CN104280926A - 显示设备 - Google Patents

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朴俊龙
金柄范
申相原
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Abstract

一种显示设备,包括第一绝缘基板,其包括提供图像的前表面和与前表面相对的后表面;低反射层,设置在后表面上;栅极布线部,设置在低反射层上;数据布线部,设置在后表面上,并与栅极布线部绝缘;以及像素,其连接至数据布线部并显示图像,其中,低反射层包含具有黑颜色的聚合树脂。

Description

显示设备
根据35U.S.C.§119,本申请要求于2013年7月9日提交的韩国专利申请第10-2013-0080439号的优先权,以及从其中得到的所有权益,其全部内容通过引用结合于此。
技术领域
本发明涉及一种显示设备,并且更具体地,涉及一种具有改善的显示质量的显示装置。
背景技术
包括不自发光显示面板的显示设备,如液晶显示设备,例如,包括背光组件作为组成元件,并且显示面板通过利用来自背光组件产生的光来显示图像。
显示面板包括下基板,其上布置有多个薄膜晶体管;上基板,设置在下基板上;以及液晶层,布置在上基板和下基板之间。背光组件设置在下基板下方。
发明内容
本发明提供具有改善的显示质量的显示设备及其制造方法。
本发明示例性实施方式提供包括第一绝缘基板的显示设备,第一绝缘基板包括提供图像的前表面和与前表面相对的后表面,设置在后表面上的低反射层,设置在低反射层上的栅极布线部,设置在后表面上并与栅极布线部绝缘(隔离,insulate)的数据布线部,以及连接到数据布线部并显示图像的像素。低反射层包括具有黑颜色的聚合树脂。
从平面图看,低反射层可与栅极布线部设置在相同位置上并具有相同的形状,并且低反射层的宽度可以等于或小于栅极布线部的宽度。
栅极布线部可包括沿第一方向延伸的栅极线以及连接至栅极线的栅电极,并且数据布线部可包括沿不同于第一方向的第二方向延伸的数据线,源电极连接至数据线并且漏电极与源电极隔开。
栅极布线部可包括单层或多层。当栅极布线部包括单层时,栅极布线部可包括以下各项中的一种:铜、钛、钼、铬、金、银以及包含铜、钛、钼、铬、金和银中至少一种的合金。当栅极布线部包括多层时,栅极布线部可包括通过逐一在后表面上堆叠不同材料而获得的第一至第三金属层。根据本发明示例性实施方式,第一金属层可包括Ti,第二金属层可包括氧化镓锌(“GZO”)、氧化铟锌(“ZIO”)和TiO中的一种,并且第三金属层可包括铜(Cu)。
根据本发明示例性实施方式,平坦化层还可包括在栅极布线部和低反射层之间。
根据本发明示例性实施方式,具有黑颜色的低反射层可包括烃和硅氧烷的混合物。
根据本发明示例性实施方式,带载封装稳固地布置并附着于显示设备中,并且可以有效地降低由于热导致的薄膜晶体管的劣化。此外,可以有效降低由于显示面板上的外界光的反射,并且可增加对比度。
附图说明
通过参照附图进一步详细描述本发明的示例性实施方式,本公开的上述和其他优点和特征将变得更为显而易见,在附图中:
图1是示出根据本发明的显示设备的示例性实施方式的分解立体图;
图2是沿图1中的线I-I'截取的横截面图;
图3是根据本发明的显示面板PNL的示例性实施方式的平面图;
图4沿图3中的线II-II'截取的横截面图;
图5、图7、和图9是随后示出根据本发明的显示设备的制造方法的示例性实施方式的平面图;
图6A和图6B是沿图5中的线II-II’截取的横截面图;
图8A和图8B是沿图7的线II-II’截取的横截面图;
图10A和图10B是沿图9中的线II-II’截取的横截面图;
图11是示出使用各种材料提供薄膜时各材料的反射率(百分比)相对于光的波长(纳米)的图;
图12是示出根据本发明的显示设备的另一示例性实施方式的横截面图;以及
图13是示出根据本发明的显示设备的另一示例性实施方式的横截面图。
具体实施方式
当长时间驱动显示面板时,薄膜晶体管可持续暴露于来自背光组件的光并可能劣化。因此,依然需要能减少或有效防止薄膜晶体管劣化的改善的显示面板和/或薄膜晶体管。
下面将参照附图更详细地描述本发明示例性实施方式。然而,本发明可体现为不同的形式并不应当被解释为限于本文所述的示例性实施方式。相反,可以提供这些实施方式使得本公开彻底并完整,并且向本领域中的技术人员充分传达本发明的范围。
在附图中,类似的参考标号用于类似元件。为了清楚说明,层和区域的尺寸都被放大。应理解,虽然在本文中使用术语第一、第二等来描述各个元件,但这些元件不应当被这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件区分于另一元件。因此,在不背离本发明教导的情况下,下述第一元件可以被称为第二元件,并且下述第二元件可以被称为第一元件。如在本文中使用的,除非上下文另有明确指明否则单数形式旨在也包括复数形式。
在此使用的术语仅出于描述特定实施方式的目的而并非旨在限制本发明。如在本文中使用的,单数形式“一个(a)”、“一种(an)”、以及“该”旨在包括复数形式,包括“至少一种”,除非上下文另有明确说明。“或者”意指“和/或”。如在此使用的,术语“和/或(and/or)”包括相关的列出项中的一个或者多个的任何所有组合。
应进一步理解,术语“包括”和/或“包含”当在本说明书中使用时表示存在所述特征、数值、步骤、操作、部件、部分或其组合,然而并不表示排除存在或增加一个或多个其他特征、数值、步骤、操作、部件、部分或其组合。
应该理解,当提及层(或膜)在另一层或基板“上”时,其可以直接位于另一层或基板上,或者也可以存在中间层。此外,应该理解,当提及层在另一层“下”时,其可直接位于另一层下,并且也可存在一个或多个中间层。此外,应该理解,当提及层在两层“之间”时,其可以是两层之间仅有的层,或也可存在一个或多个中间层。全文中,相似的参考标号代表相似的元件。为了方便说明,用户所在位置及显示图像的方向的位置被认为是“上方”或“前方”,并且相反的方向被认为是“下方”或“后方”。
除非另有定义,否则在此使用的所有术语(包括技术和科学术语)均具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。此外应当理解的是,诸如在通常使用的词典中定义的那些术语的术语应被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义,并且不得以理想化或者过度形式化的意义进行解释,除非明确规定如此定义。
在下文中,将参照附图详细描述本发明的示例性实施方式。
图1是示出根据本发明的示例性实施方式的显示设备的分解立体图。图2是沿图1中的线I-I'截取的横截面图。
参照图1和图2,显示设备包括显示面板PNL、背光单元和顶盘(topchassis)TC。
显示面板PNL显示图像。在示例性实施方式中,显示面板PNL可包括例如液晶显示面板、电润湿显示面板、电泳显示面板。在示例性实施方式中,将针对显示面板中的液晶显示面板进行说明。然而,本发明并不限于此,并且说明也可应用于其他显示面板,除非给出具体提及或除非不可兼容。
显示面板PNL可设置成具有两对平行边的四方板状形状。在示例性实施方式中,显示面板PNL可以是具有一对长边和一对短边的长方形。显示面板PNL可包括第一基板SUB1、面对第一基板SUB1的第二基板SUB2以及布置在第一基板SUB1和第二基板SUB2之间的液晶层(未示出)。在这种情况下,第一基板SUB1可以具有比第二基板SUB2的面积更大的面积,并且第一基板SUB1的一侧可以不与第二基板SUB2重叠。
根据本发明示例性实施方式,第一基板SUB1可以包括多个像素电极(未示出)并且多个电连接的薄膜晶体管(未示出)分别对应多个像素电极。各多个薄膜晶体管都可切换提供至相应像素电极的驱动信号。此外,第二基板SUB2可包括共用电极(未示出),其产生与像素电极一起控制液晶的排列的电场。显示面板PNL可驱动液晶层在朝向用户的前方显示图像。
显示面板PNL可设置有带载封装TCP和通过带载封装TCP电连接至显示面板PNL的印刷电路板PCB。诸如驱动集成电路(“IC”)的驱动电路等可布置(例如,安装)在带载封装TCP上。
在显示面板PNL中,带载封装TCP可设置(例如,附接)于第一基板SUB1的一侧,第二基板SUB2不设置在该侧处。在示例性实施方式中,第一基板SUB1的尺寸大于第二基板SUB2的尺寸,以使未用空间可设置在第一基板SUB1下方,其中未设有第二基板SUB2。在未用空间中,可稳定地布置带载封装TCP。在图1中,为了方便说明,印刷电路板PCB与显示面板PNL示出在相同的平面上。然而,如图2所示,印刷电路板PCB可设置在底盘BC的外表面上。在这种情况下,带载封装TCP可沿着底盘BC的外表面弯曲以连接显示面板PNL与印刷电路板PCB。
背光单元设置在显示面板PNL下方以为显示面板PNL提供光。背光单元可包括支撑显示面板PNL的模架(mold frame)MF、发光的光源LS、引导光的导光板LGP、设置在导光板LGP上的光学片OPS、设置在导光板LGP下的反射片RS以及设置在反射片RS下的底盘BC。
可沿显示面板PNL的边缘部分设置模架MF,以从显示面板PNL的底部部分支撑显示面板PNL。模架MF可包括除显示面板PNL之外的其他元件,例如,诸如障碍槛(stumbling sill)的固定件(未示出)用来固定或支撑光源LS,例如,光学片OPS。模架MF可设置在与显示面板PNL的四边或显示面板PNL的四边的至少一部分相对应的位置处。在示例性实施方式中,模架MF可具有例如对应四条边的矩形环形状。可替代地,模架MF可对应显示面板PNL的边缘部分的三条边。模架MF可设置成不可分离的主体,或必要时可通过装配多个架而获得。在示例性实施方式中,可通过使用诸如聚合树脂的有机材料设置模架MF。然而,材料并不限于此,并且可使用任何其他具有相同形状和相同功能的材料。
光源LS可以是各种光源,如点光源、线光源或面光源,但不限于此。
设置在光源LS与显示面板PNL之间的导光板LGP将光从光源LS导引至显示面板PNL。
光学片OPS可设置在导光板LGP和显示面板PNL之间。光学片OPS可控制来自光源的光。光学片OPS可包括堆叠在导光板LGP上的扩散片DS、棱镜片PS以及钝化片PRS。
反射片RS可以反射未朝显示面板PNL提供而泄漏的光以改变漏光的通道以朝向显示面板PNL。
顶盘TC设置在显示面板PNL上。顶盘TC可支撑显示面板PNL的前缘部并可覆盖模架MF的侧部或底盘BC的侧部。在顶盘TC中,可设置显示窗口WD,用于露出一部分以显示在显示面板PNL中的图像。
底盘BC可设置在反射片RS下方并可接纳显示面板PNL、模架MF、光源LS、导光板LGP、光学片OPS以及反射片RS。
图3是根据本发明示例性实施方式的显示面板PNL的平面图;图4沿图3中的线II-II'截取的横截面图。根据本发明示例性实施方式的显示面板可包括多个像素。因为各多个像素均具有相同的结构,为了方便说明,仅示出一个像素两桶相邻的栅极线以及与该一个像素相邻的数据线。
参照图3和图4,根据本发明示例性实施方式的显示设备可包括第一基板SUB1、第二基板SUB2和设置于第一基板SUB1和第二基板SUB2之间的液晶层LC。
第一基板SUB1包括第一绝缘基板INS1、低反射层LRL、栅极布线部、数据布线部以及像素电极PE。
第一绝缘基板INS1可设置为透明绝缘基板,并可包括用于显示图像的前表面FSF和与前表面FSF相对的后表面RSF。前表面FSF面向用户。
低反射层LRL可设置在后表面RSF上并可含聚合树脂。低反射层LRL设置成用于吸收从外部至第一绝缘基板INS1的前表面FSF的光,并可设置于本文中下述的用于布置栅极布线部的区域中。低反射层LRL可示出例如能够有效吸收光的颜色,如黑颜色。
根据本发明示例性实施方式,低反射层LRL可包含具有黑颜色的聚合树脂。根据另一示例性实施方式,低反射层LRL可包含烃和硅氧烷的混合物。
可通过暴露和显影光敏树脂组合物提供聚合树脂。
通过使用无机绝缘层提供的缓冲层可设置于低反射层LRL和第一绝缘基板INS1之间,即使未示出。缓冲层可增加低反射层LRL和第一绝缘基板INS1之间的粘性并可有效地防止杂质从第一绝缘基板INS1扩散至布线部和薄膜晶体管。
栅极布线部可设置在第一绝缘基板INS1上。栅极布线部可以包括发送第一信号并沿一个方向延伸的栅极线GL以及连接到栅极线GL的栅电极GE。然而,栅极布线部可以不限于此。在示例性实施方式中,栅极布线部还可包括例如存储行(未示出)。
尤其是,栅极布线部可以设置在与低反射层LRL重叠的低反射层LRL上。当从平面图看时,栅极布线可与低反射层LRL具有相同的形状并在相同的位置。根据本发明示例性实施方式,栅极布线部可设置成与低反射层LRL具有相同的尺寸(相同的宽度或相同的面积),并可设置成完全覆盖低反射层LRL。当栅极布线部与低反射层LRL的宽度相同,栅极布线部可仅覆盖低反射层LRL的上表面。此外,当栅极布线部的宽度比低反射层LRL的宽度大时,栅极布线部可覆盖低反射层LRL的侧部和上部两者。
在示例性实施方式中,栅极布线部设置成包含导电材料的单层。导电材料可以是以下各项中的一种:铜、钛、钼、铬、金、银或包含它们中至少一种的合金。
相对于第一绝缘基板INS1(或缓冲层),包含于栅极布线部的材料可具有比包含于低反射层LRL的聚合树脂更好的粘性。因此,栅极布线部可设置成与第一绝缘基板INS1(或缓冲层)直接接触以便聚合树脂可以与根据示例性实施方式的第一绝缘基板INS1不分离。
栅极绝缘层GI设置在栅极布线部上。
数据布线部可设置在第一绝缘基板INS1上以使在其间插入栅极绝缘层GI时与栅极布线部绝缘。数据布线部响应于第一信号传输第二信号,并可包括沿栅极线GL的不同方向延伸的数据线DL、连接到数据线DL的源电极SE以及与源电极SE隔开的漏电极DE。然而,数据布线部不限于此。在示例性实施方式中,数据布线部还可包括例如根据本发明另一示例性实施方式的电源线(未示出)。
与栅电极GE重叠的半导体图案SM设置于栅极绝缘层GI和数据布线部之间。半导体图案SM与源电极SE的一部分和漏电极DE的一部分重叠以在源电极SE和漏电极DE之间提供信道。
栅电极GE、半导体图案SM、源电极SE和漏电极DE组成薄膜晶体管TFT。
钝化层PSV设置在数据布线部上。钝化层PSV覆盖栅极线GL、数据线DL、源电极SE和漏电极DE,并设置在第一绝缘基板INS1上。接触孔CH限定在钝化层PSV中并露出漏电极DE的一部分。
像素电极PE通过接触孔CH连接至漏电极DE。像素电极PE接收第二信号,以为像素电压充电。
第二基板SUB2包括第二绝缘基板INS2、黑色矩阵BM、彩色滤光层CF以及共用电极CE。
第一绝缘基板INS1面对第二绝缘基板INS2。黑色矩阵BM设置在第二绝缘基板INS2上以阻挡透射液晶层LC的光。
例如,彩色滤光层CF设置成实现诸如红色、绿色和蓝色的颜色。彩色滤光层CF覆盖黑色矩阵BM,并设置在第二绝缘基板INS2上。
共用电极CE设置在彩色滤光层CF上。共用电极CE与驱动液晶层LC的像素电极PE一起产生电场。
根据本发明示例性实施方式,共用电极CE设置在第二绝缘基板INS2上,但并不限于此。根据另一实例实施方式,例如,共用电极CE可设置在第一绝缘基板INS1上以与像素电极PE绝缘。
液晶层LC由电场驱动并显示图像。作为图像显示层的液晶层LC可用电泳显示设备中的电泳层或电润湿显示设备中的电润湿层来替换。在没有限制的情况下,图像显示层可以是由连接到薄膜晶体管的一个或多个电极驱动的任何层并可显示图像。在示例性实施方式中,图像显示层可以是例如使用微型机电系统(“MEMS”)的微快门(micro shutter)。
像素电极PE、共用电极CE以及液晶层LC组成像素,但本发明不限于此。
即使在附图中未示出,向显示面板PNL的液晶层LC提供光的背光单元可设置在显示面板PNL(参见图1)下方。背光单元可设置成面对第一绝缘基板INS1,其间放置第二绝缘基板INS2。
在示出的示例性实施方式中,当薄膜晶体管TFT响应于通过栅极线GL提供的第一信号而接通时,通过数据线DL提供的第二信号可以通过接通薄膜晶体管TFT提供至像素电极PE。因此,电场可布置于像素电极PE和共用电极CE之间,向其间施加共用电压。可根据电场驱动液晶层LC中的液晶分子,并且根据通过液晶层LC中的光的量显示图像。
在示出的示例性实施方式中可以通过以下来制备显示设备:在第一绝缘基板INS1上布置低反射层LRL,在低反射层LRL上布置栅极布线部;在栅极布线部上布置栅极绝缘层GI;在栅极绝缘层GI上布置数据布线部;提供连接到数据布线部的像素;以及布置面对具有在其间放置像素的第一绝缘基板INS1的背光单元。
根据本发明示例性实施方式,将参照附图说明显示设备的制造方法。
图5、图7、和图9是随后示出根据本发明示例性实施方式的显示设备的制造方法的平面图。
图6A和6B是沿图5中的线II-II’截取的横截面图,图8A和8B是沿图7的线II-II’截取的横截面图,图10A和图10B是沿图9中的线II-II’截取的横截面图。在这种情况下,当显示设备完成的时候,示出图6A、图6B、图8A、图8B、图10A和图10B以使得面对用户提供的图像金额图直接朝向下部。
参照图5和图6A,先制备第一绝缘基板INS1,并且低反射层LRL布置在第一绝缘基板INS1上。在第一绝缘基板INS1中,当显示图像的一侧被称为前表面FSF时,其相对侧称为后表面RSF,低反射层LRL可以布置在后表面RSF上。
可借助于光刻工艺提供低反射层LRL。即,通过将光敏聚合物树脂组合物涂覆在第一绝缘基板INS1上,通过使用掩模使光敏聚合物树脂组合物暴露于光下并显影光敏聚合物树脂组合物来提供低反射层LRL。
在示例性实施方式中,可通过使用辊式涂布机、幕帘式涂布机、旋转涂布机、狭缝式模头涂布机、各种印刷方法、沉淀等涂覆光敏树脂组合物。此外,光敏树脂组合物可涂覆在诸如膜的载体上,然后转移到第一绝缘基板INS1上。然而,该方法不限于此。
暴露于光敏树脂组合物的光可以是紫外光,但不限于此。
光敏树脂组合物可包括粘合剂树脂、包含至少两种烯不饱和键的可交联化合物、光聚合性引发剂或颜料以及溶剂。在光敏树脂组合物中,还可包含改善层具有的特性或与基底的粘性的各种添加剂。
粘合剂树脂可具有包含碳酸基团、羧酸酐基、羟基、氨基或酰胺基的结构,并可使用同聚物或线性酚醛树脂(novolak phenol resin)或丙烯酸树脂的共聚物。作为可以由碱性溶液显影的丙烯酸粘合剂树脂,是使用选自马来酸酐、丙烯酸或甲基丙烯酸或其烷基酯、取代的或未取代的芳基酯、芳族乙烯单体等的至少一种化合物的共聚物。具体地,可包括丙烯酸苄酯、甲基丙烯酸苄酯、丙烯酸苯乙酯、甲基丙烯酸苯乙酯、丙烯酸3-苯丙基酯、甲基丙烯酸3-苯丙基酯、丙烯酸4-苯丁基酯、甲基丙烯酸4-苯丁基酯、丙烯酸、甲基丙烯酸等的共聚物。
包含烯不饱和键的可交联化合物可包括通过用α,β-不饱和羧酸对多元醇进行酯化而获得的至少一种化合物,多元醇是乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、具有2至14个乙烯基的聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、具有2至14个亚丙基的聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等中的至少一种;通过向包含缩水甘油基的化合物,如例如,三羟甲基丙烷三缩水甘油醚丙烯酸酯加成物或双苯基A二缩水甘油醚丙烯酸酯加成物等的化合物添加(甲基)丙烯酸而获得的化合物;通过包含羟基或烯不饱和键和多羟羧酸的化合物,或聚异氰酸酯的加成物,诸如β-羟基乙基(甲基)丙烯酸酯的双酯邻苯二甲酸酯、或β-羟基乙基(甲基)丙烯酸酯的甲苯二异氰酸酯加成物等的化合物形成的酯化合物;以及(甲基)丙烯酸烷基酯,诸如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、2-乙基己基(甲基)丙烯酸酯等,或它们的任何的组合。然而,化合物可以不限于上述种类,并且可使用本领域已知的化合物。
光聚合性引发剂至少包括三嗪化合物,如2,4-三氯甲基-(4'-甲氧基苯基)-6-三嗪、2,4-三氯甲基-(4'-甲氧基苯乙烯基)-6-三嗪、2,4-三氯甲基-(全氟基)-6-三嗪(2,4-trichloromethyl-(perfluonyl)-6-triazine)、2,4-三氯甲基-(3'4'-二甲氧基苯基)-6-三嗪、3-{4-[2,4-双(三氯甲基)-s-三嗪-6-基]苯硫基}丙酸等的;二咪唑化合物,如2,2'-双(2-氯苯基)-4,4',5,5'-四苯基二咪唑、2,2'-双(2,3-二氯苯基)-4,4',5,5'-四苯基二咪唑等;苯乙酮类化合物,如2-羟基-2-甲基-1-苯丙烷-1-酮、1-(4-异丙基苯基)-2-羟基-2-甲基丙烷-1-酮、4-(2-羟乙氧基)-苯基(2-羟基)丙基酮、1-羟基环己基苯酮、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻异丁醚、苯偶姻丁醚、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2-甲基-(4-甲硫基苯基)-2-吗啉代-1-丙烷-1-酮、2-苄基-2-二甲基氨基-1-(4-吗啉苯基)-丁烷-1-酮等;二苯甲酮类化合物,如二苯甲酮、4,4'-双(二甲氨基)二苯甲酮、4,4'-双(二乙氨基)二苯甲酮、2,4,6-三甲氨基二苯甲酮、甲基-o-苯甲酰基苯甲酸酯、3,3-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮、3,3',4,4'-四(丁基过氧羰基)二苯甲酮等;芴酮类化合物,如9-芴酮、2-氯-9-芴酮、2-甲基-9-芴酮等;噻吨酮类化合物,如噻吨酮、2,4-二乙基噻吨酮、2-氯噻吨酮、1-氯-4-丙氧基噻吨酮、异丙基噻吨酮、二异丙基噻吨酮等;氧杂蒽酮类化合物,如氧杂蒽酮、2-甲基氧杂蒽酮等;蒽醌类化合物,如蒽醌、2-甲基蒽醌、2-乙基蒽醌、叔丁基蒽醌、2,6-二氯-9,10-蒽醌等;吖啶类化合物,如9-苯基吖啶、1,7-双(9-吖啶基)庚烷、1,5-双(9-吖啶基)戊烷、1,3-双(9-吖啶基)丙烷等;二羰基类化合物,如苄基1,7,7-三甲基-二环[2,2,1]庚烷-2,3-二酮、9,10-菲醌等;氧化膦类化合物,如2,4,6-三甲基苯甲酰基二苯基膦氧化物、双(2,6-甲氧基苯甲酰基)-2,4,4-三甲基戊基氧化膦、双(2,6-二氯苯甲酰基)丙基氧化膦等;胺类增效剂,如甲基4-(二甲氨基)苯甲酸酯、乙基-4-(二甲氨基)苯甲酸酯、2-正丁氧乙基4-(二甲氨基)苯甲酸酯、2,5-双(4-二乙氨基苄基)环戊酮、2,6-双(4-二乙氨基亚苄基)环己酮、2,6-双(4-二乙氨基苄基)-4-甲基-环己烯酮等;香豆素类化合物,如3,3’-羰基乙烯基-7-(二乙氨基)香豆素、3-(2-苯并噻唑基)-7-(二乙氨基)香豆素、3-苯甲酰基-7-(二乙氨基)香豆素、3-苯甲酰基-7-甲氧基-香豆素、10,10’-羰基双[1,1,7,7-四甲基-2,3,6,7-四氢-1H,5H,11H-Cl]-苯并吡喃[6,7,8-ij]-喹嗪-11-酮等;查尔酮化合物,如4-二乙氨基查尔酮、4-叠氮化物苄基苯乙酮等;2-苯甲酰亚甲基和3-甲基-β-萘并噻唑啉、或它们的任意组合。然而,化合物并不限于此,并且可以使用本领域已知的光引发剂。
颜料示出黑颜色并可以包括诸如炭黑、石墨或钛黑的金属氧化物。碳黑可包括以下中的至少一种:Cisto5HIISAF-HS、Cisto KH、Cisto3HHAF-HS、Cisto NH、Cisto3M、Cisto300HAF-LS、Cisto116HMMAF-HS、Cisto116MAF、Cisto FMFEF-HS、Cisto SOFEF、Cisto VGPF、CistoSVHSRF-HS和Cisto SSRF(Donghae Carbon Co.,Ltd.);Diagram black II、Diagram black N339、Diagram black SH、Diagram black H、Diagram LH、Diagram HA、Diagram SF、Diagram N550M、Diagram M、Diagram E、Diagram G、Diagram R、Diagram N760M、Diagram LR、#2700、#2600、#2400、#2350、#2300、#2200、#1000、#980、#900、MCF88、#52、#50、#47、#45、#45L、#25、#CF9、#95、#3030、#3050、MA7、MA77、MA8、MA11、MA100、MA40、0IL7B、0IL9B、0IL11B、0IL30B和0IL31B(Mitsubishi Chemical Co.,Ltd.);PRINTEX-U、PRINTEX-V、PRINTEX-140U、PRINTEX-140V、PRINTEX-95、PRINTEX-85、PRINTEX-75、PRINTEX-55、PRINTEX-45、PRINTEX-300、PRINTEX-35、PRINTEX-25、PRINTEX-200、PRINTEX-40、PRINTEX-30、PRINTEX-3、PRINTEX-A、SPECIAL BLACK-550、SPECIAL BLACK-350、SPECIALBLACK-250、SPECIAL BLACK-100和LAMP BLACK-101(DegussaCo.,Ltd.);RAVEN-1100ULTRA、RAVEN-1080ULTRA、RAVEN-1060ULTRA、RAVEN-1040、RAVEN-1035、RAVEN-1020、RAVEN-1000、RAVEN-890H、RAVEN-890、RAVEN-880ULTRA、RAVEN-860ULTRA、RAVEN-850、RAVEN-820、RAVEN-790ULTRA、RAVEN-780ULTRA、RAVEN-760ULTRA、RAVEN-520、RAVEN-500、RAVEN-460、RAVEN-450、RAVEN-430ULTRA、RAVEN-420、RAVEN-410、RAVEN-2500ULTRA、RAVEN-2000、RAVEN-1500、RAVEN-1255、RAVEN-1250、RAVEN-1200、RAVEN-1190ULTRA、RAVEN-1170(ColumbiaCarbon Co.,Ltd.),或它们的组合物。用作颜料的酞菁类络合物可以是包含锌而不是铜作为中心金属的材料。
溶剂可以是选自以下各项中的至少一种:丙酮、甲基乙基酮、甲基异丁基酮、甲基溶纤剂、乙基溶纤剂、四氢呋喃、1,4-二噁烷、乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、丙二醇二甲醚、丙二醇二乙醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇甲基乙基醚、氯仿、二氯甲烷、1,2-二氯乙烷、1,1,1-三氯乙烷、1,1,2-三氯乙烷、1,1,2-三氯乙烯、己烷、庚烷、辛烷、环己烷、苯、甲苯、二甲苯、甲醇、乙醇、异丙醇、丙醇、丁醇、叔丁醇、2-乙氧基丙醇、2-甲氧基丙醇、3-甲氧基丁醇、环己酮、环戊酮、丙二醇甲基醚乙酸酯、丙二醇乙醚乙酸酯、3-甲氧基丁基乙酸酯、乙基3-乙氧基丙酸酯、乙基溶纤剂乙酸酯、甲基溶纤剂乙酸酯、乙酸丁酯和二丙二醇单甲醚等,或它们的任意组合。然而,溶剂不限于上述化合物并且可使用本领域已知的溶剂。
根据本发明的光敏树脂组合物根据光敏树脂组合物的用途还可包括选自以下各项的至少一种:固化促进剂、热聚合抑制剂的抑制剂、表面活化剂、光敏剂、增塑剂、增粘剂、填料和粘合助剂。
固化促进剂可以包括以下的至少一种:例如,2-巯基苯并咪唑、2-巯苯并噻唑、2-巯基苯并噁唑、2,5-二巯基-1,3,4-噻二唑、2-巯基-4,6-二甲氨基吡啶、季戊四醇四(3-巯基丙酸酯)、季戊四醇三(3-巯基丙酸酯)、季戊四醇四(2-巯基乙酸酯)、季戊四醇三(2-巯基乙酸酯)、三羟甲基丙烷三(2-巯基乙酸酯)、三羟甲基丙烷三(3-巯基丙酸酯)、三羟乙基丙烷三(2-巯基乙酸酯)和三羟乙基乙烷三(3-巯基丙酸酯)。然而,在没有限制的情况下固化促进剂可以包括本领域常见的已知材料。
热聚合抑制因子可以包括以下中的至少一种:对苯甲醚、对苯二酚、邻苯二酚、叔丁基邻苯二酚、N-亚硝基苯胲铵盐(N-nitirosophenylhydorxyamine ammonium salt)、N-亚硝基苯胲铝盐(N-nitrosophenylhydroxylamine aluminum salt)和吩噻嗪。然而,抑制剂可以不限于此,并可以包括本领域已知的常见材料。
表面活化剂、光敏剂、增塑剂、增粘剂、填充剂等可以包括包含在常用光敏树脂组合物中的各种类的常见材料。
参照图5和图6B,栅极布线部布置在低反射层LRL上。
可以通过使用光刻工艺提供栅极布线部。即,可以通过将导电层布置在低反射层LRL上;将光致抗蚀剂布置在导电层上;使用掩模暴露并显影光致抗蚀剂以提供光致抗蚀剂图案并且通过将光致抗蚀剂图案用作蚀刻掩模蚀刻导电层来提供栅极布线部。
在这种情况下,栅极布线部可以设置成与低反射层LRL具有相同的形状并在相同的区域。栅极布线部可以设置成具有与低反射层LRL的尺寸相同的尺寸(相同的宽度或相同的面积),或可设置成具有大于低反射层LRL的尺寸。在前一种情况下,用于提供低反射层LRL的掩模和用于提供数据布线部的掩模可以是相同的。在后一种情况下,用于提供低反射层LRL的掩模和用于提供数据布线部的掩模可以是相同的或不同的。当掩模相同时,可以控制暴露和显影的条件。
栅极绝缘层GI布置在栅极布线部上。
然后,数据布线部布置在栅极绝缘层GI上,如图7、图8A和图8B所示。
通过光刻工艺提供数据布线部。第一,如图8A所示,半导体薄膜SM1、导电层CL和光致抗蚀剂PR逐一设置在栅极绝缘层GI上。通过掩模MSK暴露光致抗蚀剂PR。掩模MSK是半色调掩模,并且可以包括具有不同透射率的三个区域R1、R2和R3。根据区域,可以改变照射到光致抗蚀剂PR上光的量。当显影光致抗蚀剂PR时,可提供对应各区域的具有不同高度的光致抗蚀剂图案。
通过使用光致抗蚀剂图案可选地蚀刻半导体薄膜SM1和导电层CL以提供如图8B所示的数据布线部。
参照图9、图10A和图10B,钝化层PSV布置在数据布线部上,并且暴露漏电极DE的一部分的接触孔CH限定在钝化层PSV中。可使用光刻工艺限定接触孔CH。然后,通过接触孔CH连接到漏电极DE的像素电极PE限定在钝化层PSV上。可以使用光刻工艺提供像素电极PE。
即使未示出,彩色滤光片、黑色矩阵和共用电极分别布置在根据本发明示例性实施方式的第一绝缘基板INS1的第二绝缘基板上。在另一示例性实施方式中,共用电极可布置在第一绝缘基板INS1上并且可以与像素电极PE绝缘。
液晶层布置在第一绝缘基板INS1和第二绝缘基板之间。根据一种显示设备,可以用电泳层、电润湿层等代替图像显示层。
最终,背光单元设置在面对第一绝缘基板INS1的位置处,并且其间设置有第二绝缘基板。
在根据本发明示例性实施方式的显示设备中,设有薄膜晶体管的第一基板可设置成比第二基板更远离背光单元。因此,可有效降低或防止背光单元持续提供的光导致薄膜晶体管劣化。如图2所示,因为第一基板设置成具有比第二基板大的尺寸,所以用于布置连接到第一基板的带载封装的空间可设置在第一基板下。带载封装可布置在该空间中,因此,驱动电路(例如,驱动IC)可稳定地安装在带载封装上。
根据本发明示例性实施方式,低反射层设置在第一绝缘基板的后表面上,并且可有效降低或防止栅极布线部反射外部光。即,当用户看显示面板时,从最接近用户的栅极布线部反射的光可通过第一绝缘基板的前表面识别。因此,可以降低图像的对比度。
通过提供低反射层,来自外部的光可被低反射层吸收。因此,可有效去除或降低在栅极布线部的反射光。因此,可保持图像的对比度。
图11示出了显示当使用各种材料提供薄膜时根据以纳米(nm)计的光波长的各材料百分比(%)的反射率的图。在表1中,用数值示出图11中的反射率。图11和表1中的有机聚合物是聚合树脂。使用Cheil IndustriesInc.的聚合树脂(CR-BK0955L)。当在多层中使用不同的材料时,使用斜线(/)。具体地,例如,“A/B”指包含A和B材料的双层并且“A/B/C”意指包含A、B、和C材料的三层。
[表1]
参照图11和表1,当与金属或金属和金属氧化物的多层相比时,通过使用聚合树脂提供的薄膜的反射率非常低。尤其是,已用作常用显示设备中的布线材料的钛/铜双层的平均反射率上达至44.53%,然而聚合树脂的平均反射率仅为7.22%。因此,通过使用根据示例性实施方式的聚合树脂提供低反射层可使布线部的平均反射率显著降低。
图12是示出根据本发明另一示例性实施方式的显示设备的横截面图,并且对应沿图3的线II-II’截取的横截面图。在根据另一示例性实施方式的显示设备中,为了方便说明,将主要说明不同的部分,并且继上述示例性实施方式之后说明省略的部分。
参照图12,栅极布线部设置为多层。尤其是,栅极布线部设置为包括第一至第三金属层的三层。
第一至第三金属层可包括不同的导电材料。在示例性实施方式中,第一至第三金属层可逐一包括金属/金属氧化物/金属。根据本发明示例性实施方式,可使用Ti提供第一金属层,使用氧化镓锌(“GZO”)、氧化铟锌(“ZIO”)和TiO提供第二金属层,并且使用铜(Cu)提供第三金属层。
如在表1中所示,当第一至第三金属层包括Ti/GZO/Cu、Ti/GZO/Cu或Ti/TiO/Cu时,与包含钛/铜(即,在常用显示设备中布线的常见材料)的双层相比较可获得明显降低的反射比率。因此,通过结合低反射层与具有低反射率的布线材料甚至可进一步降低反射率。
图13是示出根据本发明另一示例性实施方式的显示设备的横截面图,并且对应沿图3的线II-II’截取的横截面图。
参照图13,平坦化层PLZ设置在低反射层LRL和栅极布线部之间。设置平坦化层PLZ,以使由于低反射层LRL引起的弯曲部分平坦化并且使用无机绝缘材料设置。在示例性实施方式中,无机绝缘材料可以是氧化硅和/或氮化硅。
根据示例性实施方式的显示设备可以通过提供低反射层、通过化学气相淀积法在低反射层上提供平坦化层并通过使用光刻工艺在平坦化层上布置栅极布线部来制备。
应理解以上公开主题是示例性的而不是限制性的,并且所附权利要求旨在涵盖在本发明真实精神和范围内的所有这些修改、增加和其他示例性实施方式。
在示例性实施方式中,栅极布线部布置成与数据布线部相比更接近第一绝缘基板的后表面,并且低反射层设置成重叠例如栅极布线部。然而,本发明不限于此。当数据布线部与栅极布线部相比布置成更靠近第一绝缘基板的后表面时,低反射层可设置成重叠数据布线部。
此外,为了最大化法律允许的范围,本发明的范围是由所附权利要求及它们的等价物的最广泛的容许的解释确定的,并不受上述具体实施方式制约或限制。

Claims (10)

1.一种显示设备,包括:
第一绝缘基板,包括提供图像的前表面和与所述前表面相对的后表面;
低反射层,设置在所述后表面上;
栅极布线部,设置在所述低反射层上;
数据布线部,设置在所述后表面上,并与所述栅极布线部绝缘;
以及
像素,其连接至所述数据布线部并显示所述图像,
其中,所述低反射层包含具有黑颜色的聚合树脂。
2.根据权利要求1所述的显示设备,其中:
从平面图看,所述低反射层与所述栅极布线部设置在相同的位置并具有相同的形状,并且
所述低反射层的宽度等于或小于所述栅极布线部的宽度。
3.根据权利要求2所述的显示设备,其中:
所述栅极布线部包括沿第一方向延伸的栅极线,以及连接至所述栅极线的栅电极,并且
所述数据布线部包括沿不同于所述第一方向的第二方向延伸的数据线、连接至所述数据线的源电极、以及与所述源电极隔开的漏电极。
4.根据权利要求3所述的显示设备,其中,所述栅极布线部还包括单层结构。
5.根据权利要求3所述的显示设备,其中,所述栅极布线部还包括多层结构。
6.根据权利要求5所述的显示设备,其中,所述多层结构包括在所述后表面上连续堆叠并包含不同的材料的第一至第三金属层。
7.根据权利要求6所述的显示设备,其中,所述第一金属层包含Ti,所述第二金属层包含GZO、ZIO和TiO中的一种并且所述第三金属层包含Cu。
8.根据权利要求1所述的显示设备,还包括所述栅极布线部和所述低反射层之间的平坦化层。
9.根据权利要求1所述的显示设备,还包括面向所述第一绝缘基板的第二绝缘基板,其中:
所述像素包括:
像素电极,连接至所述后表面上的漏电极;
共用电极,其设置在所述第一绝缘基板和所述第二绝缘基板中的一个上,与所述像素电极绝缘,并与所述像素电极一起产生电场;以及
图像显示层,设置在所述第一绝缘基板和所述第二绝缘基板之间,并由所述电场驱动。
10.一种显示设备,包括:
第一绝缘基板,包括提供图像的前表面和与所述前表面相对的后表面;
栅极布线部,设置在所述后表面上;
低反射层,设置在所述后表面和所述栅极布线部之间;
数据布线部,其设置在所述后表面上,并与所述栅极布线部绝缘;以及
像素,其连接至所述数据布线部并显示所述图像,
其中,所述低反射层具有黑颜色并包含烃和硅氧烷。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019119888A1 (zh) * 2017-12-21 2019-06-27 惠科股份有限公司 阵列基板的制作方法、阵列基板和液晶显示面板

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016100560A1 (en) * 2014-12-16 2016-06-23 Deca Technologies Inc. Method of marking a semiconductor package
TWI561894B (en) * 2015-05-29 2016-12-11 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Manufacturing method of making electronic connection structure, tft substrate, and insulation layer
KR102628795B1 (ko) * 2018-07-30 2024-01-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 장치

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06120499A (ja) * 1992-10-05 1994-04-28 Sharp Corp 薄膜トランジスタ、液晶表示装置および薄膜トランジスタの製造方法
CN1314608A (zh) * 2000-03-17 2001-09-26 精工爱普生株式会社 电光学装置
US7259806B1 (en) * 1999-08-07 2007-08-21 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Liquid crystal display device with light absorbing layers
US20090267087A1 (en) * 2008-04-28 2009-10-29 Hee-Jung Yang Low resistance wiring structure and liquid crystal display device using the same
CN103033962A (zh) * 2011-09-29 2013-04-10 乐金显示有限公司 显示装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1152364A (ja) 1997-07-31 1999-02-26 Sharp Corp 反射型液晶表示素子
KR100694574B1 (ko) * 2000-10-25 2007-03-13 엘지.필립스 엘시디 주식회사 콜레스테릭 액정 컬러필터를 이용한 반사형 액정표시장치및 그의 제조방법
SG118117A1 (en) 2001-02-28 2006-01-27 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2008252068A (ja) * 2007-03-08 2008-10-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法
KR101377007B1 (ko) * 2007-08-14 2014-03-26 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이를 포함하는 액정 표시패널
US8871590B2 (en) 2009-12-31 2014-10-28 Lg Display Co., Ltd. Thin film transistor array substrate, liquid crystal display device including the same and fabricating methods thereof
JP5801602B2 (ja) 2011-05-12 2015-10-28 ピクストロニクス,インコーポレイテッド 画像表示装置
KR102008956B1 (ko) * 2012-07-18 2019-08-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06120499A (ja) * 1992-10-05 1994-04-28 Sharp Corp 薄膜トランジスタ、液晶表示装置および薄膜トランジスタの製造方法
US7259806B1 (en) * 1999-08-07 2007-08-21 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Liquid crystal display device with light absorbing layers
CN1314608A (zh) * 2000-03-17 2001-09-26 精工爱普生株式会社 电光学装置
US20090267087A1 (en) * 2008-04-28 2009-10-29 Hee-Jung Yang Low resistance wiring structure and liquid crystal display device using the same
CN103033962A (zh) * 2011-09-29 2013-04-10 乐金显示有限公司 显示装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019119888A1 (zh) * 2017-12-21 2019-06-27 惠科股份有限公司 阵列基板的制作方法、阵列基板和液晶显示面板
US11372291B2 (en) 2017-12-21 2022-06-28 HKC Corporation Limited Manufacturing method of array substrate, array substrate and liquid crystal display panel

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