CN104281337A - 电容屏边缘走线镀金属方法及电容屏 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种电容屏边缘走线镀金属方法,设置电容屏,按功能设定制作出边缘导通电路的分列排布方式及规格;按样板规格在电容屏布线区域完成布线蚀刻及微蚀形成导通电路的通路组成;将完成蚀刻的电容屏预浸后活化处理;将活化后的电容屏布线区进行镀镍或镀薄金的化学镀金属处理;经烘烤干燥后覆上保护膜,完成电镀过程并封装成型。适用于所有电容式触控面板边缘线路的形成,使边缘走线更简单,电阻稳定,降低通道阻抗,简化工艺流程,提高成品良品率;本发明还提供一种满足该方法的电容屏,提高了导电性,增强了走线的稳定性,并简化工艺,降低生产成本,产量比常规丝印银胶方式要高,品质更有保证,做到高质量、高精度的品质保障。
Description
技术领域
本发明涉及电容屏设计技术,尤其涉及一种电容屏边缘走线镀金属方法,更涉及一种满足该方法的电容屏。
背景技术
电容式触摸屏是在玻璃表面镀上一层透明的特殊金属导电物质。当手指触摸在金属层上时,触点的电容就会发生变化,使得与之相连的振荡器频率发生变化,通过测量频率变化可以确定触摸位置获得信息。电容屏为了降低边缘走线部分的阻抗需要一层导电性能良好的金属膜来辅助实现。传统的边缘线路都采用丝印银胶或钼铝钼工艺来实现。常规丝印银胶的方法是将电容屏做好PATTERN后,采用钢网大张丝印银胶,然后烘烤,并丝印保护油墨后再烘烤,使得丝印方式精度低钢丝网和银胶成本高且流程时间长并银胶存在断路,短路现象。钼铝钼工艺流程是将钼铝钼ITO镀膜玻璃是在真空状态下以磁控溅射的方法在玻璃正反表面镀上ITO导电膜,然后再在浮法面镀上钼、铝、钼金属膜层。此方法造成前期投入资金庞大且流程复杂,工序繁琐。
发明内容
本发明的目的在于,针对现有技术的不足,提供一种电容屏边缘走线镀金属方法,适用于所有电容式触控面板边缘线路的形成,采用化学镀金属属的方法在边缘形成线路,降低通道阻抗,简化工艺流程,提高成品良品率;本发明还提供一种满足该方法的电容屏,提高了导电性,增强了走线的稳定性,并简化工艺,降低生产成本。
为有效解决上述问题,本发明采取的技术方案如下:
一种电容屏边缘走线镀金属方法,该方法包括以下步骤:
(1)设置电容屏,该电容屏由ITO玻璃/膜基板及边缘导通电路组成;
(2)制作样板,按所述电容屏功能设定制作出边缘导通电路的分列排布方式及规格;
(3)蚀刻,按所述样板规格在所述电容屏布线区域完成布线蚀刻及微蚀形成导通电路的通路组成;
(4)活化,将完成蚀刻的电容屏预浸后活化处理;
(5)镀金属,将活化后的电容屏布线区进行镀镍或镀薄金的化学镀金属处理;
(6)烘烤成型,将镀金属完成的电容屏经烘烤干燥后覆上保护膜,完成电镀过程并封装成型。
特别的,所述步骤(1)还包括以下步骤:
所述电容屏ITO玻璃基板/膜由ITO玻璃面及背面组成,所述边缘导通电路由分别位于两个平面的垂直交互的双向电极连通双向电路组成,所述电容屏为清洗完成的无尘品。
特别的,所述步骤(2)还包括以下步骤:
样板制作包括不同尺寸、规格与功能控制的不同电容屏系列制作,根据不同的需求可任意设计或更改样板的走线方式及导通电路内部组成结构,不影响所述电容屏的电路导通功能,并在同一电路排布区域设计不少于两种的导通电路走线方式,实现导通电路设计的灵活度选择。
特别的,所述步骤(3)还包括以下步骤:
在蚀刻的过程中首先完成蚀刻,对导通电路走向总体定型后并清洗干净,然后对定型完成的导通电路进行局部修改与调整,即完成微蚀过程,实现导通电路的高精度设计,整体修改完成后对整个布线区域或整块电容屏进行水洗。
特别的,所述步骤(4)还包括以下步骤:
所述活化过程首先在热固性/热塑性预浸料中进行预浸,然后在循环搅拌后的酸度2.6的药液中活化1-4分钟,活化过程的温度控制在26℃-30℃之间,活化完成后通过预浸料中的后浸处理完成并巩固活化效果。
特别的,所述步骤(5)还包括以下步骤:
将活化完成后的电容屏通过化学反应实现镀镍,其镀镍过程中进料区域需要接近搅拌区,避免局部浓度过高,造成镀层不均匀,且PH值控制在5-7之间,镀镍完成后经双纯水洗后,通过化学反应实现镀薄金,其温度控制在90℃左右,PH控制在5-7之间,镀金属溶液浓度在0.5-1.0g/l之间,将镀镍或镀薄金完成后完成水洗。
一种满足上述方法的电容屏,该电容屏由基板及设置在基板边缘的布线区域组成,所述基板由由ITO玻璃/膜基板组成,所述布线区域包括垂直交互的两组电极及多组组合排布的导通电路,所述导通电路及与之相连的电极通过化学镀金属形成镀金属层实现走线分布。
特别的,所述电极走线及导通电路走线不在同一平面内。
特别的,所述布线区域上包括一层丝印保护胶。
特别的,所述镀金属层由镀镍层和/或镀薄金层组成。
本发明的有益效果:本发明提供的电容屏边缘走线镀金属方法,适用于所有电容式触控面板边缘线路的形成,采用化学镀金属属的方法在边缘形成线路,使边缘走线更简单,电阻稳定,降低通道阻抗,简化工艺流程,提高成品良品率;本发明还提供一种满足该方法的电容屏,提高了导电性,增强了走线的稳定性,并简化工艺,降低生产成本,产量比常规丝印银胶方式要高,品质更有保证,做到高质量、高精度的品质保障。
下面结合附图对本发明进行详细说明。
附图说明
图1是本发明公开的电容屏边缘走线镀金属方法流程图;
图2是本发明公开的电容屏边缘走线镀金属方法又一流程图;
图3是本发明公开的电容屏组成结构示意图。
具体实施方式
实施例:
如图1及图2所示,本实施例中的电容屏边缘走线镀金属方法包括以下步骤:
(1)设置电容屏,该电容屏由ITO玻璃/膜基板及边缘导通电路组成;所述电容屏ITO玻璃基板/膜由ITO玻璃面及背面组成,所述边缘导通电路由分别位于两个平面的垂直交互的双向电极连通双向电路组成,所述电容屏为清洗完成的无尘品。
(2)制作样板,按所述电容屏功能设定制作出边缘导通电路的分列排布方式及规格;样板制作包括不同尺寸、规格与功能控制的不同电容屏系列制作,根据不同的需求可任意设计或更改样板的走线方式及导通电路内部组成结构,不影响所述电容屏的电路导通功能,并在同一电路排布区域设计不少于两种的导通电路走线方式,实现导通电路设计的灵活度选择。
(3)蚀刻,按所述样板规格在所述电容屏布线区域完成布线蚀刻及微蚀形成导通电路的通路组成;在蚀刻的过程中首先完成蚀刻,对导通电路走向总体定型后并清洗干净,然后对定型完成的导通电路进行局部修改与调整,即完成微蚀过程,实现导通电路的高精度设计,整体修改完成后对整个布线区域或整块电容屏进行水洗。
(4)活化,将完成蚀刻的电容屏预浸后活化处理;所述活化过程首先在热固性/热塑性预浸料中进行预浸,然后在循环搅拌后的酸度2.6的药液中活化1-4分钟,活化过程的温度控制在26℃-30℃之间,活化完成后通过预浸料中的后浸处理完成并巩固活化效果。
(5)镀金属,将活化后的电容屏布线区进行镀镍或镀薄金的化学镀金属处理;将活化完成后的电容屏通过化学反应实现镀镍,其镀镍过程中进料区域需要接近搅拌区,避免局部浓度过高,造成镀层不均匀,且PH值控制在5-7之间,镀镍完成后经双纯水洗后,通过化学反应实现镀薄金,其温度控制在90℃左右,PH控制在5-7之间,镀金属溶液浓度在0.5-1.0g/l之间,将镀镍或镀薄金完成后完成水洗。
(6)烘烤成型,将镀金属完成的电容屏经烘烤干燥后覆上保护膜,完成电镀过程并封装成型。
申请人声明,所属技术领域的技术人员在上述实施例的基础上,将上述实施例某步骤,与发明内容部分的技术方案相组合,从而产生的新的方法,也是本发明的记载范围之一,本申请为使说明书简明,不再罗列这些步骤的其它实施方式。
如图3所示,一种满足上述方法的电容屏,该电容屏由基板及设置在基板边缘的布线区域组成,所述基板由由ITO玻璃/膜基板组成,所述布线区域包括垂直交互的两组电极及多组组合排布的导通电路,所述导通电路及与之相连的电极通过化学镀金属形成镀金属层实现走线分布。
所述电极走线及导通电路走线不在同一平面内。所述布线区域上包括一层丝印保护胶。所述镀金属层由镀镍层和/或镀薄金层组成。
本实施例重要技术原理为:
本发明提供的电容屏边缘走线镀金属方法,适用于所有电容式触控面板边缘线路的形成,采用化学镀金属属的方法在边缘形成线路,使边缘走线更简单,电阻稳定,降低通道阻抗,简化工艺流程,提高成品良品率;本发明还提供一种满足该方法的电容屏,提高了导电性,增强了走线的稳定性,并简化工艺,降低生产成本,产量比常规丝印银胶方式要高,品质更有保证,做到高质量、高精度的品质保障。
申请人又一声明,本发明通过上述实施例来说明本发明的实现方法及装置结构,但本发明并不局限于上述实施方式,即不意味着本发明必须依赖上述方法及结构才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了,对本发明的任何改进,对本发明所选用实现方法等效替换及及步骤的添加、具体方式的选择等,均落在本发明的保护范围和公开范围之内。
本发明并不限于上述实施方式,凡采用和本发明相似结构及其方法来实现本发明目的的所有方式,均在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种电容屏边缘走线镀金属方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:
(1)设置电容屏,该电容屏由ITO玻璃/膜基板及边缘导通电路组成;
(2)制作样板,按所述电容屏功能设定制作出边缘导通电路的分列排布方式及规格;
(3)蚀刻,按所述样板规格在所述电容屏布线区域完成布线蚀刻及微蚀形成导通电路的通路组成;
(4)活化,将完成蚀刻的电容屏预浸后活化处理;
(5)镀金属,将活化后的电容屏布线区进行镀镍或镀薄金的化学镀金属处理;
(6)烘烤成型,将镀金属完成的电容屏经烘烤干燥后覆上保护膜,完成电镀过程并封装成型。
2.根据权利要求1所述的电容屏边缘走线镀金属方法,其特征在于,所述步骤(1)还包括以下步骤:
所述电容屏ITO玻璃基板/膜由ITO玻璃面及背面组成,所述边缘导通电路由分别位于两个平面的垂直交互的双向电极连通双向电路组成,所述电容屏为清洗完成的无尘品。
3.根据权利要求1所述的电容屏边缘走线镀金属方法,其特征在于,所述步骤(2)还包括以下步骤:
样板制作包括不同尺寸、规格与功能控制的不同电容屏系列制作,根据不同的需求可任意设计或更改样板的走线方式及导通电路内部组成结构,不影响所述电容屏的电路导通功能,并在同一电路排布区域设计不少于两种的导通电路走线方式,实现导通电路设计的灵活度选择。
4.根据权利要求1所述的电容屏边缘走线镀金属方法,其特征在于,所述步骤(3)还包括以下步骤:
在蚀刻的过程中首先完成蚀刻,对导通电路走向总体定型后并清洗干净,然后对定型完成的导通电路进行局部修改与调整,即完成微蚀过程,实现导通电路的高精度设计,整体修改完成后对整个布线区域或整块电容屏进行水洗。
5.根据权利要求1所述的电容屏边缘走线镀金属方法,其特征在于,所述步骤(4)还包括以下步骤:
所述活化过程首先在热固性/热塑性预浸料中进行预浸,然后在循环搅拌后的酸度2.6的药液中活化1-4分钟,活化过程的温度控制在26℃-30℃之间,活化完成后通过预浸料中的后浸处理完成并巩固活化效果。
6.根据权利要求1所述的电容屏边缘走线镀金属方法,其特征在于,所述步骤(5)还包括以下步骤:
将活化完成后的电容屏通过化学反应实现镀镍,其镀镍过程中进料区域需要接近搅拌区,避免局部浓度过高,造成镀层不均匀,且PH值控制在5-7之间,镀镍完成后经双纯水洗后,通过化学反应实现镀薄金,其温度控制在90℃左右,PH控制在5-7之间,镀金属溶液浓度在0.5-1.0g/l之间,将镀镍或镀薄金完成后完成水洗。
7.一种满足权利要求1所述方法的电容屏,其特征在于,该电容屏由基板及设置在基板边缘的布线区域组成,所述基板由由ITO玻璃/膜基板组成,所述布线区域包括垂直交互的两组电极及多组组合排布的导通电路,所述导通电路及与之相连的电极通过化学镀金属形成镀金属层实现走线分布。
8.根据权利要求7所述的电容屏,其特征在于,所述电极走线及导通电路走线不在同一平面内。
9.根据权利要求7所述的电容屏,其特征在于,所述布线区域上包括一层丝印保护胶。
10.根据权利要求7所述的电容屏,其特征在于,所述镀金属层由镀镍层和/或镀薄金层组成。
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TA01 | Transfer of patent application right | ||
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Granted publication date: 20171103 |