CN104195519A - 一种提高ito薄膜性能的磁控溅射工艺 - Google Patents

一种提高ito薄膜性能的磁控溅射工艺 Download PDF

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金井升
蒋方丹
金浩
陈康平
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Abstract

本发明公开了一种提高ITO薄膜性能的磁控溅射工艺，步骤如下：选取高透玻璃衬底，将其放入磁控溅射设备中；将磁控溅射设备的温底调至300℃，抽真空度至10^(-4)Pa；在磁控溅射设备中通入氩气与氧气的混合气体；开启磁控溅射设备电源，进行ITO薄膜沉积；ITO薄膜沉积后，关闭磁控溅射设备电源；在磁控溅射设备中继续抽真空，保持温度300℃、真空度为10^(-4)Pa，时间为30min；在磁控溅射设备中充气至大气压，温度降低至室温，最后取出高透玻璃衬底。本发明增加原位真空低温退火步骤，使ITO薄膜光学透过率达到90%～95%，方块电阻在30Ω/sq以下，且无需改变现有设备。

Description

一种提高ITO薄膜性能的磁控溅射工艺
技术领域
本发明涉及一种磁控溅射工艺，具体涉及一种提高ITO薄膜性能的磁控溅射工艺。
背景技术
采用磁控溅射工艺制备ITO薄膜的原理是利用直流和射频电源在≤300℃温度下，在氩气或氩气与氧气混合气体中产生等离子体，对铟、锡合金靶或氧化铟、氧化锡陶瓷靶进行轰击，通过控制工艺参数获得ITO薄膜。现有磁控溅射工艺步骤可简述为抽真空、磁控溅射、充气三个步骤。采用这种方式制备的ITO薄膜光学透过率在85%～90%，方块电阻在30Ω/sq以上。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种提高ITO薄膜性能的磁控溅射工艺，增加原位真空低温退火步骤，使ITO薄膜光学透过率达到90%～95%，方块电阻在30Ω/sq以下，且无需改变现有设备。
本发明解决技术问题所采用的技术方案是：一种提高ITO薄膜性能的磁控溅射工艺，步骤如下： 
第一步，选取高透玻璃衬底，将其放入磁控溅射设备中；
第二步，将磁控溅射设备的温底调至300℃，抽真空度至10^(-4)Pa；
第三步，在磁控溅射设备中通入氩气与氧气的混合气体，所述氩气与氧气的流量比为40:1，沉积压力为10^(-3)Pa；
第四步，开启磁控溅射设备电源，进行ITO薄膜沉积，其电源功率为1800W，所述ITO薄膜沉积时间为10min；
第五步，ITO薄膜沉积后，关闭磁控溅射设备电源，停止通入氩气与氧气的混合气体；
第六步，在磁控溅射设备中继续抽真空，保持温度300℃、真空度为10^(-4)Pa，时间为30min；
第七步，在磁控溅射设备中充气至大气压，温度降低至室温，最后取出高透玻璃衬底。
其中第六步为本发明增加的原位真空低温退火步骤。
本发明的有益效果是: 在现有工艺中增加了一步原位真空低温退火，使ITO薄膜光学透过率达到90%～95%，方块电阻在30Ω/sq以下，且无需改变现有设备。
具体实施方式
实施例1：一种提高ITO薄膜性能的磁控溅射工艺，增加了原位真空低温退火步骤，所述原位真空低温退火步骤为第六步，具体工艺步骤如下：
第一步，选取高透玻璃衬底，将其放入磁控溅射设备中；
第二步，将磁控溅射设备的温底调至300℃，抽真空度至10^(-4)Pa；
第三步，在磁控溅射设备中通入氩气与氧气的混合气体，所述氩气和氧气的流量分别为120sccm和3sccm，沉积压力为10^(-3)Pa；
第四步，开启磁控溅射设备电源，进行ITO薄膜沉积，其电源功率为1800W，所述ITO薄膜沉积时间为10min；
第五步，ITO薄膜沉积后，关闭磁控溅射设备电源，停止通入氩气与氧气的混合气体；
第六步，在磁控溅射设备中继续抽真空，保持温度300℃、真空度为10^(-4)Pa，时间为30min；
第七步，在磁控溅射设备中充气至大气压，温度降低至室温，最后取出高透玻璃衬底。
实施例2：一种提高ITO薄膜性能的磁控溅射工艺，增加了原位真空低温退火步骤，所述原位真空低温退火步骤为第六步，具体工艺步骤如下：
第一步，选取高透玻璃衬底，将其放入磁控溅射设备中；
第二步，将磁控溅射设备的温底调至280℃，抽真空度至10^(-4)Pa；
第三步，在磁控溅射设备中通入氩气与氧气的混合气体，所述氩气和氧气的流量分别为160sccm和4sccm，沉积压力为10^(-3)Pa；
第四步，开启磁控溅射设备电源，进行ITO薄膜沉积，其电源功率为1800W，所述ITO薄膜沉积时间为12min；
第五步，ITO薄膜沉积后，关闭磁控溅射设备电源，停止通入氩气与氧气的混合气体；
第六步，在磁控溅射设备中继续抽真空，保持温度300℃、真空度为10^(-4)Pa，时间为25min；
第七步，在磁控溅射设备中充气至大气压，温度降低至室温，最后取出高透玻璃衬底。

Claims (1)

1.一种提高ITO薄膜性能的磁控溅射工艺，步骤如下：
第一步，选取高透玻璃衬底，将其放入磁控溅射设备中；
第二步，将磁控溅射设备的温度调至300℃，抽真空度至10^(-4)Pa；
第三步，在磁控溅射设备中通入氩气与氧气的混合气体，所述氩气与氧气的流量比为40:1，沉积压力为10^(-3)Pa；
第四步，开启磁控溅射设备电源，进行ITO薄膜沉积，其电源功率为1800W，所述ITO薄膜沉积时间为10min；
第五步，ITO薄膜沉积后，关闭磁控溅射设备电源，停止通入氩气与氧气的混合气体；
第六步，在磁控溅射设备中充气至大气压，温度降低至室温，最后取出高透玻璃衬底；
其特征在于：在第五步与第六步之间增加原位真空低温退火步骤，所述原位真空低温退火步骤的具体工艺为：在磁控溅射设备中继续抽真空，保持温度300℃、真空度为10^(-4)Pa，时间为30min。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN104593739A (zh) * 2014-12-25 2015-05-06 庞凤梅 一种提高ito薄膜性能的射频磁控溅射工艺及ito薄膜
CN108385073A (zh) * 2018-04-24 2018-08-10 信利（惠州）智能显示有限公司 Ito薄膜的制作方法
CN110885967A (zh) * 2019-12-06 2020-03-17 天津美泰真空技术有限公司 一种高阻抗膜及其制备方法

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PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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