CN104213071A

CN104213071A - 一种掩模板的制作工艺

Info

Publication number: CN104213071A
Application number: CN201310212721.4A
Authority: CN
Inventors: 魏志凌; 高小平; 潘世珎; 张炜平
Original assignee: Kunshan Power Stencil Co Ltd
Current assignee: Kunshan Power Stencil Co Ltd
Priority date: 2013-06-01
Filing date: 2013-06-01
Publication date: 2014-12-17
Anticipated expiration: 2033-06-01
Also published as: CN104213071B

Abstract

本发明公开了一种掩模板的制作工艺，先通过电铸工艺电铸一层电铸层，再通过蚀刻工艺在所述电铸层上电铸开口的一侧蚀刻出具有一定深度的蚀刻凹槽，其中，所述电铸工艺包括：贴膜一步骤、曝光一步骤、显影一步骤、电铸步骤、褪膜一步骤；所述蚀刻工艺包括：贴膜二步骤、曝光二步骤、显影二步骤、蚀刻步骤、褪膜二步骤。通过本发明所提供的工艺制作的掩模板，其开口由电铸开口和蚀刻凹槽结合而成，电铸开口的侧壁光滑，易脱模，有效沉积开口精度容易控制，可提高开口精度；在电铸开口的基础上由蚀刻工艺制得的蚀刻凹槽形成碗状孔壁，与电铸开口相结合，碗状孔壁具有的大锥度，避免了蒸镀过程中孔壁对蒸镀材料的遮挡，提高了蒸镀成膜率。

Description

一种掩模板的制作工艺

技术领域

本发明涉及一种蒸镀用掩模板的制作工艺，具体涉及一种OLED蒸镀用掩模板的制作工艺。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode；OLED)，主要结构由阳极（第一电极）、阴极（第二电极）以及介于阳极和阴极之间的有机发光层组成，发光效率较佳的多层PM-OLED结构还需在阳极和有机层之间制作空穴注入层（Hole Inject Layer；HIL）、空穴传输层（Hole Transport Layer；HTL），在有机层和阴极之间制作电子传输层（Electron Transport Layer；ETL）、电子注入层（Electron Inject Layer；EIL）等结构。OLED的发光机理是从阴、阳两极分别注入电子和空穴，被注入的电子和空穴在传输层内传输，并在发光层内复合，从而激发发光层分子产生单态激子，单态激子辐射衰减而发光。OLED显示器具有自主发光、低电压直流驱动、全固化、视角宽、颜色丰富等一系列的优点，与液晶显示器相比，OLED显示器不需要背光源，视角大，功率低，其响应速度可达到液晶显示器的1000倍，其制造成本却低于同等分辨率的液晶显示器。因此，OLED显示器具有广阔的应用前景，逐渐成为未来20年成长最快的新型显示技术。

OLED结构中的有机层材料的沉积需要用到蒸镀用的掩模板，传统制备掩模板采用双面蚀刻工艺，其制作的掩模板的开口剖面图如图1所示，t1为ITO面（即蒸镀时与ITO基板对应的一面）蚀刻深度，t2为蒸镀面（即蒸镀时与蒸镀源对应的一面）蚀刻深度。其中，采用双面蚀刻分别从因瓦片材两面腐蚀，形成的剖面为葫芦状开口，但由于蚀刻为减成工艺，且存在侧腐蚀作用，使得片材表面有效沉积开口尺寸精度不好控制，尺寸存在偏差，图中所示为实际蚀刻的有效沉积开口尺寸L1大于预定尺寸L2，且蚀刻形成的开口壁粗糙不光滑。

本发明主要是针对以上问题提出一种掩模板的制作工艺，较好的解决以上所述问题。

发明内容

有鉴于此，需要克服现有技术中的上述缺陷中的至少一个。本发明提供了一种掩模板的制作工艺，其特征在于：

先通过电铸工艺电铸一层电铸层，再通过蚀刻工艺在所述电铸层上电铸开口的一侧蚀刻出具有一定深度的蚀刻凹槽，其中，

所述电铸工艺包括：贴膜一步骤、曝光一步骤、显影一步骤、电铸步骤、褪膜一步骤；

所述蚀刻工艺包括：贴膜二步骤、曝光二步骤、显影二步骤、蚀刻步骤、褪膜二步骤；

其中，在所述电铸工艺中，经所述褪膜一步骤将所述曝光一步骤中曝光的膜除去，形成所述电铸层上的电铸开口；在所述蚀刻工艺中，经所述贴膜二步骤将经过所述电铸工艺的芯模在带有电铸层的一面进行贴膜，经所述曝光二步骤使所述电铸开口边缘的电铸层金属区域的膜未曝光，其余区域的膜曝光，曝光的膜在后续的蚀刻步骤中形成保护膜，经所述显影二步骤将在所述曝光二步骤中未曝光的膜除去，露出部分所述电铸层的金属区域，经所述蚀刻步骤将露出的部分电铸层的金属区域蚀刻成具有一定深度的蚀刻凹槽。

根据本专利背景技术中对现有技术所述，传统采用双面蚀刻工艺分别从因瓦片材两面腐蚀，形成的掩模板开口剖面为葫芦状开口，但由于蚀刻为减成工艺，且存在侧腐蚀，使制成的掩模板的有效沉积开口尺寸精度不好控制，蚀刻形成的开口壁粗糙不光滑。通过本发明所提供的工艺制作的掩模板，其开口由电铸开口和蚀刻凹槽结合而成，由电铸工艺形成的电铸开口的侧壁光滑，易脱模，有效沉积开口精度容易控制，可提高开口精度；在电铸开口的基础上由蚀刻工艺制得的蚀刻凹槽形成碗状孔壁，与电铸开口相结合，碗状孔壁具有的大锥度，避免了蒸镀过程中孔壁对蒸镀材料的遮挡，提高了蒸镀成膜率，与此同时掩模板的厚度也可以根据需要得到很好的控制。

下面将详细地描述本发明所提供的掩模板的制作工艺，一些附加的技术特征也将在下面的叙述中展示出来。

进一步地，所述电铸工艺具体步骤如下：

a、贴膜一步骤：将经过前处理步骤的芯模的一面进行贴膜；

b、曝光一步骤：将经过所述贴膜一步骤的芯模在贴有膜的一面进行曝光，将预设的曝光区域的膜曝光，以便将未曝光区域的膜通过显影步骤除去，留下曝光区域的膜以作后续电铸步骤的保护膜；

c、显影一步骤：将经过所述曝光一步骤的芯模在贴有膜的一面进行显影，将上述步骤b中未曝光区域的膜通过显影步骤除去，露出对应的芯模区域，留下曝光区域的膜以作后续电铸步骤的保护膜；

d、电铸步骤：将经过所述显影一步骤的芯模放入电铸槽中，在经显影一步骤已经去除膜露出芯模的区域电铸一层电铸层，获得具有电铸层的芯模；

e、褪膜一步骤：将经过所述电铸步骤的芯模进行褪膜，通过褪膜一步骤将经所述曝光一步骤中曝光区域的膜除去，形成所述电铸层上的电铸开口。

进一步地，所述贴膜一步骤中所述的芯模前处理步骤包括将所述芯模予以除油、酸洗、喷砂，以除去其表面的污垢及杂质，增加其表面粗糙度。

电铸开口侧壁较蚀刻开口侧壁光滑，更易脱模，不会对已蒸镀上的材料造成影响。

进一步地，所述蚀刻工艺具体步骤如下：

f、贴膜二步骤：将经过所述电铸工艺的芯模在带有电铸层的一面进行贴膜；

g、曝光二步骤：将经过所述贴膜二步骤的芯模在贴有膜的一面进行曝光，将预设的曝光区域的膜曝光，以便将未曝光区域的膜通过显影除去，留下曝光区域的膜以作后续蚀刻步骤的保护膜，所述曝光二步骤中所述电铸开口边缘的电铸层金属区域的膜未曝光，其余区域的膜曝光；

h、显影二步骤：将经过所述曝光二步骤的芯模进行显影，将曝光二步骤中未曝光区域的膜除去，露出部分所述电铸层的金属区域；

i、蚀刻步骤：将经过所述显影二步骤的芯模进行蚀刻，将所述露出的部分所述电铸层的金属区域蚀刻成具有一定深度的蚀刻凹槽；

j、褪膜二步骤：将经过所述蚀刻步骤的芯模进行褪膜，通过褪膜二步骤将所述曝光区域的膜除去。

进一步地，经蚀刻工艺的褪膜二步骤后，将所述芯模上的电铸层从所述芯模上剥离下来，即获得所需要的产品（即掩模板）。

进一步地，在所述蚀刻步骤之前将所述芯模未贴膜的一面贴上一层保护膜，或者在蚀刻步骤中在所述芯模没有电铸层的一面垫上一层垫板，所述的保护膜和所述的垫板起到保护芯模不被蚀刻的作用。

进一步地，在所述电铸工艺的褪膜一步骤后、蚀刻工艺的贴膜二步骤前还包括后处理步骤，所述后处理步骤包括将所述具有电铸层的芯模进行除油步骤、酸洗步骤、风干步骤。

进一步地，所述电铸层的材料为镍或镍基合金。

可选地，所述电铸层的材料为镍铁合金、镍钴合金、及镍铁钴合金中的一种。

进一步地，所述蚀刻凹槽的深度为所述电铸层厚度的50%～100% 。

优选地，所述蚀刻凹槽的深度为所述电铸层厚度的100% 。

进一步地，所述蚀刻步骤蚀刻凹槽的剖面锥度角度为30^o～60^o。

优选地，所述蚀刻凹槽的剖面锥度角度为45^o。

通过蚀刻的凹槽可以使掩模板的开口具有一定的锥度，减小蒸镀时的遮蔽效应，蚀刻凹槽的深度越深（深度小于等于电铸层的厚度）、锥度越大遮蔽效果越小。

通过电铸工艺来控制有效沉积开口宽度的尺寸,相对蚀刻工艺,电铸开口宽度的尺寸精度容易控制，从而提高了有效沉积开口的精度。

本发明附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。

附图说明

本发明的上述和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1所示为传统双面蚀刻掩模板开口的截面放大示意图；

图2所示为贴膜一截面示意图；

图3所示为曝光一截面示意图；

图4所示为显影一截面示意图；

图5所示为电铸步骤后的截面示意图；

图6所示为褪膜一步骤后的截面示意图；

图7所示为贴膜二截面示意图；

图8所示为曝光二截面示意图；

图9所示为显影二截面示意图；

图10所示为蚀刻步骤后的截面示意图；

图11所示为褪膜二步骤后的截面示意图；

图12所示为掩模板的截面示意图；

图13所示为图8中80部分放大示意图；

图14所示为图9中90部分放大示意图；

图15所示为图10中100部分放大示意图；

图16所示为图12中120部分放大示意图；

图17所示为图12中120部分另一种结构的放大示意图；

图18所示为掩模板平面结构示意图；

图19所示为图18中180部分蒸镀面的平面结构放大示意图；

图20所示为图18中180部分ITO面的平面结构放大示意图；

图21所示为本发明的另一种掩模板蒸镀面的平面结构示意图；

图22所示为本发明的另一种掩模板ITO面的平面结构示意图。

图1中，1为掩模板的ITO面，2为掩模板的蒸镀面，L1为蚀刻的有效沉积开口宽度，L2为预设的有效沉积开口宽度，t1为ITO面蚀刻的深度，t2为蒸镀面蚀刻的深度，t为掩模板的厚度；

图2中，21为芯模，22为膜；

图3中，31为曝光区域的膜；

图4中，41为经显影一步骤后露出的芯模区域；

图5中，51为电铸层；

图6中，61为电铸开口；

图7中， 71、72为膜；

图8中，80为待放大区域，81、82为曝光区域的膜；

图9中，90为待放大区域，91为经显影二步骤后露出的部分电铸层的金属区域；

图10中，100为待放大区域，101为蚀刻凹槽；

图11中，111为掩模板的开口；

图12中，120为待放大区域；

图16中，L为有效沉积开口的宽度，t3为电铸层未蚀刻的厚度，t4为电铸层蚀刻凹槽的深度，d为电铸层的厚度，3为掩模板的蒸镀面，4为掩模板的ITO面；

图17中，t5为蚀刻凹槽的深度，α为蚀刻凹槽的剖面锥度角；

图18中，180为待放大区域，181为开口区域；

图19中，I-I为解剖观测方向；

图21中，A-A为解剖观测方向。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能解释为对本发明的限制。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语 “上”、“下”、“底”、“顶”、“前”、“后”、“内”、“外”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

本发明的发明构思如下，如背景技术所述，传统采用双面蚀刻工艺分别从因瓦片材两面腐蚀，形成的掩模板开口剖面为葫芦状开口如图1所示，但由于蚀刻为减成工艺，且存在侧腐蚀，使制成的掩模板的有效沉积开口尺寸精度不好控制，且蚀刻形成的开口侧壁粗糙不光滑。通过本发明所提供的工艺制作的掩模板，其开口由电铸开口61和蚀刻凹槽101结合而成，由电铸工艺形成的电铸开口61的侧壁光滑，易脱模，有效沉积开口精度容易控制，可提高开口精度；在电铸开口61的基础上由蚀刻工艺制得的蚀刻凹槽101形成碗状孔壁，与电铸开口61相结合，碗状孔壁具有的大锥度，避免了蒸镀过程中孔壁对蒸镀材料的遮挡，提高了蒸镀成膜率，与此同时掩模板的厚度d也可以根据需要得到很好的控制。

下面将参照附图来描述本发明的掩模板的制作工艺，图2所示为贴膜一截面示意图；图3所示为曝光一截面示意图；图4所示为显影一截面示意图；图5所示为电铸步骤后的截面示意图；图6所示为褪膜一步骤后的截面示意图；图7所示为贴膜二截面示意图；图8所示为曝光二截面示意图；图9所示为显影二截面示意图；图10所示为蚀刻步骤后的截面示意图；图11所示为褪膜二步骤后的截面示意图；图12所示为剥离后的掩模板截面示意图；图18所示为掩模板平面示意图；图21所示为本发明的另一种掩模板蒸镀面的平面结构示意图；图22所示为本发明的另一种掩模板ITO面的平面结构示意图。

根据本发明的实施例，如图2-图15所示，本发明提供了一种掩模板的制作工艺，其特征在于：

先通过电铸工艺电铸一层电铸层51，再通过蚀刻工艺在所述电铸层51上电铸开口61的一侧蚀刻出具有一定深度的蚀刻凹槽101，其中，

其中，在所述电铸工艺中，经所述褪膜一步骤将所述曝光一步骤中曝光的膜（31）除去，形成所述电铸层51上的电铸开口61；在所述蚀刻工艺中，经所述贴膜二步骤将经过所述电铸工艺的芯模在带有电铸层51的一面进行贴膜，经所述曝光二步骤使所述电铸开口61边缘的电铸层金属区域的膜未曝光，其余区域的膜曝光，曝光的膜在后续的蚀刻步骤中形成保护膜，经所述显影二步骤将在所述曝光二步骤中未曝光的膜除去，露出部分所述电铸层的金属区域，经所述蚀刻步骤将露出的部分电铸层的金属区域91蚀刻成具有一定深度的蚀刻凹槽101。

根据本发明的实施例，所述电铸工艺具体步骤如下：

a、贴膜一步骤：如图2所示，将经过前处理步骤的芯模21的一面进行贴膜；

b、曝光一步骤：如图3所示，将经过所述贴膜一步骤的芯模在贴有膜22的一面进行曝光，将预设的曝光区域的膜曝光，以便将未曝光区域的膜通过显影去除，留下曝光区域的膜31以作后续电铸的保护膜；

c、显影一步骤：如图4所示，将经过所述曝光一步骤的芯模在贴有膜22的一面进行显影，将上述步骤b中未曝光区域的膜通过显影除去，露出芯模区域41，留下曝光区域的膜31以作后续电铸步骤的保护膜；

d、电铸步骤：如图5所示，将经过所述显影一步骤的芯模放入电铸槽中，在经显影一步骤已经去除膜露出芯模的区域41电铸一层电铸层51，获得具有电铸层的芯模；

e、褪膜一步骤：如图6所示，将经过所述电铸步骤的芯模进行褪膜，通过褪膜一步骤将经过所述曝光一步骤中曝光区域的膜除去，形成所述电铸层51上的电铸开口61。

根据本发明的实施例，所述贴膜一步骤中所述的芯模前处理步骤包括将所述芯模21予以除油、酸洗、喷砂，以除去其表面的污垢及杂质，增加其表面粗糙度。

电铸开口（61）侧壁较蚀刻开口侧壁光滑，更易脱模，不会对已蒸镀上的材料造成影响。

根据本发明的实施例，所述蚀刻工艺具体步骤如下：

f、贴膜二步骤：如图7所示，将经过所述电铸工艺的芯模在带有电铸层51的一面进行贴膜，将电铸层51以及电铸层51上的电铸开口61均涂覆一层膜71；

g、曝光二步骤：如图8所示，将经过所述贴膜二步骤的芯模在贴有膜71的一面进行曝光，将预设的曝光区域的膜曝光，以便将未曝光区域的膜通过显影去除，留下曝光区域的膜以作后续蚀刻步骤的保护膜，所述曝光二步骤中所述电铸开口边缘的电铸层金属区域的膜未曝光，其余区域的膜曝光，其局部（80）放大示意图如图13所示81为曝光区域的膜，71为电铸开口边缘的电铸层金属区域未曝光的膜；

h、显影二步骤：如图9所示，将经过所述曝光二步骤的芯模经显影步骤除去曝光二步骤中未曝光区域的膜，露出部分所述电铸层的金属区域91，其局部（90）放大示意图如图14所示；

i、蚀刻步骤：如图10所示，将经过所述显影二步骤的芯模进行蚀刻，将露出的部分所述电铸层的金属区域(91)蚀刻成具有一定深度的蚀刻凹槽101, 其局部（100）放大示意图如图15所示, 在电铸开口61的基础上，蚀刻出具有一定深度的蚀刻凹槽101，蚀刻凹槽101剖面呈具有一定锥度的碗状，可以减小蒸镀时对蒸镀材料的遮蔽效应；

j、褪膜二步骤：如图11所示，将经过所述蚀刻步骤的芯模进行褪膜，通过褪膜步骤将曝光区域的膜81除去。

根据本发明的实施例，经蚀刻工艺的褪膜二步骤后，将所述芯模上的电铸层51从所述芯模上剥离下来，如图12所示，即获得所需要的产品（即掩模板），掩模板的开口111由电铸开口61和蚀刻开口101结合而成，即在电铸层51上的电铸开口61的一侧蚀刻出具有一定深度的蚀刻凹槽101，从而形成掩模板的沉积开口111，图12中120的局部结构放大示意图如图16-图17所示。

根据本发明的一些实施例，在所述蚀刻步骤之前将所述芯模没有电铸层（51）的一面贴上一层保护膜，或者在所述蚀刻步骤中在所述芯模没有电铸层（51）的一面垫上一层垫板，所述的保护膜和所述的垫板起到保护芯模21不被蚀刻的作用。

根据本发明的一个实施例，在所述蚀刻步骤之前将所述芯模没有电铸层（51）的一面贴上一层保护膜，所述保护膜是将膜72涂覆或压贴到芯模没有电铸层（51）的一面，再通过曝光形成保护膜82，如图7-图10所示，即保护膜82可通过贴膜二步骤、曝光二步骤形成。

根据本发明的实施例，在所述电铸工艺的褪膜一步骤后、蚀刻工艺的贴膜二步骤前还包括后处理步骤，所述后处理步骤包括将所述具有电铸层（51）的芯模进行除油步骤、酸洗步骤、风干步骤。

根据本发明的实施例，所述电铸层51的材料为镍或镍基合金。

可选地，所述电铸层51的材料为镍铁合金、镍钴合金、及镍铁钴合金中的一种。

根据本发明的实施例，如图16所示，所述蚀刻步骤中蚀刻凹槽的深度为所述电铸层51厚度的50%～100%， t3为电铸层未蚀刻的厚度，t4为电铸层蚀刻凹槽101的深度，d为电铸层的厚度，t3、t4、d的关系为：t3+t4=d。

根据本发明的优选实施例，所述蚀刻凹槽的深度为所述电铸层51厚度的100%，如图17所示，即蚀刻凹槽的深度t5与电铸层厚度d的关系为：t5=d。

根据本发明的一些实施例，如图17所示，所述蚀刻步骤中蚀刻凹槽101的剖面锥度角度α为30^o～60^o。

根据本发明的实施例，所述蚀刻步骤中蚀刻凹槽101的剖面锥度角度α为45^o。

通过蚀刻的凹槽101可以使掩模板的开口111具有一定的锥度，减小蒸镀时的遮蔽效应，蚀刻凹槽101的深度越深（深度小于等于电铸层的厚度）、锥度角度越大遮蔽效果越小。

根据本发明的实施例，图16、图17中所示通过电铸工艺来控制有效沉积开口宽度L的尺寸,相对蚀刻工艺,电铸开口宽度L的尺寸精度容易控制，从而提高了有效沉积开口的精度。

根据本发明的实施例，如图18-图20所示，为通过本发明所提供的掩模板的制作工艺获得的掩模板平面结构示意图，以电铸层51为掩模板的主体上具有多个开口区域181（开口区域181的数量不限于图18中所示的12个），其中开口区域181的局部区域（180）放大的示意图如图19、20所示，图19中3为蒸镀面（即蒸镀时与蒸镀源对应的一面，也即电铸时不与芯模接触的一面），沿I-I方向的剖面示意图如图12、图16、图17所示；图20中4为ITO面（即蒸镀时与ITO基板接触的一面，也即电铸时与芯模接触的一面），其开口111为细长条状，有效沉积开口的宽度尺寸L为30～100μm,由电铸形成的开口61与蚀刻形成的具有锥度的蚀刻凹槽101结合而成。

根据本发明的实施例，如图21-图22所示，为通过本发明所提供的掩模板的制作工艺获得的另一种掩模板平面结构示意图，以电铸层51为掩模板的主体上具有多个开口111，图21中3为蒸镀面（即蒸镀时与蒸镀源对应的一面，也即电铸时不与芯模接触的一面），沿A-A方向的剖面示意图如图12、图16、图17所示；图22中4为ITO面（即蒸镀时与ITO基板接触的一面，也即电铸时与芯模接触的一面），其沉积开口111形状为矩形，矩形开口111的长度和宽度尺寸的数量级可以根据需要从微米级别到米级别任意设定（开口111数量不限于图21、22中所示的9个），开口111由电铸形成的开口61与蚀刻形成的具有锥度的蚀刻凹槽101结合而成。

在本发明中，所述的贴膜一步骤、贴膜二步骤是将干膜压贴或将湿膜涂覆到芯模或电铸层的表面。所述干膜（Dry film）在涂装中是相对湿膜（Wet film）而言的一种高分子化合物，具有成型的结构，通过曝光步骤后形成一种稳定的物质（即曝光后的膜）；所述湿膜本身是由感光性树脂合成，是一种粘稠状液体，不具有成型的结构，基材上的凹坑、划伤部分与湿膜的接触良好，通过曝光步骤后形成一种稳定的物质（即曝光后的膜）。

根据本发明的实施例，在所述贴膜一步骤中，将干膜压贴到芯模21的表面，或者将湿膜涂覆到芯模21的表面。

根据本发明的实施例，在所述贴膜二步骤中，将湿膜涂覆到所述电铸层51的表面，在所述贴膜二步骤中使用湿膜可以很好的将湿膜填充在电铸层上的电铸开口61内部。

尽管参照本发明的多个示意性实施例对本发明的具体实施方式进行了详细的描述，但是必须理解，本领域技术人员可以设计出多种其他的改进和实施例，这些改进和实施例将落在本发明原理的精神和范围之内。具体而言，在前述公开、附图以及权利要求的范围之内，可以在零部件和/或者从属组合布局的布置方面作出合理的变型和改进，而不会脱离本发明的精神。除了零部件和/或布局方面的变型和改进，其范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims

1.一种掩模板的制作工艺，其特征在于：

2.根据权利要求1所述的掩模板的制作工艺，其特征在于，所述电铸工艺具体步骤如下：

a、贴膜一步骤：将经过前处理步骤的芯模的一面进行贴膜；

3.根据权利要求2所述的掩模板的制作工艺，其特征在于，在所述贴膜一步骤中所述的芯模前处理步骤包括将所述芯模予以除油、酸洗、喷砂。

4.根据权利要求1所述的掩模板的制作工艺，其特征在于，所述蚀刻工艺具体步骤如下：

5.根据权利要求4所述的掩模板的制作工艺，其特征在于，在所述蚀刻步骤之前将所述芯模没有电铸层的一面贴上一层保护膜，或者在所述蚀刻步骤中在所述芯模没有电铸层的一面垫上一层垫板，所述保护膜和所述垫板起到保护芯模不被蚀刻的作用。

6.根据权利要求1所述的掩模板的制作工艺，其特征在于，所述电铸层的材料为镍或镍基合金。

7.根据权利要求1所述的掩模板的制作工艺，其特征在于，所述蚀刻凹槽的深度为所述电铸层厚度的50%～100% 。

8.根据权利要求1所述的掩模板的制作工艺，其特征在于，所述蚀刻凹槽的深度为所述电铸层厚度的100% 。

9.根据权利要求1所述的掩模板的制作工艺，其特征在于，所述蚀刻凹槽的剖面锥度角度为30^o～60^o。

10.根据权利要求1所述的掩模板的制作工艺，其特征在于，所述蚀刻凹槽的剖面锥度角度角度为45^o。