CN104233245A - 一种二极管加工用新型钝化液 - Google Patents
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Abstract
本发明是一种二极管加工用新型钝化液,钝化液包含有磷酸,双氧水和纯水,磷酸,双氧水和纯水的体积比为1:1:3,在磷酸、双氧水和纯水的混合液中再添加少量的硫酸,磷酸、双氧水和纯水的混合液与硫酸的体积比为98:2,磷酸的浓度为85%,双氧水的浓度为30-35%,硫酸的浓度为98%。本发明按照一定的体积比将磷酸、双氧水和纯水混合后在添加硫酸,少量的硫酸减少反应的生成物,没有杂质,较以往的钝化处理液成本低,抗腐蚀能力强。本发明的处理液配方简单,成本低,使工件防腐性能提高的同时其他性能依然不变,延长了工件的使用寿命。
Description
技术领域
本发明属于二极管加工技术领域,具体的说是涉及一种二极管加工用的钝化液。
背景技术
二极管是现代微电子工业发展的基础,二极管已经成熟并且大量的应用于电子行业的各个领域,随着现在微电子工业的迅猛发展,二极管已经成为企业利润最多的一部分,二极管的芯片通过酸洗过后,台面容易被污染,所以必须对二极管的芯片进行钝化处理,钝化是使芯片台面进行化学氧化,使芯片得到保护。以往的钝化液产生的衍生物多,使得工件质量下降,影响企业的收益。
发明内容
为了解决上述问题,本发明提供了一种即钝化效果好又产生衍生物少的二极管用的钝化液。
为了达到上述目的,本发明是通过以下技术方案实现的:
本发明是一种二极管加工用新型钝化液,钝化液包含有磷酸,双氧水和纯水,磷酸,双氧水和纯水的体积比为1:1:3,在磷酸、双氧水和纯水的混合液中再添加少量的硫酸。
本发明的进一步改进在于:磷酸、双氧水和纯水的混合液与硫酸的体积比为98:2。
本发明的进一步改进在于:磷酸的浓度为85%,双氧水的浓度为30-35%,硫酸的浓度为98%。
本发明的有益效果是:本发明按照一定的体积比将磷酸、双氧水和纯水混合后在添加硫酸,少量的硫酸使得反应的生成物减少,没有杂质,较以往的钝化处理液成本低,钝化效果好。
本发明的处理液配方简单,成本低,使工件性能得以明显提升。
具体实施方式
为了加深对本发明的理解,下面将结合实施例对本发明做进一步详细描述,该实施例仅用于解释本发明,并不对本发明的保护范围构成限定。
本发明是一种二极管加工用新型钝化液,所述钝化液包含有磷酸,双氧水和纯水,其特征在于:所述磷酸,双氧水和纯水的体积比为1:1:3,在所述磷酸、双氧水和纯水的混合液中再添加少量的硫酸,所述磷酸、双氧水和纯水的混合液与所述硫酸的体积比为98:2,所述磷酸的浓度为85%,所述双氧水的浓度为30-35%,所述硫酸的浓度为98%。
双氧水具有强氧化性,在芯片表面钝化成膜,它能在酸性条件下,使芯片成膜速度加快,温度在60℃以上均可,提高成膜效率。如果双氧水的含量太低,导致钝化液氧化性太弱,芯片表面不易形成完整的钝化膜。
本发明按照一定的体积比将磷酸、双氧水和纯水混合后在添加硫酸,少量的硫酸减少反应的生成物减少,没有杂质,较以往的钝化处理液成本低,可靠性好。
本发明的处理液配方简单,成本低,使工件可靠性提高的同时其他性能依然不变。
Claims (3)
1.一种二极管加工用新型钝化液,所述钝化液包含有磷酸,双氧水和纯水,其特征在于:所述磷酸,双氧水和纯水的体积比为1:1:3,在所述磷酸、双氧水和纯水的混合液中再添加少量的硫酸。
2. 根据权利要求1所述一种二极管加工用新型钝化液,其特征在于:所述磷酸、双氧水和纯水的混合液与所述硫酸的体积比为98:2。
3.根据权利要求1所述一种二极管加工用新型钝化液,其特征在于:所述磷酸的浓度为85%,所述双氧水的浓度为30-35%,所述硫酸的浓度为98%。
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CN102263140A (zh) * | 2011-08-10 | 2011-11-30 | 山东沂光电子股份有限公司 | 一种塑封功率二极管及其制造工艺 |
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