CN104298626A - 存储控制设备、存储设备、信息处理系统与存储控制方法 - Google Patents

存储控制设备、存储设备、信息处理系统与存储控制方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了存储控制设备、存储设备、信息处理系统与存储控制方法。误差检测校正单元从第一存储器读取用于使系统操作的系统信息并且执行误差检测校正处理。控制单元在误差检测校正处理成功的情况下将系统信息提供给主计算机。此外，控制单元在检测校正处理失败的情况下从不同于第一存储器的第二存储器读取系统信息的备份并且将系统信息的备份提供给主计算机。

Description

存储控制设备、存储设备、信息处理系统与存储控制方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2013年7月19日提交的日本在先专利申请JP2013-150003的权益，通过引用将其全部内容结合在此。
技术领域
本技术涉及一种处理多种类型存储器的存储控制设备。具体地，本技术涉及其中用于操作系统的系统信息存储于多种类型的存储器中的一种存储控制设备、一种存储设备以及一种信息处理系统，以及涉及一种为此的处理方法和使计算机执行该方法的程序。
背景技术
在信息处理系统中，提前装备用于启动系统所必需的启动信息，并且所述信息处理系统被配置为在启动时读取启动信息。通常，启动信息存储在诸如磁盘或者非易失性存储器等非易失性记录介质中并且在启动时展开在主存储器中。此外，启动信息类似于用于操作系统的系统信息。例如，公开了电子装置，其中，根程序被压缩并被存储在非易失性存储器中，并且在开通电源时根程序被解压缩并展开在RAM中(例如，参考日本未经审查专利申请公开第2006-072989号)。
发明内容
在以上所述的现有技术中，在启动时读取存储在非易失性存储器中的启动信息并且将其展开在主存储器上。启动信息是系统启动时读取的信息，并且与普通数据的读取次数相比，启动信息的读取次数更高。存在随着单元的读取次数升高非易失性存储器容易劣化的情况。在这种情况下，存在这样一种问题，即，即使执行误差校正，也难以正常读取启动信息。
期望保存用于操作系统的系统信息并且正常执行系统操作。
根据本技术的实施方式，提供一种存储控制设备及其存储控制方法，存储控制设备包括：误差检测校正单元，从第一存储器读取用于操作系统的系统信息并且执行误差检测校正处理；和控制单元，在检测校正处理成功的情况下将系统信息提供给主计算机，并且在检测校正处理失败的情况下从第二存储器读取系统信息的备份并且将系统信息的备份提供给主计算机。这样，在系统信息读取失败的情况下，具有利用备份的效果。
根据本技术的实施方式的存储控制设备可进一步包括：解压缩单元，解压缩被压缩并且存储在第二存储器中的系统信息的备份并且将解压缩的系统信息的备份提供给控制单元。这样，具有使用压缩备份提高第二存储器的存储容量的效率的效果。
根据本技术的实施方式的存储控制设备可进一步包括：第二误差检测校正单元，执行从第二存储器读取的系统信息的备份的检测校正处理。在系统信息的备份的检测校正处理成功的情况下，控制单元可将备份提供给主计算机作为系统信息。这样，具有改善备份保全性的效果。
在根据本技术的实施方式的存储控制设备中，在系统信息的备份的检测校正处理成功的情况下，控制单元可致使备份存储在第一存储器中作为系统信息。这样，具有修复误差检测校正处理失败的系统信息的效果。
在根据本技术的实施方式的存储控制设备中，在系统信息的备份的检测校正处理失败的情况下，控制单元可通知主计算机不可以启动。这样，具有提示异常措施的效果。
在根据本技术的实施方式的存储控制设备中，期望第二误差检测校正单元比误差检测校正单元具有更高的误差检测校正能力。这样，具有提高备份保全性的效果。
在根据本技术的实施方式的存储控制设备中，在指示系统信息更新的情况下，控制单元可使更新指示的系统信息存储在第一存储器和第二存储器中。这样，具有更新系统信息的效果。
在根据本技术的实施方式的存储控制设备中，在检测校正处理失败的情况下，控制单元可读取由系统信息的多个备份组成的历史信息，选择包含在历史信息中的备份的任一个，并且将选择的备份提供给主计算机作为系统信息。这样，具有从多个备份指定任意备份并且将其用作系统信息的效果。
在根据本技术的实施方式的存储控制设备中，控制单元可使选择的备份存储在第一存储器中作为系统信息。这样，具有从多个备份指定任意备份并且将其修复为系统信息的效果。
根据本技术的实施方式的存储控制设备可进一步包括：对应表，对应表保存存储在第一存储器中的系统信息与存储在第二存储器中的系统信息的备份之间的对应关系。控制单元可基于对应表从第二存储器读取与系统信息对应的系统信息的备份。这样，具有识别其他存储器中对应地址的效果。
根据本技术的实施方式的存储控制设备可进一步包括：访问信息管理单元，访问信息管理单元管理存储在第二存储器中的系统信息的备份的访问历史。控制单元可指示第二存储器基于访问历史重写系统信息的备份。这样，具有基于访问历史执行备份刷新的效果。
在根据本技术的实施方式的存储控制设备中，在检测校正处理失败的情况下，控制单元可通知其需要一些时间提供系统信息。这样，具有防止主计算机从启动信息等待状态超时的效果。
在根据本技术的实施方式的存储控制设备中，控制单元可比较存储在第一存储器中的系统信息与存储在第二存储器中的系统信息的备份，并且检查两者彼此是否一致。这样，具有改善备份保全性的效果。
根据本技术的另一实施方式，提供一种存储设备，包括：第一存储器，存储用于操作系统的系统信息；第二存储器，存储系统信息的备份；误差检测校正单元，从第一存储器读取系统信息并且执行误差检测校正处理；以及控制单元，在检测校正处理成功的情况下将系统信息提供给主计算机，并且在检测校正处理失败的情况下从第二存储器读取系统信息的备份并且将系统信息的备份提供给主计算机。这样，在系统信息读取失败的情况下，具有提供系统信息备份的效果。
在根据本技术的实施方式的存储设备中，第一存储器和第二存储器可以是非易失性存储器，并且期望第一存储器的处理时间短于第二存储器的处理时间。这样，具有在正常操作期间高速执行系统信息的读取的效果。
根据本技术的又一实施方式，提供一种信息处理系统，包括：主计算机；第一存储器，存储用于操作信息处理系统的系统信息；第二存储器，存储系统信息的备份；误差检测校正单元，从第一存储器读取系统信息并且执行误差检测校正处理；以及控制单元，在检测校正处理成功的情况下将系统信息提供给主计算机，并且在检测校正处理失败的情况下从第二存储器读取系统信息的备份并且将系统信息的备份提供给主计算机。这样，在系统信息读取失败的情况下，具有使用系统信息备份执行操作的效果。
根据本技术，可以实现保存用于操作系统的系统信息并且正常执行系统操作的卓越效果。
附图说明
图1是示出了本技术的实施方式中的信息处理系统的配置概要的示图；
图2是示出了本技术的实施方式中的假定为高速非易失性存储器的电阻变化型非易失性存储器的电阻分布的示图；
图3是示出了本技术的第一实施方式中的存储系统模块的配置例的示图；
图4是示出了本技术的第一实施方式中的存储系统模块的启动信息获取处理的过程的实例的流程图；
图5是示出了本技术的第二实施方式中的存储系统模块的配置例的示图；
图6A和图6B是示出了本技术的第二实施方式中的存储系统模块的启动信息获取处理的过程的实例的流程图；
图7是示出了本技术的第三实施方式中的存储系统模块的配置例的示图；
图8是示出了本技术的第三实施方式中的存储系统模块的启动信息更新处理的过程的实例的流程图；
图9是示出了本技术的第四实施方式中的存储系统模块的配置例的示图；
图10是示出了本技术的第四实施方式中的存储系统模块的启动信息更新处理的过程的实例的流程图；
图11是示出了本技术的第五实施方式中的存储系统模块的配置例的示图；
图12A和图12B是示出了本技术的第五实施方式中的存储系统模块的启动信息获取处理的过程的实例的流程图；
图13A和图13B是示出了本技术的第五实施方式中的存储系统模块的启动信息更新处理的过程的实例的流程图；
图14是示出了本技术的第六实施方式中的存储系统模块的配置例的示图；
图15是示出了本技术的第六实施方式中的高速非易失性存储器的启动信息更新处理的过程的实例的流程图；
图16是示出了本技术的第六实施方式中的低速非易失性存储器的备份存储处理的过程的实例的流程图；
图17是示出了本技术的第一变形例中的存储系统模块的配置例的示图；
图18是示出了本技术的第一变形例中的存储系统模块的另一配置例的示图；
图19是示出了本技术的第二变形例中的存储系统模块的配置例的示图；
图20是示出了本技术的第三变形例中的存储系统模块的配置例的示图。
具体实施方式
在下文中，将描述本技术的实施方式。将按照下列顺序进行描述。
1.第一实施方式(无启动信息更新，由存储控制器主导)
2.第二实施方式(无启动信息更新，由主计算机主导)
3.第三实施方式(启动信息更新，由存储控制器主导)
4.第四实施方式(启动信息更新，由主计算机主导)
5.第五实施方式(系统信息的多个备份，由存储控制器主导)
6.第六实施方式(启动信息的多个备份，由主计算机主导)
7.变形例
1.第一实施方式
信息处理系统概要
图1是示出了本技术的实施方式中的信息处理系统的配置概要的示图。信息处理系统被配置为包括：主计算机100、存储控制器200、低速非易失性存储器300、以及高速非易失性存储器400。存储控制器200、低速非易失性存储器300、以及高速非易失性存储器400构成存储系统模块500。
主计算机100发出(issue，发行)请求存储系统模块500执行数据读取处理和数据写入处理的命令。
存储控制器200与主计算机100通信以接收该命令，并且对低速非易失性存储器300或者高速非易失性存储器400执行访问。在接收写入命令的情况下，存储控制器200指示低速非易失性存储器300或者高速非易失性存储器400写入从主计算机100接收的数据。此外，在接收读取命令的情况下，存储控制器200从低速非易失性存储器300或者高速非易失性存储器400读取数据并且将数据传输给主计算机100。
存储控制器200执行生成高速非易失性存储器400或者低速非易失性存储器300的误差校正码(ECC)的处理并且使用该ECC执行误差检测校正处理。即，当写入数据时，对应于各个数据项的奇偶校验(parity)被添加写入(在某些情况下，称之为编码)。此外，当读取数据时，基于数据和奇偶校验执行误差检测校正(在某些情况下，称之为解码)。误差校正码(ECC)被配置为具有信息和奇偶校验。
低速非易失性存储器300和高速非易失性存储器400两者均是非易失性存储器(NVM)。高速非易失性存储器400具有这样一种属性，即，比低速非易失性存储器300具有更短的读取处理时间。例如，NAND闪存被假定为低速非易失性存储器300(在下文中，在某些情况下，称之为低速NVM)。此外，例如，电阻变化型非易失性存储器被假定为高速非易失性存储器400(在下文中，在某些情况下，称之为高速NVM)。高速非易失性存储器400是根据本技术的权利要求的第一存储器的实例。此外，低速非易失性存储器300是根据本技术的权利要求的第二存储器的实例。在下文中，在假定低速非易失性存储器300和高速非易失性存储器400是不同存储器的情况下进行描述。然而，通过将存储器物理地分割成两个区域，可以致使存储器起低速非易失性存储器300和高速非易失性存储器400的作用。例如，在一个高速非易失性存储器中，在压缩情况下，对备份执行高的可校正的误差校正和编码，从主计算机100可以看出，备份具有更长的读取处理时间。因此，可以将备份区域处理为低速非易失性存储器。
在本技术的实施方式中，假定启动信息存储在高速非易失性存储器400中，并且在启动系统时被读取和提供给主计算机100。例如，启动信息是用于启动系统的信息并且包括启动程序、操作系统以及主应用程序。通过将启动信息存储在高速非易失性存储器400中，可以加快读取并且加速系统启动。在下文中，将描述启动系统时读取启动信息的实例。然而，本技术不仅可广泛应用于在启动时读取信息，而且还可应用于用于操作该系统的系统信息。例如，在启动之后高频度的使用的其他应用程序也是系统信息的实例。即，存在根据本技术的权利要求书所描述的系统信息包括在启动信息中的广义概念。
另一方面，通过将没有必要高速访问的数据存储在低速非易失性存储器300中，选择性地使用昂贵的高速非易失性存储器400和相对低速的非易失性存储器300，因此，可以实现系统配置的成本和性能的优化。
此外，在本技术的实施方式中，启动信息的备份存储在低速非易失性存储器300中。这样，当从高速非易失性存储器400中读取启动信息失败时，可以将所需的启动信息提供给主计算机100，因此，可以正常启动系统。
为了加速对低速非易失性存储器300的访问(access，存取)，可以将存储在低速非易失性存储器300中的数据压缩以减少数据大小。这样，可以减少访问区域，并且可以加速处理。因为写入低速非易失性存储器300或者从低速非易失性存储器300读取需要花长时间，所以即使考虑到用于压缩和解压缩处理的增加处理时间，也可以减少用于写入低速非易失性存储器300和从低速非易失性存储器300读取的时间。
在本技术的实施方式中，压缩指可逆的压缩。对其施加可逆压缩的单位是可选的。即，将整个启动信息作为单位统一执行可逆的压缩。此外，可以以启动程序、操作系统以及主应用程序为单位执行压缩。此外，可以在根据各个属性进一步细分的单位中执行压缩。此外，可以在诸如非易失性存储器400的页面大小等访问种类的单位中执行压缩。
高速非易失性存储器的电阻状态
图2是示出了本技术的实施方式中的被假定为高速非易失性存储器400的电阻变化型非易失性存储器的电阻分布的示图。电阻变化型非易失性存储器通过设置操作转变成低电阻状态(LRS)并且通过重置操作转变成高电阻状态(HRS)。在从电阻变化型非易失性存储器读取数据的情况下，基于由读取阀值指示的基准电阻值来确定电阻状态。
在设置操作和重置操作中，施加给该单元(cell)的电压的方向为互为反方向。在读取时，以与重置操作时的电压方向相同的方向将低电压施加给经受读取的单元。在通过读取使该单元劣化时，读取处理可以被视为弱写入处理。因此，存在读取次数多的单元具有差存储特性的趋势。
通过在低电阻状态与高电阻状态之间可逆的改变电阻状态，可以实现能够将一个位存储在一个存储器单元中的存储器。即使在停止施加电压之后，因为保存了数据，所以存储器行使为非易失性存储器。在下文中，将描述从低电阻状态的单元读取的数据为“1”并且从高电阻状态读取的数据为“0”的实例。然而，数字“1”和“0”可以与任何数据相关联。
存储系统模块的配置
图3是示出了本技术的第一实施方式中的存储系统模块500的配置例的示图。在附图中，为了避免复杂性，仅指示了用于描述本实施方式所需的电路配置和信号线，而且可包含用于构成系统的其他电路和信号线。
高速非易失性存储器400具有两个区域，第一区域是用于启动的根(root，引导)区域，并且第二区域是用于其他操作的区域。在根区域中，当系统产品出货时存储启动信息410。当主计算机100向存储系统模块500发出用于读取启动信息的指令时，存储控制器200的控制电路210参考对应表读取存储在根区域中的启动信息410。在第二区域中，可以存储除启动信息之外的任何数据。例如，将被高速访问的数据可以存储在高速非易失性存储器400中。此外，存储在低速非易失性存储器300中的数据副本可以存储为缓存。因为低速非易失性存储器300的写入需要花相对长的时间，所以写入过程中的断电可能导致数据丢失。因此，在将数据写入低速非易失性存储器300中之前，通过将数据临时写入为高速非易失性存储器400中的缓存，可以防止数据丢失。
低速非易失性存储器300具有两个区域，第一区域是作为根区域用于存储被压缩和备份的启动信息的区域，并且第二区域是用于用户数据的存储区域。在根区域中，存储了备份310，其中，压缩了当该产品出货时存储在高速非易失性存储器400中的启动信息。当从高速非易失性存储器400中读取启动信息410时，在启动信息410损坏的情况下，读取存储在低速非易失性存储器300中的备份310。用户数据存储在第二区域中，但是，可以根据需要存储其他数据。
除从主计算机100传输的用户数据之外，存储在低速非易失性存储器300和高速非易失性存储器400中的数据还包括：低速非易失性存储器300和高速非易失性存储器400的管理信息。此处，出于方便，省去了管理信息的信号路径。
在第一实施方式中，存储控制器200包括：控制电路210、ECC生成单元211和222、误差检测校正单元231和232、解压缩电路240、以及选择器251、252以及260。
控制电路210是控制存储控制器200中的各种操作的电路。控制电路210具有解释来自主计算机100的指令的功能。此外，控制电路210基于误差检测校正单元231和232中的检测校正处理的结果对低速非易失性存储器300和高速非易失性存储器400执行访问控制。此外，控制电路210通过下面所描述的启动信息修复标记或者启动信息成功标记将存储系统模块500的状态通知给主计算机100。此外，控制电路210将选择信号提供给选择器251和260。
此外，控制电路210保存这样一种对应表，即，指示低速非易失性存储器300和高速非易失性存储器400中各区域的对应关系，并且控制区域210具有识别对应于高速非易失性存储器400的根区域的低速非易失性存储器300的根区域的功能。在第一实施方式中，在从高速非易失性存储器400读取启动信息410失败的情况下，控制电路210开始从低速非易失性存储器300读取备份310。备份310存储在低速非易失性存储器300的根区域中，因此，控制电路210通过自动确定根区域开始读取。并不从主机中指示高速非易失性存储器400与低速非易失性存储器300的根区域的对应关系，而是使用控制电路210的对应表自动识别对应关系。
用于识别对应于高速非易失性存储器400的根区域的低速非易失性存储器300的根区域的对应表被假定为定义在规格(specification)或被包含在管理信息中。在规格中唯一定义对应表的情况下，对应表可存储为硬件或者ROM数据。在事先没有定义对应表的情况下，在存储系统模块500中开通电源之后，可以自动读取对应表作为存储在高速非易失性存储器400中的信息或者作为存储在低速非易失性存储器300中的管理信息。
高速非易失性存储器400中的启动信息410的访问与低速非易失性存储器300中的备份310的访问之间的对应关系取决于压缩的单位。例如，在启动程序、OS、以及主应用程序等三个单位中执行压缩的情况下，为了从低速非易失性存储器300读取对应备份310，需要地址的对应关系。
ECC生成单元221生成写入低速非易失性存储器300中的数据的ECC。由ECC生成单元221生成的ECC的奇偶校验被写入低速非易失性存储器300中作为与该数据相关联的ECC。
ECC生成单元222生成写入高速非易失性存储器400中的数据的ECC。由ECC生成单元222生成的ECC的奇偶校验被写入高速非易失性存储器400中作为与该数据相关联的ECC。
误差检测校正单元231基于从低速非易失性存储器300读取的ECC执行误差检测和校正处理。经由信号线238将误差检测和校正处理的成功或者失败通知给控制电路210。如果没有检测到误差，误差检测和校正处理视为成功。即使检测到误差并且可以校正该误差，误差检测和校正处理也视为成功。另一方面，在很难校正所检测误差的情况下，误差检测和校正处理视为失败。误差检测校正单元231是本技术的权利要求书中第二误差检测校正单元的实例。
误差检测校正单元232基于从高速非易失性存储器400读取的ECC执行误差检测和校正处理。经由信号线239将误差检测和校正的成功或者失败通知给控制单元210。误差检测校正单元232是本技术的实施方式中的误差检测校正单元的实例。
解压缩电路240解压缩由误差检测校正单元231执行误差检测和校正处理的数据。在假定输入数据是压缩的情况下，则解压缩电路240执行用于将压缩数据返回至原始状态的解压缩处理。
选择器251选择由误差检测校正单元231对其执行检测校正处理的数据或者由解压缩电路240解压缩的数据中的任一种。选择器251基于经由信号线25作为来自控制电路210的指示给出的选择信号来执行选择。
选择器252选择作为来自主计算机100的指示给出的写入数据或者选择器251的输出的任一种。选择器252基于从选择器251指示的选择信号执行选择。
选择器260选择由误差检测校正单元232对其执行检测和校正处理的数据或者选择器251的输出中的任一种。选择器260基于经由信号线269从控制电路210指示的选择信号执行选择。
在第一实施方式中，存储系统模块500包括：作为主计算机100与存储系统模块500之间的接口的信号线110、120、131至133。信号线110将从低速非易失性存储器300或者高速非易失性存储器400读取数据提供给主计算机100。读取数据包括启动信息。信号线120将写入数据从主计算机100提供给低速非易失性存储器300或者高速非易失性存储器400。
信号线131被用于从主计算机100读取启动信息的指示。信号线132被用于向计算机100通知指示启动信息正在进行修复的启动信息修复标记。信号线133被用于向主计算机100的通知指示启动信息的修复成功的启动信息修复成功标记。
此处，描述了使用专用信号线作为接口的实例。然而，如果可以通过命令通过指令、通过寄存器轮询(register polling)的处理状态确认、或者独立端口共享传输相同的信息，则可以使用其他手段来实现该接口。此外，为了避免附图的复杂性，即使图3中未示出各功能，但是，诸如包含于存储系统模块500中的命令地址的传输等功能被假定为与作为信息处理系统所包含的功能类似。在图3中，为了清楚地示出选择器，示出了单向通信接口的实例。然而，也可以使用双向通信接口。
存储系统模块的操作
图4是示出了本技术的第一实施方式中的存储系统模块500的启动信息获取处理的过程的实例的流程图。
首先，主计算机100向存储系统模块500发出用于读取启动信息的指令(步骤S911)。控制电路210分析由主计算机100发出的用于读取启动信息的指令并且执行从高速非易失性存储器400读取启动信息410的控制(步骤S912)。误差检测校正单元232对从高速非易失性存储器400读取的启动信息410执行误差检测校正处理并且经由信号线239将检测校正处理的成功或者失败通知给控制电路210(步骤S913)。
在检测校正处理成功的情况下(在步骤S914中，是)，控制电路210经由信号线269控制选择器260并且将从误差检测校正单元232输出的启动信息输出给主计算机100(步骤S915)。主计算机100使用启动信息执行启动处理(步骤S916)。
在检测校正处理失败的情况下(在步骤S914中，否)，控制电路210经由信号线132将正在对启动信息进行修复并且其需要时间来提供启动信息通知主计算机100(步骤S912)。通知防止主计算机100从启动信息等待状态超时。然后，控制电路210执行从低速非易失性存储器300读取启动信息的压缩备份310的控制(步骤S922)。误差检测校正单元231对从低速非易失性存储器300读取的备份310执行误差检测校正处理并且经由信号线238将检测校正处理的成功或者失败通知给控制电路210(步骤S923)。
在检测校正处理成功的情况下(在步骤S924中，是)，解压缩电路240解压缩从误差检测校正单元231输出的备份(步骤S931)。控制电路210经由信号线259和269控制选择器251和260并且将解压缩电路240的输出输出给主计算机100作为启动信息(步骤S932)。此外，由来自选择器251的信号线258控制选择器252，并且将选择器251的输出提供给ECC生成单元222。这样，ECC生成单元222生成有关选择器252的输出的ECC(步骤S935)。控制电路210基于选择器252的输出将由ECC生成单元222生成的ECC写入高速非易失性存储器400，以修复高速非易失性存储器400的启动信息410(步骤S937)。控制电路210经由信号线132和133通知主计算机100启动信息的修复成功结束(步骤S938)。这样，主计算机100使用在步骤S932输出的启动信息执行启动处理(步骤S916)。
在检测校正处理失败的情况下(在步骤S924中，否)，控制电路210经由信号线132和133通知主计算机100启动信息的修复失败而结束(步骤S925)。这样，主计算机100通知用户启动处理已失败并且不能启动(步骤S926)。
在本实例中，在步骤S935和步骤S936中结束高速非易失性存储器400中启动信息的修复之后，执行主计算机100中的启动处理。然而，可以并行执行启动信息410的修复和启动处理。
此外，在本实例中，假定整个启动信息被压缩。然而，在压缩单位较小的情况下，可以顺次压缩启动信息并且可以参考对应表进行修复。例如，在对各个文件类型执行压缩的情况下，可以视为从高速非易失性存储器400逐一读取文件，执行误差检测校正处理，将一个文件的启动信息输出给主计算机100，并且重复上述处理。此外，例如，在对各个页面执行压缩的情况下，可以视为从高速非易失性存储器400读取各个页面的文件，执行误差检测校正处理，将一个页面的启动信息输出给主计算机100，并且重复上述处理。
这样，根据本技术的第一实施方式，在从高速非易失性存储器400读取启动信息失败的情况下，可以通过从低速非易失性存储器300读取压缩的备份310并对其解压缩来启动系统。此外，可以基于压缩备份310修复高速非易失性存储器400中的启动信息410。
变形例
在本实例中，用于启动信息修复标记或者启动信息成功标记的专用信号线被设置为主计算机100与存储控制器200之间的接口。然而，可以使用能够通知的任何手段，诸如，寄存器值轮询。此外，在本实例中，设置用于来自主计算机100的读取启动信息的指令的专用信号线。然而，可以使用能够指示进行读取的任何手段，诸如，命令。
此外，主计算机100可具有指示比较启动信息410与备份310以检查一致性的功能。在这种情况下，存储系统模块500具有通知主计算机100一致性检查结果的功能。例如，假定执行用于检查每次启动处理的一致性的指令为预定次数。此外，主计算机100甚至可具有在启动之外时间指示检查一致性并且接收一致性检查结果的通知作为用于检查启动信息的手段的功能。例如，主计算机100可以在检测误差校正时指示进行一致性检查。
此外，关于高速非易失性存储器400的根区域与低速非易失性存储器300的根区域的对应表，主计算机100可具有生成ECC并且基于误差位数执行对应表刷新的功能。
此外，在能够启动多个系统的双根系统的情况下，可以视为将系统的相应区域管理表进行分割并且选择性地使用。
此外，此处，在备份310被压缩的假定下进行了描述。然而，非压缩状态的备份310可以存储在低速非易失性存储器300中。然而，在这种情况下，用于存储备份310的存储容量相比较于压缩情况下的容量变大。
上述所述变形例可以应用于其他实施方式。
2.第二实施方式
在上述所述第一实施方式中，存储控制器200主导启动信息获取的执行。然而，在第二实施方式中，根据来自主计算机100的指令获取启动信息。
存储系统模块的配置
图5是示出了本技术的第二实施方式中的存储系统模块500的配置例的示图。
在第二实施方式中，存储系统模块500包括作为主计算机100与存储系统模块500之间接口的信号线110、120、131、以及134至136。信号线110、120以及131类似于第一实施方式中的那些信号线。
信号线134被用于来自主计算机100的读取备份的指示。信号线135被用于来自主计算机100的修复启动信息的指示。信号线136被用于向主计算机100通知指示启动信息读取失败的启动信息读取标记。
在第二实施方式中，存储系统模块500包括不同于第一实施方式的点的工作存储器270。然而，在其他点上，第二实施方式中的存储系统模块500包括基本类似于第一实施方式中的配置。
工作存储器270是用于临时保存在存储控制器200中执行各种处理所必须的数据的易失性存储器。通过提供工作存储器270，可以临时保存来自主计算机100的指令结果。因此，可以根据来自主计算机100的指令进行各种处理。
在第二实施方式中，控制电路210通过启动信息读取失败标记将存储系统模块500的状态通知给主计算机100。此外，控制电路210经由信号线257执行工作存储器270的访问控制。其他点类似于第一实施方式中的情况。
存储系统模块的操作
图6A和图6B是示出了本技术的第二实施方式中的存储系统模块500的启动信息获取处理的过程的实例的流程图。
在执行正常获取启动信息的情况下，关于来自主计算机100的读取启动信息的指令(步骤S911)，该处理过程直至启动处理(步骤S916)类似于第一实施方式中的过程。
在检测校正处理失败的情况下(在步骤S914中，否)，控制电路210经由信号线136将指示启动信息读取失败的启动信息读取失败标记通知给主计算机100(步骤S917)。响应于此，主计算机100经由信号线134发出用于从低速非易失性存储器300读取压缩的启动信息的备份310的指令(步骤S918)。分析指令的控制电路210重置信号线136的启动信息读取失败标记(步骤S919)。这样，主计算机100识别为开始备份310的读取启动。然后，控制电路210执行从低速非易失性存储器300读取启动信息的压缩备份310的控制(步骤S922)。误差检测校正单元231对从低速非易失性存储器300读取的备份310执行误差检测校正处理并且经由信号线238将检测校正处理的成功或者失败通知给控制电路210(步骤S923)。
在检测校正处理成功的情况下(在步骤S924中，是)，解压缩电路240解压缩从误差检测校正单元231输出的备份(步骤S931)。控制电路210经由信号线259和269控制选择器251和269并且将解压缩电路240的输出输出给主计算机100作为启动信息(步骤S933)。同时，除经由信号线259控制选择器251之外，控制电路210通过经由信号线257执行写入工作存储器270的控制将解压缩电路240(解压缩启动信息)的输出写入工作存储器270(步骤933)。随后，主计算机100经由信号线135发出用于修复高速非易失性存储器400中的启动信息410的指令(步骤S934)。分析指令的控制电路210从工作存储器270读取解压缩启动信息并且从选择器252将解压缩启动信息提供给ECC生成单元222。这样，ECC生成单元222生成有关选择器252的输出的ECC(步骤S936)。控制电路210基于选择器252的输出将由ECC生成单元222生成的ECC写入高速非易失性存储器400，以修复高速非易失性存储器400的启动信息410(步骤S937)。主计算机100可以通过类似于诸如状态寄存器的读取等正常手段的成功和失败确认手段来识别写入的成功或者失败。因此，主计算机100使用在步骤S933中输出的启动信息执行启动处理(步骤S916)。
在检测校正处理失败的情况下(在步骤S924中，否)，控制电路210通过重置信号线136的启动信息读取失败标记通知主计算机100启动信息的修复因失败而结束(步骤S925)。因此，主计算机100通知用户启动处理已失败并且不能启动(步骤S926)。
在本实例中，在启动处理之前(步骤S916)执行步骤S936和步骤S937中的修复处理。然而，因为启动信息保存在工作存储器270中，所以主计算机100可在启动之后发出修复指令。
这样，根据本技术的第二实施方式，在从高速非易失性存储器400读取启动信息失败的情况下，主计算机100可以主导执行备份310的读取处理。
变形例
在本实例中，存储控制器200中误差检测校正处理的失败被视为异常。相反，即使在误差检测校正处理成功的情况下，当主计算机100自身检测到启动信息异常时，主计算机100能够使用压缩备份310。不仅可以通过在写入高速非易失性存储器400中时由存储控制器200生成的ECC检测异常，而且还可以通过主计算机100将CRC或者校验和添加到启动信息来检测异常。
此外，在主计算机100具有任一用户界面的情况下，用户还可以指示使用并且修复备份。即，在系统不能自动检测误差的情况下，诸如ECC的误差确定，用户可以发现启动操作的缺陷，并且可以指示使用备份310启动并且修复高速非易失性存储器400中的启动信息410。
本发明中所描述的变形例可以应用于其他实施方式。
3.第三实施方式
在以上描述的第一实施方式和第二实施方式中，假定在产品出货前写入的启动信息继续使用，而没有更新启动信息的内容。相反，在第三实施方式中，根据需要适当更新启动信息。
存储系统模块的配置
图7是示出了本技术的第三实施方式中的存储系统模块500的配置例的示图。
在第三实施方式中，存储系统模块500包括：作为主计算机100与存储系统模块500之间的接口的信号线110、120、131至133、以及137。信号线110、120、以及131至133类似于第一实施方式中的那些信号线。信号线137被用于自主计算机100写入启动信息的指令。
在第三实施方式中，存储系统模块500包括：选择器253而非选择器252并且包括新压缩电路241，即，不同于第一实施方式的一个点。然而，在其他点中，第三实施方式中的存储系统模块500包括基本类似于第一实施方式中的配置。
压缩电路241是压缩经由信号线120提供的写入数据的电路。选择器253选择由压缩电路241压缩的数据或者未被压缩的数据中的任一种。经由信号线256从控制电路210向选择器253提供选择信号。选择器253的输出被提供给ECC生成单元221。
在第三实施方式中，控制电路210经由信号线256执行选择器253的选择控制。其他点类似于第一实施方式中的情况。
存储系统模块的操作
在第三实施方式中，启动信息获取处理的过程类似于第一实施方式中的过程。
图8是示出了本技术的第三实施方式中的存储系统模块500的启动信息更新处理的过程的实例的流程图。
首先，主计算机100发出用于写入启动信息的指令并且将更新的启动信息传输给存储系统模块500(步骤S941)。控制电路210分析从主计算机100发出的写入启动信息的指令(步骤S942)。
在下列过程中执行将启动信息写入高速非易失性存储器400中。从主计算机100输出的启动信息经由选择器253照原样被提供给ECC生成单元221。ECC生成单元221生成启动信息的ECC(步骤S943)。然后，控制电路210控制使得所生成的ECC被写入高速非易失性存储器400中(步骤S944)。
在下列过程中执行将启动信息写入低速非易失性存储器300中。压缩电路241对从主计算机100发出的启动信息执行压缩处理(步骤S948)。压缩的启动信息经由选择器253被提供给ECC生成单元221。ECC生成单元221生成启动信息的ECC(步骤S951)。然后，生成的ECC被写入低速非易失性存储器300中(步骤S952)。
在本实例中，假定顺次执行将生成的ECC写入高速非易失性存储器400中和写入低速非易失性存储器300中。然而，可以并行执行两者。即，可以相互并行执行步骤S943和S944与步骤S948、步骤S951以及步骤S952。
此外，在本实例中，假定从主计算机100输入所有启动信息。然而，可以仅输入指示将被更新部分的更新文件。在这种情况下，通过参考对应表获的方式获取对应于启动信息410的更新部分的备份310的地址。此时，在更改数据大小的情况下，更新对应表。
此外，同样，还是在仅输入更新页面(page)的情况下，通过参考对应表的方式获取对应于启动信息410的更新页面的备份310的地址。此时，在更改数据大小的情况下，更新对应表。
此外，同样，还是在输入所有启动信息并压缩该所有启动信息，并且备份各种类型文件的情况下，通过逐个文件参考对应表的方式获取对应该文件的备份310的地址。此时，在更改数据大小的情况下，更新对应表。
此外，同样，还是在输入所有启动信息并压缩该所有启动信息，并且备份各页面的情况下，通过逐个页面的参考对应表的方式获取对应于该页面的备份310的地址。此时，在更改数据大小的情况下，更新对应表。
这样，根据本技术的第三实施方式，可以更新启动信息410和备份310。
变形例
在本实例中，在通过压缩运算不能减少启动信息的大小的情况下，启动信息可以不经过压缩被写入低速非易失性存储器300。在这种情况下，可以视为通过在备份310的标头(header)保存指示启动信息是否被压缩的压缩标记来指示启动信息是否被压缩。此外，压缩标记可以包含在对应表中。此外，可以作为上述标记之外的管理信息管理压缩标记。在读取时，通过控制电路210参考压缩标记控制选择器253，可以在不经过压缩电路241的情况下输出启动信息备份。
此外，主计算机100可发出用于比较性检查低速非易失性存储器300中的压缩备份与高速非易失性存储器400中的非压缩信息的指令。除第一实施方式的情况之外，在压缩备份损坏的情况下，假定第三实施方式包括通过压缩存储在高速非易失性存储器400中的启动信息而将压缩备份重写入低速非易失性存储器300中的功能。即，在低速非易失性存储器300的误差检测校正处理失败或者发生读取时其他缺陷的情况下，通过压缩从高速非易失性存储器400读取的启动信息可以重写低速非易失性存储器300中的压缩备份。
本发明中所描述的变形例可以应用于其他实施方式。
4.第四实施方式
在以上所述的第三实施方式中，存储控制器200主导执行启动信息的更新。然而，在第四实施方式中，根据来自主计算机100的指令获取启动信息。
存储系统模块的配置
图9是示出了本技术的第四实施方式中的存储系统模块500的配置例的示图。
在第四实施方式中，存储系统模块500包括：作为主计算机100与存储系统模块500之间的接口的信号线110、120、131、134、以及136至138。信号线110、120以及131类似于第一实施方式中的那些信号线。此外，信号线134和136类似于第二实施方式中的那些信号线。此外，信号线137类似于第三实施方式中的信号线。信号线138被用于来自主计算机100的读取备份的指令。在第四实施方式中，第二实施方式中为修复启动信息的指令而设置的信号线135被为写入启动信息的指令而设置的信号线137所取代。
在第四实施方式中，存储系统模块500包括：选择器253而非选择器252并且包括新压缩电路242，即，不同于第二实施方式的一个点。然而，在其他点中，第四实施方式中的存储系统模块500包括基本类似于第二实施方式中的配置。
压缩电路242是压缩保存在工作存储器270中的写入数据的电路。选择器253选择由压缩电路242压缩的写入数据和经由信号线120提供给的写入数据中的任一种。经由信号线256从控制电路210提供选择器253的选择信号。选择器253的输出被提供给ECC生成单元221。
在第四实施方式中，控制电路210经由信号线256执行选择器253的选择控制。其他点类似与第二实施方式中的情况。
存储系统模块的操作
在第四实施方式中，启动信息获取处理的处理过程类似于第二实施方式中的过程。
图10是示出了本技术的第四实施方式中的存储系统模块500的启动信息更新处理的过程的实例的流程图。
关于来自主计算机100用于写入启动信息的指令(步骤S941)，处理过程直至执行对高速非易失性存储器400的写入处理(步骤S944)类似于第三实施方式中的情况。
在下列过程中执行将启动信息写入低速非易失性存储器300中。控制电路210经由信号线279控制工作存储器270并且将从主计算机100输出的启动信息写入工作存储器270(步骤S945)。然后，主计算机100经由信号线138发出用于写入备份的指令(步骤S946)。分析指令的控制电路210经由信号线279控制工作存储器270并且从工作存储器270读取启动信息(步骤S947)。压缩电路242压缩读取的启动信息(步骤S949)。压缩的启动信息经由选择器253被提供给ECC生成单元221。ECC生成单元221生成启动信息的ECC(步骤S951)。然后，生成的ECC被写入低速非易失性存储器300中(步骤S952)。
在本实例中，假定顺次执行将生成的ECC写入高速非易失性存储器400中并且写入低速非易失性存储器300中。然而，可以并行执行两者。即，可以相互并行执行步骤S943和步骤S944与步骤S945至步骤S952。
这样，根据本技术的第四实施方式，主计算机100可以主导执行启动信息410和备份310的更新处理。
5.第五实施方式
在以上所述的第三实施方式和第四实施方式中，在更新备份310时，重写更新备份310并且始终保留一个备份，然而，在第五实施方式中，低速非易失性存储器300中保留备份的历史。
存储系统模块的配置
图11是示出了本技术的第五实施方式中的存储系统模块500的配置例的示图。
在第五实施方式中，存储系统模块500包括：作为主计算机100与存储系统模块500之间的接口的信号线110、120、131、134、136、137以及139。信号线110、120以及131类似于第一实施方式中的那些信号线。此外，信号线134和136类似于第二实施方式中的那些信号线。此外，信号线137类似于第三实施方式中的信号线。信号线139被用于来自主计算机100的用于读取历史表的指令。
不同于第三实施方式和第四实施方式，在第五实施方式中，多个压缩备份存储在低速非易失性存储器300中作为历史表320。此外，主计算机100具有识别存储系统模块500存储多个压缩的备份的功能。此外，主计算机100具有通过从存储系统模块500输出的历史表指定任意版本的功能。历史表包括主计算机100使用其可以识别压缩的备份的特征的信息，诸如，多个压缩的备份的版本号或者更新时间。此外，历史表包括指示相应压缩备份存储在低速非易失性存储器300的根区域中的地址的地址信息。
在第五实施方式中，存储系统模块500包括：历史表生成单元215和选择器254，即，不同于第三实施方式中的一个点。然而，在其他点中，第五实施方式中的存储系统模块500包括基本类似于第三实施方式中的配置。
历史表生成单元215在对低速非易失性存储器300中的压缩备份310进行更新时添加(append，追记)历史，诸如，有关低速非易失性存储器300的根区域中保存的历史表的备份的版本号。如果低速非易失性存储器300的根区域中没有存储新启动信息的备份的任何区域，则历史表生成单元215自动重写旧版本。此外，还可以通过指定写入和重写既存版本的区域的主计算机100来保护写入区域。
选择器254选择由历史表生成单元215生成的并且经由信号线248提供的历史表或者选择器253的输出任何一个并且将选择的一个提供给ECC生成单元221。经由信号线255由控制线路210执行对选择器254的控制。
在第五实施方式中，控制电路210通过启动信息读取失败标记将存储系统模块500的状态通知给主计算机100。此外，控制电路210经由信号线255控制选择器254中的选择处理。
存储系统模块的操作
图12A和图12B是示出了本技术的第五实施方式中的存储系统模块500的启动信息获取处理的过程的实例的流程图。
关于来自主计算机100的用于读取启动信息的指令(步骤S811)，处理过程直至执行在正常获取启动信息的情况下的启动处理(步骤S816)类似于第一实施方式中的过程(步骤S911至步骤S916)。
在检测校正处理失败的情况下(在步骤S814中，否)，控制电路210经由信号线136将指示启动信息的读取失败的启动信息读取失败标记通知给主计算机100(步骤S817)。响应于此，主计算机100经由信号线139向存储系统模块500发出用于从低速非易失性存储器300读取历史表的指令(步骤S818)。分析指令的控制电路210控制从低速非易失性存储器300读取历史表(步骤S819)。误差检测校正单元231执行从低速非易失性存储器300读取的历史表的误差检测校正处理并且经由信号线238将检测校正处理的成功或者失败通知给控制电路210(S821)。
在检测校正处理成功的情况下(在步骤S822中，是)，控制电路210经由信号线259和269控制选择器251和260并且将历史表输出给主计算机100作为启动信息(步骤S831)。随后，主计算机100从历史表选择压缩备份的一个版本并且经由信号线134发出用于读取备份以及指定版本的指令(步骤S832)。控制电路210分析用于读取备份的指令并且执行读取指定版本的控制(步骤S833)。误差检测校正单元231对读取备份执行误差检测校正处理并且经由信号线238将误差检测校正处理的成功或者失败通知给控制电路210(步骤834)。
在检测校正处理成功的情况下(在步骤S835中)，控制电路210经由信号线259和269控制选择器251和260并且将解压缩电路240的输出输出给主计算机100作为启动信息(步骤S836)。此外，ECC生成单元222生成由解压缩电路240解压缩的压缩备份启动信息的ECC(步骤S837)。控制电路210将由ECC生成单元222生成的ECC写入高速非易失性存储器400中，以修复高速非易失性存储器400的启动信息410(步骤S838)。因此，主计算机100使用在步骤S836中输出的启动信息执行启动(步骤S816)。
在检测校正处理失败的情况下(在步骤S822或者步骤S835中，否)，控制电路210经由信号线136通知主计算机100备份读取失败并且启动信息的修复失败(步骤S823)。因此，主计算机100通知用户启动处理失败并且不能启动(步骤S824)。
图13A和图13B是示出了本技术的第五实施方式中的存储系统模块500的启动信息更新处理的过程的实例的流程图。
关于来自主计算机100的用于写入启动信息的指令(步骤S961)，处理过程直至执行对高速非易失性存储器400的写入处理(步骤S964)类似于第三实施方式中的过程(步骤S941至步骤S944)。
在图13A和图13B中，假定并行执行对高速非易失性存储器400的写入和对低速非易失性存储器300的写入。在下列过程中执行对低速非易失性存储器300的写入。压缩电路241执行由主计算机100发出的启动信息的压缩(步骤S965)。此时，控制电路210控制信号线255和256使得压缩的启动信息被输入到ECC生成单元221。控制电路210控制从低速非易失性存储器300读取历史表(步骤S966)。误差检测校正单元231对从低速非易失性存储器300读取的历史表执行误差检测校正并且经由信号线238将误差检测校正处理的成功或者失败通知给控制电路210(步骤S967)。
在检测校正处理成功的情况下(在步骤S968中，是)，历史表生成单元215从历史表检查低速非易失性存储器300的根区域中是否存在空的空间(步骤S968)。在容量中存在用于额外写入的空的空间的情况下(在步骤S969中，是)，历史表生成单元215将新写入压缩备份的版本号、时间、以及根区域中的地址额外地写入历史表中(步骤S971)。在压缩备份是针对各个文件或者针对各个页面的情况下，仅起始点地址存储在历史表中并且与详细地址的对应关系存储在对应表中。另一方面，在容量中不存在用于额外写入的空的空间的情况下(在步骤S969中，否)，历史表生成单元215从历史表确定最旧的历史信息并且将新写入压缩备份的版本号、时间、以及根区域中地址重写到历史表中(步骤S972)。
在检测校正处理失败的情况下(在步骤S968中，否)，历史表生成单元215将新写入压缩备份的版本号、时间以及根区域中的地址存储在由历史表之中的规格等事先确定的初始历史表中(步骤S973)。即，因为由于误差校正处理失败而丢失到目前为止的历史，所以执行与创建新历史表相同的处理。
在步骤S971至步骤S973中的任一步骤的存储历史之后，步骤S965中压缩的启动信息经由选择器253、254被提供给ECC生成单元221。ECC生成单元221生成压缩启动信息的ECC(步骤S974)。然后，控制电路210将生成的ECC写入到低速非易失性存储器300中(步骤S975)。
控制电路210控制信号线255并且将历史表输入到ECC生成单元221中(步骤S976)。ECC生成单元221生成历史表的ECC(步骤S977)。然后，生成的ECC被写入到低速非易失性存储器300中(步骤S978)。
在本实例中，假定并行执行将生成的ECC写入到高速非易失性存储器400中并且将生成的ECC写入到低速非易失性存储器300中。然而，可以顺次执行两者。
此外，在根区域中不存在空的空间的情况下，重写最旧的历史(步骤S972)。然而，主计算机100可从存储系统模块500接收不存在空的空间的通知并且可具有指定重写区域的功能。
此外，在本实例中，在修复高速非易失性存储器400的根区域之后，执行主计算机100的启动处理。然而，可以并行执行高速非易失性存储器400的根区域的修复和主计算机100的启动处理。
此外，在本实例中，当对备份的误差检测校正处理失败时，视为修复失败。然而，因为保存了多个备份，所以主计算机100可指定另一个版本并且尝试对根区域进行修复。
这样，根据本技术的第五实施方式，可以将启动信息的备份的历史存储在低速非易失性存储器300中。
变形例
在本实例中，在低速非易失性存储器300的根区域中不存在空的空间的情况下，自动重写最旧的历史。然而，可以由主计算机100指定重写区域。在这种情况下，存储系统模块500具有通知主计算机100不存在空的空间的功能。此外，主计算机100具有在接收通知之后指示存储系统模块500从历史表指定将被重写的版本的功能。
此外，在本实例中，历史表存储在低速非易失性存储器300中，但是可以存储在高速非易失性存储器400中。此外，在存储系统模块500具有另一记录介质的情况下，历史表可以存储在该记录介质中。
本发明中所描述的变形例可以应用于其他实施方式。
6.第六实施方式
在以上所述的第五实施方式中，存储控制器200主导将备份历史存储在低速非易失性存储器300中。然而，在第六实施方式中，根据来自主计算机100的指令存储备份的历史。
存储系统模块的配置
图14是示出了本技术的第六实施方式中的存储系统模块500的配置例的示图。
在第六实施方式中，存储系统模块500包括：作为主计算机100与存储系统模块500之间的接口的信号线110、120、131、134、以及136至139。信号线110、120以及131类似于第一实施方式中的那些信号线。此外，信号线134和136类似于第二实施方式中的那些信号线。此外，信号线137类似于第三实施方式中的信号线137。此外，信号线138类似于第四实施方式中的信号线138。此外，信号线139类似于第五实施方式中的信号线139。
在第六实施方式中，存储系统模块500包括：工作存储器270，即，不同于第五实施方式的一个点，并且在其他点中，第六实施方式中的存储系统模块500包括基本类似于第五实施方式中的配置。工作存储器270是与第二实施方式和第四实施方式中的存储器具有相同功能的存储器。
在第六实施方式中，控制电路210基于从低速非易失性存储器300读取的对应表具有自动识别对应于高速非易失性存储器400的根区域的低速非易失性存储器300的根区域的功能。
存储系统模块的操作
在第六实施方式中，启动信息获取处理的处理过程类似于第五实施方式中的处理过程。此外，在第六实施方式中，在存储系统模块500的启动信息更新处理中，因为不希望连动(link)高速非易失性存储器400的启动信息的更新与低俗非易失性存储器300中压缩备份的存储，所以将单独对其进行描述。
图15是示出了本技术的第六实施方式中的高速非易失性存储器400的启动信息更新处理的过程的实例的流程图。
首先，主计算机100发出用于写入启动信息的指令并且将更新的启动信息传输给存储系统模块500(步骤S841)。控制电路210分析从主计算机100发出的用于写入启动信息的指令并且将启动信息写入工作存储器270中(步骤S842)。ECC生成单元222生成启动信息的ECC(步骤S843)。然后，控制电路210控制使得生成的ECC被写入高速非易失性存储器400中(步骤S844)。
图16是示出了本技术的第六实施方式中的低速非易失性存储器300的备份存储处理的过程的实例的流程图。
首先，主计算机100发出用于读取历史表的指令(步骤S851)。控制电路210执行从低速非易失性存储器300读取历史表的控制(步骤S852)。误差检测校正单元231对从低速非易失性存储器300读取的历史表执行误差检测校正处理并且经由信号线238将检测校正处理的成功或者失败通知给控制电路210(步骤S853)。基于该通知，控制电路210将检测校正处理的成功或者失败通知给主计算机100(步骤S854)。然后，控制电路210执行历史表到主计算机100的输出控制(步骤S855)。主计算机100参考历史表确定备份的写入区域(步骤S856)。
主计算机100将启动信息传输给存储系统模块500(步骤S857)。然后，控制电路210将从主计算机100传输的启动信息存储到工作存储器270中(步骤S858)。如果在步骤S842中已经存储启动信息，则可以省去步骤S857和步骤S858。
主计算机100指定备份的写入区域并且经由信号线138发出用于写入备份的指令(步骤S859)。控制电路210读取存储在工作存储器270中的启动信息并且使压缩电路242压缩启动信息(步骤S861)。
在步骤S853中检测校正处理失败的情况下(在步骤S862中，否)，控制电路210初始化历史表(步骤S863)。控制电路210更新由主计算机100指定的区域的历史(步骤S864)。ECC生成单元221生成在步骤S861中压缩的启动信息的ECC(步骤S865)。然后，控制电路210将生成的ECC写入低速非易失性存储器300中(步骤S866)。
控制电路210控制信号线255并且将历史表输入到ECC生成单元221中(步骤S867)。ECC生成单元221生成历史表的ECC(步骤S868)。然后，控制电路210将生成的ECC写入低速非易失性存储器300中(步骤S869)。
这样，根据本技术的第六实施方式，主计算机100可以主导执行启动信息的备份的存储处理。
7.变形例
第一变形例
在上述所述各个实施方式中，假定控制电路210保存指示低速非易失性存储器300和高速非易失性存储器400中的区域的对应关系的对应表。然而，对应表可以存储在低速非易失性存储器300中。在第一变形例中，控制电路210可以根据从低速非易失性存储器300读取的对应表识别高速非易失性存储器400的根区域与低速非易失性存储器300的根区域的对应关系。
图17是示出了本技术的第一变形例的存储系统模块500的配置例的示图。该配置例基于第一实施方式并且具有的不同点在于对应表330存储在低速非易失性存储器300中。
在第一变形例中，在第一变形例基于第一实施方式的情况下，在步骤S922中读取压缩启动信息的过程之前，插入从低速非易失性存储器300读取对应表并且生成其ECC的处理过程。其他点与第一实施方式中的相同
根据第一变形例，因为可以在产品出货时或者之后可以容纳(accommodated)对应表的生成，所以可以基于诸如压缩运算或者启动信息的大小等产品适当地分割区域。
在第一实施方式中，因为连续使用了在出货时存储的启动信息和压缩备份，所以对应表没有任何变化。如同在第三实施方式至第六实施方式中，在更新启动信息并且对应表变化的情况下，希望更新并且改写对应表。图18示出了在这种情况下第一变形例中的存储系统模块500的配置例。控制电路210包括更新对应表的对应表更新单元216。此外，存储控制器200包括选择来自主计算机100的对应表与来自控制电路210的对应表中的任一个的选择器254。选择器254被来自控制电路210信号线255控制。如果更新对应表，则由对应表更新单元216更新的对应表被写入低速非易失性存储器300中。
此外，在第一变形例中，假定对应表存储在低速非易失性存储器300中。然而，对应表可以存储在高速非易失性存储器400中，并且在存储控制器200包括任何非易失性存储器的情况下啊，可以使用非易失性存储器。此外，在第一变形例中，作为对应表的抗误差强化，类似于启动信息的情况，对应表可以存储在低速非易失性存储器300和高速非易于失性存储器400两者中，并且在这种情况下，压缩的对应表可以存储在低速非易失性存储器300中。此外，除普通的ECC之外，可以通过强化ECC保护对应表。
第二变形例
在第二变形例中，强化ECC用作备份的抗误差强化。
图19是示出了本技术的第二变形例中的存储系统模块500的配置例的示图。该配置例基于第一实施方式，并且存储系统模块500进一步包括：根据信号线283选择来自强化误差检测校正单元281、以及误差检测校正单元281或者低速非易失性存储器300的数据中的任一种的选择器282。此外，其中，使用强化ECC的备份311存储在低速非易失性存储器300中。
误差检测校正单元281对从低速非易失性存储器300读取的备份311执行误差检测校正处理。在本实例中，误差检测校正单元281并不将误差检测校正处理的成功或者失败通知给控制电路210。在误差检测校正单元231中确定读取备份311的误差检测校正处理的成功或者失败。
在第二变形例中，在第二变形例基于第一实施方式的情况下，在步骤S923中压缩启动信息的误差检测校正处理的步骤之前，插入通过误差检测校正单元281进行误差检测校正处理过程。其他点与第一实施方式中的相同。
根据第二变形例，除通过误差检测校正单元231的普通误差检测校正处理之外，可以通过由误差检测校正单元281执行强化误差检测校正处理保护被压缩和存储的备份311并且强化抗误差(the error resistance)。此处，因为备份311被压缩，所以区域中存在空间。与未经压缩的备份的情况中的抗误差相比较，通过将用于强化ECC添加到因压缩被腾出的空区域的，可以改善抗误差。
在第二变形例中，误差检测校正单元281与误差检测校正单元231串联布置。然而，通过并联布置错误检测校正单元281和误差检测校正单元231，可以使用比单个误差检测校正单元231的情况下更强大的ECC。只要该方法能够添加具有比单个误差检测校正单元231的情况下的ECC更高的误差检测校正能力的ECC，则可以使用任何其他方法。
第三变形例
在第三变形例中，通过将管理信息添加到压缩和备份的启动信息中，执行诸如刷新处理等状态管理。
图20是示出了本技术的第三变形例中的存储系统模块500的配置例的示图。第三变形例基于第一实施方式，并且存储系统模块500包括选择器253和254而非选择器252并且包括新压缩电路241和访问信息管理单元214。此外，低速非易失性存储器300包括用于访问信息340的存储区域。
压缩电路241是压缩经由信号线120提供的写入数据的电路。选择器253选择由压缩电路241压缩的数据或者未被压缩的数据中的任一种。经由信号线256从控制电路210提供选择器253的选择信号。
选择器254选择由访问信息管理单元214生成并且经由信号线247的访问信息或者选择器253的输出中的任一中并且将选择的一种提供给ECC生成单元221。由控制线路210经由信号线255执行对选择器254的控制。
访问信息管理单元214生成并且管理访问信息。访问信息是有关对备份310访问的历史的信息，例如，包括备份310的最后读取时间或者读取次数。访问信息作为出货时的初始信息被存储，并且当读取低速非易失性存储器300的根区域时，读取并且更新访问信息页，然后，再次被写入低速非易失性存储器300中。
通常，作为保护该信息的一种方法，存在刷新处理，其中，重写存储在非易失性存储器中的信息的内容。在第三变形例中，在长时间不读取低速非易失性存储器300的根区域的情况和读取次数较大的情况下，存在损坏存储信息的内容的可能性。因此，如上所述，通过包括在根区域中的访问信息，可以使用有关经过时间和从存储读取的次数的阀值确定被执行的刷新。
在假定为低速非易失性存储器300的NAND闪存中，存在自存储经过时间较长损坏概率较高的情况。如果将读取根区域的时间保存为访问信息，则可以根据经过时间推定损坏可能性。例如，在基于损坏概率p指定ECC的可校正位数的情况下，如果损坏概率超过p，则存在误差校正失败的可能性。另一方面，如果假定在特定经过时间段内损坏概率的推定值为q，则通过事先设置具有q<p的值作为阀值的经过时间T，并且在经过时间达到T时执行刷新，可以保护存储信息。
在假定为高速非易失性存储器400的电阻变化型存储器时，存在存储信息的损坏概率随着读取次数的增加而增加的情况。如果将根区域的读取次数保存为访问信息，则可以根据读取次数推定损坏概率。例如，在基于损坏概率p指定ECC的可校正位数的情况下，如果损坏概率超过p，则存在解码失败的可能性。另一方面，如果假定在特定读取次数之后的损坏概率的推定值为q，则通过将具有q<p的值的读取次数N事先设置为阀值并且在读取次数达到N时执行刷新，可以保护存储信息。
在第三变形例中，在第三变形例基于第一实施方式的情况下，在步骤S922中读取压缩启动信息的步骤之前，插入下列三个处理过程。即，读取访问信息的处理，根据该访问信息确定是否执行刷新的处理，以及如果满足刷新条件执行刷新的处理。其他点与第一实施方式中的相同。
根据第三变形例，能够有效执行存储在低速非易失性存储器300中的备份的刷新处理，因此，可以改善备份的可靠性和系统启动的安全性。
在刷新处理时，可以考虑读取存储信息并且按原样将其重写、或者在重写误差校正之后获得该值的方法，并且可以采用这些方法中的任一种。
此外，在第三变形例中，假定访问信息存储在与用于备份的区域分离的区域中，则与备份读取的控制分离执行访问信息的读取控制，并且访问信息被视为具有独立ECC的数据。相反，作为另一变形例，可以整体生成访问信息和备份的ECC。
上述所述实施方式时用于实现本技术的实例，并且实施方式中的各个项和权利要求书中的特定项分别具有对应关系。同样，权利要求书中的特定项和与本技术的实施方式中的相同名称的各个项分别具有对应关系。然而，本技术并不局限于各种实施方式，并且在不背离本技术的范围的情况下，可以通过执行实施方式的各种变形来实现本技术。
此外，上述实施方式中所描述的处理过程可以被视为具有一系列过程的方法，控制可以被视为用于致使计算机执行一系列过程的方法或者被视为用于引起计算机执行一系列过程的程序，或者视为存储该程序的记录介质。例如，光盘(CD)、迷你盘(MD)、数字化通用磁盘(DVD)、存储卡、或者蓝光光盘可以用作记录介质。
本技术可以具有下列配置。
(1)一种存储控制设备，包括：
误差检测校正单元，从第一存储器读取用于使系统操作的系统信息并且执行误差检测校正处理；以及
控制单元，在所述误差检测校正处理成功的情况下将所述系统信息提供给主计算机，并且在所述检测校正处理失败的情况下从第二存储器读取所述系统信息的备份并且将所述系统信息的所述备份提供给所述主计算机。
(2)根据以上(1)所述的存储控制设备，进一步包括：
解压缩单元，解压缩被压缩并存储在所述第二存储器中的所述系统信息的所述备份并且将所解压缩的所述系统信息的所述备份提供给所述控制单元。
(3)根据以上(1)或(2)所述的存储控制设备，进一步包括：
第二误差检测校正单元，执行从所述第二存储器读取的所述系统信息的所述备份的检测校正处理；
其中，在所述系统信息的所述备份的所述检测校正处理成功的情况下，所述控制单元将所述备份提供给所述主计算机作为所述系统信息。
(4)根据以上(3)所述的存储控制设备，
其中，在所述系统信息的所述备份的所述检测校正处理成功的情况下，所述控制单元使所述备份存储在所述第一存储器中作为所述系统信息。
(5)根据以上(3)所述的存储控制设备，
其中，在所述系统信息的所述备份的所述检测校正处理失败的情况下，所述控制单元通知所述主计算机不能启动。
(6)根据以上(3)所述的存储控制设备，
其中，所述第二误差检测校正单元比所述误差检测校正单元具有更高的误差检测校正能力。
(7)根据以上(1)至(6)中的任一项所述的存储控制设备，
其中，在指示所述系统信息的更新的情况下，所述控制单元使新指示的系统信息存储在所述第一存储器和所述第二存储器中。
(8)根据以上(1)至(7)中的任一项所述的存储控制设备，
其中，在所述检测校正处理失败的情况下，所述控制单元读取由所述系统信息的多个备份组成的历史信息，选择包含在所述历史信息中的所述备份中的任一个，并且将所选择的所述备份提供给所述主计算机作为所述系统信息。
(9)根据以上(8)中的任一项所述的存储控制设备，
其中，所述控制单元使所述选择的备份存储在所述第一存储器中作为所述系统信息。
(10)根据以上(1)至(9)中的任一项所述的存储控制设备，进一步包括：
对应表，保存存储在所述第一存储器中的所述系统信息与存储在所述第二存储器中的所述系统信息的所述备份之间的对应关系，
其中，所述控制单元基于所述对应表从所述第二存储器读取对应于所述系统信息的所述系统信息的所述备份。
(11)根据以上(1)至(10)中的任一项所述的存储控制设备，进一步包括：
访问信息管理单元，管理存储在所述第二存储器中的所述系统信息的所述备份的访问历史，
其中，所述控制单元指示所述第二存储器基于所述访问历史重写所述系统信息的所述备份。
(12)根据以上(1)至(11)中的任一项所述的存储控制设备，
其中，在所述检测校正处理失败的情况下，所述控制单元通知所述控制单元需要一些时间来提供所述系统信息。
(13)根据以上(1)至(12)中的任一项所述的存储控制设备，
其中，所述控制单元比较存储在所述第一存储器中的所述系统信息与存储在所述第二存储器中的所述系统信息的所述备份，并且检查两者是否彼此一致。
(14)一种存储设备，包括：
第一存储器，存储用于使系统操作的系统信息；
第二存储器，存储所述系统信息的备份；
误差检测校正单元，从所述第一存储器读取所述系统信息并且执行误差检测校正处理；以及
控制单元，在所述检测校正处理成功的情况下将所述系统信息提供给主计算机，并且在所述检测校正处理失败的情况下从第二存储器读取所述系统信息的备份并且将所述系统信息的所述备份提供给所述主计算机。
(15)根据以上(14)所述的存储设备，
其中，所述第一存储器和所述第二存储器是非易失性存储器，以及
其中，所述第一存储器的处理时间短于所述第二存储器的处理时间。
(16)一种信息处理系统，包括：
主计算机；
第一存储器，存储用于操作所述信息处理系统的系统信息；
第二存储器，存储所述系统信息的备份；
误差检测校正单元，从所述第一存储器读取所述系统信息并且执行误差检测校正处理；以及
控制单元，在所述检测校正处理成功的情况下将所述系统信息提供给所述主计算机，并且在所述检测校正处理失败的情况下从所述第二存储器读取所述系统信息的所述备份并且将所述系统信息的所述备份提供给所述主计算机。
(17)一种存储控制方法，包括：
误差检测校正过程，其中，从第一存储器读取系统信息并且执行误差检测校正处理；以及
控制过程，其中，在所述检测校正处理成功的情况下将所述系统信息提供给主计算机，并且在所述检测校正处理失败的情况下从第二存储器读取所述系统信息的备份并将所述系统信息的所述备份提供给所述主计算机。
本领域技术人员应当理解的是，只要在所附权利要求书或者其等同物的范围内，可以根据设计需要和其他因素做出各种变形、组合、子组合以及修改。

Claims (18)

1.一种存储控制设备，包括：
误差检测校正单元，从第一存储器读取用于使系统操作的系统信息并且执行误差检测校正处理；以及
控制单元，在所述误差检测校正处理成功的情况下将所述系统信息提供给主计算机，并且在所述检测校正处理失败的情况下从第二存储器读取所述系统信息的备份并且将所述系统信息的所述备份提供给所述主计算机。
2.根据权利要求1所述的存储控制设备，进一步包括：
解压缩单元，解压缩被压缩并存储在所述第二存储器中的所述系统信息的所述备份并且将所解压缩的所述系统信息的所述备份提供给所述控制单元。
3.根据权利要求1所述的存储控制设备，进一步包括：
第二误差检测校正单元，执行从所述第二存储器读取的所述系统信息的所述备份的检测校正处理，
其中，在所述系统信息的所述备份的检测校正处理成功的情况下，所述控制单元将所述备份提供给所述主计算机作为所述系统信息。
4.根据权利要求3所述的存储控制设备，
其中，在所述系统信息的所述备份的检测校正处理成功的情况下，所述控制单元使所述备份存储在所述第一存储器中作为所述系统信息。
5.根据权利要求3所述的存储控制设备，
其中，在所述系统信息的所述备份的检测校正处理失败的情况下，所述控制单元通知所述主计算机不能启动。
6.根据权利要求3所述的存储控制设备，
其中，所述第二误差检测校正单元比所述误差检测校正单元具有更高的误差检测校正能力。
7.根据权利要求1所述的存储控制设备，
其中，在指示所述系统信息的更新的情况下，所述控制单元使新指示的所述系统信息存储在所述第一存储器和所述第二存储器中。
8.根据权利要求1所述的存储控制设备，
其中，在所述检测校正处理失败的情况下，所述控制单元读取由所述系统信息的多个备份组成的历史信息，选择包含在所述历史信息中的所述备份中的任一个，并且将所选择的备份提供给所述主计算机作为所述系统信息。
9.根据权利要求8所述的存储控制设备，
其中，所述控制单元使所选择的备份存储在所述第一存储器中作为所述系统信息。
10.根据权利要求1所述的存储控制设备，进一步包括：
对应表，保存存储在所述第一存储器中的所述系统信息与存储在所述第二存储器中的所述系统信息的所述备份之间的对应关系，
其中，所述控制单元基于所述对应表从所述第二存储器读取对应于所述系统信息的所述系统信息的备份。
11.根据权利要求1所述的存储控制设备，进一步包括：
访问信息管理单元，管理存储在所述第二存储器中的所述系统信息的所述备份的访问历史，
其中，所述控制单元指示所述第二存储器基于所述访问历史重写所述系统信息的所述备份。
12.根据权利要求1所述的存储控制设备，
其中，在所述检测校正处理失败的情况下，所述控制单元通知需要一些时间来提供所述系统信息。
13.根据权利要求1所述的存储控制设备，
其中，所述控制单元比较存储在所述第一存储器中的所述系统信息与存储在所述第二存储器中的所述系统信息的所述备份，并且检查两者是否彼此一致。
14.根据权利要求1所述的存储控制设备，进一步包括：
第一误差校正码(ECC)生成单元，被配置为生成写入所述第一存储器中的数据的误差校正码；以及
第二误差校正码生成单元，被配置为生成写入所述第二存储器中的数据的误差校正码。
15.一种存储设备，包括：
第一存储器，存储用于使系统操作的系统信息；
第二存储器，存储所述系统信息的备份；
误差检测校正单元，从所述第一存储器读取所述系统信息并且执行误差检测校正处理；以及
控制单元，在所述检测校正处理成功的情况下将所述系统信息提供给主计算机，并且在所述检测校正处理失败的情况下从第二存储器读取所述系统信息的备份并且将所述系统信息的所述备份提供给所述主计算机。
16.根据权利要求15所述的存储设备，
其中，所述第一存储器和所述第二存储器是非易失性存储器，以及
其中，所述第一存储器的处理时间短于所述第二存储器的处理时间。
17.一种信息处理系统，包括：
主计算机；
第一存储器，存储用于操作所述信息处理系统的系统信息；
第二存储器，存储所述系统信息的备份；
误差检测校正单元，从所述第一存储器读取所述系统信息并且执行误差检测校正处理；以及
控制单元，在所述检测校正处理成功的情况下将所述系统信息提供给所述主计算机，并且在所述检测校正处理失败的情况下从所述第二存储器读取所述系统信息的所述备份并且将所述系统信息的所述备份提供给所述主计算机。
18.一种存储控制方法，包括：
误差检测校正过程，其中，从第一存储器读取系统信息并且执行误差检测校正处理；以及
控制过程，其中，在所述检测校正处理成功的情况下将所述系统信息提供给主计算机，并且在所述检测校正处理失败的情况下从第二存储器读取所述系统信息的备份并将所述系统信息的所述备份提供给所述主计算机。
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