CN104205508A - 电触头和电气部件用插座 - Google Patents

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Abstract

本发明提供防止电气部件的端子(2a)与电触头(14)在连续性试验后发生黏附、使耐久性提高的电触头(14)以及使用了其的电气部件用插座(10)。本发明的电触头(14)在具有导电性的基材(31)的表面形成有以Ni作为主成分的基底层(32)、以Pd和Ag作为主成分的表层(33)、以及以Sn或Au作为主成分的最表层(34)。

Description

电触头和电气部件用插座
技术领域
本发明涉及电连接于半导体装置(以下称为“IC封装”)等电气部件的电触头、以及配置有该电触头的电气部件用插座。
背景技术
以往，作为这种电触头(electric contact)，已知的是，作为电气部件用插座的IC插座中设置的探针。该IC插座被配置在布线基板上，且容纳有作为检查对象的IC封装，该IC封装的端子与布线基板的电极经由该探针进行电连接。
该探针成为在基材上形成有基底层、表层的结构。另一方面，IC封装的端子的表面用所谓的无铅焊锡(即主成分为锡且不含铅的焊锡)形成。IC封装的连续性试验(continuity test)等中，通过探针的表层与IC封装端子的无铅焊锡层相接触而彼此进行电连接(例如，参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本再表2007/034921号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而，对于这种以往的产品而言，在进行了连续性试验后将IC封装从IC插座取下时，有时IC封装的端子会黏附于探针而难以取下。并且，在这样的状态下剥离IC封装的端子时，产生了探针的顶端部分容易损伤、探针的耐久性会降低这样的问题。尤其是，在高温(例如150℃以上)下进行了连续性试验后，黏附变得显著，成为大问题。
因此，本发明的课题在于，提供能够防止电气部件(IC封装)的端子与电触头(探针)在连续性试验后发生黏附、使耐久性提高的电触头以及电气部件用插座。
用于解决问题的方案
为了实现所述课题，本发明人等进行了深入研究，结果发现了以下内容。即发现了：通过在会与电气部件的端子发生黏附的结构的电触头的表层进一步设置由特定材料制成的最表层，可以防止电气部件的端子与电触头的黏附。
本发明的电触头的特征在于，其具备：具有导电性的基材、以及在该基材上形成的以Sn或Au作为主成分的最表层。
本发明中，理想的是，在前述基材上形成表层，所述表层以通过施加热而使Sn熔入并扩散的材料作为主成分，以与该表层的表面直接接触的方式形成前述最表层。
本发明中，理想的是，前述表层以Pd和Ag作为主成分。
本发明中，理想的是，前述Ag的重量大于前述Pd的重量。本发明中，理想的是，前述表层包含Pd-Ag镀层。
本发明中，理想的是，前述表层包含Pd-Ag镀层与Ag镀层的积层或者Pd-Ag镀层与Pd镀层的积层。
本发明中，理想的是，前述表层包含Ag镀层与Pd镀层的积层。
本发明中，理想的是，在前述基材上形成以Ni作为主成分的基底层，在该基底层上形成前述表层。
本发明的电气部件用插座的特征在于，其具备：插座主体；容纳部，其用于容纳电气部件，所述电气部件具备包含Sn的端子；以及，本发明的电触头，其配置于前述插座主体，用于与前述端子接触。
发明的效果
根据本发明，由于制成了具备基材和最表层的电触头，所述基材由具有导电性的材料制成，所述最表层由Sn或Au材料制成，因此，能够防止电气部件的端子与电触头在连续性试验后发生黏附，能够使电气部件用插座的耐久性提高。
附图说明
图1是本发明的实施方式1所述的IC插座中的探针附近的放大剖视图。
图2是表示在图1的IC插座中安装有IC封装和布线基板的状态的放大剖视图。
图3是表示实施方式1所述的探针的接触部的层结构的示意剖视图。
图4A是表示实施方式1所述的探针的接触部在高温试验后的状态的照片。
图4B是图4A的部分放大照片。
图4C是表示与图4B对应的截面形状的计测结果的图表的照片。
图5A是表示实施方式1的比较例所述的探针的接触部在高温试验后的状态的照片。
图5B是图5A的部分放大照片。
图5C是表示与图5B对应的截面形状的计测结果的图表的照片。
图6是表示本发明的实施方式2所述的探针的接触部的层结构的示意剖视图。
图7A是表示实施方式1所述的探针的接触部在高温试验后的状态的照片。
图7B是图7A的部分放大照片。
图7C是表示与图7B对应的截面形状的计测结果的图表的照片。
图8A是表示实施方式1的比较例所述的探针的接触部在高温试验后的状态的照片。
图8B是图8A的部分放大照片。
图8C是表示与图8B对应的截面形状的计测结果的图表的照片。
图9是表示本发明的变形例所述的探针的接触部的层结构的示意剖视图。
图10是表示本发明的变形例所述的探针的接触部的层结构的示意剖视图。
图11是表示本发明的变形例所述的探针的接触部的层结构的示意剖视图。
图12是表示本发明的变形例所述的探针的接触部的层结构的示意剖视图。
图13是表示本发明的变形例所述的探针的接触部的层结构的示意剖视图。
图14是表示本发明的变形例所述的探针的接触部的层结构的示意剖视图。
具体实施方式
以下，针对本发明的实施方式进行说明。
[发明的实施方式1]
图1～图5表示本发明的实施方式1。
该实施方式1的IC插座10(对应于本发明的“电气部件用插座”)如图1和图2所示那样被固定在布线基板1上。IC插座10的上部安装有IC封装2(对应于本发明的“电气部件”)。安装有IC封装2时，布线基板1的电极1a与作为IC封装2的端子的焊球2a进行电连接。IC插座10例如可用于针对IC封装2的老化试验等连续性试验的试验装置等。
该实施方式1的IC封装2中，在大致方形的封装主体2b的下表面设置有多个焊球2a。该焊球2a通过所谓的无铅焊锡(即主成分为Sn且不含铅的焊锡)形成。
IC插座10具备由上侧板材11和下侧板材12构成的插座主体13。另外，IC插座10具备以矩阵状配置于该插座主体13且纵向贯通插座主体13而配置的多个作为电触头的探针14。插座主体13在上侧板材11与下侧板材12被固定螺丝(图略)固定的状态下通过定位销(图略)而定位在布线基板1上。需要说明的是，上侧板材11上设置有能够在容纳有IC封装2的状态下上下运动的浮板15(对应于本发明的“容纳部”)。
该实施方式1中，设置于IC封装2的焊球2a的配置间距与设置于布线基板1并与焊球2a电连接的电极1a的配置间距相同。另外，探针14的配置间距也与这些配置间距相同。
如图1和图2所示那样，各探针14具备沿着长度方向的轴线L配置的第1柱塞20、第2柱塞30、以及筒状部件40。第1柱塞20的顶端形成有用于与布线基板1的电极1a进行电接触的接触部20a。第2柱塞30的顶端形成有用于与IC封装2的焊球2a进行电接触的接触部30a。筒状部件40设在第1柱塞20与第2柱塞30之间。该筒状部件40的内部容纳有螺旋弹簧50，所述螺旋弹簧50将第1柱塞20与第2柱塞30以沿着轴线L彼此分离的方向施力。
第1柱塞20具备突出部20b和比突出部20b粗的插入部20c，所述突出部20b的顶端设置有用于与布线基板1的电极1a接触的大致圆锥形的接触部20a。其中，插入部20c以能够在筒状部件40内滑动地接触的状态容纳在筒状部件40内，第1柱塞20的突出方向(下方向)的移动被形成于筒状部件40的下端部的卡定部40a限制。另外，在插入部20c的端部，用于对螺旋弹簧50进行卡定的支承部20d一体地形成为以轴线L为中心的圆锥形状。另外，突出部20b以能够在下侧板材12的贯通孔12a中滑动的方式贯穿下侧板材12。
第2柱塞30具备突出部30b和比突出部30b粗的插入部30c，所述突出部30b的顶端设置有用于与IC封装2的焊球2a接触的大致王冠形状的接触部30a。其中，插入部30c以能够相对于该筒状部件40的内侧面滑动地接触的状态容纳在筒状部件40内，第2柱塞30的突出方向(上方向)的移动被形成于筒状部件40的上端部的卡定部40b限制。另外，在插入部30c的下端部，用于对螺旋弹簧50进行卡定的支承部30d一体地形成为以轴线L为中心的圆锥形状。另外，突出部30b从上侧板材11突出。该突出部30b的上端设置有接触部30a。该接触部30a以能够在可容纳IC封装2的焊球2a的浮板15的贯通孔15a中滑动的方式贯穿浮板15。
接着，针对该实施方式1中的探针14的材料，使用图3～图5进行说明。需要说明的是，此处，针对探针14的第2柱塞30的材料进行特别说明。
该实施方式1的探针14的第2柱塞30如图3所示那样，成为由基材31、基底层32、表层33、以及最表层34层叠而成的结构。
其中，基材31具有导电性，例如由黄铜形成。
另外，作为基底层32，例如可以使用以Ni作为主成分的镀层。基底层32的膜厚例如为2～3μm。
表层33包含通过施加热而使Sn熔入的材料作为主成分。该实施方式1中，作为表层33，采用了厚度为1μm左右的Pd-Ag镀层。关于Pd与Ag的重量比，既可以是Pd的重量较大，也可以是Ag的重量较大。但是，通过增加Ag的重量，与以往的在Ni上实施了镀Au的探针相比，能够提高探针14的耐久性。
该Pd-Ag镀层例如可以通过基于湿式镀敷的制法、基于离子镀的制法来形成。
该基于湿式镀敷的制法中，首先，形成基底层32(例如厚度为2～3μm的Ni镀层)，在其上形成密合层(例如触击电镀(strike)Au镀层)。并且，例如交互地层叠形成厚度为0.5μm的Pd镀层和厚度为0.5μm的Ag镀层后，利用恒温槽以规定的温度使Pd和Ag进行热扩散，从而形成表层33。此时，Pd与Ag的重量比例如为Pd:Ag＝54:46。该比例可以通过调整Pd镀层的膜厚和Ag镀层的膜厚而自由改变。
另一方面，在基于离子镀的制法中，首先，形成基底层32(例如厚度为2～3μm的Ni镀层)。并且，通过离子镀在基底层32上以厚度达到例如1μm的方式附着Pd和Ag，从而形成表层33。此时，Pd与Ag的重量比为Pd:Ag＝36:64，且Ag的重量较大。
最表层34是用于在连续性试验时使IC封装2的焊球2a与探针14的第2柱塞30不会黏附的层。该实施方式1中，作为最表层34，使用厚度为0.3μm左右的Sn镀层。该最表层34形成在表层33上。最表层34与上述表层33同样地可以使用湿式镀敷、离子镀来形成。
使用该实施方式1所述的IC插座10(即，探针14的第2柱塞30如上那样地构成的IC插座10)时，首先，将多个探针14分别安装于插座主体13。另外，如图1所示那样，以使第1柱塞20的接触部20a向下方突出且使第2柱塞30的接触部30a处于浮板15的贯通孔15a中的状态进行配置。并且，将该IC插座10定位固定于布线基板1，如图2所示那样，使第1柱塞20的接触部20a接触布线基板1的电极1a。此时，螺旋弹簧50在筒状部件40内被第1柱塞20的插入部20c的支承部20d压缩。
其后，将IC封装2容纳于浮板15，将焊球2a容纳于贯通孔15a。在该状态下使浮板15下降时，第2柱塞30的接触部30a接触焊球2a。进一步使浮板15下降时，如图2所示那样，螺旋弹簧50在筒状部件40内被第2柱塞30的支承部30d压缩。
这样操作，通过用第1柱塞20和第2柱塞30来压缩螺旋弹簧50，能够用该螺旋弹簧50将第1柱塞20的接触部20a与第2柱塞30的接触部30a向彼此分离的方向施力，使布线基板1的电极1a与IC封装2的焊球2a接触。并且，在这样的状态下，对IC封装2实施老化试验等连续性试验。
在这样的连续性试验中，对于以往的IC插座而言，在连续性试验后将IC封装2从IC插座10取下时，IC封装2的焊球2a与探针14的第2柱塞30发生黏附。与此相对，对于该实施方式1的IC插座而言，能够防止焊球2a与第2柱塞30的黏附，提高探针14和IC插座10的耐久性。以下，针对其理由进行详细说明。
对于以往的IC插座而言，在形成于探针14的第2柱塞30的最外侧形成有镀Pd-Ag的表层33。因此，在对具有无铅焊锡的端子(焊球2a)的IC封装2进行连续性试验时，焊球2a的Sn熔入探针14侧从而形成Pd-Ag-Sn合金。其结果，产生了焊球2a与探针14在连续性试验之后经由该Pd-Ag-Sn合金发生黏附这样的问题。并且，想要将这种状态的焊球2a与探针14强行剥离时，会成为探针14的表层33残留有大量焊锡的状态、或者探针14的表层33损伤，从而使探针14的耐久性降低。
与此相对，该实施方式1中，对于探针14，以与表层33(即，以Pd-Ag作为主成分的镀层)的表面直接接触的方式设置有作为最表层34的以Sn作为主成分的镀层。由此，在连续性试验之前，预先成为最表层34的Sn以一定量熔入表层33的Pd-Ag的状态。因此，即使在老化环境下(例如为125℃～180℃)，设置于IC封装2的焊球2a的Sn也难以熔入探针14。其结果，在IC封装2的焊球2a与探针14的第2柱塞30之间基本上不会形成Pd-Ag-Sn合金。因此，不会产生焊球2a与探针14在连续性试验之后经由该Pd-Ag-Sn合金进行黏附之类的不良情况。
如此看来，根据该实施方式1，在连续性试验之后，探针14的表层33难以残留大量的焊锡，另外，探针14的表层33难以损伤，能够提高探针14的耐久性。
接着，针对验证本发明效果的评价试验进行说明。
此处，利用以往的探针(即，具备在最外侧具有由Pd-Ag镀层制成的表层的第2柱塞的探针)和该实施方式1的探针(具有以Sn作为主成分的最表层镀敷在以Pd-Ag作为主成分的表层上而成的第2柱塞的探针)，对高温试验时IC封装的焊球的焊锡形成合金而黏附于探针的量进行了比较。
(1)试验内容
首先，使用具有该实施方式1所述的探针的IC插座和具有以往的探针(即，未设置有作为最表层的Sn镀层的探针)的IC插座，同时进行高温试验。
本试验中使用的探针和IC封装的焊球制成如下的规格。
(2)具有Sn镀层的探针的规格
作为基材，使用了黄铜。
探针的接触部如图1所示的接触部30a那样形成为大致王冠形状。
在该接触部的表面使用湿式镀敷形成了层叠膜。
即，首先在基材的表面形成厚度为2～3μm的Ni镀层，在其上形成作为密合层的触击电镀Au镀层，进而，交互地层叠厚度为0.5μm的Pd镀层和厚度为0.5μm的Ag镀层，其后，使用恒温槽以特定温度使Pd和Ag进行热扩散。此时，Pd与Ag的重量比为Pd:Ag＝54:46。进而，在其上用湿式镀敷法形成厚度为0.3μm的Sn镀层。
(3)不具有Sn镀层的探针的规格
作为基材，使用了黄铜。
探针的接触部如图1所示的接触部30a那样形成为大致王冠形状。
在该接触部的表面使用湿式镀敷形成了层叠膜。
即，首先在基材的表面形成厚度为2～3μm的Ni镀层，在其上形成作为密合层的触击电镀Au镀层，进而，交互地层叠厚度为0.5μm的Pd镀层和厚度为0.5μm的Ag镀层，其后，使用恒温槽以特定温度使Pd和Ag进行热扩散。此时，Pd与Ag的重量比为Pd:Ag＝54:46。
(4)IC封装的焊球规格
作为焊球的形成材料，使用了Sn-3Ag-0.5Cu(质量％)的无铅焊锡。
(5)试验方法
·焊锡附着量的测定方法：利用形状测定激光显微镜(KeyenceCorporation制造的VK-9500)进行形状测定。
·试验条件如下所示。
周围温度：室温～150℃
试验时间：24小时
·试验步骤如下所示。
a.将IC封装安装于IC插座。
b.将IC插座和IC封装升温至150℃。
c.将IC插座和IC封装以150℃保持24小时。
d.将IC插座和IC封装降温至室温。
e.从IC插座取下IC封装。
f.计测探针接触部的焊锡附着量。
(6)结果
进行上述试验，进行了各探针的接触部的分析。
图4A是表示具有Sn镀层的探针在评价试验后的状态的照片。图4A中，白色的部分是离开IC封装的焊球而附着于探针表面的Sn。图4B是图4A中用符号A表示的区域的部分放大照片。另外，图4C是表示用形状测定激光显微镜测定所附着的Sn的结果的照片，横轴表示位置、纵轴表示厚度。
图5A是表示不具有Sn镀层的探针在评价试验后的状态的照片。图5A中，白色的部分是离开IC封装的焊球而附着于探针表面的Sn。图5B是图5A中用符号B表示的区域的部分放大照片。另外，图5C是表示用形状测定激光显微镜测定所附着的Sn的结果的照片，横轴表示位置、纵轴表示厚度。
如图4A～图4C可知那样，该实施方式1所述的探针(即，形成有作为最表层的Sn镀层的探针)中，试验后的焊锡的黏附量少，可以说焊球与探针难以黏附。与此相对，如图5A～图5C可知那样，以往的探针(未形成Sn镀层的探针)与该实施方式1所述的探针相比在试验后的焊锡的黏附量多，可以说焊球与探针容易黏附。
[发明的实施方式2]
图6～图8表示本发明的实施方式2。
需要说明的是，本发明的实施方式2中，除了以下说明的事项以外，与前述实施方式1相同，因此除了与前述实施方式1不同的事项以外，赋予相同的符号而省略说明。
以下，针对该实施方式2中的探针14的材料，使用图6～图8进行说明。需要说明的是，此处，针对探针14的第2柱塞30的材料进行特别说明。
该实施方式2的探针14的第2柱塞30如图6所示那样，成为基材31、基底层32、表层33、以及最表层35层叠而成的结构。
其中，关于基材31、基底层32和表层33，与前述实施方式1相同，因此省略说明。
最表层35是用于在连续性试验时使IC封装2的焊球2a与探针14的第2柱塞30不会黏附的层。该实施方式2中，作为最表层35，使用厚度为0.1μm左右的Au镀层。该最表层35形成在表层33上。最表层35与上述表层33同样地可以使用湿式镀敷、离子镀来形成。
连续性试验是使该实施方式2所述的探针14(即，第2柱塞30如上那样构成的探针14)接触布线基板1的电极1a和IC封装2的焊球2a而进行的。此时，对于以往的IC插座而言，在连续性试验之后将IC封装2从IC插座10取下时，IC封装2的焊球2a与探针14的第2柱塞30发生了黏附。与此相对，对于该实施方式2的IC插座而言，能够防止焊球2a与第2柱塞30的黏附，提高探针14和IC插座10的耐久性。以下，针对其理由进行详细说明。
对于以往的IC插座而言，在形成于探针14的第2柱塞30的最外侧形成有镀Pd-Ag的表层33。因此，在对具有无铅焊锡的端子(焊球2a)的IC封装2进行连续性试验时，焊球2a的Sn熔入探针14侧从而形成Pd-Ag-Sn合金。其结果，产生了焊球2a与探针14在连续性试验之后经由该Pd-Ag-Sn合金发生黏附这样的问题。并且，想要将这种状态的焊球2a与探针14强行剥离时，会成为探针14的表层33残留有大量焊锡的状态、或者探针14的表层33损伤，从而使探针14的耐久性降低。
与此相对，该实施方式2中，对于探针14，以与表层33(即，以Pd-Ag作为主成分的镀层)的表面直接接触的方式设置有作为最表层35的以Au作为主成分的镀层。因此，在老化环境下(例如为125℃～180℃)，焊球2a的Sn与最表层35的Au会形成Sn-Au合金。该Sn-Au合金具有脆而容易剥离的性质。其结果，在连续性试验之后，借助该Sn-Au合金，焊球2a与探针14变得容易剥离。因此，不会产生最表层35下的Pd-Ag镀层(即表层33)与焊球2a形成Pd-Ag-Sn合金而黏附这一不良情况。
如此，根据该实施方式2，在连续性试验之后，探针14的表层33难以残留大量的焊锡，另外，探针14的表层33难以损伤，能够提高探针14的耐久性。
接着，针对验证本发明效果的评价试验进行说明。
此处，利用以往的探针(即，具备在最外侧具有由Pd-Ag镀层制成的表层的第2柱塞的探针)和该实施方式2的探针(具有以Au作为主成分的最表层镀敷在以Pd-Ag作为主成分的表层上而成的第2柱塞的探针)，对高温试验后IC封装的焊球的焊锡形成合金而黏附于探针的量进行了比较。
(1)试验内容
首先，使用具有该实施方式2所述的探针的IC插座和具有以往的探针(即，未设置有作为最表层的Au镀层的探针)的IC插座，同时进行高温试验。
本试验中使用的探针和IC封装的焊球制成如下的规格。
(2)具有Au镀层的探针的规格
作为基材，使用了黄铜。
探针的接触部如图1所示的接触部30a那样形成为大致王冠形状。
在该接触部的表面使用湿式镀敷形成了层叠膜。
即，首先在基材的表面形成厚度为2～3μm的Ni镀层，在其上形成作为密合层的触击电镀Au镀层，进而，交互地层叠厚度为0.5μm的Pd镀层和厚度为0.5μm的Ag镀层，其后，使用恒温槽以特定温度使Pd和Ag进行热扩散。此时，Pd与Ag的重量比为Pd:Ag＝54:46。进而，在其上用湿式镀敷法形成厚度为0.1μm的Au镀层。
(3)不具有Au镀层的探针的规格
作为基材，使用了黄铜。
探针的接触部如图1所示的接触部30a那样形成为大致王冠形状。
在该接触部的表面使用湿式镀敷形成了层叠膜。
即，首先在基材的表面形成厚度为2～3μm的Ni镀层，在其上形成作为密合层的触击电镀Au镀层，进而，交互地层叠厚度为0.5μm的Pd镀层和厚度为0.5μm的Ag镀层，其后，使用恒温槽以特定温度使Pd和Ag进行热扩散。此时，Pd与Ag的重量比为Pd:Ag＝54:46。
(4)IC封装的焊球规格
作为焊球的形成材料，使用了Sn-3Ag-0.5Cu(质量％)的无铅焊锡。
(5)试验方法
·焊锡附着量的测定方法：利用形状测定激光显微镜(KeyenceCorporation制造的VK-9500)进行形状测定。
·试验条件
周围温度：室温～125℃
试验时间：24小时
·试验步骤如下所示。
a.将IC封装安装于IC插座。
b.将IC插座和IC封装升温至125℃。
c.将IC插座和IC封装以125℃保持24小时。
d.将IC插座和IC封装降温至室温。
e.从IC插座取下IC封装。
f.计测探针接触部的焊锡附着量。
(6)结果
进行上述试验，进行了各探针的接触部的分析。
图7A是表示具有Au镀层的探针在评价试验后的状态的照片。图7A中，白色的部分是离开IC封装的焊球而附着于探针表面的Sn。图7B是图7A中用符号C表示的区域的部分放大照片。另外，图7C是表示用形状测定激光显微镜测定所附着的Sn的结果的照片，横轴表示位置、纵轴表示厚度。
图8A是表示不具有Sn镀层的探针在评价试验后的状态的照片。图8A中，白色的部分是离开IC封装的焊球而附着于探针表面的Sn。图8B是图8A中用符号D表示的区域的部分放大照片。另外，图8C是表示用形状测定激光显微镜测定所附着的Sn的结果的照片，横轴表示位置、纵轴表示厚度。
如图7A～图7C可知那样，该实施方式2所述的探针(即，形成有作为最表层的Au镀层的探针)中，试验后的焊锡的黏附量少，可以说焊球与探针难以黏附。与此相对，如图8A～图8C可知那样，以往的探针(未形成Au镀层的探针)与该实施方式2所述的探针相比在试验后的焊锡的黏附量多，可以说焊球与探针容易黏附。
图9～图14分别表示本发明的实施方式1、2的不同变形例。需要说明的是，这些变形例的构成中，除了下述材料不同之外，与前述实施方式1、2相同。
图9所示的探针的第2柱塞30中，在Pd-Ag镀层33a与基底层32之间形成有Pd镀层33b。另外，图10所示的探针14的第2柱塞30中，在Pd-Ag镀层33a与基底层32之间形成有Ag镀层33c。另外，图11所示的探针14的第2柱塞30中，在Pd-Ag镀层33a上形成有Pd镀层33b。另外，图12所示的探针14的第2柱塞30中，在Pd-Ag镀层33a上形成有Ag镀层33c。另外，图13所示的探针14的第2柱塞30中，在基底层32上依次层叠有Pd镀层33b和Ag镀层33c。另外，图14所示的探针14的第2柱塞30中，在基底层32上依次层叠有Ag镀层33c和Pd镀层33b。
即使是这些图9～图14所示那样的探针，由于设置了以Sn作为主成分的最表层34或以Au作为主成分的最表层35，因此能够防止焊球与第2柱塞30在连续性试验之后的黏附，能够提高探针和IC插座的耐久性。
另外，本发明还可以适用于具有由其它材料形成的表层33的探针。
例如，图3所示的表层33可以是厚度为1μm左右的Ag-Sn(Ag10wt％)镀层。此时，Ag与Sn的重量比适合以Ag为80％以上。
另外，图3所示的表层33也可以由Ag与金属元素的氧化物的复合材料形成。例如，表层33可以以Ag-ZnO(氧化锌)作为主成分。Ag与ZnO的重量比例如可以为89.7:10.3，适合以Ag为80％以上。
另外，作为Ag与金属元素的氧化物的复合材料，除了Ag-ZnO的材质以外，还可以采用Ag-SnO2(二氧化锡)。
另外，作为Ag与金属的复合材料以外的例子，例如可以采用Ag-C(碳)。Ag与C的重量比例如可以为99:1，适合以Ag为80％以上。
需要说明的是，前述实施方式1、2中，针对探针14的第2柱塞30的材料进行了说明，探针14的其它部位也可以用同样的材料来构成。
另外，前述实施方式1、2中，将作为“电触头”的探针适用于IC插座，但不限定于此，也可以适用于其它产品。
附图标记说明
1   布线基板
1a  电极
2   IC封装(电气部件)
2a  焊球(端子)
10  IC插座(电气部件用插座)
13  插座主体
14  探针(电触头)
15  浮板(容纳部)
20  第1柱塞
30  第2柱塞
30a 接触部
31  基材
32  基底层
33  表层
33a Pd-Ag镀层
33b Pd镀层
33c Ag镀层
34  最表层(Sn)
35  最表层(Au)
40  筒状部件
50  螺旋弹簧

Claims (9)

1.一种电触头，其特征在于，其具备：
具有导电性的基材、以及
在该基材上形成的以Sn或Au作为主成分的最表层。
2.根据权利要求1所述的电触头，其特征在于，在所述基材上形成有表层，所述表层以通过施加热而使Sn熔入并扩散的材料作为主成分，
以与该表层的表面直接接触的方式形成有所述最表层。
3.根据权利要求2所述的电触头，其特征在于，所述表层以Pd和Ag作为主成分。
4.根据权利要求3所述的电触头，其特征在于，所述Ag的重量大于所述Pd的重量。
5.根据权利要求3或4所述的电触头，其特征在于，所述表层包含Pd-Ag镀层。
6.根据权利要求5所述的电触头，其特征在于，所述表层包含Pd-Ag镀层与Ag镀层的积层或者Pd-Ag镀层与Pd镀层的积层。
7.根据权利要求3或4所述的电触头，其特征在于，所述表层包含Ag镀层与Pd镀层的积层。
8.根据权利要求2～7中任一项所述的电触头，其特征在于，所述基材上形成有以Ni作为主成分的基底层，
该基底层上形成有所述表层。
9.一种电气部件用插座，其特征在于，其具备：
插座主体、
容纳部，其用于容纳电气部件，所述电气部件具备包含Sn的端子，以及
权利要求1～8中任一项所述的电触头，其配置于所述插座主体，用于与所述端子接触。
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