CN104279149B - 一种冷泵再生的控制方法和系统 - Google Patents

Abstract

本发明实施例提供了一种冷泵再生的控制方法，所述冷泵与系统干泵相连，所述方法，包括以下步骤：接收等待再生的冷泵提交的再生执行请求，依据所述请求申请所述系统干泵的使用权；当获得所述系统干泵的使用权时，关闭与所述系统干泵关联的所有抽气阀；关闭所述等待再生的冷泵及其对应腔室的门阀；发送再生启动指令至所述等待再生的冷泵；所述等待再生的冷泵用于依据再生指令执行再生；当所述等待再生的冷泵完成再生后，释放所述系统干泵的使用权。本发明通过设定系统干泵为共享资源来进行管理、协调冷泵执行再生操作，实现了冷泵再生时的设备的自动化管理与协调，避免因误操作而引发的气体倒灌问题。

Description

一种冷泵再生的控制方法和系统

技术领域

本发明涉及半导体设备工艺控制领域，特别是涉及一种冷泵再生的控制方法和一种冷泵再生的控制系统。

背景技术

随着半导体工艺技术的发展，工艺过程也日趋复杂。

例如，随着CMOS晶体管尺寸不断缩小到次微米级，正如摩尔定律的预测，在高效率、高密度集成电路中的晶体管数量上升到几千万个。这些数量庞大的有源元件的信号集成需要多达十层以上的高密度金属连线，然而这些金属互连线带来的电阻和寄生电容已经成为限制这种高效集成电路速度的主要因素。基于这个因素的推动，半导体工业从原来的金属铝互连线工艺发展成金属铜互连线，同时低介电常数介质材料替代了二氧化硅成为金属层间的绝缘介质。铜金属减少了金属连线层间的电阻，同时增强了电路稳定性；低介电常数介质材料则减少了金属连线层之间的寄生电容。在集成电路中的金属材料多通过物理气相沉积(PhysicalVapor Deposition，PVD)方法制备。

物理气相沉积或溅射(Sputtering)沉积技术是半导体工业中最广为使用的一类薄膜制造技术，泛指采用物理方法制备薄膜的薄膜制备工艺。而在集成电路制造行业中，多数指磁控溅射(Magnetron Sputtering)技术，主要用于铝、铜等金属薄膜的沉积，以构成金属接触、金属互连线等。在铜阻挡层及籽晶层的PVD制备工艺中，晶片或衬底需要依次经过4个步骤：1)去气工艺(Degas)；2)预清洗工艺(Preclean)；3)铜阻挡层工艺(Ta/TaN)；4)铜籽晶层工艺(Cu)。

在复杂生产的工艺过程中，往往对生产环境的真空度有着严格的要求，例如，对于铜互连的PVD设备而言，PVD腔室要达到10^-8Torr的本底真空而传输腔室也要有10^-7Torr的真空度。为了实现高真空，冷泵(Cryo-pump)被广泛的应用于各种生产线设备。

冷泵是利用冷凝的原理，通过吸附腔室内的特定气体来达到提升真空度的目的。

参照图1，示出了一种冷泵系统的组成结构示意图，该系统主要包括氦气压缩机、泵体、控制模块和氦气循环管路等。压缩机压缩氦气使之成为冷源，压缩后的液氦流经泵体给其一级冷板和二级冷板降温，完成制冷的氦气经处理后流回压缩机进行再次循环。控制模块是冷泵的内部控制单元，它实时监控冷泵状态并控制其工作，同时它还通过串口与上位机进行通信，响应上位机下发的指令并负责具体的执行。

参照图2，示出了一种冷泵的泵体结构示意图，其中最主要的是一级冷板和二级冷板。在工作状态下，一级冷板的温度一般在100K～120K，主要用来冷凝水蒸气。二级冷板温度为10K～20K，主要用来冷凝氮气、氩气和氧气。第二级冷板上附有活性炭，用来吸附氢气、氦气和氖气。冷板制冷原理是制冷机原理，冷源是压缩机不断循环提供的液氦。当气体分子遇到足够冷的表面(冷板或百叶窗)就会冷凝并且保持在低蒸汽压力，这样就有效的阻止气体回到腔室，从而实现生产线设备腔室的高真空。

冷凝下来的气体不断地在冷泵中积累，工作一段时间后会达到冷泵的容积量，这会导致抽速降低，冷板温度升高，整体抽气效率下降，此时就需要进行冷泵的再生。对于一个完整的再生过程，首先要对冷板进行加热使冷凝的气体蒸发，打开排气阀使气体被系统干泵抽走，该过程同时冲入氮气保证气体快速、完全的排出冷泵，排气完成后会进行压升率测试，合格后将开始降温过程，待一级冷板与二级冷板达到工作温度后再生完成。整个再生过程由冷泵的控制模块控制，上位机可通过发送串口指令控制再生的启动与中止。

参照图3，示出了一种冷泵再生的步骤流程图。在此冷泵再生控制流程中，首先要关闭腔室与冷泵之间的门阀，防止加热过程中冷泵排出的气体倒灌回腔室；其次发送再生指令给冷泵的控制模块，命令其开始再生；然后开始监控冷泵再生状态，等待再生完成。

参照图4，示出了一种系统干泵气路示意图，如图所示，Degas为去气工艺腔室、Transfer Camber为传输腔室、TaN为铜阻挡层工艺腔室、Cu为铜籽晶层工艺腔室。V_A、V_B、V_C是冷泵自带的排气阀门，它们由冷泵的控制模块控制而不受上位机控制。V₁、V₂、V₃、V₄是各腔室的抽气阀，上位机可以控制并通过开关操作实现腔室的粗抽真空。

但是对于诸如上述硬件结构，冷泵再生控制流程存在这样的问题：例如，传输腔室正在进行粗抽真空操作，此时传输腔室的抽气阀门处于打开状态，若这时有一个腔室的冷泵执行再生，那么再生时排出的气体很可能倒灌到传输腔室而损坏正在传输的物料。又例如，冷泵1和冷泵2同时执行再生，假设当冷泵1完成排气正在进行压升率测试时，冷泵2开始排气，那么冷泵2排出的气体很可能倒灌到冷泵1导致其压升率测试失败，进而影响冷泵1再生流程的顺利进行。

总的来说，上述冷泵再生的技术方案缺少对冷泵执行再生操作时整个设备的管理与协调，容易造成误操作，导致气体倒灌，进而引起冷泵再生受影响、物料损失和腔室污染等问题。

发明内容

本发明实施例所要解决的技术问题是提供一种冷泵再生的控制方法，以解决冷泵执行再生操作时缺乏对整个设备的管理与协调的问题，使冷泵再生更加安全。

本发明还提供了一种冷泵再生的控制系统，用以保证上述方法的实现及应用。

为了解决上述问题，本发明实施例公开了一种冷泵再生的控制方法，所述冷泵与系统干泵相连，所述方法，包括以下步骤：

接收等待再生的冷泵提交的再生执行请求，依据所述请求申请所述系统干泵的使用权；

当获得所述系统干泵的使用权时，关闭与所述系统干泵关联的所有抽气阀；

关闭所述等待再生的冷泵及其对应腔室的门阀；

发送再生启动指令至所述等待再生的冷泵；所述等待再生的冷泵用于依据再生指令执行再生；

当所述等待再生的冷泵完成再生后，释放所述系统干泵的使用权。

优选地，所述方法，还包括以下步骤：

当在第一预设时间段内未申请到所述系统干泵的使用权时，生成第一警报信息。

优选地，所述方法，还包括以下步骤：

当在第二预设时间段内所述等待再生的冷泵未完成再生时，发送再生结束指令至所述等待再生的冷泵；所述等待再生的冷泵用于依据所述再生结束指令终止再生；

生成第二警报信息，并释放所述系统干泵的使用权。

优选地，所述冷泵为铜互连物理气相沉积CuBS PVD设备的冷泵；

其中，所述铜互连物理气相沉积CuBS PVD设备包括传输腔室、去气工艺腔室、预清洗工艺腔室、铜阻挡层工艺腔室和铜籽晶层工艺腔室；

所述传输腔室、铜阻挡层工艺腔室和铜籽晶层工艺腔室分别与一个冷泵相连；

所述系统干泵与所述传输腔室、去气工艺腔室、铜阻挡层工艺腔室和铜籽晶层工艺腔室相连。

优选地，所述系统干泵具有对应的系统干泵上位机，所述系统干泵上位机用于在系统干泵的使用权被占用时，标记所述系统干泵状态为占用；在系统干泵的使用权被释放时，标记所述系统干泵状态为空闲。

本发明实施例公开了一种冷泵再生的控制系统，所述冷泵与系统干泵相连，所述系统，包括以下模块：

使用权申请模块，用于接收等待再生的冷泵提交的再生执行请求，依据所述请求申请所述系统干泵的使用权；

抽气阀关闭模块，用于在获得所述系统干泵的使用权时，关闭与所述系统干泵关联的所有抽气阀；

门阀关闭模块，用于关闭所述等待再生的冷泵及其对应腔室的门阀；

再生启动指令发送模块，用于发送再生启动指令至所等待再生的述冷泵；所述等待再生的冷泵用于依据再生指令执行再生；

第一使用权释放模块，用于在所述等待再生的冷泵完成再生时，释放所述系统干泵的使用权。

优选地，所述系统，还包括以下模块：

第一警报生成模块，用于在在第一预设时间段内未申请到所述系统干泵的使用权时，生成第一警报信息。

优选地，所述系统，还包括以下模块：

再生结束指令发送模块，用于在在第二预设时间段内所述等待再生的冷泵未完成再生时，发送再生结束指令至所述等待再生的冷泵；所述等待再生的冷泵用于依据所述再生结束指令终止再生；

第二警报信息生成模块，用于生成第二警报信息；

第二使用权释放模块，用于释放所述系统干泵的使用权。

优选地，所述冷泵为铜互连物理气相沉积CuBS PVD设备的冷泵；

其中，所述铜互连物理气相沉积CuBS PVD设备包括传输腔室、去气工艺腔室、预清洗工艺腔室、铜阻挡层工艺腔室和铜籽晶层工艺腔室；

所述传输腔室、铜阻挡层工艺腔室和铜籽晶层工艺腔室分别与一个冷泵相连；

所述系统干泵与所述传输腔室、去气工艺腔室、铜阻挡层工艺腔室和铜籽晶层工艺腔室相连。

优选地，所述系统干泵具有对应的系统干泵上位机，所述系统干泵上位机用于在系统干泵的使用权被占用时，标记所述系统干泵状态为占用；在系统干泵的使用权被释放时，标记所述系统干泵状态为空闲。

与背景技术相比，本发明实施例包括以下优点：

本发明通过设定系统干泵为共享资源来进行管理、协调冷泵执行再生操作，实现了冷泵再生时的设备的自动化管理与协调，避免因误操作而引发的气体倒灌问题。

本发明在避免误操作引发的气体倒灌问题的同时，避免了由于气体倒灌可能引发的冷泵再生受影响、硅片损失、腔室污染等问题。

本发明扩展了上位机的权限，可以申请系统干泵的使用权，提高了设备的自动化程度，减少了误操作的概率，提高了操作便捷性、安全性。

附图说明

图1是一种冷泵系统的组成结构示意图；

图2是一种冷泵的泵体结构示意图；

图3是一种冷泵再生的步骤流程图；

图4是一种系统干泵气路示意图；

图5是本发明实施例的一种冷泵再生的控制方法实施例的步骤流程图；

图6是本发明实施例的一种CuBS PVD设备的结构示意图；

图7是本发明实施例的一种CuBS PVD设备的工艺流程图；

图8是本发明实施例的一种冷泵再生的操作流程图；

图9是本发明实施例的一种冷泵再生的控制系统实施例的结构框图。

具体实施方式

为使本发明实施例的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明实施例作进一步详细的说明。

参照图5，示出了本发明实施例的一种冷泵再生的控制方法实施例的步骤流程图，如图5所示，所述冷泵与系统干泵相连，所述冷泵再生的控制方法，包括如下步骤：

步骤501，接收等待再生的冷泵提交的再生执行请求，依据所述请求申请所述系统干泵的使用权；

步骤502，当获得所述系统干泵的使用权时，关闭与所述系统干泵关联的所有抽气阀；

步骤503，关闭所述等待再生的冷泵及其对应腔室的门阀；

步骤504，发送再生启动指令至所述等待再生的冷泵；所述等待再生的冷泵用于依据再生指令执行再生；

步骤505，当所述等待再生的冷泵完成再生后，释放所述系统干泵的使用权。

需要说明的是，负责抽排冷泵再生时排出的气体的系统干泵可以是整个设备的系统泵。当冷泵的抽速降低，冷板温度升高，整体抽气效率下降时可以称相对应的冷泵为等待再生的冷泵。当然，系统干泵还可以用于粗抽真空等操作。本发明实施例将系统干泵视为共享资源，冷泵执行再生操作要申请系统干泵的使用权，同一时刻有且只有一个申请者占用系统干泵。当然，除了冷泵再生，腔室粗抽真空等其他操作同样要申请系统干泵的使用权。

在本发明的一个优选实施例中，以申请使用权的先后顺序作为获取使用权的先后顺序。

那么在本发明中，如果系统干泵已被占用，那么后续的冷泵再生申请将依次排队等待，如果系统干泵的使用权被释放，那么排在最前面的申请者将获得使用权并继续再生。

当然，上述获取使用权的方式只是用作示例，在实施本发明时，可以根据实际情况设置其它获取使用权的方式，例如，预定义获取使用权优先顺序等等，本发明实施例对此不加以限制。

当申请到系统干泵的使用权时，还需要关闭与系统干泵相关联的所有抽气阀，避免出现气体倒灌。

在关闭所述冷泵及其对应腔室的门阀后，可以控制冷泵执行再生操作。当所述冷泵完成再生操作时，释放系统干泵的使用权，轮到下一个申请者使用。

在本发明的一个优选实施例中，所述冷泵再生的控制方法，还包括以下步骤：

步骤506，当在第一预设时间段内未申请到所述系统干泵的使用权时，生成第一警报信息。

可以理解，在生成警报信息后，可以结束此次冷泵再生操作。第一警报信息提示超时，用户可以检查生产线设备是否出现异常。若无异常，则可再次提交再生执行请求。第一预设时间段可以由本领域技术人员根据实际情况进行设定，本发明实施例对此不加以限制。

在本发明的一个优选实施例中，所述冷泵再生的控制方法，还包括以下步骤：

步骤507，当在第二预设时间段内所述冷泵未完成再生时，发送再生结束指令至所述冷泵；所述冷泵用于依据所述再生结束指令终止再生；

步骤508，生成第二警报信息，并释放所述系统干泵的使用权。

如果在一段指定的时间内未完成再生，那么在抛出超时报警后并结束此次再生操作。用户在接收到该警报信息后可以检查生产线设备是否出现异常。无论再生操作顺利完成还是超时失败，系统干泵的使用权都会被释放，保证其他申请者的正常使用。

当然，第二预设时间段可以由本领域技术人员根据实际情况进行设定，本发明实施例对此不加以限制。

在本发明的一个优选实施例中，所述冷泵为铜互连物理气相沉积CuBS PVD设备的冷泵；

其中，所述铜互连物理气相沉积CuBS PVD设备包括传输腔室、去气工艺腔室、预清洗工艺腔室、铜阻挡层工艺腔室和铜籽晶层工艺腔室；

所述传输腔室、铜阻挡层工艺腔室和铜籽晶层工艺腔室分别与一个冷泵相连；

所述系统干泵与所述传输腔室、去气工艺腔室、铜阻挡层工艺腔室和铜籽晶层工艺腔室相连。

参照图6，示出了本发明实施例的一种CuBS PVD设备的结构示意图。如图所示，该设备由传输平台和四个腔室组成，传输平台负责传输物料(wafer)，传输腔室(transfer chamber)中有机械手，四个工艺腔室分布于传输腔室四周，工艺腔室与传输腔室之间由门阀分隔。

其中，去气工艺腔室(Degas)可以用于加热去除深孔内的水汽和有机物；

预清洗工艺腔室(Preclean)可以用于去除深孔内的氧化物；

铜阻挡层工艺腔室(Ta/TaN)可以用于在深孔内壁沉积过渡层，避免铜直接与物料接触所带来的缺陷；

铜籽晶层工艺腔室(Cu)可以用于在阻挡层上沉积铜，作为后续电镀工艺的籽晶层。

需要说明的是，本发明实施例中，系统干泵负责整个CuBS PVD设备(除Preclean腔室外)的粗抽真空工作。

参照图7，示出了本发明实施例的一种CuBS PVD设备的工艺流程图。如图所示，物料可以从装载腔室(Load Port)中传出，依次经过Degas→Preclean→Ta/TaN→Cu四个工艺腔室工艺处理后回到装载腔室(Load Port)。

为使本领域技术人员更好地理解本发明，以下提供一个例子来说明本发明实施例应用于CuBS PVD设备的具体实现过程。

参照图8，示出了本发明实施例的一种冷泵再生的操作流程图。如图所示，串口指令可以分别对应本发明实施例中的再生启动指令和再生结束指令。应用本发明实施例，可以有效对整个设备进行管理与协调，例如：参照图4，CuBS PVD设备在正常工作状态时，冷泵在持续进行抽真空操作，冷泵的排气阀门V_A、V_B、V_C，和各工艺腔室的抽气阀V₁、V₂、V₃、V₄均关闭。如果传输腔室正在进行粗抽真空操作，此时抽气阀V₃处于打开状态，若这时铜籽晶层工艺腔室的冷泵执行再生则会首先申请系统干泵的使用权，但是由于系统干泵正在被传输腔室使用，因此冷泵将进行等待，如果在指定时间内获得系统干泵的使用权则确认所有共享抽气阀门处于关闭状态(V₁、V₂、V₃、V₄)，然后占用系统干泵并继续再生流程。此外，如果冷泵1和2同时执行再生，那么会依次申请系统干泵的使用权，未申请到系统干泵使用权的冷泵将处于等待状态，这样就避免了彼此相互影响、干扰的问题。

对于方法实施例，为了简单描述，故将其都表述为一系列的动作组合，但是本领域技术人员应该知悉，本发明实施例并不受所描述的动作顺序的限制，因为依据本发明实施例，某些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次，本领域技术人员也应该知悉，说明书中所描述的实施例均属于优选实施例，所涉及的动作并不一定是本发明实施例所必须的。

参照图9，示出了本发明实施例的一种冷泵再生的控制系统实施例的结构框图。在本发明实施例中，所述冷泵与系统干泵相连。如图所示，所述系统，可以包括以下模块：

使用权申请模块901，用于接收等待再生的冷泵提交的再生执行请求，依据所述请求申请所述系统干泵的使用权；

抽气阀关闭模块902，用于在获得所述系统干泵的使用权时，关闭与所述系统干泵关联的所有抽气阀；

门阀关闭模块903，用于关闭所述等待再生的冷泵及其对应腔室的门阀；

再生启动指令发送模块904，用于发送再生启动指令至所述等待再生的冷泵；所述等待再生的冷泵用于依据再生指令执行再生；

第一使用权释放模块905，用于在所述等待再生的冷泵完成再生时，释放所述系统干泵的使用权。

在发明的一个优选实施例中，所述冷泵再生的控制系统，还可以包括以下模块：

第一警报生成模块，用于在在第一预设时间段内未申请到所述系统干泵的使用权时，生成第一警报信息。

在发明的一个优选实施例中，所述冷泵再生的控制系统，还可以包括以下模块：

再生结束指令发送模块，用于在在第二预设时间段内所述等待再生的冷泵未完成再生时，发送再生结束指令至所述等待再生的冷泵；所述等待再生的冷泵用于依据所述再生结束指令终止再生；

第二警报信息生成模块，用于生成第二警报信息；

第二使用权释放模块，用于释放所述系统干泵的使用权。

在发明的一个优选实施例中，所述冷泵为铜互连物理气相沉积CuBSPVD设备的冷泵；

其中，所述铜互连物理气相沉积CuBS PVD设备包括传输腔室、去气工艺腔室、预清洗工艺腔室、铜阻挡层工艺腔室和铜籽晶层工艺腔室；

所述传输腔室、铜阻挡层工艺腔室和铜籽晶层工艺腔室分别与一个冷泵相连；

所述系统干泵与所述传输腔室、去气工艺腔室、铜阻挡层工艺腔室和铜籽晶层工艺腔室相连。

在发明的一个优选实施例中，所述系统干泵具有对应的系统干泵上位机，所述系统干泵上位机用于在系统干泵的使用权被占用时，标记所述系统干泵状态为占用；在系统干泵的使用权被释放时，标记所述系统干泵状态为空闲。

对于系统实施例而言，由于其与方法实施例基本相似，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。

本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。

尽管已描述了本发明实施例的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例做出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明实施例范围的所有变更和修改。

最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者移动设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者移动设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者移动设备中还存在另外的相同要素。

以上对本发明实施例所提供的一种冷泵再生的控制方法和一种冷泵再生的控制系统，进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明实施例的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明实施例的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明实施例的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明实施例的限制。

Claims (10)

1.一种冷泵再生的控制方法，其特征在于，所述冷泵与系统干泵相连，所述方法，包括以下步骤：

接收等待再生的冷泵提交的再生执行请求，依据所述请求申请所述系统干泵的使用权；

当获得所述系统干泵的使用权时，关闭与所述系统干泵关联的所有抽气阀；

关闭所述等待再生的冷泵及其对应腔室的门阀；

发送再生启动指令至所述等待再生的冷泵；所述等待再生的冷泵用于依据所述再生启动指令执行再生；

当所述等待再生的冷泵完成再生后，释放所述系统干泵的使用权。

2.根据权利要求1所述的冷泵再生的控制方法，其特征在于，所述方法，还包括以下步骤：

当在第一预设时间段内未申请到所述系统干泵的使用权时，生成第一警报信息。

3.根据权利要求1所述的冷泵再生的控制方法，其特征在于，所述方法，还包括以下步骤：

当在第二预设时间段内所述等待再生的冷泵未完成再生时，发送再生结束指令至所述等待再生的冷泵；所述等待再生的冷泵用于依据所述再生结束指令终止再生；

生成第二警报信息，并释放所述系统干泵的使用权。

4.根据权利要求1所述的冷泵再生的控制方法，其特征在于，所述冷泵为铜互连物理气相沉积CuBS PVD设备的冷泵；

其中，所述铜互连物理气相沉积CuBS PVD设备包括传输腔室、去气工艺腔室、预清洗工艺腔室、铜阻挡层工艺腔室和铜籽晶层工艺腔室；

所述传输腔室、铜阻挡层工艺腔室和铜籽晶层工艺腔室分别与一个冷泵相连；

所述系统干泵与所述传输腔室、去气工艺腔室、铜阻挡层工艺腔室和铜籽晶层工艺腔室相连。

5.根据权利要求1所述的冷泵再生的控制方法，其特征在于，所述系统干泵具有对应的系统干泵上位机，所述系统干泵上位机用于在系统干泵的使用权被占用时，标记所述系统干泵状态为占用；在系统干泵的使用权被释放时，标记所述系统干泵状态为空闲。

6.一种冷泵再生的控制系统，其特征在于，所述冷泵与系统干泵相连，所述系统，包括以下模块：

使用权申请模块，用于接收等待再生的冷泵提交的再生执行请求，依据所述请求申请所述系统干泵的使用权；

抽气阀关闭模块，用于在获得所述系统干泵的使用权时，关闭与所述系统干泵关联的所有抽气阀；

门阀关闭模块，用于关闭所述等待再生的冷泵及其对应腔室的门阀；

再生启动指令发送模块，用于发送再生启动指令至所述等待再生的冷泵；所述等待再生的冷泵用于依据所述再生启动指令执行再生；

第一使用权释放模块，用于在所述等待再生的冷泵完成再生时，释放所述系统干泵的使用权。

7.根据权利要求6所述的冷泵再生的控制系统，其特征在于，所述系统，还包括以下模块：

第一警报生成模块，用于在在第一预设时间段内未申请到所述系统干泵的使用权时，生成第一警报信息。

8.根据权利要求6所述的冷泵再生的控制系统，其特征在于，所述系统，还包括以下模块：

再生结束指令发送模块，用于在在第二预设时间段内所述等待再生的冷泵未完成再生时，发送再生结束指令至所述等待再生的冷泵；所述等待再生的冷泵用于依据所述再生结束指令终止再生；

第二警报信息生成模块，用于生成第二警报信息；

第二使用权释放模块，用于释放所述系统干泵的使用权。

9.根据权利要求6所述的冷泵再生的控制系统，其特征在于，所述冷泵为铜互连物理气相沉积CuBS PVD设备的冷泵；

其中，所述铜互连物理气相沉积CuBS PVD设备包括传输腔室、去气工艺腔室、预清洗工艺腔室、铜阻挡层工艺腔室和铜籽晶层工艺腔室；

所述传输腔室、铜阻挡层工艺腔室和铜籽晶层工艺腔室分别与一个冷泵相连；

所述系统干泵与所述传输腔室、去气工艺腔室、铜阻挡层工艺腔室和铜籽晶层工艺腔室相连。

10.根据权利要求6所述的冷泵再生的控制系统，其特征在于，所述系统干泵具有对应的系统干泵上位机，所述系统干泵上位机用于在系统干泵的使用权被占用时，标记所述系统干泵状态为占用；在系统干泵的使用权被释放时，标记所述系统干泵状态为空闲。