CN104181717A - 一种用于阵列基板的测试单元、阵列基板及显示装置 - Google Patents
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- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims abstract description 80
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 62
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 48
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 48
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 24
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 24
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 23
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 4
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical group O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 abstract description 9
- 230000009194 climbing Effects 0.000 abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000588731 Hafnia Species 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(IV) oxide Inorganic materials O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 abbreviation ITO) Chemical compound 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/50—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor for integrated circuit devices, e.g. power bus, number of leads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
Abstract
本发明公开了一种用于阵列基板的测试单元、阵列基板及显示装置，属于显示技术领域，可防止测试结构的爬坡处发生断裂等不良现象的发生，保证测试结果的准确程度。该用于阵列基板的测试单元，包括测试结构和两个金属衬底，其中，所述测试结构包括连接部分和两个接触部分，其中，接触部分位于对应的金属衬底之上且与该金属衬底接触，所述连接部分连接两个接触部分，任一接触部分与所述连接部分的连接处位于金属衬底的对应区域之外。本发明可用于液晶电视、液晶显示器、手机、平板电脑等显示装置。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体地说，涉及一种用于阵列基板的测试单元、阵列基板及显示装置。
背景技术
液晶显示器(Liquid Crystal Display，简称LCD)是目前主流的显示装置。液晶显示器主要由阵列基板、彩膜基板、周边电路及背光组件等部分构成。其中，阵列基板是采用特定规格的玻璃基板，在该玻璃基板上经过镀膜、曝光、刻蚀等一系列工艺制成一定数量的像素，每一像素包括三个不同颜色的子像素，每一子像素为阵列基板的最小显示组成。每一子像素都能正常工作保证了该液晶显示器能够正常显示画面。
液晶显示器的生产工艺，尤其是阵列基板的制造工艺非常复杂，所以在制造过程中，不可避免的会因为工艺误差而发生各种缺陷。为了尽可能的降低缺陷发生率从而提高产品良率，在制造过程中的关键工艺后通常会设置相应的检测工序，以便能及时地发现缺陷并采取相应措施杜绝缺陷大范围扩散或将缺陷带入下一工艺步骤。其中，对于各子像素的像素电极的测试来说，通常是在阵列基板的边缘设置一个测试单元，该测试单元包括有与像素电极同时形成的测试结构、分别承载测试结构的两端的两个金属衬底。测试设备的探针同时与两个金属衬底接触，可测得该测试结构的阻值，进而可知像素电极的阻值是否符合要求。
发明人发现，现有技术中，测试结构的位置低于金属衬底的位置，因此，测试结构与金属衬底的接触需要测试结构经过爬坡实现。而测试结构的爬坡处容易发生断裂等接触不良现象，会造成测试结果的误判，需要消耗大量的人力物力进行清理，既增加阵列基板的制备成本又降低制备效率。
发明内容
本发明的目的在于提供一种用于阵列基板的测试单元、阵列基板及显示装置，可防止测试结构的爬坡处发生断裂等不良现象的发生，保证测试结果的准确程度。
本发明提供一种用于阵列基板的测试单元，包括测试结构和两个金属衬底，其中，所述测试结构包括连接部分和两个接触部分，其中，接触部分位于对应的金属衬底之上且与该金属衬底接触，所述连接部分连接两个接触部分，任一接触部分与所述连接部分的连接处位于金属衬底的对应区域之外。
其中，所述的测试单元还包括：位于所述测试结构和金属衬底之间的绝缘层，所述绝缘层形成有通孔，接触部分通过通孔与金属衬底接触。
其中，所述连接部分为具有多个弯折的条状结构。
其中，任一金属衬底为方形。
进一步的，任一接触部分为方形，其与所述连接部分连接的侧边位于金属衬底的对应区域之外。
其中，所述测试结构的材质为氧化铟锡。
本发明带来了以下有益效果：在本发明实施例的技术方案中，提供了一种用于阵列基板的测试单元，该测试单元包括测试结构和两个金属衬底。其中，该测试结构包括连接部分和两个接触部分，接触部分位于对应的金属衬底之上且与该金属衬底接触，且其与连接部分的连接处位于金属衬底的对应区域之外。意味着接触部分需要部分延伸出金属衬底的对应区域，增大了测试结构的爬坡处的面积尺寸，减小了发生断裂等接触不良现象发生的可能性，提高了测试结果的准确程度。
本发明第二方面提供了一种阵列基板，包括上述的用于阵列基板的测试单元。
本发明第三方面提供了一种显示装置，包括上述的阵列基板。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要的附图做简单的介绍：
图1是本发明实施例提供的测试单元的示意图；
图2是图1中A-A的剖面示意图。
附图标记说明：
1—测试结构； 11—连接部分； 12—接触部分；
2—金属衬底； 3—绝缘层； 4—通孔；
5—栅极绝缘层； 6—基板。
具体实施方式
以下将结合附图及实施例来详细说明本发明的实施方式，借此对本发明如何应用技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。需要说明的是，只要不构成冲突，本发明中的各个实施例以及各实施例中的各个特征可以相互结合，所形成的技术方案均在本发明的保护范围之内。
本实施例第一方面提供了一种用于阵列基板的测试单元，如图1所示，该测试单元包括包括测试结构1和两个金属衬底2，其中，所述测试结构1包括连接部分11和两个接触部分12，其中，接触部分12位于对应的金属衬底2之上且与该金属衬底2接触，所述连接部分11连接两个接触部分12，任一接触部分12与所述连接部分11的连接处位于金属衬底2的对应区域之外。
具体的，接触部分12与连接部分11的连接处位于金属衬底2的对应区域之外，意味着接触部分12需要部分延伸出金属衬底2的对应区域。如此一来，增大了测试结构1的爬坡处的面积尺寸，减小了断裂发生的可能性；另外有杂质等接触不良现象带来的影响也减小，可保证测试结果的准确程度。
在本发明实施例的技术方案中，提供了一种用于阵列基板的测试单元，该测试单元包括测试结构和两个金属衬底。其中，该测试结构包括连接部分和两个接触部分，接触部分位于对应的金属衬底之上且与该金属衬底接触，且其与连接部分的连接处位于金属衬底的对应区域之外。意味着接触部分需要部分延伸出金属衬底的对应区域，增大了测试结构的爬坡处的面积尺寸，减小了发生断裂等接触不良现象发生的可能性，提高了测试结果的准确程度。
进一步的，该测试结构1与阵列基板上的像素电极为在同一次构图工艺中形成的，其材质与像素电极一致，通常为氧化铟锡(Indium Tin Oxide，简称ITO)、氧化铟锌(Indium Zinc Oxide，简称IZO)、氧化铟镓锌(Indium Gallium Zinc Oxide，简称IGZO)等透明的金属氧化物制成。相应的，金属衬底2与阵列基板上的数据线、薄膜晶体管的源/漏极为在同一次构图工艺中形成的，通常采用铜等导电性良好的材料制成。由于测试结构与像素电极在同一次构图工艺中形成，因此，虽然测试结构1与像素电极绝缘，但是通过设定合适的测试结构1的图形，通过测定测试结构1的阻值大小，可了解到像素电极的阻值大小是否符合要求。
相应的，为了保证能够检测到较为准确的测试结构1的阻值，如图1所示，测试结构1中的连接部分11通常为具有多个弯折的条状结构。根据阻值公式有，在材料不变的情况下，其电阻率ρ保持不变。此时，测试结构1的阻值的大小与测试结构1的长度l成正比，与其横截面积S成反比。将连接部分11设置为具有多个多个弯折的条状结构可在较小的尺寸范围内延长连接部分11的长度，同时缩小连接部分11的横截面积，使得测试结构1的阻值可轻易测出。若是测试结构1的阻值发生变化也容易检测到，保证了检测结果的准确性。
在阵列基板上，为了防止在像素电极和源/漏极接触区域之外短路，像素电极和源/漏极之间形成有绝缘层，仅在需要像素电极和源/漏极接触处，绝缘层形成有通孔使得像素电极可通过该通孔与源/漏极接触。类似的，如图2所示，该测试单元还包括位于所述测试结构1和金属衬底2之间的绝缘层3，所述绝缘层3形成有通孔4，接触部分12通过通孔4与金属衬底2接触。该绝缘层3通常采用氧化硅、氮化硅、氧化铪、树脂等绝缘材料形成。
进一步的，如图2所示，在该测试结构1之下还设置有栅极绝缘层5和基板6，其中，栅极绝缘层5也可采用氧化硅、氮化硅、氧化铪、树脂等绝缘材料形成。
一般的，出于制作工艺的考量，任一金属衬底2可为方形。相应的，与金属衬底2接触的任一接触部分12也可为方形，如图1所示，其与所述连接部分11连接的侧边位于金属衬底2的对应区域之外。
显然，金属衬底2和接触部分12的形状可以根据实际情况进行设定，本发明实施例对此不进行限定。
进一步的，本发明实施例第二方面还提供了一种阵列基板，该阵列基板包括上述的用于阵列基板的测试单元。
更进一步的，本发明实施例第三方面还提供了一种显示装置，包括上述的阵列基板。具体的，该显示装置可以为：液晶面板、电子纸、OLED面板、液晶电视、液晶显示器、数码相框、手机、平板电脑等具有任何显示功能的产品或部件。
虽然本发明所公开的实施方式如上，但所述的内容只是为了便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属技术领域内的技术人员，在不脱离本发明所公开的精神和范围的前提下，可以在实施的形式上及细节上作任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。
Claims (8)
1.一种用于阵列基板的测试单元，包括测试结构和两个金属衬底，其特征在于，
所述测试结构包括连接部分和两个接触部分，其中，接触部分位于对应的金属衬底之上且与该金属衬底接触，所述连接部分连接两个接触部分，任一接触部分与所述连接部分的连接处位于金属衬底的对应区域之外。
2.根据权利要求1所述的测试单元，其特征在于，还包括：
位于所述测试结构和金属衬底之间的绝缘层，所述绝缘层形成有通孔，接触部分通过通孔与金属衬底接触。
3.根据权利要求1所述的测试单元，其特征在于，所述连接部分为具有多个弯折的条状结构。
4.根据权利要求1所述的测试单元，其特征在于，
任一金属衬底为方形。
5.根据权利要求4所述的测试单元，其特征在于，
任一接触部分为方形，其与所述连接部分连接的侧边位于金属衬底的对应区域之外。
6.根据权利要求1所述的测试单元，其特征在于，
所述测试结构的材质为氧化铟锡。
7.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求1-6任一项所述的用于阵列基板的测试单元。
8.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求7所述的阵列基板。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410443943.1A CN104181717B (zh) | 2014-09-02 | 2014-09-02 | 一种用于阵列基板的测试单元、阵列基板及显示装置 |
| PCT/CN2014/086591 WO2016033824A1 (zh) | 2014-09-02 | 2014-09-16 | 一种用于阵列基板的测试单元、阵列基板及显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410443943.1A CN104181717B (zh) | 2014-09-02 | 2014-09-02 | 一种用于阵列基板的测试单元、阵列基板及显示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104181717A true CN104181717A (zh) | 2014-12-03 |
| CN104181717B CN104181717B (zh) | 2017-04-19 |
Family
ID=51962885
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410443943.1A Expired - Fee Related CN104181717B (zh) | 2014-09-02 | 2014-09-02 | 一种用于阵列基板的测试单元、阵列基板及显示装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104181717B (zh) |
| WO (1) | WO2016033824A1 (zh) |
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-
2014
- 2014-09-02 CN CN201410443943.1A patent/CN104181717B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2014-09-16 WO PCT/CN2014/086591 patent/WO2016033824A1/zh active Application Filing
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|---|---|
| CN104181717B (zh) | 2017-04-19 |
| WO2016033824A1 (zh) | 2016-03-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20170419 |