CN104157770A - 发光二极管模组 - Google Patents

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Abstract

一种发光二极管模组，包括基座、第一发光芯片、第二发光芯片及电路，基座包括第一表面、第二表面及第三表面，第一表面、第二表面及第三表面的朝向均不相同，电路设置于基座的第三表面上，第一发光芯片安装于基座的第一表面上并通过第一导电路径与电路导通，第二发光芯片安装于基座的第二表面上并通过第二导电路径与电路导通。发光二极管模组可防止电路吸光的情况，从而提升出光效率。

Description

发光二极管模组
技术领域
本发明涉及一种二极管模组，特别是指一种发光二极管模组。
背景技术
发光二极管作为新兴的光源，已被广泛地应用于各种用途当中。发光二极管工作时散发的热量是制约其发光效率的重要因素。当前，为提升发光二极管的散热效率，业界发展出所谓的芯片直接与基座贴合技术(chip on board)，即将芯片直接贴合在电路板上，以减少热量传递的路径。然而，由于电路板贴合芯片的表面上会形导通芯片的电路图案，电路图案(特别是其中的对电路进行图案化的塑胶绝缘材料)会对发光芯片发出的光起到吸收作用，从而降低整体的出光效率。
发明内容
因此，有必要提供一种发光效率较高的发光二极管模组。
一种发光二极管模组，包括基座、第一发光芯片、第二发光芯片及电路，基座包括第一表面、第二表面及第三表面，第一表面、第二表面及第三表面的朝向均不相同，电路设于基座的第三表面上，第一发光芯片安装于基座的第一表面上并通过第一导电路径与电路导通，第二发光芯片安装于基座的第二表面上并通过第二导电路径与电路导通。
发光二极管模组采用发光芯片与电路分别设置在基座的朝向不同表面，实现发光芯片与电路在空间上的分离。由此，发光芯片所发出的光线可直接从基座的第一表面及第二表面出射，而不会被位于第三表面的电路所吸收，从而提升发光二极管模组的出光效率。
下面参照附图，结合具体实施例对本发明作进一步的描述。
附图说明
图1示出了制造本发明第一实施例的发光二极管模组的第一个步骤。
图2为图1中的散热器的截面图。
图3示出了制造本发明第一实施例的发光二极管模组的第二个步骤。
图4为图3中的半成品的截面图。
图5为图3中的半成品的部分俯视图。
图6示出了制造本发明第一实施例的发光二极管模组的第三个步骤。
图7为图6中的半成品的截面图。
图8为图6中的半成品的部分俯视图。
图9示出了制造完成的发光二极管模组。
图10为图9的发光二极管模组的截面图。
图11为本发明第二实施例的发光二极管模组的截面图。
图12为本发明第三实施例的发光二极管模组的截面图。
图13为本发明第四实施例的发光二极管模组的截面图。
主要元件符号说明
发光二极管模组 10
散热器 20
凹槽 200
空腔 202
基板 22
顶面 220
底面 222
侧壁 24
内侧面 240
外侧面 242
反射杯 26
内侧周面 260
外侧周面 262
基座 28
电极 30
电路 40
导电路径 50
发光芯片 60
封装体 70
保护层 80
绝缘层 90
发光二极管模组 10a
凹槽 200a
第一反射杯 26a
第二反射杯 27a
基座 28a
第一表面 280a
第二表面 282a
第三表面 284a
第一电极 30a
第二电极 32a
电路 40a
第一导电路径 50a
第二导电路径 52a
第一发光芯片 60a
第二发光芯片 62a
封装体 70a
封装体 72a
发光二极管模组 10b
第三反射杯 26b
基座 28b
第四表面 286b
第三电极 34b
第三导电路径 54b
第三发光芯片 64b
封装体 74b
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
请参阅图1-10，示出了制造本发明第一实施例的发光二极管模组10的方法，其主要包括如下步骤：
首先，如图1-2所示，提供一散热器20。散热器20包括一基座28及位于基座28上的多个反射杯26。基座28由一基板22及自基板22相对两侧向下延伸的二侧壁24组成。本实施例中，散热器20由陶瓷等导热及绝缘材料制成，其基座28与反射杯26一体成型。基板22呈长条形，其包括一顶面220及与顶面220相对的底面222。二侧壁24的内侧面240与基板22的底面222共同合围形成一长条形的凹槽200。这些反射杯26对齐地排列于基板22的顶面220。每一反射杯26呈圆环形，其内侧周面260与基板22的顶面220共同合围形成一圆形的空腔202。优选地，每一反射杯26的空腔202的直径自上至下逐渐减小，以起到较佳的光反射效果。
然后，如图3-5所示，分别在基板22的顶面220及底面222分别形成多个电极30及一电路40。本实施例中，每一反射杯26内均设有一对分离的电极30。每对电极30沿着基板22的长度方向排列，且二电极30之间通过间隙隔开。电路40沿着基板22的长度方向贴设于基板22底面222。电路40的长度略短于基板22的长度，且设于各对电极30的正下方。电路40的宽度小于基板22的宽度，并与反射杯26的外径相等。电极30的长度小于电路40的宽度。电路40的厚度与电极30的厚度相同，并小于侧壁24及反射杯26的高度。由此，电路40被完全收容于凹槽200内，电极30被完全收容于空腔202内。每对电极30均通过二贯穿基板22的导电路径50与电路40导通(图中仅示出一个导电路径50)。本实施例中，导电路径50是通过先在基板22上进行钻孔然后在孔内填充导电材料形成。可以理解地，当基板22由陶瓷材料制造时，导电路径50也可通过低温共烧陶瓷(low temperature co-firing ceramic)技术层叠形成。电路40及电极30可通过印刷、蒸镀等方式形成于基板22上，以获得特定的图案。
之后，如图6-8所示，在各反射杯26内安装发光芯片60并填充封装体70。本实施例中，发光芯片60为倒装设置(flip-chip)，其二电极(图未示)分别通过导电胶(图未示)或其他导电材料固定至一对电极30的顶面。由此，电流可从电路40经由导电路径50及电极30输入进发光芯片60内，从而驱动发光芯片60发光。发光芯片60由半导体发光材料制造，如氮化镓、氮化铟镓、氮化铝铟镓等，其可受到电流的激发而发出特定颜色的光线。封装体70由透明材料制造，如环氧树脂、硅胶等等。封装体70填满各反射杯26的空腔202而覆盖发光芯片60，以防止发光芯片60直接与外部环境接触。优选地，封装体70内还可进一步掺杂荧光粉(图未示)，以改变发光芯片60发出光线的颜色。由于将发光芯片60设于基板22顶面220，电路40设于基板22底面222，因此发光芯片60所发出的光线将不会被电路40所吸收，从而提升整体的出光效率。并且，采用反射杯26环绕发光芯片60，可收集发光芯片60侧向发出的光线，从而进一步提升整体的出光效率。
最后，如图9-10所示在散热器20上形成一保护层80。本实施例中，保护层80由绝缘材料(如树脂、陶瓷等)制成，其通过射入成型等方式固定于散热器20表面。优选地，保护层80的制造材料还可进一步具有散热作用，以辅助散热器20进行散热。保护层80覆盖基板22顶面220、反射杯26的外侧周面262以及侧壁24的外侧面242。反射杯26的顶面以及封装体70暴露于保护层80顶部，侧壁24的底面及凹槽200暴露于保护层80底部。优选地，反射杯26的顶面及封装体70的顶面与保护层80的顶面齐平，侧壁24的底面与保护层80的底面齐平。在成型保护层80时，二侧壁24可阻挡保护层80的制造材料，防止其流入到凹槽200内而污染电路40。
可以理解地，如图11所示，散热器20还可直接采用金属材料制成，此时每对电极30与基板22顶面220之间需通过绝缘层90隔开，各导电路径50外围也须通过环状的绝缘层90与基板22隔开，电路40则通过绝缘层90与基板22底面222隔开，以避免发生短路。此种情况下，保护层80可保护金属散热器20的外露的表面，避免其长时间置于空气当中而发生氧化，影响到正常的散热效果。此外，当散热器20由金属材料制造时，基板22、二侧壁24及各反射杯26可通过切削等机械加工方式一体形成，也先分别形成，然后再通过焊接进行固定。
还可以理解地，电路40也不仅限于贴设于基板22的底面222，其还可以贴设在侧壁24的外侧面242，并通过弯折的导电路径50与基板22顶面220的电极30导通。此种情况下同样可避免电路40吸光的问题。
图12示出了本发明第三实施例的发光二极管模组10a，其包括一大致呈三棱柱状的基座28a。基座28a的左右两侧分别形成一第一表面280a及一第二表面282a。本实施例中，第一表面280a朝向左上方，第二表面282a朝向右上方，且第一表面280a与第二表面282a之间的夹角小于90度。一对第一电极30a形成于基座28a的第一表面280a，一对第二电极32a形成于基座28a的第二表面282a。基座28a还在其底部形成一上凹的凹槽200a。凹槽200a的直径自下至上逐渐减小，由此，凹槽200a形成上窄下宽的棱台状。基座28a定义出凹槽200a顶部的内表面形成一朝向正下方的第三表面284a。第一表面280a与第二表面282a连接，第三表面284a通过基座28a的底部与第一表面280a及第二表面282a隔开。一电路40a形成于基座28a的第三表面284a上。一第一导电路径50a从基座28a的第一表面280a延伸至基座28a的第三表面284a，从而将第一电极30a与电路40a导通。一第二导电路径52a从基座28a的第二表面282a延伸至基座28a的第三表面284a，从而将第二电极32a与电路40a导通。第一导电路径50a与第二导电路径52a彼此隔开。本实施例中，第一导电路径50a包括一对支路，以将二第一电极30a分别连接至电路40a。第二导电路径52a也包括一对支路，以将二第二电极32a分别连接至电路40a。一第一发光芯片60a安装于第一电极30a上，一第二发光芯片62a安装于第二电极32a上。由此，经由电路40a接收的电流可分别通过第一导电路径50a及第二导电路径52a传递至第一电极30a及第二电极32a，进而激发第一发光芯片60a及第二发光芯片62a发光。优选地，本实施例中，第一发光芯片60a与第二发光芯片62a采用不同的材料制造，以发出不同颜色的光线。由于第一发光芯片60a与第二发光芯片62a的朝向不同，因此可发出不同方向的光线，从而使发光二极管模组10a的出光范围得到拓宽。为进一步提升第一发光芯片60a及第二发光芯片62a的出光效率，基座28a的第一表面280a及第二表面282a上还分别形成环绕第一发光芯片60a及第二发光芯片62a的第一反射杯26a及第二反射杯27a。第一反射杯26a及第二反射杯27a内还可填充透光的封装体70a、72a，以保护第一发光芯片60a及第二发光芯片62a。同样地，封装体70a、72a内也可掺杂相应的荧光粉，以发出特定颜色的光线。
图13示出了本发明第四实施例的发光二极管模组10b，其与第三实施例的发光二极管模组10a的不同之处在于，基座28b呈四棱柱形；基座28b在其顶部形成一朝向正上方的第四表面286b；第四表面286b连接第一表面280a及第二表面282a，且平行于第三表面284a；一对第三电极34b形成于第四表面286b；第三电极34b通过一第三导电路径54b与第三表面284a的电路40a导通；第三导电路径54b与第一导电路径50a及第二导电路径52a均彼此隔开；一第三发光芯片64b安装于第三电极34b上；一第三反射杯26b形成于第四表面286b上并环绕第三发光芯片64b；第三反射杯26b内还进一步填充有封装体74b，以保护第三发光芯片64b。
上述第三实施例及第四实施例的发光二极管模组中10a、10b的基座28a、28b都是采用导热且绝缘的材料制造，可以理解地，也可以直接采用金属材料制造，但需如第二实施例一般在电极30a、32a、34b、导电路径50a、52a、54b及电路40a与基座28a、28b接触的位置处设置一绝缘层(图未示)，以防止短路的情况发生。

Claims (10)

1.一种发光二极管模组，包括基座、第一发光芯片、第二发光芯片及电路，其特征在于：基座包括第一表面、第二表面及第三表面，第一表面、第二表面及第三表面的朝向均不相同，电路设置于基座的第三表面上，第一发光芯片安装于基座的第一表面上并通过第一导电路径与电路导通，第二发光芯片安装于基座的第二表面上并通过第二导电路径与电路导通。
2.如权利要求1所述的发光二极管模组，其特征在于：基座的第一表面上形成第一电极，第二表面上形成第二电极，第一电极连接第一导电路径，第二电极连接第二导电路径。
3.如权利要求1所述的发光二极管模组，其特征在于：第一导电路径从第一表面延伸至第三表面，第二导电路径从第二表面延伸至第三表面。
4.如权利要求1所述的发光二极管模组，其特征在于：第一导电路径与第二导电路径彼此隔开。
5.如权利要求1所述的发光二极管模组，其特征在于：第一表面、第二表面及第三表面均彼此相对倾斜。
6.如权利要求1所述的发光二极管模组，其特征在于：第一表面与第二表面连接，第三表面与第一表面及第二表面隔开。
7.如权利要求1所述的发光二极管模组，其特征在于：基座由导热及绝缘的材料制造。
8.如权利要求1所述的发光二极管模组，其特征在于：基座的底部形成凹槽，第三表面位于凹槽内，第一表面及第二表面分别位于基座的左右相对两侧。
9.如权利要求1至8任一项所述的发光二极管模组，其特征在于：还包括第四表面及安装于第四表面上的第三发光芯片，第三发光芯片通过第三导电路径与电路导通。
10.如权利要求9所述的发光二极管模组，其特征在于：第四表面连接第一表面及第二表面，且平行于第三表面。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112397627A (zh) * 2019-08-13 2021-02-23 光宝光电(常州)有限公司 发光装置
US11508703B2 (en) 2019-08-13 2022-11-22 Lite-On Opto Technology (Changzhou) Co., Ltd. Light emitting device for monitoring system

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050082561A1 (en) * 2001-03-28 2005-04-21 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting diode and manufacturing method thereof
US20060118804A1 (en) * 2004-12-07 2006-06-08 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Wiring substrate for mounting light emitting element
CN1877832A (zh) * 2005-06-10 2006-12-13 宋柏霖 复合发光二极管封装结构
CN101060116A (zh) * 2006-04-21 2007-10-24 三星电机株式会社 Led封装件
TW201037212A (en) * 2009-04-02 2010-10-16 Liquidleds Lighting Corp LED light bulb
TW201115067A (en) * 2009-10-20 2011-05-01 Foxsemicon Integrated Tech Inc LED illumination device
TWM430568U (en) * 2012-01-05 2012-06-01 Sunbeen Technology Inc Lamp holder for LED
CN103547855A (zh) * 2011-02-01 2014-01-29 开关电灯有限公司 Led灯泡中用于被动对流的全向液体通道

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050082561A1 (en) * 2001-03-28 2005-04-21 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting diode and manufacturing method thereof
US20060118804A1 (en) * 2004-12-07 2006-06-08 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Wiring substrate for mounting light emitting element
CN1877832A (zh) * 2005-06-10 2006-12-13 宋柏霖 复合发光二极管封装结构
CN101060116A (zh) * 2006-04-21 2007-10-24 三星电机株式会社 Led封装件
TW201037212A (en) * 2009-04-02 2010-10-16 Liquidleds Lighting Corp LED light bulb
TW201115067A (en) * 2009-10-20 2011-05-01 Foxsemicon Integrated Tech Inc LED illumination device
CN103547855A (zh) * 2011-02-01 2014-01-29 开关电灯有限公司 Led灯泡中用于被动对流的全向液体通道
TWM430568U (en) * 2012-01-05 2012-06-01 Sunbeen Technology Inc Lamp holder for LED

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112397627A (zh) * 2019-08-13 2021-02-23 光宝光电(常州)有限公司 发光装置
CN112397627B (zh) * 2019-08-13 2022-02-08 光宝光电(常州)有限公司 发光装置
US11508703B2 (en) 2019-08-13 2022-11-22 Lite-On Opto Technology (Changzhou) Co., Ltd. Light emitting device for monitoring system

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