CN111416269B - 一种光发射装置 - Google Patents

Abstract

本申请实施例公开了一种光发射装置，包括：光发射组件、封装结构和印刷电路板；其中，所述光发射组件设置在所述封装结构内部；所述封装结构包括一陶瓷部分；所述陶瓷部分与所述印刷电路板之间通过植球焊接或通过涂覆焊料层进行焊接，以使所述光发射组件通过所述陶瓷部分与所述印刷电路板电连接。

Description

一种光发射装置

技术领域

本申请涉及光通信技术领域，尤其涉及一种光发射装置。

背景技术

随着云计算和企业数据中心的快速发展，对100G、200G、400G等高速率光器件、光模块的需求逐渐增加。在有限尺寸空间的光模块中集成更多、更高速率的光器件的需求也越来越迫切。现有的光模块中的光器件与印刷电路板(Printed Circuit Board，PCB)间通过管脚或软板连接。随着光器件速率、光器件集成度的提升，需要的连接焊盘数目不断增加，焊盘间的间距不断减小，而采用管脚或软板连接，对光模块的尺寸和可靠性造成了很大的限制。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例为解决现有技术中存在的至少一个问题而提供一种光发射装置。

为达到上述目的，本申请实施例的技术方案是这样实现的：

本申请实施例提供一种光发射装置，包括：光发射组件、封装结构和印刷电路板PCB；其中，

所述光发射组件设置在所述封装结构内部；

所述封装结构包括一陶瓷部分；所述陶瓷部分与所述印刷电路板之间通过植球焊接或通过涂覆焊料层进行焊接，以使所述光发射组件通过所述陶瓷部分与所述印刷电路板电连接。

在一种可选的实施方式中，所述陶瓷部分与所述印刷电路板之间通过植球焊接，所述植球焊接具体为球栅阵列(Ball Grid Array，BGA)焊接。

在一种可选的实施方式中，所述植球焊接的焊球或所述焊料层与所述陶瓷部分、所述印刷电路板焊接的温度范围为150℃-260℃。

在一种可选的实施方式中，所述陶瓷部分与所述印刷电路板之间通过植球焊接，所述植球焊接的焊球包括锡银铜焊球、锡银焊球、铟银焊球或锡铋银焊球。

在一种可选的实施方式中，所述陶瓷部分与所述印刷电路板之间通过植球焊接，所述植球焊接的焊球的直径范围为50μm-150μm。

在一种可选的实施方式中，所述陶瓷部分与所述印刷电路板之间通过涂覆焊料层进行焊接，所述焊料层的厚度范围为50μm-150μm。

在一种可选的实施方式中，所述陶瓷部分上设有金属化焊盘，所述植球焊接的焊球或所述焊料层形成在所述金属化焊盘上；

其中，所述金属化焊盘呈C型分布或L型分布。

在一种可选的实施方式中，所述陶瓷部分包括单层低温共烧陶瓷或多层低温共烧陶瓷。

在一种可选的实施方式中，所述光发射组件包括：过渡热沉；其中，

所述过渡热沉为多层陶瓷结构，所述过渡热沉至少包括射频传输线层、接地线层、直流信号线层和贴装层。

在一种可选的实施方式中，所述直流信号线层的直流信号通过过孔与所述过渡热沉表面的直流信号焊盘连接；和/或，

所述射频传输线层的射频信号通过过孔与所述过渡热沉表面的射频信号焊盘连接。

本申请实施例提供了一种光发射装置，包括：光发射组件、封装结构和印刷电路板PCB；其中，所述光发射组件设置在所述封装结构内部；所述封装结构包括一陶瓷部分；所述陶瓷部分与所述印刷电路板之间通过植球焊接或通过涂覆焊料层进行焊接，以使所述光发射组件通过所述陶瓷部分与所述印刷电路板电连接。本申请实施例中封装结构中的陶瓷部分和PCB板之间通过焊接连接，实现了光发射组件与所述PCB板之间的电连接，本申请实施例中采用植焊球焊接和/或涂覆焊料层焊接代替管脚或软板连接，如此，减少了信号线从电芯片到光发射组件之间的距离，减少了软带或管脚连接带来的阻抗突变，从而减小了光发射装置的占用空间，便于光发射装置的小型化、多功能化。

附图说明

图1为本申请实施例提供的一种光发射装置的结构侧面示意图一；

图2为本申请实施例提供的一种光发射装置的结构侧面示意图二；

图3为本申请实施例提供的一种封装结构的结构剖面示意图；

图4为本申请实施例提供的一种封装结构的结构俯视示意图；

图5为本申请实施例提供的一种陶瓷部分的侧视图；

图6为本申请实施例提供的一种陶瓷部分的俯视图；

图7为本申请实施例提供的一种过渡热沉的结构剖面示意图；

图8为本申请实施例提供的一种过渡热沉的结构俯视示意图。

具体实施方式

下面将参照附图更详细地描述本申请公开的示例性实施方式。虽然附图中显示了本申请的示例性实施方式，然而应当理解，可以以各种形式实现本申请，而不应被这里阐述的具体实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻地理解本申请，并且能够将本申请公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。

在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本申请更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本申请可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本申请发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述；即，这里不描述实际实施例的全部特征，不详细描述公知的功能和结构。

在附图中，为了清楚，层、区、元件的尺寸以及其相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。

应当明白，空间关系术语例如“在……下”、“在……下面”、“下面的”、“在……之下”、“在……之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在……下面”和“在……下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。

在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本申请的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。

图1为本申请实施例提供的一种光发射装置的结构侧面示意图一，图2为本申请实施例提供的一种光发射装置的结构侧面示意图二，如图1和图2所示，所述光发射装置包括：光发射组件(图中未示出)、封装结构100和印刷电路板PCB 200；其中，

所述光发射组件设置在所述封装结构100内部；

所述封装结构100包括一陶瓷部分110；所述陶瓷部分110与所述PCB板200之间通过植球焊接或通过涂覆焊料层进行焊接，以使所述光发射组件通过所述陶瓷部分110与所述PCB板200电连接。

在本申请实施例中，所述封装结构100还包括金属部分120；所述光发射组件设置在所述金属部分120内部；所述陶瓷部分110与所述金属部分120固定连接。

如图1所示，所述陶瓷部分110和所述PCB板200之间通过焊球进行焊接连接。

如图2所示，所述陶瓷部分110和所述PCB板200之间通过焊料层进行焊接连接。

在本申请实施例中，所述陶瓷部分110和所述PCB板200焊接时，所述陶瓷部分110已与所述金属部分焊接连接，且所述光发射组件已封装在所述封装结构100内。也就是说，所述PCB板200是与所述封装结构100中的所述陶瓷部分110进行焊接连接。本申请实施例中所述PCB板与所述封装结构中的所述陶瓷部分通过焊接连接，实现了光发射组件与所述PCB板之间的电连接，本申请实施例中采用植焊球焊接和/或涂覆焊料层焊接代替管脚或软板连接，如此，减少了信号线从电芯片到光发射组件之间的距离，减少了软带或管脚连接带来的阻抗突变，从而减小了光发射装置的占用空间，便于光发射装置的小型化、多功能化。

在本申请实施例中，所述封装结构100用于承载或容纳所述光发射组件，且所述封装结构100具有信号传输功能，所述封装结构100为气密性封装。

图3为本申请实施例提供的一种封装结构的结构剖面示意图，图4为本申请实施例提供的一种封装结构的结构俯视示意图，如图3和图4所示，在本申请实施例中，可以采用焊料将所述陶瓷部分110与所述金属部分120焊接于一体，从而形成所述封装结构100，所述封装结构100也可以称为金属陶瓷管壳。

在本申请实施例中，所述金属部分120包括金属壳体121、金属管盖122和用于密封及光路承载作用的金属窗体123。其中，所述金属部分120的材料包括可伐合金、钨铜合金或硅铝合金。

在本申请实施例中，所述陶瓷部分110可以为一型陶瓷基板或T型陶瓷基板。其中，所述陶瓷部分110包括单层低温共烧陶瓷(Low Temperature Co-fired Ceramic，LTCC)或多层低温共烧陶瓷LTCC。如图1和图2所示，所述陶瓷部分110通过嵌入式的方式与所述金属部分120焊接连接(所述金属部分120相应的设置有一开口，以容纳所述陶瓷部分110)，所述陶瓷部分110和所述金属部分120连接的位置处焊接固定，从而所述陶瓷部分110的一部分区域在所述金属部分120内，另一部分区域在所述金属部分120外，所述陶瓷部分110位于所述金属部分120外的部分区域的形状可以为C型或L型。需要说明的是，图1和图2仅示意出了所述陶瓷部分110位于所述金属部分120外的部分区域的形状为C型的情况。

需要说明的是，若所述陶瓷部分110位于所述金属部分120外的部分区域陶瓷部分110金属部分120的形状为C型(所述金属化焊盘111呈C型分布)，则所述PCB板200与所述陶瓷部分110焊接的区域的形状也为C型；若所述陶瓷部分110位于所述金属部分120外的部分区域陶瓷部分110金属部分120的形状为L型(所述金属化焊盘111呈L型分布)，则所述PCB板200与所述陶瓷部分110焊接的区域的形状也为L型。所述光发射组件还包括驱动芯片，所述驱动芯片设置在所述金属部分120内，所述驱动芯片与所述PCB板200共面(或水平对齐)。

在本申请实施例中，所述陶瓷部分110上设有信号传输电路，所述信号传输电路包括高频传输电路和低频传输电路。在实际应用时，所述高频传输电路可以设置在所述陶瓷部分110独立于所述金属部分120外的C型区域的中间区域或设置在所述陶瓷部分110独立于所述金属部分120外的L型区域的“I”区域；所述低频传输电路可以设置在所述陶瓷部分110独立于所述金属部分120外的C型区域的两侧区域或设置在所述陶瓷部分110独立于所述金属部分120外的L型区域的“一”区域。

在本申请实施例中，所述光发射组件与所述陶瓷部分110金属部分120电连接可以为所述光发射组件中的过渡热沉通过引线(如，金丝或金带)与所述陶瓷部分110金属部分120位于所述金属部分120内的部分区域进行电连接。

在本申请实施例中，所述光发射组件包括：过渡热沉131、激光器芯片132、准直透镜133、制冷器134、热敏电阻135、合波器136、带隔离器的透镜组件137和光纤138。

其中，所述制冷器134设于所述金属壳体121的底部，从而保证良好的热传导。在实际应用时，所述制冷器134可以通过焊料或胶水固定在所述金属壳体121的底部。

其中，所述过渡热沉131设于所述制冷器134上，从而所述制冷器134可以对所述过渡热沉131进行散热。在实际应用时，所述过渡热沉131可以通过焊料或胶水固定在所述制冷器上。

其中，所述激光器芯片132、所述准直透镜133和所述热敏电阻134设于所述过渡热沉131上，所述过渡热沉131与所述激光器芯片132、所述热敏电阻134之间电连接，从而实现对所述激光器芯片132、所述热敏电阻134的信号传输以及热量传输。所述准直透镜133设置在所述激光器芯片132的光信号传输光路上，所述准直透镜133用于将所述激光器芯片132发出的光信号汇聚成一束准直光束。在实际应用时，所述激光器芯片132和所述热敏电阻134可以通过焊料固定在所述过渡热沉131上，所述准直透镜133可以通过胶水固定在所述过渡热沉131上。需要说明的是，所述过渡热沉131上可以设置有多个所述激光器芯片132，每个所述激光器芯片132均对应设置有一个准直透镜133。

其中，所述合波器136设于所述金属壳体121的底部，所述合波器136设置在通过所述准直透镜133进行准直后的光信号的传输光路上，所述合波器136用于将多路所述准直透镜133准直后的准直光束合波成一路合波光束。在实际应用时，所述合波器136可以通过焊料或胶水固定在所述金属壳体121的底部。

其中，所述带隔离器的透镜组件137固定在所述金属窗体123上，所述光纤138的端面与所述带隔离器的透镜组件137固定连接，并通过所述金属窗体123与外部器件连接。所述带隔离器的透镜组件137用于隔离光路中由于各种原因产生的与合波光束传输方向不同的反向传输光，并将所述合波器136合波后的合波光束传输至所述光纤138内。本申请实施例中所述带隔离器的透镜组件137包括自聚焦光学透镜1371和隔离器1372，隔离器1372直接通过折射率匹配胶水贴装到自聚焦光学透镜1371的通光面，或通过金属套筒固定到所述金属窗体123上。所述带隔离器的透镜组件137和光纤138耦合在一起，并通过胶水或激光焊接的方式固定在所述金属窗体123上。本申请实施例为了简化了光发射组件中隔离器的装配、透镜的装配及他们之间的耦合工艺，用一件式的带隔离器的透镜组件代替现在技术中的分离结构，大大简化了组件间的耦合工序。用带隔离器的透镜组件代替通常设计中的非球面光学透镜，不仅降低了光学组件的成本，还降低了隔离器的成本。

需要说明的是，在所述光发射组件全部固定于所述金属壳体121内时，将所述金属管盖122通过热阻焊的方式固定到所述金属壳体121上，从而实现气密性封装。

在本申请实施例中，所述焊球包括球栅阵列BGA焊球。

在本申请实施例中，所述焊球和/或所述焊料层与所述陶瓷部分110、所述PCB板200焊接的温度范围为150℃-260℃。需要说明的是，由于所述陶瓷部分110与所述PCB板200进行焊接时，所述光发射组件已经全部封装于所述金属部分120内，若此时焊接的温度过高，会损伤所述金属部分120内的所述光发射组件。因此，本申请采用低温(150℃-260℃)植焊球焊接和/或低温(150℃-260℃)涂覆焊料层焊接的方式实现所述陶瓷部分110与所述PCB板200之间的电连接，在该温度范围内，不会对所述金属部分120内的所述光发射组件造成不良的影响。

在本申请实施例中，所述焊球包括锡银铜焊球、锡银焊球、铟银焊球或锡铋银焊球。

在本申请实施例中，所述焊料层的焊料包括锡银铜焊料、锡银焊料、铟银焊球或锡铋银焊料。

需要说明的是，对于不同成分的焊球或焊料，可以使用不同的助焊剂。助焊剂可促进焊球或焊料在焊接时的湿润延展以及去除杂质和氧化物。由于不同的焊球或焊料具有不同的熔点，因此可根据实际需要选择不同温度的助焊剂。另外，除了助焊剂之外，也可以使用焊膏，以在焊接过程中起到连接和润湿延展/去除杂质即氧化物的作用。在实际应用时，可以通过蘸或刷助焊剂(或焊膏)然后再进行植焊球或涂覆焊料层的方式来使用助焊剂(或焊膏)，本申请实施例对此不作限定。

在本申请实施例中，所述焊球的直径范围为50μm-150μm。

在本申请实施例中，所述焊料层的厚度范围为50μm-150μm。

在本申请实施例中，图5为本申请实施例提供的一种陶瓷部分的侧视图，图6为本申请实施例提供的一种陶瓷部分的俯视图，如图5和图6所示，所述陶瓷部分110上设有金属化焊盘111，所述植球焊接的焊球或所述焊料层形成在所述金属化焊盘111上；其中，所述金属化焊盘111呈C型分布或L型分布。需要说明的是，图5和图6仅示意出了所述金属化焊盘呈C型分布的情况。

如图5和图6所示，所述焊球以等间距的方式植在所述金属化焊盘111上，每个金属化焊盘111上的所植的焊球个数可以根据实际焊盘大小和焊球大小而进行调整。所述焊料层涂覆在所述金属化焊盘111上，在实际应用时，涂覆的焊料层仅覆盖金属化焊盘80％的面积。所述金属化焊盘111为矩形形状的焊盘，在实际应用时，所述金属化焊盘111的形状可以根据实际需求进行调整，本申请对此不作限定。

在本申请实施例中，图7为本申请实施例提供的一种过渡热沉的结构剖面示意图，图8为本申请实施例提供的一种过渡热沉的结构俯视示意图，如图7和图8所示，所述过渡热沉131为多层低温共烧陶瓷LTCC结构，所述过渡热沉131至少包括射频传输线层1311、接地线层1312、直流信号线层1313和贴装层1314。

所述直流信号线层1313的直流信号通过过孔与所述过渡热沉131表面的直流信号焊盘连接；和/或，所述射频传输线层1311的射频信号通过过孔与所述过渡热沉131表面的射频信号焊盘连接。

需要说明的是，图7和图8仅示意出了一种第一层为射频传输线层1311、第二层为接地线层1312、第三层为直流信号线层1313和第四层为贴装层1314的情况，而在实际应用时，可以根据实际需求对多层低温共烧陶瓷LTCC结构进行调整，例如将直流信号线层1313设于第一层或第二层，将射频传输线层1311设于第二层或第三层，本申请对此不作限定。本申请实施例提供的多层低温共烧陶瓷LTCC结构的过渡热沉，在不影响导热性的前提下，通过多层的形式，将平面空间内的信号线分布到垂直立体空间内，扩大过渡热沉表面的贴装面积，使得单位面积内该过渡热沉可集成更多的元件，从而大大提高了单位面积内的集成密度，可用于多通道高速器件封装或集成度较高的封装领域。

如图8所示，所述过渡热沉131表面设有焊盘、激光器芯片贴装区域1315、准直透镜贴装区域1316和热敏电阻贴装区域1317，所述焊盘包括直流信号焊盘和射频信号焊盘。

下面说明本申请实施例在一个实际应用场景中的示例性应用。

本申请实施例中提供了一种光发射装置，所述光发射装置包括：用于连接电信号和进行植球焊接或涂覆焊料层焊接的陶瓷部分，用于密封、焊接、导热作用的金属部分，用于装载高频匹配电路及多路激光器芯片的过渡热沉，用于发射光信号的激光器芯片，用于将激光器芯片的发射光准直的准直透镜，用于控制激光器芯片工作温度的制冷器，用于反馈激光器芯片工作温度的热敏电阻，用于合波的合波器，用于密封及光路承载作用的金属窗体，以及用于将平行光汇聚到光纤的带隔离器的透镜组件。

在一些实施例中，所述陶瓷部分设有金属化焊盘和传输线，用于连接低频直流电信号和高频射频信号。本申请实施例中用植焊球焊接和/或涂覆焊料层焊接代替管脚或软板连接，金属化焊盘可以用来植球或涂覆焊料层。陶瓷部分与PCB板之间通过植球焊接或通过涂覆焊料层进行焊接，以使所述光发射组件可以通过陶瓷部分与PCB板电连接。

在一些实施例中，所述光发射组件包括用于装载高频匹配电路及多路激光器芯片的过渡热沉，所述过渡热沉为采用低温共烧工艺制成多层陶瓷结构，该多层陶瓷结构在不影响导热性的前提下，通过多层的形式，将平面空间内的信号线分布到垂直立体空间内，例如将直流信号线设置在多层陶瓷结构的下层结构中(如第二层或第三层)，从而扩大了过渡热沉表面的贴装面积，使得单位面积内该过渡热沉可集成更多的元件，大大提高了单位面积内的集成密度，可用于多通道高速器件封装或集成度较高的封装领域。

在一些实施例中，所述激光器芯片直接贴装在过渡热沉上。高频匹配电路可以以金属化图形的方式或贴装的方式设置在过渡热沉上。所述准直透镜通过胶水贴装在过渡热沉上。所述过渡热沉贴装在制冷器上，制冷器通过焊料或胶水贴装在金属壳体的底部。用于温度反馈的热敏电阻贴装在陶瓷热沉的金属化焊盘上。用于合波的合波器通过胶水贴装在金属壳体的底部。

在一些实施例中，所述带隔离器的透镜组件包括：隔离器和自聚焦光学透镜，隔离器可以直接通过折射率匹配胶水贴装到自聚焦光学透镜的通光面，或通过金属套筒固定到金属窗体上。自聚焦光学透镜和光纤耦合在一起并用胶水或激光焊接的方式固定在金属套筒上。如此，减少了光发射组件制作过程中的耦合及固定工序，并由自聚焦光学透镜代替通常设计中的非球面光学透镜，也大大降低了物料的成本。所述带隔离器的透镜组件通过激光焊接或胶粘的方式与金属窗体固定在一起。

本申请实施例提供了一种光发射装置，包括：光发射组件、封装结构和印刷电路板PCB；其中，所述光发射组件设置在所述封装结构内部；所述封装结构包括一陶瓷部分；所述陶瓷部分与所述印刷电路板之间通过植球焊接或通过涂覆焊料层进行焊接，以使所述光发射组件通过所述陶瓷部分与所述印刷电路板电连接。本申请实施例中封装结构中的陶瓷部分和PCB板之间通过焊接连接，实现了光发射组件与所述PCB板之间的电连接，本申请实施例中采用植焊球焊接和/或涂覆焊料层焊接代替管脚或软板连接，如此，减少了信号线从电芯片到光发射组件之间的距离，减少了软带或管脚连接带来的阻抗突变，从而减小了光发射装置的占用空间，便于光发射装置的小型化、多功能化。

应理解，说明书通篇中提到的“一个实施例”或“一实施例”意味着与实施例有关的特定特征、结构或特性包括在本申请的至少一个实施例中。因此，在整个说明书各处出现的“在一个实施例中”或“在一实施例中”未必一定指相同的实施例。此外，这些特定的特征、结构或特性可以任意适合的方式结合在一个或多个实施例中。应理解，在本申请的各种实施例中，上述各过程的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本申请实施例的实施过程构成任何限定。上述本申请实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。

需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。

以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (8)

1.一种光发射装置，其特征在于，包括：光发射组件、封装结构和印刷电路板；其中，

所述光发射组件设置在所述封装结构内部；

所述封装结构包括一陶瓷部分；所述陶瓷部分与所述印刷电路板之间通过植球焊接或通过涂覆焊料层进行焊接，以使所述光发射组件通过所述陶瓷部分与所述印刷电路板电连接；

所述植球焊接的焊球或所述焊料层与所述陶瓷部分、所述印刷电路板焊接的温度范围为150℃-260℃；

所述光发射组件包括：过渡热沉；其中，所述过渡热沉为多层陶瓷结构，所述过渡热沉至少包括射频传输线层、接地线层、直流信号线层和贴装层；

所述直流信号线层设置在所述多层陶瓷结构的第二层或第三层。

2.根据权利要求1所述的光发射装置，其特征在于，所述陶瓷部分与所述印刷电路板之间通过植球焊接，

所述植球焊接具体为球栅阵列焊接。

3.根据权利要求1所述的光发射装置，其特征在于，所述陶瓷部分与所述印刷电路板之间通过植球焊接，

所述植球焊接的焊球包括锡银铜焊球、锡银焊球、铟银焊球或锡铋银焊球。

4.根据权利要求1所述的光发射装置，其特征在于，所述陶瓷部分与所述印刷电路板之间通过植球焊接，

所述植球焊接的焊球的直径范围为50μm-150μm。

5.根据权利要求1所述的光发射装置，其特征在于，所述陶瓷部分与所述印刷电路板之间通过涂覆焊料层进行焊接，

所述焊料层的厚度范围为50μm-150μm。

6.根据权利要求1所述的光发射装置，其特征在于，

所述陶瓷部分上设有金属化焊盘，所述植球焊接的焊球或所述焊料层形成在所述金属化焊盘上；

其中，所述金属化焊盘呈C型分布或L型分布。

7.根据权利要求1所述的光发射装置，其特征在于，

所述陶瓷部分包括单层低温共烧陶瓷或多层低温共烧陶瓷。

8.根据权利要求1所述的光发射装置，其特征在于，

所述直流信号线层的直流信号通过过孔与所述过渡热沉表面的直流信号焊盘连接；和/或，

所述射频传输线层的射频信号通过过孔与所述过渡热沉表面的射频信号焊盘连接。

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