CN104152358B - 一种耐辐射青霉及在吸附放射性锶90生物处理中的应用 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种耐辐射青霉及在吸附放射性锶90生物处理中的应用。通过取样,筛选、分离、筛选、生理生化鉴定获得青霉(Penicillium sp.)F161 CGMCC No.8381,利用该菌在吸附放射性生物处理中的应用,对于Pb2+、Zn 2+,Ni+,Co2+,Cr2+,Hg2+等六种重金属具耐受性,可达200 mg/L;特别是在放射性核素锶90吸附中应用获得显著明显的技术效果,从而证明了该菌种在吸附锶生物处理中具有良好的应用前景。

Description

一种耐辐射青霉及在吸附放射性锶90生物处理中的应用
技术领域
本发明涉及一种微生物菌种及其应用于生物吸附放射性核素技术领域,具体的,本发明涉及一种耐辐射青霉及其在放射性核素吸附中应用的技术领域。
背景技术
锶90(90Sr)是锶元素的一种具放射性的同位素,是铀的裂变产物之一,半衰期为28.8年。 一般来自核爆炸或核燃料产物。锶-90可做β射线的放射源,对人体有相当大的危害,它在核试验中由铀产生,以粉尘的形态被人体吸入,对人体产生放射性伤害。
放射性污染是造成人类癌症、生殖病变、遗传障碍、老年痴呆、健忘症的重要原因,高剂量辐射(>6.5Gy)直接导致人死亡;低剂量照射(<1.5Gy)可造成遗传物质的损伤、破坏造血干细胞系统和免疫系统等,引起基因突变和染色体畸变,诱发癌症。同时,遗传物质的变异可遗传到下一代,导致新生儿畸形或严重的先天性疾病。放射性污染已经成为急迫解决的重大问题。在治理放射性环境污染方面,传统方法是工程法、化学法。工程法是物理性地收集和隔离放射性物质的方法,化学法是采用特殊的化学品来固定和清除放射性污染。上述方法虽然已得到成功的应用,如日本的广岛和长崎两个城市、马绍尔群岛共和国的比基尼环礁核试验场和澳大利亚的马拉林加核试验场的修复与重建,但其成本很高,难以用于大面积辐射区的修复,因此,工程与化学的方法局限性很大。生物修复是利用特殊的生物富集和固定放射性污染物的方法,主要是微生物和植物,特别是微生物功能利用最受关注,因其成本低,适合于大面积修复,因而生物修复放射性污染成为当前研究的热点。
研究表明:微生物不仅可通过溶解和沉淀、生物吸附和吸收、氧化还原等作用来治理环境中的放射性核素污染,并且可以通过改变植物根际微环境 ,从而提高植物对重金属离子和放射性核素的吸收、挥发或固定的效率。相关的研究也取得了积极进展,如JanaSitte等研究证明放射性核素铀(U)在土壤中的迁移率受环境中微生物及环境因子的影响,Eva-Maria Burkhardt研究表明Fe(III)还原菌的增生有利于包括U在内的重金属离子由土壤向地下水迁移。Copplestone等分离获得可大量积累137Cs、238+239+240Pu等放射性核素的微生物菌株,Hu等的研究表明许多微生物都能吸附U,如Pseudomonas aeruginosa CSU、Aspergillus fumigatus 和Saccharomyces cerevisiae。Entry等研究发现施用AM菌根菌可促进行植物对137Cs、90Sr的积累,Oneidensis希瓦氏菌MR-1,可以有效将可溶性U6+、Cr6+和Tc7+还原为不溶性U5+、Cr3+和Tc4+
利用微生物修复放射性的污染环境必须考虑到以下两个方面:第一,必须是强耐辐射的微生物;第二,微生物修复环境时不能威胁到公共安全,也不能产生二次污染。由于大多数的细菌对放射性比较敏感,因此它们修复放射性污染环境的能力会受到较大的限制。因此,需要从自然环境中去分离具有辐射抗性的微生物,或者通过基因工程技术来改造一些微生物使之获得辐射抗性。目前尚无耐辐射真菌吸附放射性核素的报导。
发明内容
针对目前国内外尚报道有关耐辐射菌种及其在放射性核素锶吸附中应用的相关报道,特别是没有耐辐射青霉在吸附锶90生物处理中的应用相关报道。本发明目的旨在于提供一种利用耐辐射菌在放射性核素锶90吸附中应用,特别是本发明提供一种利用耐辐射青霉(Penicillium sp.)F161 CGMCC NO. 8381在吸附锶90生物处理中的应用。
本发明采用的主要技术方案:
本发明从新疆某地辐射污染环境中取样,以不同的培养温度、pH值、培养基为富集条件,筛选出一批生长良好的微生物菌株,从中优选出一株编号为F161的菌株,经过微生物菌种的生理生化特性、菌落形态、菌种的分子水平等系列试验验证确定,该菌种是一种耐辐射青霉(Penicillium sp.)F161,经菌种指定保藏机构,获得保藏号为CGMCC NO.8381,利用该菌种在放射性锶生物处理中应用,通过试验证明该菌种耐辐射青霉(Penicillium sp.)F161 CGMCC NO.8381对于Pb2+、Zn 2+,Ni+, Co2+ ,Cr2+,Hg2+等六种重金属具耐受性,其中对Pb2+、Zn 2+,Ni+的耐受浓度最大,分别可达1000 mg/L和500 mg/L,500 mg/L;对Co2+ Cr2+,Hg2 +的耐受性次之,都可达200 mg/L;特别是在放射性核素锶90吸附中应用获得显著明显的技术效果,从而证明了该菌种在吸附锶生物处理中具有良好的的应用前景。
本发明具体提供一种利用耐辐射青霉(Penicillium sp.)F161 CGMCC NO.8381。本发明所使用的耐辐射青霉(Penicillium sp.)由新疆农业科学院微生物应用研究所从新疆某地辐射污染环境中取样分离,以不同的培养温度、pH值、培养基为富集条件,筛选出一批生长良好可耐受10000 KGy的微生物菌株,从中优选出一株编号为F161的菌株保藏于布达佩斯条约微生物国际保藏单位:中国微生物菌种保藏管理委员会普通微生物中心(CGMCC)保藏,地址:北京市朝阳区北辰西路1号院3号,中国科学院微生物研究所,邮编:100101,保藏日期为2013年10月22日,菌种保藏号为CGMCC NO.8381,该菌株培养温度28-30℃,最适培养温度28℃左右;该菌种生长于PDA培养基表面为马铃薯200g、葡萄糖20g、琼脂15g、蒸馏水IL,pH自然,经28℃、48h培养,通过插片和水压片的镜检观察,该菌株初生菌落白色,绒毛状,向外扩展快,菌丝无色分隔,后期孢子堆紫粉绿色,呈绒粉状。分生孢子梗从气丝上垂直生出,无厚壁足细胞。分生孢子梗有隔不分枝,光滑,在略膨大的顶端对称排列着单居瓶状小梗,小梗上着生呈链状分生孢子,孢子椭圆形,表面光滑带有土黄的杂绿色。根据以上形态特征,初步鉴定该菌株为半知菌纲丛梗孢目丛梗孢科单梗曲霉属的一个种。参照《真菌鉴定手册》,结合对F161菌株进行形态学,生理生化鉴定,鉴定为青霉(Penicillium sp.),命名为耐辐射青霉F161。
经Biolog实验 ,F161可利用以下碳源:熊果苷,糊精,赤藻糖醇,D-葡萄糖酸,a-D-葡萄糖-1-磷本盐,丙三醇,D-核糖,水杨苷,D-木糖, y-氨基丁酸, ß-羟基丁酸,奎尼酸,D-葡萄糖二酸,琥珀酸甲基酯,L-丙胺酸酰胺,L-丙胺酸,L-丙胺酰氨基乙酸,L-天冬酰胺,L-谷氨酸,甘氨酰-L-谷氨酸,鸟氨酸,L-苯基柄氨酸,脯氨酸,L-苏胺酸,2-氨基乙醇,腺苷-5’一磷酸盐。本发明通过总DNA的提取、ITS1基因的PCR扩增和测序,根据测序结果,用Blast搜索软件从GenBank、EMBL等数据库中调出相似性较高的相关放线菌菌株的ITS1基因序列,用CLUSTAL X 进行多序列比对,并采用 Saitou和Nei 的邻接法(Neighbor Joining)用MEGA5.0软件进行系统进化树的构建和同源性比较。经测定,耐辐射青霉(Penicillium sp.)F161 CGMCC NO.8381的ITS1基因序列为574bp。
通过上述结果及ITS1rRNA同源分析、系统发育分析结果,将纯化的菌株F161进行系统进化树的构建及多样性分析,菌种编号为F161与Eupenicillium javanicum isolateFREII57同源性最高,将菌种编号为F161菌株鉴定为青霉属的一个种(Penicillium sp.)。
将增殖培养的菌株耐辐射青霉(Penicillium sp.)F161 CGMCC NO.8381接种于PDA培养基中,180~200rpm、28℃、培养48h;发酵培养所获得的培养物经4000rpm离心收集菌体。通过50℃烘干的方法获得干菌体;将0.1g干菌体加入pH 5.0、浓度20mg/L的锶离子溶液中,适当搅拌,室温吸附30min,可以达到吸附溶液中锶的目的,最大吸附率达到84.5%。
同时,本发明具体提供一种利用耐辐射青霉(Penicillium sp.)F161 CGMCCNO.8381进行放射性锶生物处理中应用技术方案:本发明所用的菌株青霉(Penicilliumsp.)F161 CGMCC NO.8381对Pb2+、Zn 2+,Ni+, Co2+ ,Cr2+,Hg2+等六种重金属具耐受性,其中对Pb2+、Zn 2+,Ni+的耐受浓度最大,分别可达1000 mg/L和500 mg/L,500 mg/L;对Co2+ Cr2+,Hg2+的耐受性次之,都可达200 mg/L,特别是在放射性核素锶吸附中应用获得显著明显的技术效果,从而证明了该菌种在吸附锶生物处理中具有良好的的应用前景。
本发明进而提供耐辐射青霉(Penicillium sp.)F161 CGMCC NO.8381的分离和培养方法。
1. 分离培养基采用:PDA培养基为马铃薯200g,葡萄糖20g。
2. 分离和筛选条件:采取梯度稀释法,称取10g土壤样品于90mL无菌生理盐水中,30°C活化30min后进行梯度稀释,选取10-2、10-3、10-4稀释液分别涂布于分离培养基淀粉PDA培养基平板,每个处理3个重复,置30°C培养。待长出菌落后挑取形状、大小、颜色等不同的菌落分别划线接种于相应的平板,直至无杂菌落。
经培养筛选确定的耐辐射青霉(Penicillium sp.)F161 CGMCC NO.8381在经28℃、48h培养,通过插片和水压片的镜检观察,该菌株初生菌落白色,绒毛状,向外扩展快,菌丝无色分隔,后期孢子堆紫粉绿色,呈绒粉状。分生孢子梗从气丝上垂直生出,无厚壁足细胞。分生孢子梗有隔不分枝,光滑,在略膨大的顶端对称排列着单居瓶状小梗,小梗上着生呈链状分生孢子,孢子椭圆形,表面光滑带有土黄的杂绿色。根据以上形态特征,初步鉴定该菌株为半知菌纲丛梗孢目丛梗孢科单梗曲霉属的一个种。参照《真菌鉴定手册》进行鉴定,结合对F161菌株进行形态学,生理生化鉴定,鉴定为青霉(Penicillium sp.),命名为耐辐射青霉F161青霉(Penicillium sp.)。
经Biolog FF鉴定板试验证明F161可利用以下碳源:熊果苷,糊精,赤藻糖醇,D-葡萄糖酸,a-D-葡萄糖-1-磷本盐,丙三醇,D-核糖,水杨苷,D-木糖, y-氨基丁酸, ß-羟基丁酸,奎尼酸,D-葡萄糖二酸,琥珀酸甲基酯,L-丙胺酸酰胺,L-丙胺酸,L-丙胺酰氨基乙酸,L-天冬酰胺,L-谷氨酸,甘氨酰-L-谷氨酸,鸟氨酸,L-苯基柄氨酸,脯氨酸,L-苏胺酸,2-氨基乙醇,腺苷-5’一磷酸盐。
通过实施本发明具体的技术指标,实现本发明内容,可以达到以下有益效果:
本发明提供的耐辐射青霉(Penicillium sp.)F161 CGMCC NO.8381及其在锶离子及放射性锶90吸附中的应用,CGMCC NO.8381对Pb2+、Zn 2+,Ni+, Co2+ ,Cr2+,Hg2+等六种重金属具耐受性,其中对Pb2+、Zn 2+,Ni+的耐受浓度最大,分别可达1000 mg/L和500 mg/L,500mg/L;对Co2+ ,Cr2+,Hg2+的耐受性次之,都可达200 mg/L,通过本法可以利用菌体的生长吸附锶离子,和放射性锶,也可以直接使用干菌体吸附,最大吸附能力可达28.5mg/g干菌体。
附图说明
图1为耐辐射青霉(Penicillium sp.)F161 CGMCC NO.8381水压片图。
图2所示为耐辐射青霉(Penicillium sp.)F161 CGMCC NO.8381系统发育树状图。
图3为耐辐射青霉(Penicillium sp.)F161 CGMCC NO.8381在20mg/LSr2+压力下生长曲线及吸附特性图。
图4 所示为pH对耐辐射青霉(Penicillium sp.)F161 CGMCC NO.8381生长吸附锶离子的影响。
图5所示为不同金属离子对耐辐射青霉(Penicillium sp.)F161 CGMCC NO.8381吸附锶离子影响图。
图6所示为不同菌体量对耐辐射青霉(Penicillium sp.)F161 CGMCC NO.8381吸附锶离子的影响。
图7所示为吸附时间对青霉(Penicillium sp.)F161 CGMCC NO.8381菌体吸附锶离子的影响图。
图8所示为青霉(Penicillium sp.)F161 CGMCC NO.8381 对稳定锶离子和放射性锶的吸附率比较图。
具体实施方式
下面结合具体实施例进一步阐明本发明,当然,这些实施例仅用于说明本发明,而不用于限制本发明要求保护的范围。
本发明中涉及到的主要原辅材料、试剂和仪器设备:
培养基选用:PDA培养基表面为马铃薯200g、葡萄糖20g、琼脂15g、蒸馏水IL,pH自然。
主要仪器与试剂:MSSPX-250型生化培养箱,MLS-3020高压蒸汽灭菌锅,SW-CJ-1FB型单人双面净化工作台,E360K离心机,恒温摇床HWY-100。PCR仪 Eppendorf No:5345,电泳仪Bio-Rad Mode 200/2.0,凝胶成像仪United-Bio,GK-330C plus,PCR预混液(TaKaRaBiotechnology),其余试剂均为分析纯。超声波破碎仪为美国Sonics,VC 130。
本发明中选用的所有试剂和仪器都为本领域熟知选用的,但不限制本发明的实施,其他本领域熟知的一些试剂和设备都可适用于本发明以下实施方式的实施。
实施例一:耐辐射青霉(Penicillium sp.)F161 CGMCC NO.8381的分离、筛选
1. 分离:本发明所使用的耐辐射青霉(Penicillium sp.)由新疆农业科学院微生物应用研究所从新疆某地辐射污染环境中取样分离,以不同的培养温度、pH值、培养基为富集条件,筛选出一批生长良好的微生物菌株,从中优选出一株编号为F161的菌株。
分离步骤:依据梯度稀释法,称取10g土壤样品于90mL无菌生理盐水中,30°C活化30min后进行梯度稀释,选取10-2、10-3、10-4稀释液分别涂布于PDA培养基的平板,每个处理3个重复,置30°C培养。待长出菌落后挑取形状、大小、颜色等不同的菌落分别划线接种于新的分离培养基PDA培养基,直至无杂菌落。将纯化后的菌株一部分采用冻干物安瓿管、甘油管和液氮等方式保藏,一部分保存于4°C直接用于后续研究。
2. 培养条件:该菌株培养温度28-30℃,最适培养温度28℃左右;该菌种生长于PDA培养基表面为马铃薯200g、葡萄糖20g、琼脂15g、蒸馏水IL,pH自然,经28℃、48h培养。
本发明所使用的耐辐射青霉(Penicillium sp.)由新疆农业科学院微生物应用研究所以不同的培养温度、pH值、培养基为富集条件,筛选出一批生长良好的微生物菌株,从中优选出一株编号为F161的菌株保藏于布达佩斯条约微生物国际保藏单位:中国微生物菌种保藏管理委员会普通微生物中心(CGMCC)保藏,地址:北京市朝阳区北辰西路1号院3号,中国科学院微生物研究所,邮编:100101,保藏日期为2013年10月22日,菌种保藏号为CGMCCNO.8381,该菌株培养温度28-30℃,最适培养温度28℃左右;该菌种生长于PDA培养基表面为马铃薯200g、葡萄糖20g、琼脂15g、蒸馏水IL,pH自然,经28℃、48h培养,通过插片和水压片的镜检观察,该菌株初生菌落白色,绒毛状,向外扩展快,菌丝无色分隔,后期孢子堆紫粉绿色,呈绒粉状。分生孢子梗从气丝上垂直生出,无厚壁足细胞。分生孢子梗有隔不分枝,光滑,在略膨大的顶端对称排列着单居瓶状小梗,小梗上着生呈链状分生孢子,孢子椭圆形,表面光滑带有土黄的杂绿色,参见附图1。根据以上形态特征,初步鉴定该菌株为半知菌纲丛梗孢目丛梗孢科单梗曲霉属的一个种。参照《真菌鉴定手册》进行鉴定,结合对F161菌株进行形态学,生理生化鉴定,命名为耐辐射青霉(Penicillium sp.)。相关生理生化结果结果见表1。
表1:温度、pH等因素对菌株F161生长的影响
温度(℃) 4 15 25 30 32 35
生长情况 - + + ++++ +++ +++
温度(℃) 38 45 50
生长情况 ++ + -
pH 1 2 3 4 5 6
生长情况 - - - + + ++
pH 7 8 9 10
生长情况 +++ + - -
NaCl浓度 0% 1% 2% 3% 4% 5%
生长情况 + ++ +++ +++ +++ +
NaCl浓度 6% 7% 8% 9% 10%
生长情况 - - - - -
KCl浓度 0% 1% 2% 3% 4% 5%
生长情况 + ++ +++ +++ +++ ++
KCl浓度 6% 7% 8% 9% 10%
生长情况 + - - - -
MgCl2浓度 0% 1% 2% 3% 4% 5%
生长情况 + ++ ++ + + -
MgCl2浓度 6% 7% 8% 9% 10%
生长情况 - - - - -
该菌株经Biolog实验证明能利用以下碳源:熊果苷,糊精、赤藻糖醇,D-葡萄糖酸,a-D-葡萄糖-1-磷本盐,丙三醇, D-核糖,水杨苷,D-木糖,y-氨基丁酸,ß-羟基丁酸,奎尼酸,D-葡萄糖二酸,琥珀酸甲基酯, L-丙胺酸酰胺, L-丙胺酸, L-丙胺酰氨基乙酸, L-天冬酰胺,L-谷氨酸,甘氨酰-L-谷氨酸,鸟氨酸,L-苯基柄氨酸,脯氨酸, L-苏胺酸, 2-氨基乙醇,腺苷-5’一磷酸盐。
3.菌种描述:本发明所述的耐辐射青霉(Penicillium sp.)F161 CGMCC NO.8381通过从新疆辐射污染环境中分离筛选,经形态学和生理生化鉴定发现,其在PDA培养基(马铃薯200g、葡萄糖20g、pH自然。)28℃培养3d后,初生菌落白色,绒毛状,向外扩展快,菌丝无色分隔,后期孢子堆紫粉绿色,呈绒粉状。分生孢子梗从气丝上垂直生出,无厚壁足细胞。分生孢子梗有隔不分枝,光滑,在略膨大的顶端对称排列着单居瓶状小梗,小梗上着生呈链状分生孢子,孢子椭圆形,表面光滑带有土黄的杂绿色。耐辐射青霉(Penicillium sp.)F161CGMCC NO.8381菌落形态图参见附图1。
实施例二:耐辐射青霉(Penicillium sp.)F161 CGMCC NO.8381的序列测定及系统发育分析
1. DNA提取:真菌提取方法如下:
(1)200 mg菌体, 液氮研磨, 加入3 ml 3% CTAB提取缓冲液; 65℃水浴45 min,4℃4000 r/min离心20 min。
(2)取上清转到离心管中, 加入4 μl 10 mg/ml蛋白酶, 37℃,水浴1 h。
(3)加入800 μl Tris饱和酚, 摇匀, 13000 r/min离心10min; 取上清。
(4)加入等体积的氯仿/异戊醇, 摇匀,13000 r/min离心10 min; 取上清。
(5)加10 mg/ml的RNA酶, 37 ℃水浴过夜处理。
(6)加入800 μl氯仿/异戊醇, 摇匀, 13000 r/min离心10 min; 取上清。
(7)加600 μl异戊醇, -20℃沉淀30 min, 收集沉淀, 75%酒精,冲洗, 超净台真空干燥。
(8) 100 μl TE 溶解DNA, -20 ℃保存备用。加入1 μl的RNA酶, 37 ℃水浴1 h;加入400 μl氯仿/异戊醇 (24∶1), 12000 r/min离心10 min, 重复2次。
2. ITS1基因基因扩增及测序,用真菌 ITS1基因基因通用引物进行扩增:
引物ITS1:5'-TCCGTAGGTGAACCTGCGG-3'
ITS4: 5'-TCCTCCGCTTATTGATATGC-3'
PCR 扩增反应体系为50 μL,反应条件为:95°C,5 min;95°C,45 S,57°C, 30 S,72°C,90S,30Cycles; 72°C,7min。扩增产物(约 600 bp),PCR扩增产物以1%琼脂糖凝胶电泳检测,将扩增产物进行测序,将菌株F161 的ITS1基因序列进行测定,经测定, F161CGMCC No. 8381 ITS1基因序列为600bp,参见附后提供的基因序列表SEQUENCE LISTING。
3. ITS1 序列比对及系统发育分析
本发明通过总DNA的提取、ITS1基因基因的PCR扩增和测序。根据测序结果,用Blast搜索软件从GenBank、EMBL等数据库中调出相似性较高的相关放线菌菌株的ITS1基因基因序列,用CLUSTAL X 进行多序列比对,并采用 Saitou和Nei 的邻接法(NeighborJoining)用MEGA 5.0软件进行系统进化树的构建。结果参见附图2所示,从树状图中可以看出,该菌株与penicilium在同一分支,表明二者的亲缘关系最近,比对结果表明,F161与Eupenicillium javanicum isolate FREII57同源性最高,依据微生物分类方法,将菌种编号为青霉F161菌株初步鉴定为青霉菌(Penicillium sp.)。
基于ITS1基因 序列扩增和PCR 产物测序,获得600bp 序列,经GenBank \ Blast同源序列比对分析,其与现有技术所报道的青霉(eupenicilium javaicum) 同源性较高;从GenBank 中获取标准菌株ITS1基因序列,进行同源进化分析,构建系统进化树,结果参见附图2;结果显示,F161 菌株隶属于青霉属,与Eupenicillium javanicum isolate FREII5亲源关系最近,但是显示不同属性的两种不同菌,确定菌株F161为耐辐射青霉菌株,确定命名为青霉(Penicillium sp.)。
实施例三:耐辐射青霉(Penicillium sp.)F161的抗辐射能力
微生物治理环境放射性污染需满足两个条件,即在辐射环境中能够生存并对污染核素具有较高的吸附选择性。所用青霉F161是放射性核素污染土壤中提取,斜面培养后,经60Co放射源γ射线辐照,辐照剂量累积为10 kGy。通过辐照样品和非辐照样品培养比对,发现其生长不受辐照的影响,即青霉F161具有很强的抗辐射能力。青霉F161的辐射特性(γ辐射)以Ferreira 等已建立的方法做了验证。菌在PDA液体培养基培养至稳定期,4℃离心后以生理盐水洗涤后,以生理盐水里悬浮浓度控制在 1×107–108 c.f.u/ ml,分为每份2ml,在60Co 下以 0.167 kGy/ min的剂量率在室温下进行照射。照射剂量以 2.0 kGy 的幅度从0Gy升到10.0 kGy。照射过的样品经稀释后涂布至PDA 平板上在30℃培养3-5天后看是否有存活,以检测青霉F161对于γ辐射的耐受特性。试验表明本发明提供的青霉F161CGMCC No. 8381经10 kGy的辐照剂量照射能正常生长,具有较强的耐辐射性。
实施例四:耐辐射曲霉青霉(Penicillium sp.)F161 CGMCC NO.8381生长吸附Sr2+的特性和效果
耐辐射曲霉青霉(Penicillium sp.)F161 CGMCC NO.8381生长吸附Sr2+吸附实验方法确定:
移取100 mL PDA培养基溶液于500 mL锥形瓶中,根据实验需要定量加入锶离子(20mg/L),接种适量F161菌种悬浊液(20 mL无菌水与斜面上的菌种均匀混合), 180 rpm,28℃震荡培养至实验所需时间。培养后溶液离心,上清液用ICP-MS测定锶离子浓度,所得菌体在60℃条件下烘至恒重,用于计算生物量。
单位吸附量和吸附率的计算方法:
用单位吸附量(qe)和吸附率(R)表征微生物对锶的吸附情况,计算方法分别示于式(1)、(2)中。
qe=( C0-Ct)×V÷m (1)
R=( C0-Ct)÷C0×100% (2)
其中,C0为溶液中锶的初始浓度,mg/L;Ct为吸附t时间后溶液中锶的浓度,mg/L;V为吸附溶液体积,L;m为菌株的干菌质量,g。
耐辐射曲霉青霉(Penicillium sp.)F161 CGMCC NO.8381生长吸附Sr2+的特性和效果:
在吸附温度为28℃、pH 6.5,锶离子浓度为20 mg/L的条件下,吸附率随着时间而急速增长,在48h左右达到吸附平衡,吸附率在36.67%左右,此后吸附率随时间变化不大,参见附图3。这主要是由于随着微生物对锶离子吸附增加,细胞表面对锶离子的吸附逐渐达到饱和,细胞壁上对其产生的斥力增强,造成金属离子进一步进入到细胞表面的阻力增大,而后达到相对平衡阶段。随着培养时间的延长,微生物对锶的吸附率略有降低,表明随着营养物质消耗殆尽,菌体开始死亡,甚至出现自溶现象,打破固液吸附平衡,造成菌体吸附率下降。
实施例五:影响耐辐射曲霉青霉(Penicillium sp.)F161 CGMCC NO.8381吸附因素研究
以等效离子代替有关核素,制作Sr2+浓度分别20mg/L PDA培养基,并留取一部分未接菌种的初始培养基作对照样,以测得培养基中Sr2+真实值。
1. pH对吸附的影响:分别选择对Sr2+吸附率高的菌株F161做pH的对吸附的影响实验,选择pH4.0-pH9.0作为初始的pH,180rpm, 28℃摇床培养。培养至最适时间,取样经ICP-MS检测发现在pH6.0-7.0时,吸附率比较高,参见附图4。
2.常见金属阳离子对吸附的影响:选取常见的金属离子K+,Na+,Ca2+,Mg2+,Al3+,Fe2 +加入含有20 mg/LSr2+离子的PDA培养基,浓度分别为1mg/L,5 mg/L,20 mg/L,接种菌种F161,设置含20 mg/L Cs+、Sr2+离子且不含其他阳离子的接种F161的培养基作为对照。180rpm,30℃摇床培养,培养至96h后,样品通过ICP-MS测定,以观察常见阳离子对菌株吸附锶离子的影响。数据分析表明所有选择的阳离子对菌株吸附锶离子均有抑制作用,部分金属离子浓度越相近影响越大,很可能由于K,Na与Cs同族,Ca,Mg与Sr同族,同族元素之间存在竞争吸附,参见附图5。
3. 菌体量对于吸附的影响:为了确定筛选出的菌株对锶的吸附的吸附是边生长边吸附还是生长后的菌体吸附,做了菌体吸附实验,通过PDA培养基大量培养收集菌体。首先进行了菌体质量对于吸附的影响。
分别称取不同质量的菌体(0.1g,0.2g,0.5g,0.8g,1g,1.2g,1.5g)分别置于15ml锶离子浓度为20mg/l的溶液体系内,吸附过夜,取样经ICP-MS测定,结果表明:菌体的吸附率,均小于生长吸附率,确定了筛选出的菌株对锶的吸附的吸附方式是边生长边吸附。随着菌体量增加,吸附率也缓慢增加,当达到一定量时,吸附率不再有变化,即达到平衡。随着菌体量的增加,在固定金属离子浓度状态下,单位菌体的吸附量是降低的,参见附图6。
4吸附时间对于菌体吸附的影响:称取0.5g菌体,分别震荡悬浮于锶离子浓度为20mg/l的10ml溶液体系内,间隔1h取样。样品经ICP-MS测定,结果表明菌体吸附率远远低于生长吸附,随着时间的增加吸附率并没有显著增加,只是在一定的值范围上下波动,菌体吸附很可能是个瞬间过程,参见附图7表明静置吸附和震荡吸附对于菌体吸附总趋势并没有差别。
实例六:耐辐射曲霉青霉(Penicillium sp.)F161 CGMCC NO.8381对放射性锶生长吸附试验
测定菌株F161对于放射性锶和稳定性锶的吸附是否有差异,设计了以下实验方案,分别在含有10mg/L的稳定锶离子的PDA培养基中加入1ml(1806.5 贝克贝克)放射性锶母液,接种青霉F161,培养至最适的生长时间,收集样品。分别通过ICP-MS和液闪测定菌株在生长过程中对稳定性锶离子和放射性锶的吸附。
表2:菌株对放射性锶-生长吸附试验设计
采用的菌株及不同的处理 F161 F161
稳定性锶 10mg/L
放射性锶 1ml 1ml
由附图8所示,放射性锶的存在对稳定锶的吸附率有显著影响,菌株F161对于放射性锶的吸附率明显大于稳定锶,F161可做为放射性锶原位修复的候选菌株。
综上所述,通过上述系列实验验证,通过本发明利用耐辐射青霉(Penicilliumsp.)F161 CGMCC NO.8381菌体的生长可吸附锶离子和放射性锶。
实施例七:耐辐射青霉(Penicillium sp.)F161 CGMCC NO.8381耐重金属特性
将本发明菌株耐辐射青霉(Penicillium sp.)F161 CGMCC NO.8381接种于装有5mlPDA液体培养基的种子试管中,于28℃培养,200rpm振荡培养36h后,按2%接种量接种于分别含有不同浓度的Ni+,Cr2+、Zn2+、Co2+、 Pb2+、Hg2+ PDA液体发酵瓶中,装添量为500ml三角瓶装100ml PDA液体培养基,于 28℃培养,220rpm振荡培养72h,观察菌种的生长情况;可以得出菌株耐辐射青霉(Penicillium sp.)F161 CGMCC NO.8381对Ni+,Cr2+,、Zn2+、Co2+、 Pb2 +、Hg2+六种离子均具有耐受特性,其中对Pb2+、Zn 2+,Ni+的耐受浓度最大,分别可达1000 mg/L和500 mg/L,500 mg/L;对Co2+, Cr2+, Hg2+的耐受性次之,都可达200 mg/L;PDA培养基采用马铃薯200g,葡萄糖20g,蒸馏水1000ml,pH自然。
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<110> 新疆农业科学院微生物应用研究所
<120> 一种耐辐射青霉及在吸附放射性锶90生物处理中的应用
<130> 一种耐辐射青霉及在吸附放射性锶90生物处理中的应用
<160> 1
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<210> 1
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<213> 青霉(Penicillium sp.)F161 CGMCC NO.8381
<400> 1
cttattgata tgcttaagtt cagcgggtat ccctacctga tccgaggtca acctggttaa 60
gattgatggt gttcgccggc gggcgccggc cgggcctaca gagcgggtga cgaagcccca 120
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ggggcgagag cccaacacac aagccgtgct tgagggcagc aatgacgctc ggacaggcat 240
gccccccgga ataccagggg gcgcaatgtg cgttcaaaga ctcgatgatt cactgaattc 300
tgcaattcac attacttatc gcatttcgct gcgttcttca tcgatgccgg aaccaagaga 360
tccgttgttg aaagttttaa ctgatttagt caagtactca gactgcaatc ttcagacaag 420
agttcgtttg tgtgtcttcg gcgggcgcgg gcccgggggc ggatgccccc cggcggccgt 480
gaggcgggcc cgccgaagca acaaggtacg ataaacacgg gtgggaggtt ggacccagag 540
ggccctcact cggtaatgat ccttccgcag gtac 574

Claims (3)

1.一种青霉(Penicillium sp.)F161,其特征在于,所述的青霉(Penicillium sp.)F161菌种保藏编号为CGMCC NO.8381。
2.权利要求1所述的青霉(Penicillium sp.)F161在吸附锶90生物处理中的应用。
3.权利要求1所述的青霉(Penicillium sp.)F161在对Pb2+、Zn2+、Ni+、Co 2+、Cr2+、Hg2+六种重金属耐受中的应用。
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CN105733966B (zh) * 2016-04-29 2020-05-08 新疆农业科学院微生物应用研究所(中国新疆-亚美尼亚生物工程研究开发中心) 耐辐射丝状真菌m30及其在吸附镉生物处理中的应用
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CN101745527B (zh) * 2008-11-28 2011-06-01 中国科学院成都生物研究所 一种钚或锶污染土壤的处理方法
CN101745529A (zh) * 2008-11-28 2010-06-23 中国科学院成都生物研究所 一种放射性锶-90污染土壤的处理方法

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