CN104134717A - 太阳能电池组件的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明揭示一种太阳能电池组件的制造方法，其包括形成一依序包含一第一基板、一第一底层和一第一黏合层的第一堆栈层；形成一依序包含一第二基板、一第二底层和一第二黏合层的第二堆栈层；于所述第一堆栈层的第一黏合层与所述第二堆栈层的第二黏合层之间提供一太阳能电池片数组层；以及藉由热接合使所述第一堆栈层、所述太阳能电池片数组层和所述第二堆栈层相结合。

Description

太阳能电池组件的制造方法
技术领域
本发明有关一种太阳能电池组件的制造方法，尤其是一种以对贴方式取代依序堆栈方式以将太阳能电池组件的各层相结合使其一体化的封装方法。
背景技术
太阳能电池具有环保、节能的功效，已渐渐广泛使用于日常生活中。太阳能电池大多由单晶硅或多晶硅材料制成，由于其薄而脆，不能经受较大力的撞击，且太阳能电池的电极不能长期裸露使用和单一太阳能电池的工作电压低等原因，需将多个单一太阳能电池片以串、并联连接，并严密封装成太阳能电池组件，才能使之成为一个能独立作为电源使用的单元。
现有太阳能电池组件的制造方法大多相同，其包括可依所需要的电压、电流设计，以制备好的互连片将复数个太阳能电池片串、并联成太阳能电池片数组；自下而上将前基板，如玻璃、封装材料，如乙烯-醋酸乙烯酯(EVA)、太阳能电池片数组、封装材料和背基板，如塑料基板迭合在一起；将其放入真空层压机中以进行真空封装；然后再加装金属制的边框，以制成太阳能电池组件。
市面上的太阳能电池为了提高能量的吸收，大多使用薄玻璃，通常是3毫米以上的透明玻璃作为基底材料，以提供较高的透光率。由于未钢化的薄玻璃强度不佳，因此若应用于太阳能电池领域必须对玻璃进行钢化处理。目前业界大多使用水平辊道式钢化炉对玻璃进行物理钢化处理，然而却使得玻璃具有无法解决的缺陷，即辊道印(波纹)和玻璃的边部变形。一般而言，玻璃越薄，钢化急冷造成玻璃碎裂的风险也越高。3毫米的钢化玻璃是目前水平辊道式钢化炉所能作到的极限，然而，无论是强对流炉还是连续炉，对于3毫米的钢化玻璃始终存在玻璃平整度和边部变形的问题，而平整度和边部变形对于太阳能电池的封装又非常的重要。在封装制造太阳能组件时，若各接触面存在一丝空隙，如因为玻璃的平整性不佳所造成，且基板和封装材料的耐候性不良时，于长时间下，容易造成水气或空气的入侵形成电阻破坏，而降低整个太阳能电池组件的工作效率。
此外，在太阳能电池片的封装方法中，通常是以人工进行封装材料的堆栈；将封装材料层一层一层的迭加，需要人工铺料和人工对位，不但工续繁琐，且由于人工操作的不精确，容易于铺设封装材料时产生气泡，使产品的质量不稳定，还会发生浪费材料、环境污染等情况，且以人工操作的生产效率不佳。
另外，习知的层压法是利用加热、加压的方式将组件一体化。然而，在层压制程中，如乙烯-醋酸乙烯酯(EVA)的封装材料会因为置放于约120°C以上的加热环境产生软化现象，而导致平行排列整齐的太阳能电池片数组产生重迭，造成组件功率不佳。再者，当以层压法进行封装，若使用如上所述的以一般水平辊道式钢化炉进行钢化和具有大于3毫米以上的钢化玻璃时，除了容易因为玻璃本身的重量外，还会因为玻璃表面的平整度不佳，而造成迭层时厚度仅有约180至200微米的电池片产生隐裂，甚至破裂。因此，习知的层压法不适合使用一般透明的玻璃背基板来封装。
有鉴于此，本发明即针对前述问题所为的研发成果。本案发明人发现以对贴方式取代依序堆栈方式将各层经热接合相结合，可以减少生产工续以及避免传统工续中软背板不好操作的缺点，适合以自动化生产大幅提升制程的生产效率，避免人工操作产生的误差；并可搭配使用特定的薄物理钢化玻璃，有效降低太阳能电池片的微隐裂发生的不良率，和提高太阳能电池组件的寿命，以符合现今需求。
发明内容
本发明的目的是提供一种新颖的太阳能电池组件的制造方法。
本发明的太阳能电池组件的制造方法包括以下步骤：
形成一依序包含一第一基板、一第一底层和一第一黏合层的第一堆栈层；
形成一依序包含一第二基板、一第二底层和一第二黏合层的第二堆栈层；
于所述第一堆栈层的第一黏合层与所述第二堆栈层的第二黏合层之间提供一太阳能电池片数组层；以及
藉由热接合使所述第一堆栈层、所述太阳能电池片数组层和所述第二堆栈层相结合。
本发明方法是以对贴方式取代依序堆栈方式来进行封装，可通过自动化设备生产，使得产品的质量稳定，可大幅提高生产效率，封装成本较低，以使产品更具市场竞争力。使用本发明的技术方案后，所得太阳能电池组件中的太阳能电池片的破损率大幅下降，太阳能电池组件的电性能也提高，从而延长使用寿命。
附图说明
图1A至图1D显示本发明太阳能电池组件的制造方法。
具体实施方式
于本文中，除非特别限定，单数形「一」和「所述」亦包括其附复数形。本文中任何和所有实施例和例示性用语(「例如」和「如」)目的仅为了更加突显本发明，并非针对本发明的范围构成限制，本案说明书中的用语不应被视为暗示任何未请求的组件可构成实施本发明时的必要组件。
以下，利用本发明的优选实施态样来说明本发明。
图1A至图1D显示本发明太阳能电池组件的制造方法。如图1A所示，提供第一基板10。接着，如图1B所示，于第一基板10上依序形成第一底层12和第一黏合层14，以形成第一堆栈层16。然后，如图1C所示，重复上述步骤以形成第二堆栈层18，并于第一堆栈层的第一黏合层与第二堆栈层的第二黏合层之间提供一太阳能电池片数组层20。最后，如图1D所示，藉由热接合使第一堆栈层16、太阳能电池片数组层20和第二堆栈层18相结合，以形成太阳能电池组件22。在本发明方法中，第一堆栈层和第二堆栈层可以同时或分别形成。
在本发明方法中，第一基板可为透明基板或半透明基板，例如但不限于钢化玻璃基板、高分子基板、塑料基板或复合材料基板；第二基板可为钢化玻璃基板、高分子基板、塑料基板、不锈钢基板、铝基板或复合材料基板。第一基板和第二基板优选为具有约2.8毫米以下，优选为约0.8至约2.8毫米的厚度的钢化玻璃，更优选为约0.8至约2.8毫米的厚度的物理钢化玻璃，如中国大陆专利申请号第201110198526.1号揭示的以气动加热钢化的玻璃基板。所述气动加热钢化玻璃基板是使用例如李赛克公司(LiSEC)生产的气浮式全自动玻璃钢化炉所制得，其采用非接触式平板系统，玻璃在加热过程中始终浮在空气浮垫(气垫)上，避免底部平板的接触，同时采用特殊的陶瓷喷嘴系统，造成高精度的双向空气对流，使得玻璃上下表面获得均匀的能量，以得到具有极高平整度的钢化玻璃。李赛克钢化玻璃具有非常高的抗压强度和柔韧性，质量轻，且表面平整度高，可避免习知水平钢化炉所造成的辊道波纹和边部变形，对于太阳能电池而言，不仅有透光率上的优势，同时提供结构上的安全性。
本发明方法中所使用的第一底层和第二底层是本领域的技术人员所习知者，其主要是用于增加基板和黏合层之间的黏接强度。在本发明方法中，第一底层和第二底层是分别以涂布方式形成于第一基板和第二基板上。适合作为第一底层和第二底层的材料可独立地选自由丙烯酸树脂、环氧树脂、聚氨酯、聚硅氧、以上聚合物之共聚物和其组合所组成的群组。第一底层和第二底层的厚度可视情况改变，优选为约0.1毫米至约1.5毫米，更优选为约0.3毫米至约1.2毫米。各底层的厚度可以为所述范围内任意数值的较小范围，以第一底层为例，其可以具有约0.4毫米至约0.9毫米的厚度，或具有约0.5毫米至约1.3毫米的厚度。
本发明方法中所使用的第一黏合层和第二黏合层包含选自由乙烯-醋酸乙烯酯(EVA)、聚乙烯醇缩丁醛(PVB)、聚硅氧、有机硅树脂、环氧树脂和其组合所组成的群组的封装材料，以将太阳能电池片密封包覆在第一基板和第二基板的中间。这些材料具有阻隔水气和加温交联后仍可透光等优点，适合用于本发明方法中作为封装材料，且相对于丙烯-苯乙烯共聚物(AS)、聚苯乙烯(PS)、聚丙烯(PP)、聚碳酸酯(PC)和聚对苯二甲酸乙二酯(PET)等一般塑料具有抗水汽能力强、透光性高、电气的绝缘性佳、可耐酸碱溶液以及成型后具有一定的刚性等优点。第一黏合层和第二黏合层可视情况改变，优选为约0.1毫米至约1.5毫米，更优选为约0.3毫米至约1.2毫米。各黏合层的厚度可以为所述范围内任意数值的较小范围，以第一黏合层为例，其可以具有约0.4毫米至约0.9毫米的厚度，或具有约0.5毫米至约1.3毫米的厚度。
本发明方法中所使用的太阳能电池片数组是本领域的技术人员所习知者。在本发明的一实施态样中，太阳能电池片数组是选自由单晶硅太阳能电池片数组、多晶硅太阳能电池片数组、非晶硅太阳能电池片数组、鉮化钾太阳能电池片数组、碲化镉太阳能电池片数组、铜铟硒太阳能电池片数组、铜铟镓硒太阳能电池片数组、染料敏化太阳能电池片数组和其组合所组成的群组。
在本发明方法中，第一堆栈层、太阳能电池片数组层和第二堆栈层是藉由真空热接合制程将之结合为一体。在本发明方法中，热接合包括红外线加热照射和层压步骤。在本发明的一优选实施态样中，真空热接合制程的温度为约80°C至约200°C，优选为约100°C至约160°C，和时间为约5分钟至约20分钟，优选为约10分钟至15分钟。上述制程条件亦可以为所述范围内任意数值的较小范围，以热接合温度为例，其可以为约120°C至约150°C，或约110°C至约180°C。
本发明方法是先在第一基板上依序形成第一底层和第一黏合层，再经过红外线加热照射将第一黏合层转变为贴合胶，重复相同步骤形成另一堆栈层，然后利用对贴法与加热层压来进行太阳能电池的封装，除了可以自动化生产以避免人为污染和提高太阳能电池组件的生产效率，也可得到质量稳定的太阳能电池组件。本发明的制造方法优选使用平整度、抗压强度和透光率良好，且具有厚度小于约2.8毫米的物理钢化玻璃作为基板，可有效减少太阳能电池片因加压可能造成的破损和隐裂，有效提升太阳能电池组件的电性能，从而延长使用寿命。
本发明一个或一个以上实施例的细节将于以下描述中予以阐述。根据这些描述和权利要求书，将可容易地了解本发明的其它特征、目的和优势。
实施例1
以制备好的互连片将复数个太阳能电池片焊接为一体，以形成太阳能电池片数组层；将底层涂布于具有厚度为约2.5毫米的李赛克物理钢化基板上；将乙烯-醋酸乙烯酯层放置于已涂布底层的物理钢化基板上，形成第一堆栈层；重复上述步骤以形成第二堆栈层；将第一堆栈层与第二堆栈层分别经红外线加热照射以将乙烯-醋酸乙烯酯层转变为贴合胶；将第一堆栈层、太阳能电池片数组层和第二堆栈层迭合在一起，并放入真空层压机中进行真空封装，以约150°C持续进行约15分钟至约20分钟，将该等层结合为一体化，成型后取出；然后再加装金属边框，以制成太阳能电池组件。
虽然已参考说明性实施例描述了本发明，但应理解，所属领域的技术人员可易于实现的任何修改或更改将属于本说明书和所附权利要求书的揭示内容的范围内。

Claims (11)

1.一种太阳能电池组件的制造方法，其包括以下步骤：
形成一依序包含一第一基板、一第一底层和一第一黏合层的第一堆栈层；
形成一依序包含一第二基板、一第二底层和一第二黏合层的第二堆栈层；
于所述第一堆栈层的第一黏合层与所述第二堆栈层的第二黏合层之间提供一太阳能电池片数组层；以及
藉由热接合使所述第一堆栈层、所述太阳能电池片数组层和所述第二堆栈层相结合。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其中所述第一基板是透明基板或半透明基板。
3.根据权利要求2所述的制造方法，其中所述第一基板是具有2.8毫米以下的厚度的钢化玻璃基板。
4.根据权利要求1所述的制造方法，其中所述第二基板是选自由钢化玻璃基板、高分子基板、塑料基板、不锈钢基板、铝基板、复合材料基板和其组合所组成之群组。
5.根据权利要求4所述的制造方法，其中所述第二基板是具有2.8毫米以下的厚度的钢化玻璃基板。
6.根据权利要求1所述的制造方法，其中所述第一底层和第二底层是独立选自由丙烯酸树脂、环氧树脂、聚氨酯、聚硅氧、以上聚合物之共聚物和其组合所组成的群组。
7.根据权利要求1所述的制造方法，其中所述第一黏合层和第二黏合层是独立选自由乙烯-醋酸乙烯酯、聚乙烯醇缩丁醛、聚硅氧、有机硅树脂、环氧树脂和其组合所组成的群组。
8.根据权利要求1所述的制造方法，其中所述太阳能电池片数组是选自由单晶硅太阳能电池片数组、多晶硅太阳能电池片数组、非晶硅太阳能电池片数组、鉮化钾太阳能电池片数组、碲化镉太阳能电池片数组、铜铟硒太阳能电池片数组、铜铟镓硒太阳能电池片数组、染料敏化太阳能电池片数组和其组合所组成的群组。
9.根据权利要求1所述的制造方法，其中所述热接合包括红外线加热照射和层压步骤。
10.根据权利要求1所述的制造方法，其中所述热接合的温度为80℃至200℃。
11.根据权利要求1所述的制造方法，其中所述热接合的时间为5分钟至20分钟。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104916721A (zh) * 2015-06-01 2015-09-16 常州兆阳能源科技有限公司 船用太阳能电池板
CN105489683A (zh) * 2016-01-20 2016-04-13 常州亚玛顿股份有限公司 一种轻质双玻组件
CN106024938A (zh) * 2015-03-12 2016-10-12 茂迪股份有限公司 太阳能模组及其制造及返工方法
CN109817743A (zh) * 2019-02-10 2019-05-28 北京应天阳光太阳能技术有限公司 一种下板式晶体硅光伏组件

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030029493A1 (en) * 2000-03-09 2003-02-13 Albert Plessing Method for producing photovoltaic thin film module
CN102655181A (zh) * 2011-03-03 2012-09-05 昆山恒辉新能源有限公司 太阳能电池封装工艺
CN202495460U (zh) * 2012-02-28 2012-10-17 常州天合光能有限公司 太阳能组件光伏材料赛伍组合结构

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030029493A1 (en) * 2000-03-09 2003-02-13 Albert Plessing Method for producing photovoltaic thin film module
CN102655181A (zh) * 2011-03-03 2012-09-05 昆山恒辉新能源有限公司 太阳能电池封装工艺
CN202495460U (zh) * 2012-02-28 2012-10-17 常州天合光能有限公司 太阳能组件光伏材料赛伍组合结构

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106024938A (zh) * 2015-03-12 2016-10-12 茂迪股份有限公司 太阳能模组及其制造及返工方法
CN106024938B (zh) * 2015-03-12 2018-04-20 茂迪股份有限公司 太阳能模组及其制造及返工方法
CN104916721A (zh) * 2015-06-01 2015-09-16 常州兆阳能源科技有限公司 船用太阳能电池板
CN105489683A (zh) * 2016-01-20 2016-04-13 常州亚玛顿股份有限公司 一种轻质双玻组件
CN109817743A (zh) * 2019-02-10 2019-05-28 北京应天阳光太阳能技术有限公司 一种下板式晶体硅光伏组件

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