CN104157383A - 一种添加分子银的热敏电阻 - Google Patents

一种添加分子银的热敏电阻 Download PDF

Info

Publication number
CN104157383A
CN104157383A CN201410305390.3A CN201410305390A CN104157383A CN 104157383 A CN104157383 A CN 104157383A CN 201410305390 A CN201410305390 A CN 201410305390A CN 104157383 A CN104157383 A CN 104157383A
Authority
CN
China
Prior art keywords
thermistor
silver
molecule
interpolation
molecule silver
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201410305390.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104157383B (zh
Inventor
王梅凤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JURONGSHI BOYUAN ELECTRONICS CO Ltd
Original Assignee
JURONGSHI BOYUAN ELECTRONICS CO Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by JURONGSHI BOYUAN ELECTRONICS CO Ltd filed Critical JURONGSHI BOYUAN ELECTRONICS CO Ltd
Priority to CN201410305390.3A priority Critical patent/CN104157383B/zh
Publication of CN104157383A publication Critical patent/CN104157383A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104157383B publication Critical patent/CN104157383B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Thermistors And Varistors (AREA)

Abstract

本发明公开了一种添加分子银的热敏电阻,其特征在于,包括如下重量百分比的成分:Mn2O330%~50%、Co2O35%~20%、Ni2O340%~70%和分子银1.0%~7%。本发明的热敏电阻材料线性较好,可以很方便应用在测温行业,原有技术锰、钴、镍三元系配方,在不加特殊添加物之前,B值若做到3900~4100K,则电阻率只能做到5.0~20(kΩ.mm),现加入分子银后B值可做到3900~4100K,电阻率200~400(kΩ.mm),可在较宽温度范围内使用;因电阻率与B值较适中,可在较宽的范围内作为温度补偿,可以满足特殊客户使用,且具有较强的稳定性。

Description

一种添加分子银的热敏电阻
技术领域
本发明涉及一种热敏电阻材料,具体说涉及一种添加分子银的热敏电阻。 
背景技术
NTC(Negative Temperature Coefficient,负的温度系数)热敏电阻材料一般是由过渡金属氧化物粉末烧结而成,现有的过渡金属氧化物粉末的组分和含量有较多体系和配方。热敏电阻材料的材料特性常数B值即受金属氧化物粉末配方的影响,同时也与热敏电阻材料的电阻率有关。现有技术锰、钴、镍三元系配方,在不加特殊添加物之前,B值若做到3900~4100K,则电阻率只能做到5.0~20(kΩ.mm),由于电阻率较小,使得测温范围较窄,不能满足客户要求。 
发明内容
发明目的:为了克服现有技术的不足,本发明的目的是提供一种线性较好、可在较宽温度范围内使用的添加分子银的热敏电阻,可以实现在材料常数B为3900~4100时,电阻率在200~400(kΩ.mm)。 
技术方案:为了解决上述技术问题,本发明所采用的技术方案为:一种添加分子银的热敏电阻,其特征在于,包括如下重量百分比的成分:Mn2O330%~50%、Co2O35%~20%、Ni2O340%~70%和分子银1.0%~7%。 
优选地,各成分的重量百分比为Mn2O332~40%、Co2O310~15%、Ni2O340%~50%和分子银4%~7%。 
最为优选地,各成分的重量百分比分别为:Mn2O335%、Co2O310%、Ni2O349%和分子银6%。 
通过采用上述配方组合,制备得到的热敏电阻的电阻率ρ为200~400(kΩ.mm),材料常数B为3900~4100K。 
本发明还提出了上述添加分子银的热敏电阻的制备方法,包括如下步骤: 
(1)陶瓷浆料制备:首先将上述各成分按照重量百分比混合成粉料,然后加入乙醇、粘合剂、分散剂配成浆料; 
(2)流延成型,将配置好的浆料置于真空箱中,采用导管将浆料吸水承载膜上,得厚度为20~70μm的膜,然后环形传送并经烘箱以30~60℃烘干各层,循环制作至设计的层数和厚度,烘干后经分离、切割、排胶、烧结得瓷片; 
(3)制电极,将烧结好的瓷片两面涂覆银电极; 
(4)划片,根据阻值需求划成所需尺寸即得。 
其中,步骤(1)中,粉料:乙醇:粘合剂:分散剂的重量比=1:(30%~50%):(50%~70%):(5%~10%)。 
具体地,所述的粘合剂为CK24,分散剂BYK110。 
有益效果:与现有技术相比,本发明的优点是:其线性较好,可以很方便应用在测温行业,原有技术锰、钴、镍三元系配方,在不加特殊添加物之前,B值若做到3900~4100K,则电阻率只能做到5.0~20(kΩ.mm),现加入分子银后B值可做到3900~4100K,电阻率200~400(kΩ.mm),可在较宽温度范围内使用;因电阻率与B值较适中,可在较宽的范围内作为温度补偿,可以满足特殊客户使用,且具有较强的稳定性。 
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步的详细说明。应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以作出若干改进,这些改进也应视为本发明的保护范围。 
实施例1:一种添加分子银的热敏电阻,包括如下重量百分比的成分:Mn2O335%、Co2O310%、Ni2O349%和分子银6%。 
其制作方法方法包括如下步骤: 
(1)陶瓷浆料制备:首先将上述各成分按照重量百分比混合成粉料,然后加入乙醇、粘合剂、分散剂配成浆料,其中粉料:乙醇:粘合剂(CK24):分散剂(BYK110)的重量比=1:0.37:0.52:0.08;其中,粘合剂采用CK24,CK24是一种电子陶瓷乙烯基改性粘合剂。分散剂采用型号为BYK110的分散剂。 
(2)流延成型,将配置好的浆料置于真空箱中,采用导管将浆料吸水承载膜上,得厚度为20~70μm的膜,然后环形传送并经烘箱以30~60℃烘干各层,循环制作至设计的层数和厚度,烘干后经分离、切割、排胶、烧结得瓷片; 
(3)制电极,将烧结好的瓷片两面涂覆银电极; 
(4)划片,根据阻值需求划成所需尺寸即得。 
经检测,该热敏电阻材料的常数ρ为200~400(kΩ.mm),材料常数B为3900~4100K。 
检测方法:电阻率算法:ρ=RS/T 
式中:R:NTC芯片在25℃温度下(测试精度在+/_0.02℃)测得的阻值 
S:NTC芯片的面积:长×宽 
T:NTC芯片的厚度 
B值算法:B=(T1*T2/(T2-T1))*㏑(R1/R2) 
R1=温度T1时之电阻值 
R2=温度T2时之电阻值 
T1=298.15K(273.15+25℃) 
T2=323.15K(273.15+50℃) 
实施例2:与实施例1基本相同,所不同的是热敏电阻材料的成分以及粉料与乙醇、粘合剂、分散剂的配比,具体如下: 
各成分的重量百分比如下:Mn2O337%、Co2O311%、Ni2O348%和分子银4%。 
粉料:乙醇:粘合剂:分散剂的重量比=1:0.43:0.68:0.08。 
经检测,该热敏电阻材料的材料常数ρ为200~400(kΩ.mm),材料常数B为3900~4100K。 
实施例3:与实施例1基本相同,所不同的是热敏电阻材料的成分以及粉料与乙醇、粘合剂、分散剂的配比,具体如下: 
各成分的重量百分比如下:Mn2O345%、Co2O38%、Ni2O345%和分子银2%。 
粉料:乙醇:粘合剂:分散剂的重量比=1:0.46:0.66:0.08。 
经检测,该热敏电阻材料的ρ为200~400(kΩ.mm),材料常数B为3900~4100K。 
实施例4:与实施例1基本相同,所不同的是热敏电阻材料的成分以及粉料与乙醇、粘合剂、分散剂的配比,具体如下: 
各成分的重量百分比如下Mn2O330%、Co2O35%、Ni2O364%和分子银1%。 
粉料:乙醇:粘合剂:分散剂的重量比=1:0.46:0.68:0.08。 
经检测,该热敏电阻材料的ρ为200~400(kΩ.mm),材料常数B为3900~4100K。 
实施例5:与实施例1基本相同,所不同的是热敏电阻材料的成分以及粉料与乙醇、粘合剂、分散剂的配比,具体如下: 
各成分的重量百分比如下Mn2O332%、Co2O36%、Ni2O359.5%和分子银2.5%。 
粉料:乙醇:粘合剂:分散剂的重量比=1:0.39:0.68:0.1。 
经检测,该热敏电阻材料的ρ为200~400(kΩ.mm),材料常数B为3900~4100K。 

Claims (7)

1.一种添加分子银的热敏电阻,其特征在于,包括如下重量百分比的成分:Mn2O330%~50%、Co2O35%~20%、Ni2O340%~70%和分子银1.0%~7%。 
2.根据权利要求1所述的添加分子银的热敏电阻,其特征在于,包括如下重量百分比的成分:Mn2O332~40%、Co2O310~15%、Ni2O340%~50%和分子银4%~7% 
3.根据权利要求1所述的添加分子银的热敏电阻,其特征在于,各成分的重量百分比分别为:Mn2O335%、Co2O310%、Ni2O349%和分子银6%。 
4.根据权利要求1所述的添加分子银的热敏电阻,其特征在于,所述热敏电阻材料的电阻率ρ为200~400(kΩ.mm),材料常数B为3900~4100K。 
5.权利要求1所述的添加分子银的热敏电阻的制备方法,其特征在于,包括如下步骤: 
(1)陶瓷浆料制备:首先将上述各成分按照重量百分比混合成粉料,然后加入乙醇、粘合剂、分散剂配成浆料; 
(2)流延成型,将配置好的浆料置于真空箱中,采用导管将浆料吸水承载膜上,得厚度为20~70μm的膜,然后环形传送并经烘箱以30~60℃烘干各层,循环制作至设计的层数和厚度,烘干后经分离、切割、排胶、烧结得瓷片; 
(3)制电极,将烧结好的瓷片两面涂覆银电极; 
(4)划片,根据阻值需求划成所需尺寸即得。 
6.根据权利要去5所述的添加分子银的热敏电阻的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,粉料:乙醇:粘合剂:分散剂的重量比=(30%~50%):(50%~70%):(5%~10%)。 
7.根据权利要求6所述的添加分子银的热敏电阻的制备方法,其特征在于,所述的粘合剂为CK24,分散剂BYK110。 
CN201410305390.3A 2014-06-27 2014-06-27 一种添加分子银的热敏电阻 Active CN104157383B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410305390.3A CN104157383B (zh) 2014-06-27 2014-06-27 一种添加分子银的热敏电阻

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410305390.3A CN104157383B (zh) 2014-06-27 2014-06-27 一种添加分子银的热敏电阻

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104157383A true CN104157383A (zh) 2014-11-19
CN104157383B CN104157383B (zh) 2017-11-14

Family

ID=51882864

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410305390.3A Active CN104157383B (zh) 2014-06-27 2014-06-27 一种添加分子银的热敏电阻

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104157383B (zh)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN86108011A (zh) * 1986-11-15 1988-01-06 国营宏明无线电器材厂 线性厚膜负温度系数热敏电阻器
JPH11135303A (ja) * 1997-10-31 1999-05-21 Oizumi Seisakusho:Kk 厚膜サーミスタ組成物
CN102682944A (zh) * 2012-06-04 2012-09-19 句容市博远电子有限公司 Ntc热敏电阻材料

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN86108011A (zh) * 1986-11-15 1988-01-06 国营宏明无线电器材厂 线性厚膜负温度系数热敏电阻器
JPH11135303A (ja) * 1997-10-31 1999-05-21 Oizumi Seisakusho:Kk 厚膜サーミスタ組成物
CN102682944A (zh) * 2012-06-04 2012-09-19 句容市博远电子有限公司 Ntc热敏电阻材料

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
张庆秋等: "复合厚膜NTC热敏电阻材料的研究", 《华南理工大学学报(自然科学版)》 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN104157383B (zh) 2017-11-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102682942B (zh) 低阻值高b值负温度系数热敏电阻
CN102682944A (zh) Ntc热敏电阻材料
CN104064297A (zh) 用于超低温环境的热敏电阻材料
CN102682941B (zh) 高阻值低b值负温度系数热敏电阻
CN102568723B (zh) 负温度系数热敏电阻芯片、其电阻及其制作方法
CN104124014A (zh) 双层ntc热敏电阻及其制备方法
CN108439982B (zh) 一种轴向复合负温度系数热敏陶瓷材料及其制备方法
CN104150880A (zh) 一种锰-钴-铜热敏电阻材料
KR101780028B1 (ko) 환원된 산화그래핀/pvdf 복합소재, 이의 제조방법 및 이를 이용한 써미스터 센서
CN102693795B (zh) 负温度系数热敏电阻
CN104051095B (zh) 一种添加氧化钛的四元系热敏电阻材料
CN102693794B (zh) 超低阻值高b值ntc热敏电阻
CN104051094A (zh) 一种添加氧化锶的多元系热敏电阻
TW201139326A (en) Semiconductor ceramic composition for ntc thermistor and ntc thermistor
CN107056251A (zh) 一种ntc热敏电阻材料及其制备方法
CN103354142A (zh) 电动机保护用负温度系数ntc热敏电阻器及其制造方法
CN102682943A (zh) 医用高精度ntc热敏电阻器的生产方法
CN104086160B (zh) 添加氧化镧的二元系热敏电阻材料
CN103073267B (zh) 一种低电阻率、高b值负温度系数热敏材料及其制备方法
CN103664141B (zh) 一种负温度系数热敏电阻芯片、热敏电阻以及其制备方法
CN104157383A (zh) 一种添加分子银的热敏电阻
CN102617117A (zh) 一种负温度系数热敏电阻芯片材料及其制备方法
CN106710758B (zh) 一种厚膜片式线性负温度系数热敏电阻器的制备方法
CN105551699B (zh) 一种ntc热敏电阻及制作方法
CN104051093A (zh) 低阻值高b值负温度系数热敏电阻

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant