CN104195569B - 一种镁合金微波组件盖板表面复合处理方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种镁合金微波组件盖板表面复合处理方法。具体操作步骤如下：将镁合金盖板去污除油、碱性除油、酸洗浸蚀、活化处理、微弧氧化处理、填充封孔、磁控溅射真空镀，先磁控反应溅射8～15层铬钛膜层，再磁控反应溅射导电银膜层；铬钛膜层和导电银膜层组成复合金属膜层，复合金属膜层的厚度为3～5µm。其中进行微弧氧化处理后，表面生成的微弧氧化陶瓷膜层具有硬度高（HV 200‑1000）、耐蚀性强（CASS盐雾试验>360 h）、绝缘性好（膜阻>80 MΩ）、膜层与基底金属结合力强，陶瓷厚度在10～100微米（厚度可控），使镁合金表面的耐磨、耐腐蚀、耐热冲击及绝缘等性能得到极大提高。
Description
技术领域
本发明属于镁合金材料表面处理领域，具体涉及一种镁合金盖板表面的微弧氧化与磁控溅射物理气相沉积金属膜相结合的复合处理方法。
背景技术
镁合金是最轻的金属结构材料之一，具有高比强度、比刚度，良好的减震性、导电性、导热性、电磁屏蔽性和尺寸稳定性，以及易回收等优点。因此镁合金广泛应用于航空雷达产品中，例如机载雷达微波组件的盖板则采用镁合金。但是镁是非常活泼金属，导致镁合金的耐蚀性极差，阻碍了镁合金在雷达工业中的进一步应用。如果镁合金的耐蚀性得到根本改善，则可使镁合金的优异性能特别是轻质高强的特点在航空、雷达产品中充分展示出来，这对于“为减轻1克而奋斗”的航空雷达工业来说是至关重要的。目前，镁合金采取的防腐蚀措施主要有化学氧化成膜、阳极氧化成膜、微弧氧化、化学镀、离子注入和激光处理等。微弧氧化成膜技术因具有工艺简单、一次成膜面积大、生产设备投资少、加工成本低等优点而成为镁合金工业应用中常用的方法，而且微弧氧化膜层综合性能优异，可满足部分镁合金部件表面耐腐蚀性处理的需要，使镁合金材料可以得到有效防护，但是经过微弧氧化处理后的镁合金，在其表面生成了较厚的绝缘陶瓷层，丧失了镁合金本身的导电性和金属光泽，而在雷达电子产品中，应用于微波组件的镁合金盖板往往都需具备导电性和电磁屏蔽性，这就需要在微弧氧化膜层上辅以其他导电层防护措施。有关磁控溅射物理气相沉积法(PVD)处理镁合金的研究在国内外已有报道。王振林等研究了直接在镁合金表面PVD镀铝，发现PVD镀铝膜层与基体结合良好，但未能有效地提高镁合金的耐腐蚀性。
发明内容
为了解决上述现有技术存在的缺陷，本发明将微弧氧化和磁控溅射联用，结合两者的优势，提供一种镁合金微波组件盖板表面的复合处理方法。
具体操作步骤如下：
(1)去污除油：
把经过机械抛光后的镁合金盖板放置于丙酮溶液中，室温下超声清洗20～30分钟，取出用水冲洗干净；
(2)碱性除油：
将经过去污除油的镁合金盖板在温度65～75℃，在除油溶液中浸蚀1～3分钟，取出用水冲洗干净；
(3)浸蚀：
将经过去污除油的镁合金盖板在40℃浸蚀溶液中浸泡1～2分钟，并轻微搅拌，取出用水冲洗干净；
(4)活化：
室温下，将经过浸蚀处理的镁合金盖板在活化溶液中浸泡90～180秒，取出用水冲洗干净；
(5)微弧氧化：
将经过活化处理的镁合金盖板在硅酸钠碱性电解液中进行微弧氧化，整个氧化过程用恒电流控制，电流密度为10A/dm2，对电解溶液进行搅拌，温度为20～40℃，氧化时间为12～20分钟，在镁合金表面形成微弧氧化陶瓷膜层，其厚度10～15μm，取出用水冲洗干净，干燥保存；
(6)填充封孔：
将经过微弧氧化处理的镁合金盖板在80℃的溶胶封孔剂中浸泡5～10分钟，使溶胶封孔剂浸入镁合金微弧氧化陶瓷膜层的微孔，形成有效封孔，用蒸馏水冲洗干净；
(7)磁控溅射真空镀：
在微弧氧化陶瓷膜层表面磁控反应溅射沉积铬钛银(Cr/Ti/Ag)的复合金属多层膜；磁控反应溅射的真空室内平行设有铬(Cr)靶、银(Ag)靶和钛(Ti)靶；在真空室内的转架台上放置已经填充封孔处理好的镁合金盖板，控制转架台转速15rpm，调节基底与靶材间的距离为8～12cm；真空室内的真空达到10-4数量级，工作气氛为纯氩气，控制氩气流量为10～30sccm，保持气压在0.25～0.45Pa；
调整基底温度为120℃，开启钛(Ti)靶电源，钛(Ti)靶的电流为0.05A、负偏压100～200V，磁控反应溅射150～300秒，在所述微弧氧化涂层上沉积纯钛(Ti)结合层；调整基底温度在150℃，控制氩气流量在12～16sccm，开启铬(Cr)靶电源，铬(Cr)靶的电流为0.3A、调整负偏压为0～50V，磁控反应溅射30～60秒，在纯钛(Ti)结合层上形成铬单层，接着在铬单层表面用纯钛结合层工艺参数溅射沉积钛单层，溅射时间控制为15～30秒，铬单层和钛单(Ti)层组成铬钛膜层；制作铬钛膜层8～15层；调整基底温度至180℃，开启银靶电源，银靶的电流为0.50A，负偏压150～220V，磁控反应溅射5～15分钟；在最后沉积的铬钛多层膜层上沉积导电银(Ag)膜层，所述导电银(Ag)膜层的厚度为0.2～0.6μm；所述铬钛膜层和导电银(Ag)膜层组成复合金属多层膜，所述复合金属多层膜的厚度为3～5μm。
所述除油溶液由40g/L氢氧化钠、20g/L磷酸钠或10g/L焦磷酸钠、5g/L硬脂酸甘油酯和水配制而成。
所述浸蚀溶液由120～150g/L氢氧化钠、20～30g/L草酸钠、10～30g/L硝酸钠、2～5g/L十二烷基磺酸钠和去离子水配制组成。
所述活化溶液由30mL/L氢氟酸、60mL/L冰乙酸和去离子水配制而成。
所述硅酸钠碱性电解液由20g/L氢氧化钠、20g/L五水硫酸铜、80g/L硅酸钠、25g/L四硼酸钠、25g/L柠檬酸三钠、5mL/L甘油、2g/L氟化钠、5g/L酒石酸钠、10g/L硼砂和去离子水配制组成。
所述溶胶封孔剂由30～45g/L硅酸钠、2-5mL/L盐酸和乙醇组成，其中乙醇为溶剂，盐酸为催化剂。
本发明的有益技术效果体现在以下方面：
1.本发明公开的有关磁控溅射物理气相沉积金属膜与微弧氧化相结合的方法处理镁合金盖板表面，能有效提高镁合金的耐腐蚀性，获得兼顾导电和耐蚀性良好的表面膜层，本发明公开的制备方法不受地域限制，具有节能环保等优点，适合大规模工业生产；
2.在镁合金盖板表面进行微弧氧化处理后，表面生成的微弧氧化陶瓷膜层具有硬度高、耐蚀性强、绝缘性好、膜层与基底金属结合力强，陶瓷厚度在10～100微米(厚度可控)，使镁合金表面的耐磨、耐腐蚀、耐热冲击及绝缘等性能得到极大提高。由于微弧氧化涂层的微观形貌的多孔性，在氧化涂层表面进行填充封孔处理，可使微弧氧化后的膜层能与涂在其上的填充封闭层有极好的结合，经过填充封孔处理后的镁合金表面的氧化陶瓷层比较致密，孔隙率极低，并进一步强化膜层的致密度；能保证基体完全不受腐蚀的时间显著延长，并在较长时间内使膜层的抗腐蚀性能明显提高，盐雾腐蚀性能提高5-10倍，综合解决了实际应用的困扰问题，为镁合金开发应用提供了技术保障；
3.在经过填充封孔处理的镁合金盖板表面采用磁控溅射溅射沉积钛铬银(Ti/Cr/Ag)复合金属多层膜，可以重新赋予镁合金盖板材料的导电性需求。利用钛底层与微弧氧化陶瓷膜层优异的物理化学相容性，Ti层作为铬钛银(Ti/Cr/Ag)复合金属多层膜的打底层可以起到界面加强作用，利用Cr/Ti多层作为中间层可以充分缓解膜层厚度增加带来的本征应力，利用Ag的优异导电性能，溅射一层银作为最外层，可以有效增强材料的导电性。
附图说明
图1为本发明实施例1得到的微弧氧化膜层截面扫描电子显微照片。
图2为本发明实施例1得到的微弧氧化膜层表面形貌扫描电子显微照片。
图3为本发明实施例1得到的填充封孔处理后膜层表面形貌扫描电子显微照片。
图4为本发明实施例1得到的金属Cr/Ti/Ag复合多层膜层截面扫描电子显微照片。
具体实施方式
下面结合实施例，对本发明作进一步地说明。
实施例1：
(1)去污除油：
把经过机械抛光的镁合金盖板放置于丙酮溶液中，室温下超声清洗20分钟后，取出用蒸馏水冲洗干净；
(2)碱性除油：
将经过去污除油的镁合金盖板在温度65℃的除油溶液中浸蚀1min，取出用蒸馏水冲洗干净；除油溶液由40g/L氢氧化钠、20g/L磷酸钠、5g/L硬脂酸甘油酯和水配制而成；
(3)浸蚀：
将经过去污除油的镁合金盖板在40℃的浸蚀溶液中清洗1分钟，取出用蒸馏水冲洗干净；浸蚀溶液由120g/L氢氧化钠、20g/L草酸钠、10g/L硝酸钠、2g/L十二烷基磺酸钠和去离子水配制组成；
(4)活化：
室温下，将经过浸蚀的镁合金盖板在活化溶液中活化90秒，取出用蒸馏水冲洗干净；活化溶液由30mL/L氢氟酸、60mL/L冰乙酸和去离子水配制而成；
(5)微弧氧化：
将经过活化处理后的镁合金盖板在硅酸钠碱性电解液中进行微弧氧化，整个氧化过程用恒电流控制，电流密度为10A/dm2，溶液反应温度为20～40℃，时间为12分钟，对电解液进行搅拌温度控制。在镁合金表面形成一层氧化涂层，其厚度约为10μm，取出用水冲洗干净，干燥保存；
硅酸钠碱性电解液由20g/L氢氧化钠、20g/L五水硫酸铜、80g/L硅酸钠、25g/L四硼酸钠、25g/L柠檬酸三钠、5mL/L甘油、2g/L氟化钠、5g/L酒石酸钠、10g/L硼砂和去离子水配制组成；
(6)填充封孔：
将经过微弧氧化处理的镁合金盖板在80℃的溶胶封孔剂中浸泡5分钟，使溶胶封孔剂浸入镁合金微弧氧化陶瓷膜层的微孔，形成有效封孔，用蒸馏水冲洗干净；
溶胶封孔剂由30g/L硅酸钠、2g/L盐酸和乙醇组成，其中乙醇为溶剂，盐酸为催化剂；
(7)磁控溅射真空镀：
在微弧氧化陶瓷膜层表面磁控反应溅射沉积铬钛银(Cr/Ti/Ag)的复合金属多层膜；磁控反应溅射的真空室内平行设有铬(Cr)靶、银(Ag)靶和钛(Ti)靶；在真空室内的转架台上放置已经填充封孔处理好的镁合金盖板，控制转架台转速15rpm，调节基底与靶材间的距离为8cm；真空室内的真空达到10-4数量级，工作气氛为纯氩气，控制氩气流量为10sccm，保持气压在0.25Pa；
调整基底温度为120℃，开启钛(Ti)靶电源，钛(Ti)靶的电流为0.05A、负偏压100V，磁控反应溅射150秒，在所述微弧氧化涂层上沉积纯钛(Ti)结合层；调整基底温度在180℃，控制氩气流量在12sccm，开启铬(Cr)靶电源，铬(Cr)靶的电流为0.3A、调整负偏压到0，磁控反应溅射30秒，在纯钛(Ti)结合层上形成铬单层，接着在铬单层表面用纯钛结合层工艺参数溅射沉积钛单层，溅射时间控制为30秒，铬单层和钛单(Ti)层组成铬钛膜层；制作铬钛膜层8层；调整基底温度至180℃，开启银靶电源，银靶的电流为0.50A，负偏压150V，磁控反应溅射5分钟；在最后沉积的铬钛膜层上沉积导电银(Ag)膜层，所述导电银(Ag)膜层的厚度为0.2μm；所述铬钛膜层和导电银(Ag)膜层组成复合金属多层膜，所述复合金属多层膜的厚度为3μm。
图1为本发明实施例1的得到的微弧氧化膜层的截面扫描电子显微照片，可见氧化膜层是均匀致密的；图2为本发明实施例1的得到的微弧氧化膜层的表面形貌扫描电子显微照片，可见微弧氧化涂层表面表现为多孔特性，经过填充封孔处理后(图3为本发明实施例1的得到的填充封孔处理后膜层的表面形貌扫描电子显微照片)，表面又表现为均匀致密性的膜层。图4为本发明实施例1的得到的金属Cr/Ti-Ag复合多层膜层截面扫描电子显微照片，可见膜层为明显的多层结构，界面清晰。
实施例2：
(1)去污除油：
把经过机械抛光的镁合金盖板放置于丙酮溶液中，室温下超声清洗25分钟后，取出用水冲洗干净；
(2)碱性除油：
将经过去污除油的镁合金盖板在温度70℃的除油溶液中浸蚀2min，取出用水冲洗干净；除油溶液由40g/L氢氧化钠、10g/L焦磷酸钠、5g/L硬脂酸甘油酯和水配制而成；
(3)浸蚀：
将经过去污除油的镁合金盖板在40℃的浸蚀水溶液中清洗1.5分钟，取出用水冲洗干净；浸蚀水溶液由136g/L氢氧化钠、25g/L草酸钠、20g/L硝酸钠、3g/L十二烷基磺酸钠和去离子水配制组成；
(4)活化：
室温下，将经过浸蚀的镁合金盖板在活化溶液中活化120秒，取出用水冲洗干净；活化溶液由30mL/L氢氟酸、60mL/L冰乙酸和去离子水配制而成；
(5)微弧氧化：
将经过活化处理后的镁合金盖板在硅酸钠碱性电解液中进行微弧氧化，整个氧化过程采用恒电流控制，电流密度为10A/dm2，溶液反应温度为20～40℃，时间为15min，对电解液进行搅拌温度控制。在镁合金表面形成一层微弧氧化镀层，其厚度约为12μm。取出用水冲洗干净，干燥保存；
硅酸钠碱性电解液由20g/L氢氧化钠、20g/L五水硫酸铜、80g/L硅酸钠、25g/L四硼酸钠、25g/L柠檬酸三钠、5mL/L甘油、2g/L氟化钠、5g/L酒石酸钠、10g/L硼砂和去离子水配制组成；
(6)填充封孔：
将经过微弧氧化处理的镁合金盖板在80℃的溶胶封孔剂中浸泡8分钟，使溶胶封孔剂浸入镁合金微弧氧化陶瓷膜层的微孔，形成有效封孔，用蒸馏水冲洗干净；
溶胶封孔剂由38g/L硅酸钠、3mL/L盐酸和乙醇组成，其中乙醇为溶剂，盐酸为催化剂；
(7)磁控溅射真空镀：
在微弧氧化陶瓷膜层表面磁控反应溅射沉积铬钛银(Cr/Ti/Ag)的复合金属多层膜；磁控反应溅射的真空室内平行设有铬(Cr)靶、银(Ag)靶和钛(Ti)靶；在真空室内的转架台上放置已经填充封孔处理好的镁合金盖板，控制转架台转速15rpm，调节基底与靶材间的距离为10cm；真空室内的真空达到10-4数量级，工作气氛为纯氩气，控制氩气流量为20sccm，保持气压在0.35Pa；
调整基底温度为120℃，开启钛(Ti)靶电源，钛(Ti)靶的电流为0.05A、负偏压150V，磁控反应溅射200秒，在所述微弧氧化涂层上沉积纯钛(Ti)结合层；调整基底温度在150℃，控制氩气流量在14sccm，开启铬(Cr)靶电源，铬(Cr)靶的电流为0.3A、调整负偏压为30V，磁控反应溅射45秒，在纯钛(Ti)结合层上形成铬单层，接着在铬单层表面用纯钛结合层工艺参数溅射沉积钛单层，溅射时间控制为20秒，铬单层和钛单(Ti)层组成铬钛膜层；制作铬钛膜层12层；调整基底温度至180℃，开启银靶电源，银靶的电流为0.50A，负偏压180V，磁控反应溅射10分钟；在最后沉积的铬钛膜层上沉积导电银(Ag)膜层，所述导电银(Ag)膜层的厚度为0.4μm；所述铬钛膜层和导电银(Ag)膜层组成复合金属多层膜，所述复合金属多层膜的厚度为4μm。
实施例3：
(1)去污除油：
把经过机械抛光的镁合金盖板放置于丙酮溶液中，室温下超声清洗30分钟，取出用水冲洗干净；
(2)碱性除油：
将经过去污除油的镁合金盖板在温度75℃的除油溶液中浸蚀3min，取出用水冲洗干净；除油溶液由40g/L氢氧化钠、10g/L焦磷酸钠、5g/L硬脂酸甘油酯和水配制而成；
(3)浸蚀：
将经过去污除油的镁合金盖板在40℃的浸蚀水溶液中清洗2分钟，取出用水冲洗干净；浸蚀水溶液由150g/L氢氧化钠、30g/L草酸钠、30g/L硝酸钠、5g/L十二烷基磺酸钠和去离子水配制组成；
(4)活化：
室温下，将经过浸蚀的镁合金盖板在活化溶液中活化180秒，取出用水冲洗干净；活化溶液由30mL/L氢氟酸、60mL/L冰乙酸和去离子水配制而成；
5)微弧氧化：
将经过活化处理后的镁合金盖板在硅酸钠碱性电解液中进行微弧氧化，整个氧化过程采用恒电流控制，电流密度为10A/dm2，溶液反应温度为20～40℃，时间为20min，对电解液进行搅拌温度控制。在镁合金表面形成一层微弧氧化镀层，其厚度约为15μm。取出用水冲洗干净，干燥保存；
硅酸钠碱性电解液由20g/L氢氧化钠、20g/L五水硫酸铜、80g/L硅酸钠、25g/L四硼酸钠、25g/L柠檬酸三钠、5mL/L甘油、2g/L氟化钠、5g/L酒石酸钠、10g/L硼砂和去离子水配制组成；
(6)填充封孔：
将经过微弧氧化处理的镁合金盖板在80℃的溶胶封孔剂中浸泡10分钟，使溶胶封孔剂浸入镁合金微弧氧化陶瓷膜层的微孔，形成有效封孔，用蒸馏水冲洗干净；
溶胶封孔剂由45g/L硅酸钠、5g/L盐酸和乙醇组成，其中乙醇为溶剂，盐酸为催化剂；
(7)磁控溅射真空镀：
在微弧氧化陶瓷膜层表面磁控反应溅射沉积铬钛银(Cr/Ti/Ag)的复合金属多层膜；磁控反应溅射的真空室内平行设有铬(Cr)靶、银(Ag)靶和钛(Ti)靶；在真空室内的转架台上放置已经填充封孔处理好的镁合金盖板，控制转架台转速15rpm，调节基底与靶材间的距离为12cm；真空室内的真空达到10-4数量级，工作气氛为纯氩气，控制氩气流量为30sccm，保持气压在0.45Pa；
调整基底温度为120℃，开启钛(Ti)靶电源，钛(Ti)靶的电流为0.05A、负偏压200V，磁控反应溅射300秒，在所述微弧氧化涂层上沉积纯钛(Ti)结合层；调整基底温度在150℃，控制氩气流量在16sccm，开启铬(Cr)靶电源，铬(Cr)靶的电流为0.3A、调整负偏压为50V，磁控反应溅射60秒，在纯钛(Ti)结合层上形成铬单层，接着在铬单层表面用纯钛结合层工艺参数溅射沉积钛单层，溅射时间控制为15秒，铬单层和钛单(Ti)层组成铬钛膜层；制作铬钛膜层15层；调整基底温度至180℃，开启银靶电源，银靶的电流为0.50A，负偏压220V，磁控反应溅射15分钟；在最后沉积的铬钛膜层上沉积导电银(Ag)膜层，所述导电银(Ag)膜层的厚度为0.6μm；所述铬钛膜层和导电银(Ag)膜层组成复合金属多层膜，所述复合金属多层膜的厚度为5μm。
本发明在镁锂合金材料表面采用磁控溅射物理气相沉积金属膜与微弧氧化相结合的方法生成复合膜层，膜层表面光滑均匀，粗糙度极小。用扫描电子显微镜观察薄膜截面形貌，薄膜在基底上厚度分布十分均匀。采用划痕法评价复合涂层与镁合金界面的横向结合状况。采用压坑法在150N载荷下评价复合涂层与镁合金界面的纵向结合状况。
按照航天工业标准QJ 2027金属镀覆层耐盐雾试验方法中第3条中性盐雾试验测试要求评价本发明实施例1、实施例2和实施例3的复合膜层的抗盐雾性能。表1为本发明制备的复合膜层与镁合金基底的界面结合力以及其在中性盐雾试验中所测定的抗盐雾时间。
表1
本发明在镁合金盖板表面采用磁控溅射物理气相沉积金属膜与微弧氧化相结合的方法生成复合膜层具有如下特点：薄膜与合金基底结合力好，抗盐雾性能优异，膜层具有良好的导电性，可大幅提高镁合金盖板的使用寿命。
Claims (6)
1.一种镁合金微波组件盖板表面复合处理方法，其特征在于具体操作步骤如下：
(1)去污除油
把经过机械抛光后的镁合金盖板放置于丙酮溶液中，室温下超声清洗20～30分钟，取出用水冲洗干净；
(2)碱性除油
将经过去污除油的镁合金盖板在温度65～75℃，在除油溶液中浸蚀1～3分钟，取出用水冲洗干净；
(3)浸蚀
将经过去污除油的镁合金盖板在40℃浸蚀溶液中浸泡1～2分钟，并轻微搅拌，取出用水冲洗干净；
(4)活化
室温下，将经过浸蚀处理的镁合金盖板在活化溶液中浸泡90～180秒，取出用水冲洗干净；
(5)微弧氧化
将经过活化处理的镁合金盖板在硅酸钠碱性电解液中进行微弧氧化，整个氧化过程用恒电流控制，电流密度为10A/dm2，对电解溶液进行搅拌，温度为20～40℃，氧化时间为12～20分钟，在镁合金表面形成微弧氧化陶瓷膜层，其厚度10～15μm，取出用水冲洗干净，干燥保存；
(6)填充封孔
将经过微弧氧化处理的镁合金盖板在80℃的溶胶封孔剂中浸泡5～10分钟，使溶胶封孔剂浸入镁合金微弧氧化陶瓷膜层的微孔，形成有效封孔，用蒸馏水冲洗干净；
(7)磁控溅射真空镀
在微弧氧化陶瓷膜层表面磁控反应溅射沉积铬钛银(Cr/Ti/Ag)的复合金属多层膜；磁控反应溅射的真空室内平行设有铬(Cr)靶、银(Ag)靶和钛(Ti)靶；在真空室内的转架台上放置已经填充封孔处理好的镁合金盖板，控制转架台转速15rpm，调节基底与靶材间的距离为8～12cm；真空室内的真空达到10-4数量级，工作气氛为纯氩气，控制氩气流量为10～30sccm，保持气压在0.25～0.45Pa；
调整基底温度为120℃，开启钛(Ti)靶电源，钛(Ti)靶的电流为0.05A、负偏压100～200V，磁控反应溅射150～300秒，在所述微弧氧化涂层上沉积纯钛(Ti)结合层；调整基底温度在150℃，控制氩气流量在12～16sccm，开启铬(Cr)靶电源，铬(Cr)靶的电流为0.3A、调整负偏压为0～50V，磁控反应溅射30～60秒，在纯钛(Ti)结合层上形成铬单层，接着在铬单层表面用纯钛结合层工艺参数溅射沉积钛单层，溅射时间控制为15～30秒，铬单层和钛单(Ti)层组成铬钛膜层；制作铬钛膜层8～15层；调整基底温度至180℃，开启银靶电源，银靶的电流为0.50A，负偏压150～220V，磁控反应溅射5～15分钟；在最后沉积的铬钛多层膜层上沉积导电银(Ag)膜层，所述导电银(Ag)膜层的厚度为0.2～0.6μm；所述铬钛膜层和导电银(Ag)膜层组成复合金属多层膜，所述复合金属多层膜的厚度为3～5μm。
2.根据权利要求1所述的一种镁合金微波组件盖板表面复合处理方法，其特征在于：所述除油溶液由40g/L氢氧化钠、20g/L磷酸钠或10g/L焦磷酸钠、5g/L硬脂酸甘油酯和水配制而成。
3.根据权利要求1所述的一种镁合金微波组件盖板表面复合处理方法，其特征在于：所述浸蚀溶液由120～150g/L氢氧化钠、20～30g/L草酸钠、10～30g/L硝酸钠、2～5g/L十二烷基磺酸钠和去离子水配制组成。
4.根据权利要求1所述的一种镁合金微波组件盖板表面复合处理方法，其特征在于：所述活化溶液由30mL/L氢氟酸、60mL/L冰乙酸和去离子水配制而成。
5.根据权利要求1所述的一种镁合金微波组件盖板表面复合处理方法，其特征在于：所述硅酸钠碱性电解液由20g/L氢氧化钠、20g/L五水硫酸铜、80g/L硅酸钠、25g/L四硼酸钠、25g/L柠檬酸三钠、5mL/L甘油、2g/L氟化钠、5g/L酒石酸钠、10g/L硼砂和去离子水配制组成。
6.根据权利要求1所述的一种镁合金微波组件盖板表面复合处理方法，其特征在于：所述溶胶封孔剂由30～45g/L硅酸钠、2-5g/L盐酸和乙醇组成，其中乙醇为溶剂，盐酸为催化剂。
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| CN201410414332.4A CN104195569B (zh) | 2014-08-21 | 2014-08-21 | 一种镁合金微波组件盖板表面复合处理方法 |
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