中发光芯片的发光面和/或背光面朝向所述装置无侧壁的方向。
优选地，其中装置的顶面与过渡热沉之间的距离大于等于0.3mm。
优选地，其中封装管壳包括管壳和管盖，管盖的中心厚度大于管盖的边沿厚度，且管盖的中心厚度值与管壳的厚度值相差Y，Y≤0.1mm。
本发明还提供一种用于光发射组件的装置，所述装置具有一侧壁和一顶面，所述侧壁和所述顶面形成棚形结构，使用时，所述装置的侧壁固定于光发射组件的热沉上，且与热沉上的过渡热沉相邻以将过渡热沉部分地围住，所述顶面从上方将过渡热沉遮挡住，其中发光芯片的发光面和/或背光面朝向无侧壁的方向。
优选地，装置的侧壁上具有开口。
优选地，其中所述装置形成的棚形结构具有一支撑部，支撑部为板式结构，支撑部的位置与所述侧壁的位置相对，且支撑部上具有开口。
本发明还提供一种光发射组件，包括：封装管壳、热电制冷器、热沉、过渡热沉、发光芯片、热敏电阻和光纤组件，还包括上述用于光发射组件的装置；其中，所述装置的侧壁固定于光发射组件的热沉上，且与热沉上的过渡热沉相邻以将过渡热沉部分地围住，所述顶面从上方将过渡热沉遮挡住，其中发光芯片的发光面和/或背光面朝向无侧壁的方向。
优选地，其中装置的顶面与热沉之间的距离大于等于0.8mm。
优选地，其中封装管壳包括管壳和管盖，管盖的中心厚度大于管盖的边沿厚度，且管盖的中心厚度值与管壳的厚度值相差Y，Y≤0.1mm。
本发明还提供一种光发射组件，包括：封装管壳、热电制冷器、热沉、过渡热沉、发光芯片、热敏电阻和光纤组件，还包括第一子装置和第二子装置，其中，第一子装置固定于光发射组件中的过渡热沉上，第二子装置固定于光发射组件的热沉上，且第二子装置将第一子装置遮盖。
本发明的有益效果：本发明具有小型化、高可靠性、高环境适应性和易组装等优点。作为光发射组件中心波长稳定性的提高方案，本发明可应用于多种光线仪器设备。本发明可使光纤陀螺的SLD光发射组件的中心波长变化率由以往的120-200ppm降至60ppm以下，使SLD光发射组件的中心波长稳定性能够满足中高精度光纤陀螺对标度因数稳定性的要求，非常适用于对光纤陀螺系统精度要求较高的场合，如航空航天领域等。本发明还可提高DFB激光器，FP激光器、DBR激光器、泵浦激光器等仪器设备的中心波长稳定性，应用领域广阔。
附图说明
图1是一种典型的SLD光发射组件结构示意图。
图2是一种现有的SLD光发射组件的内部结构侧视图。
图3是一种现有的SLD管芯组件示意图。
图4是DFB激光器的光发射组件的内部结构侧视图。
图5是本发明增设保温盖后的SLD管芯组件示意图。
图6和图7是本发明增设热屏蔽架后的SLD光发射组件示意图。
图8是一种典型的8pin蝶形管壳的外观示意图。
图9是8pin蝶形管壳的盖板侧视图。
图10是本发明的保温盖和型热屏蔽架叠加应用的结构示意图。
图11是本发明的保温盖和Ω型热屏蔽架叠加应用的结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图以及具体实施例，对本发明的技术方案进行详细描述。
图1示出了一种用于光纤陀螺的蝶型管壳封装SLD光发射组件，图2为该SLD光发射组件内部结构的侧视图。SLD光发射组件主要包括管壳和置于管壳内部的热电制冷器、热沉、SLD管芯组件以及其它光纤组件，其中，SLD管芯组件主要包括过渡热沉、SLD芯片和热敏电阻等，SLD芯片的发光面朝向光纤组件。图3单独示出了SLD管芯组件的外观示意图，其采用氮化铝陶瓷基板为过渡热沉，基板上布置有SLD芯片、热敏电阻和镀金电极等。
图4示出了一种典型的DFB激光器光发射组件内部结构的侧视图。与图2所示的SLD光发射组件结构相类似，不同之处主要在于采用的是DFB激光器芯片，且在DFB激光器芯片的背光面还设置有一光电探测器。此外，将图4中的光源换为FP激光器芯片、DBR激光器芯片或者泵浦激光器芯片，即得到了FP激光器、DBR激光器或泵浦激光器，它们的光发射组件均与图4结构相类似。
以下以光纤陀螺的SLD光发射组件和DFB激光器光发射组件为例，描述本发明的实施例。
实施例一：在光发射组件的过渡热沉上增设保温盖。
本发明为光纤陀螺的SLD光发射组件增设保温盖，保温盖位于过渡热沉上，保温盖被设计为能够将SLD芯片和热敏电阻部分地围住，顶部有遮挡，同时对SLD芯片发光面留有缺口，确保SLD光发射组件可正常工作。
图5示意性地示出了一种保温盖结构，为方便观察，图中省去了SLD管芯组件下层的热沉、制冷器以及管壳和光纤组件等部件。图5实施例采用如图3的SLD管芯组件。保温盖大致呈立方体结构，且缺少底面和一个侧面，也即由三个侧面和一个顶面形成一个凹部。将保温盖固定在过渡热沉上，保温盖的尺寸使得SLD芯片和热敏电阻能够被保温盖的三个侧面围住，且由顶面遮盖，同时SLD芯片的发光面朝向保温盖无侧面的方向，在该方向上设置光纤组件，SLD光发射组件可正常工作。
在本发明的实施例中，保温盖采用具有绝缘性和高导热率的材料，导热系数大于20W/mK(单位：瓦每米开尔文)；并且，考虑到温度改变可使材料发生形变，保温盖材料的热膨胀系数与过度热沉的热膨胀系数之差小于5×10-6/℃。优选地，保温盖可采用三氧化二铝陶瓷、氮化铝陶瓷或者氧化铍陶瓷材料。
图5实施例的保温盖固定在氮化铝陶瓷基板上，在本发明的实施例中，保温盖的固定方式可采用环氧树脂胶粘接、紫外固化胶粘接、导电胶粘接、焊片或焊膏钎焊固定等方式。优选地，由于保温盖为绝缘体，使用焊片或焊膏钎焊固定时，在氮化铝陶瓷基板表面部分镀金，在保温盖粘接部分镀金。
在本发明的实施例中，保温盖的壁厚建议值为0.10mm，考虑到实际加工难度，壁厚典型值可为0.15mm，最大不超过0.20mm。
在本发明的实施例中，根据过渡热沉上SLD芯片和热敏电阻的分布范围确定保温盖的遮盖尺寸。对于保温盖的高度，应既不影响管壳封装，又能确保保温盖可形成一定大小的凹入的内腔，应使保温盖的内腔高度不低于0.3mm。例如对于以8pin蝶形管壳封装的SLD光发射组件，SLD管芯组件的氮化铝陶瓷基板距离管盖高度为2.8mm，保温盖的内腔高度可为0.3-1mm。
在本发明的一个实施例中，保温盖壁厚0.1mm，高度0.6mm，顶面尺寸为1.3*2.6mm，保温盖形成的内腔尺寸为0.5*1.2*2.4mm。
利用本实施例的SLD光发射组件，可提高光纤陀螺的中心波长稳定性，原因阐述如下：参考图1或图2，传统的SLD光发射组件中，SLD芯片位于过度热沉上，SLD芯片裸露在管壳腔体内部，工作时，SLD芯片与周围环境发生热传导和热对流，例如高温时，SLD芯片温度为25.00℃，过度热沉温度为21.05℃，管壳腔体内部环境温度为85℃左右，也即管壳腔体内部环境温度高于SLD芯片温度，过度热沉温度低于SLD芯片温度，在此情况下，SLD芯片与过度热沉发生热传导，管壳腔体内部环境与SLD芯片、过度热沉发生热对流。也就是说，SLD芯片的温度变化受到多方面因素影响，温控难度大。由于SLD光发射组件的中心波长变化取决于SLD芯片温度的变化，所以传统SLD光发射组件的中心波长稳定性受到了制约。
利用本实施例在SLD管芯组件上增设保温盖之后，由于保温盖与过度热沉接触，两者温度趋于一致，使得保温盖内腔环境温度和过度热沉温度趋于一致，SLD芯片与保温盖内腔环境发生热对流的情况可以忽略，管壳内只存在保温盖、过度热沉与管壳腔体内部环境之间的热对流，在此情况下，SLD芯片温度与过度热沉温度、保温盖内腔环境温度的温差较小，三者温度基本保持一致。因此，针对SLD芯片温度的影响因素减少，SLD光发射组件的中心波长稳定性得到提高。
另一方面，对DFB激光器光发射组件也可增设保温盖，固定于光发射组件的过渡热沉上。需要注意的是，由于DFB激光器芯片的背光面设置有光电探测器，为满足透光要求，需采用大致类似于型设计的保温盖，即保温盖仅具有两个相对的侧面和一个顶面，安装时，保温盖两个侧面将DFB激光器芯片和热敏电阻围住，顶面遮挡，两个无侧面的方向分别为DFB激光器芯片的发光面和背光面。型保温盖的壁厚、尺寸及固定方式与前述实施例相同。在效果方面，保温盖的存在能够降低DFB激光器芯片与保温盖内腔环境的热对流，能够在一定程度上提高光发射组件的中心波长稳定性，但是由于型保温盖仅有两个侧面，温控效果要低于图2实施例的保温盖。
实施例二：在光发射组件的热沉上增设热屏蔽架。
本发明为光纤陀螺的SLD光发射组件增设热屏蔽架，热屏蔽架固定于SLD管芯组件下层的热沉上，热屏蔽架被设计为能够将SLD管芯组件部分地围住，顶部有遮挡，同时对SLD芯片发光面留有缺口，确保SLD光发射组件可正常工作。
图6示意性地示出了一种热屏蔽架结构，热屏蔽架大致呈棚形结构，即型结构，邻近SLD管芯组件放置，其侧壁固定在钨铜热沉上，上方的顶盖延伸将SLD管芯组件遮挡住，侧壁位于SLD芯片的背光面一侧，SLD芯片的发光面朝向无侧壁的方向，在该方向上设置光纤组件，SLD光发射组件可正常工作。关于热沉材质，在本发明的其它实施例中，也可使用镍热沉。
在本发明的实施例中，型热屏蔽架的侧壁厚介于0.1-0.2mm，优选0.15mm；顶盖厚介于0.1-0.2mm，优选0.2mm。
在本发明的实施例中，根据过渡热沉的大小确定型热屏蔽架的遮盖尺寸，型热屏蔽架的顶盖应将过渡热沉全部遮盖住。关于型热屏蔽架的高度，应既不影响管壳封装，又能确保型热屏蔽架可形成一定大小的内部空间，应使型热屏蔽架的内腔高度不低于0.8mm。例如对于以8pin蝶形管壳封装的SLD光发射组件，型热屏蔽架的内腔高度可为0.8-3.1mm。在本发明的一个实施例中，型热屏蔽架形成的内部空间为4*2.5*2mm。
进一步地，可将上述型热屏蔽架优化设计一支撑壁，即在已有侧壁的对面再增加一侧壁，形成类似于型的结构，可在制作时一体成型。需要注意的是，为确保SLD光发射组件正常工作，必须使SLD芯片的发光面方向上无遮挡，因此，需要在该型热屏蔽架的支撑壁上做一个开口，开口的尺寸大于SLD芯片的尺寸。安装时，将SLD芯片的发光面朝向开口即可，SLD光发射组件可正常工作。
进一步地，由于热屏蔽架尺寸较大，可在型热屏蔽架的两个侧壁的下端部横向延伸出一翼部，通过翼部将热屏蔽架固定在热沉上，上方的顶盖将SLD管芯组件遮挡住。具有翼部的热屏蔽架可视为大致呈“Ω”型，注意两侧壁无弯曲。
在本发明的实施例中，型热屏蔽架的侧壁厚介于0.1-0.2mm，优选0.15mm；顶盖厚介于0.1-0.2mm，优选0.2mm；采用“Ω”型设计时翼宽1mm，翼厚介于0.1-0.2mm，优选0.15mm。
在本发明的一个实施例中，型热屏蔽架侧部上的开口尺寸为1.3*0.6mm，SLD芯片发出的光线不会被遮挡。
对型热屏蔽架的高度要求与前述的型热屏蔽架相同。在本发明的一个实施例中，型热屏蔽架形成的内部空间尺寸为3.5*2.45*1.3mm。
在本发明的实施例中，热屏蔽架采用具有高的导热率的材料，导热系数大于20W/mK；考虑到温度改变可使材料发生形变，热屏蔽架材料的热膨胀系数与热沉的热膨胀系数之差小于10×10-6/℃。优选地，热屏蔽架采用钨铜合金、可伐材质或镍材料。优选地，热屏蔽架和热沉使用同种材料。通过激光焊接、环氧树脂胶粘接、紫外固化胶粘接、导电胶粘接、焊片、焊膏钎焊等方式将热屏蔽架固定在热沉上。
进一步地，为增大固定面积，可在前述的型热屏蔽架的侧壁的下端部横向延伸出具有一定宽度的翼部，翼宽1mm，翼厚0.15mm。
利用本实施例的SLD光发射组件，可提高光纤陀螺的中心波长稳定性，原因阐述如下：参考图1或图2，传统的SLD光发射组件中，包括SLD芯片和过度热沉的SLD管芯组件位于热沉上，裸露在管壳腔体内部，工作时，SLD管芯组件与周围环境发生热传导和热对流，例如在高温时，SLD管芯组件温度为21.05℃，过度热沉温度为21.00℃，管壳腔体内部环境温度85℃左右，也即管壳腔体内部环境温度高于SLD管芯组件温度，热沉温度低于SLD管芯组件温度，在此情况下，SLD管芯组件与热沉发生热传导，管壳腔体内部环境与SLD管芯组件、热沉发生热对流。也就是说，包括SLD芯片和过度热沉的SLD管芯组件的温度变化受到多方面因素影响，必然导致SLD芯片的温度变化控制难度大，SLD光发射组件的中心波长稳定性不高。
利用本实施例在热沉上增设热屏蔽架之后，由于热屏蔽架与热沉接触，两者温度趋于一致，使得热屏蔽架内腔环境温度和热沉温度趋于一致，进而SLD管芯组件温度与热沉温度、热屏蔽架内腔环境温度的温差变小，三者温度基本保持一致。因此，针对SLD芯片温度的影响因素减少，SLD光发射组件中心波长稳定性得到提高。
另一方面，对DFB激光器光发射组件也可增设热屏蔽架，固定于光发射组件的热沉上，将热沉上层的过渡热沉部分地围住，顶部遮挡。需要注意的是，由于DFB激光器芯片的背光面设置有光电探测器，需满足透光要求，因此，基于上述的型热屏蔽架，还需要在其侧壁上做一开口，安装时使DFB激光器芯片的背光面朝向该开口。类似地，对于上述的型或者“Ω”型热屏蔽架，需要在其两个侧部上均做出开口，安装时使DFB激光器芯片的发光面和背光面各自朝向一个开口。
实施例三：增大光发射组件的管壳盖板的厚度。
参考图8和图9，光纤陀螺的SLD光发射组件主要使用8pin蝶形管壳，蝶形管壳的腔体由管壳和管壳盖板包围而成，一种典型的蝶形管壳的管壳壁厚为1mm，管盖的中心厚度为0.25mm，管盖的边沿厚度为0.15mm。管壳厚度与管盖中心厚度相差0.75mm，与管盖边沿厚度相差0.85mm，厚度差较大。
本发明将封装管壳的管盖厚度增厚，缩小管盖和管壳的厚度差。例如，当管壳厚度为1mm时，管盖的中心厚度加厚至1±0.05mm，管盖的边沿厚度加厚至0.9±0.05mm。优选地，尽量使管盖的中心厚度与管壳厚度保持一致，两者厚度差≤0.1mm。由于管盖厚度增大使管壳整体热传导均衡，可降低SLD光发射组件中心波长变化率，提高中心波长稳定性。
类似地，对于DFB激光器光发射组件，为管壳封装，可通过增大管壳盖板厚度的方式提高光发射组件的中心波长稳定性。
以上提供了三种提高光发射组件中心波长稳定性的方案，分别是：①在光发射组件的过渡热沉上增设保温盖、②在光发射组件的热沉上增设热屏蔽架，以及③增大光发射组件的管壳盖板的厚度。根据实际应用需求，可将三种方案单独使用、两两叠加使用或者三者全部叠加使用，最大限度地提高光发射组件的中心波长稳定性。
图10和图11示意性地示出了将第①和第②种方案叠加应用的结构图，其中图10为保温盖和型热屏蔽架叠加，图11为保温盖和“Ω”型热屏蔽架叠加。具体地，首先在过渡热沉上加装保温盖，再在热沉上加装热屏蔽架，热屏蔽架将过渡热沉连同保温盖一起遮挡住。温控效果更好，光发射组件的中心波长稳定性更好。
以上，结合具体实施例对本发明的技术方案进行了详细介绍，所描述的具体实施例用于帮助理解本发明的思想。本领域技术人员在本发明具体实施例的基础上做出的推导和变型也属于本发明保护范围之内。
Claims (13)
1.一种用于光发射组件的装置，其特征在于，所述装置具有至少两个侧壁和一顶面，所述至少两个侧壁和所述顶面形成一凹部，使用时，所述装置的至少两个侧壁固定于光发射组件的过渡热沉上；其中，
所述至少两个侧壁将位于过渡热沉上的发光芯片和热敏电阻部分地围住，所述顶面从上方将发光芯片和热敏电阻遮挡住，其中发光芯片的发光面和/或背光面朝向无侧壁的方向。
2.如权利要求1所述的用于光发射组件的装置，其特征在于，所述装置具有两个侧壁和一顶面，所述两个侧壁和所述顶面形成一凹部，其中，所述两个侧壁的位置相对。
3.如权利要求1所述的用于光发射组件的装置，其特征在于，所述装置具有三个侧壁和一顶面，所述三个侧壁和所述顶面形成一凹部，其中，所述三个侧壁向所述顶面的同一侧延伸。
4.一种光发射组件，包括：封装管壳、热电制冷器、热沉、过渡热沉、发光芯片、热敏电阻和光纤组件，其特征在于，所述光发射组件还包括权利要求1-3中任一项所述的用于光发射组件的装置；其中，
所述装置的至少两个侧壁固定于光发射组件中的过渡热沉上，所述至少两个侧壁将位于过渡热沉上的发光芯片和热敏电阻部分地围住，所述装置的顶面从上方将发光芯片和热敏电阻遮挡住，其中发光芯片的发光面和/或背光面朝向所述装置无侧壁的方向。
5.如权利要求4所述的光发射组件，其特征在于，其中所述装置的顶面与所述过渡热沉之间的距离大于等于0.3mm。
6.如权利要求4所述的光发射组件，其特征在于，其中所述封装管壳包括管壳和管盖，管盖的中心厚度大于管盖的边沿厚度，且管盖的中心厚度值与管壳的厚度值相差Y，Y≤0.1mm。
7.一种用于光发射组件的装置，其特征在于，所述装置具有一侧壁和一顶面，所述侧壁和所述顶面形成棚形结构，使用时，所述装置的侧壁固定于光发射组件的热沉上，且与热沉上的过渡热沉相邻以将过渡热沉部分地围住，所述顶面从上方将过渡热沉遮挡住，其中发光芯片的发光面和/或背光面朝向无侧壁的方向。
8.如权利要求7所述的用于光发射组件的装置，其特征在于，所述装置的侧壁上具有开口。
9.如权利要求7所述的用于光发射组件的装置，其特征在于，其中所述装置形成的棚形结构具有一支撑部，所述支撑部为板式结构，所述支撑部的位置与所述侧壁的位置相对，且所述支撑部上具有开口。
10.一种光发射组件，包括：封装管壳、热电制冷器、热沉、过渡热沉、发光芯片、热敏电阻和光纤组件，其特征在于，所述光发射组件还包括权利要求7-9中任一项所述的用于光发射组件的装置；其中，
所述装置的侧壁固定于光发射组件的热沉上，且与热沉上的过渡热沉相邻以将过渡热沉部分地围住，所述顶面从上方将过渡热沉遮挡住，其中发光芯片的发光面和/或背光面朝向无侧壁的方向。
11.如权利要求10所述的光发射组件，其特征在于，其中所述装置的顶面与所述热沉之间的距离大于等于0.8mm。
12.如权利要求10所述的光发射组件，其特征在于，其中所述封装管壳包括管壳和管盖，管盖的中心厚度大于管盖的边沿厚度，且管盖的中心厚度值与管壳的厚度值相差Y，Y≤0.1mm。
13.一种光发射组件，包括：封装管壳、热电制冷器、热沉、过渡热沉、发光芯片、热敏电阻和光纤组件，其特征在于，所述光发射组件还包括第一子装置和第二子装置，所述第一子装置采用权利要求1-3中任一项所述的装置，所述第二子装置采用权利要求7-9中任一项所述的装置，其中，
第一子装置固定于光发射组件中的过渡热沉上，第二子装置固定于光发射组件的热沉上，且第二子装置将第一子装置遮盖。
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