CN104112826A - 用于在衬底上沉积有机膜的设备 - Google Patents
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Abstract
一种薄膜沉积设备,其包括:处理室;衬底支承件,包括配置成支承处理室中的衬底的大体上平坦的表面;以及沉积源,配置成将用于沉积的有机材料供给至衬底上。该设备还包括沉积掩模组件,其包括在处理室中设置成彼此分开的第一辊和第二辊;薄膜掩模卷,具有绕第一辊卷绕的第一端和绕第二辊卷绕的第二端,其中沉积掩模限定在第一平面上并且薄膜掩模卷的一部分在第一辊与第二辊之间延伸;以及衬底输送机构,配置成在处理室内在大体上平行于第一平面的第二平面上转移衬底支承件。
Description
技术领域
本发明大体上涉及用于沉积有机薄膜的设备。详细地,本发明大体上涉及在用于制造有机电场发光元件的衬底上沉积有机薄膜的设备。
背景技术
在显示装置中,OLED显示器具有宽视角、高对比度、以及高响应速度。因此,OLED显示器作为下一代显示装置而备受关注。
有机发光二极管(OLED)显示器通过以下步骤制造:通过光刻过程在衬底上沉积并图案化透明导电材料以形成具有预定图案的正电极(阳极);通过使用沉积掩模在正电极上形成表现红色、绿色、以及蓝色的有机薄膜;以及在有机薄膜上形成具有预定图案的负电极(阴极)。
背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对本发明背景的理解,因此其可以包括不形成在该国中对本领域的普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
一个示例性实施方式提供了一种薄膜沉积设备,其包括使用薄膜的柔性材料的卷对卷型沉积掩模。
根据示例性实施方式的薄膜沉积设备包括:处理室;衬底支承构件,设置在处理室中并支承衬底;沉积源,设置成面对衬底支承构件并向衬底供给有机材料;以及沉积掩模组件,包括第一辊和第二辊,第一辊和第二辊在平行于衬底的方向上设置成彼此分离,并且柔性材料的薄膜掩模卷绕至第一辊和第二辊并设置成与衬底接近。
薄膜掩模可设置为柔性薄膜型的聚合物、金属、或玻璃材料。
沉积掩模组件还可包括移动单元,该移动单元使第一辊和第二辊移动,使得薄膜掩模相对于衬底的沉积表面相对地移动。
移动单元可包括辊支承构件和驱动器,其中辊支承构件呈具有一个开放表面的箱状并提供有第一辊和第二辊并且辊支承构件将沉积源接纳在其中,驱动器使辊支承构件移动。
移动单元可包括辊支承构件和驱动器,其相对于薄膜掩模定位在沉积源的相对侧并与第一辊和第二辊相接合,驱动器使辊支承构件移动。
驱动器层可包括:旋转驱动器,使辊支承构件绕垂直于衬底的沉积表面的旋转轴线旋转;第一线性驱动器,使辊支承构件在旋转轴线的方向上线性地移动;第二线性驱动器,使辊支承构件在平行于衬底的沉积表面的第一方向上线性地移动;以及第三线性驱动器,使辊支承构件在垂直于第一方向且平行于衬底的沉积表面的第二方向上线性地移动。
薄膜掩模可包括沿薄膜掩模的长度方向彼此具有不同形状的多个沉积图案。
衬底支承构件可装载有衬底,在该衬底中沉积层通过多个沉积图案中的一个沉积图案形成,并且可旋转第一辊和第二辊,以使得薄膜掩模的一个沉积图案面对衬底。
衬底支承构件可装载有大面积衬底,在该大面积衬底中沉积层形成为具有多个沉积图案中的至少两个沉积图案,并且第一辊和第二辊可随衬底支承构件、第一辊和第二辊、以及沉积源的相对运动而旋转,以使得薄膜掩模的至少两个沉积图案顺序地面对大面积衬底上的不同区域。
衬底支承构件可相对于第一辊和第二辊在平行于薄膜掩模的方向上移动。
第一辊和第二辊以及沉积源可相对于衬底支承构件在平行于大面积衬底的方向上移动。
本发明的一方面提供了一种薄膜沉积设备,其可包括:处理室;衬底支承件,包括配置成支承处理室中的衬底的平坦表面;沉积源,配置成将用于沉积的有机材料供给至衬底上;沉积掩模组件,包括在处理室中设置成彼此分开的第一辊和第二辊;薄膜掩模卷,具有绕第一辊卷绕的第一端和绕第二辊卷绕的第二端,其中沉积掩模限定在第一面上并且薄膜掩模卷的一部分在第一辊与第二辊之间延伸;以及衬底运输机构,配置成在处理室内在平行于第一平面的第二平面上传输衬底支承件。
在上述设备中,薄膜掩模卷可包括聚合物、金属、或玻璃材料中的一种。沉积掩模组件还可包括配置成相对于衬底支承件移动第一辊和第二辊的移动单元。移动单元可包括:辊支承构件,包括具有开放顶部的箱,第一辊和第二辊位于开放顶部附近,其中沉积源位于该箱中;以及驱动器,配置成使辊支承构件移动。移动单元可包括:辊支承构件,相对于沉积掩模位于沉积源的相对侧并与第一辊和第二辊相接合;以及驱动器,配置成使辊支承构件移动。驱动器可包括:旋转驱动器,配置成使辊支承构件绕垂直于第一平面的旋转轴线旋转;第一线性驱动器,配置成使辊支承构件在旋转轴线的方向上线性地移动;第二线性驱动器,配置成使辊支承构件在平行于第一平面的第一方向上线性地移动;以及第三线性驱动器,使辊支承构件在垂直于第一方向且平行于第一平面的第二方向上线性地移动。
仍然在上述设备中,薄膜掩模卷可包括一个或多个额外的沉积掩模,所述沉积掩模包括彼此不同的沉积图案并设置在薄膜掩模卷的长度方向上。衬底支承件可配置成装载将使用从所述沉积图案中选择的一个沉积图案进行沉积的衬底;并且第一辊和第二辊可配置成能够旋转以使得沉积掩模的被选择的沉积图案放置在第一辊与第二辊之间。衬底支承件可配置成装载将使用从所述沉积图案中选择的至少两个沉积图案进行沉积的衬底;并且其中第一辊和第二辊可配置成随衬底支承件、第一辊和第二辊、以及沉积源的相对运动进行旋转,以使得沉积掩模的被选择的沉积图案顺序地放置在第一辊与第二辊之间,以沉积衬底上的不同区域。衬底支承件可配置成能够相对于第一辊和第二辊在平行于沉积掩模的方向上移动。第一辊和第二辊以及沉积源可配置成能够相对于衬底支承件在平行于衬底的方向上移动。
根据一示例性实施方式,提供了使用薄膜柔性材料的卷对卷型沉积掩模。
此外,根据一示例性实施方式,可提供包括精确、微小的图案的沉积掩模。
此外,根据一示例性实施方式,可以使掩模的由于大尺寸的下垂最小化。
此外,根据一示例性实施方式,可实现高分辨率像素。
附图说明
下文将描述的附图仅用于说明的目的而并非旨在限定本发明的范围。
图1是根据示例性实施方式的有机薄膜沉积设备的剖视图;
图2A至图2C示出了通过使用图1的有机薄膜沉积设备处理小面积衬底的过程;
图3A和图3B示出了通过使用图1的有机薄膜沉积设备处理大面积衬底的过程的一个示例;
图4A和图4B示出了通过使用图1的有机薄膜沉积设备处理大面积衬底的过程的另一示例;
图5是根据示例性实施方式的有机薄膜沉积设备的剖视图;
图6是图5的沉积掩模组件的立体图。
具体实施方式
下面将详细描述本发明的实施方式。然而,应该理解,示例性实施方式并非旨在限定本发明,并且各种改变、修改、以及等同都落入本发明的精神和范围内。
在每个附图的描述中,相同的附图标记表示相同的组成元件。在附图中,为了清楚地描述本发明的实施方式,可能扩大了一些尺寸和结构。术语第一、第二等可用于描述各种组成元件,但是组成元件并不由这些术语限定。这些术语仅用来将一个组成元件与另一组成元件区分开。例如,在不背离本发明的范围的情况下,第一组成元件可称为第二组成元件,类似地,第二组成元件可称为第一组成元件。除非明确地相反地说明。单数表示也包括复数表示。
在本申请中,应该理解,术语如“包括(comprises)”或“具有(having)”用来表示说明书中描述的特征、数字、步骤、操作、组成元件、部分或它们的任何组合,但并不排除一个或多个其他特征、数字、步骤、操作、组成元件、部分、或它们的任何组合的存在或附加。当层、膜、区域、板等的一部分被认为是位于另一元件“之上”时,其可以直接位于另一元件之上或者还可以存在插入的部分。相反地,当层、膜、区域、板等的一部分被认为是位于另一元件“之下”时,其可以直接位于另一元件之下或者还可以存在插入的部分。
通常,通过使用沉积掩模形成具有期望的形状和尺寸的图案的电极和有机薄膜来制造有机发光二极管(OLED)显示器。在实施方式中,取决于有机发光二极管(OLED)显示器的大尺寸或像素的小型化,沉积掩模可具有非常细的槽图案。此外,当有机发光二极管(OLED)显示器具有大尺寸时,使用大型沉积掩模。如果由于由有机薄膜制成的发光层像素很小时,沉积掩模可形成为超薄型。
在下文中,将参照图1至图6详细描述示例性实施方式。
图1是根据示例性实施方式的有机薄膜沉积设备10的剖视图。参照图1,有机薄膜沉积设备10包括:处理室100、衬底支承构件200、沉积源或沉积材料供给装置300、以及沉积掩模组件400。
处理室100提供空间,沉积过程在该空间中执行。例如,沉积过程可以是通过向下表面供给有机材料来沉积有机发光层的过程,其中下表面为衬底S的沉积表面。
开口110和开口120分别形成在处理室100的侧壁处,并且开口110和开口120可通过闸门阀(未示出)打开/封闭。衬底S通过开口110装载至处理室100并且通过另外的开口120从处理室100卸载。在执行沉积过程时,处理室100可连接至真空泵(未示出),以维持处理室100内的真空状态。
衬底支承构件或衬底支承件200设置在处理室100内的上部部分处,并支承通过开口110装载至处理室100的衬底S。衬底支承构件200可支承衬底S,以使沉积表面朝下。此外,在处理室100中,衬底支承构件200可沿活动导引件210在水平方向上移动。
沉积源300可设置在处理室100内的下部部分处以面对衬底支承构件200,并向由衬底支承构件200支承的衬底S的沉积表面供给有机材料。由沉积源300供给的有机材料通过下文将进行描述的薄膜掩模420的沉积图案沉积在衬底S的沉积表面上。
沉积源300包括容器320和加热构件340。容器320接纳将被沉积至衬底S的有机材料,加热构件340将容器320加热以从有机材料生成烟雾,从而将热能提供给有机材料。
沉积掩模组件400可提供为卷对卷型。沉积掩模组件400可包括:第一辊410a和第二辊410b、作为卷的薄膜掩模420、以及移动单元440。
第一辊410a和第二辊410b可设置在由衬底支承构件200支承的衬底S下并彼此间隔。在实施方式中,辊设置在与衬底S的移动方向平行的方向上。第一辊410a和第二辊410b之一可作为供应轴,而另一个可作为卷绕轴。
薄膜掩模420可以是例如用于有机发光层和有机发光二极管(OLED)显示器的电极(阳极/阴极)的沉积过程中的掩模。薄膜掩模420可设置为薄膜状柔性材料。例如,薄膜掩模420可设置为诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚酰亚胺(PI)的聚合材料的薄膜、或诸如金属箔的金属材料的薄膜、或玻璃材料的薄膜。
如果薄膜掩模420设置为薄膜状柔性材料,精确的微小图案可形成在薄膜掩模420中,从而高分辨率像素可沉积在衬底S处。
薄膜掩模420可以带状延伸,并且薄膜掩模420可包括沿其长度方向设置的具有不同形状的多个沉积图案P。薄膜掩模420被卷绕至第一辊410a和第二辊410b,并可通过旋转第一辊410a和第二辊410b将该多个沉积图案P之一定位成面对衬底S。
此外,通过旋转第一辊410a和第二辊410b可控制薄膜掩模420的张紧。通过薄膜掩模420的张紧控制,使薄膜掩模420的下垂最小化或被避免,以使得薄膜掩模420可定位成与衬底S靠近,从而可将高分辨率像素沉积至衬底S。
移动单元440包括辊支承构件442和驱动器444,以移动第一辊410a和第二辊410b,以使得薄膜掩模420可相对于衬底S的沉积表面相对地移动。
辊支承构件442可呈箱状并具有开放的顶部。邻近于开放的顶部,辊支承构件442联接至第一辊410a和第二辊410b,以支承第一辊410a和第二辊410b,并且沉积源300可接纳在辊支承构件442内。
驱动器444可包括旋转驱动器444a和第一至第三线性驱动器444b、444c、以及444d。旋转驱动器444a使辊支承构件442绕垂直于衬底S的沉积表面的旋转轴线旋转。第一线性驱动器444b使辊支承构件442和旋转驱动器444a在旋转轴线方向(即,高度方向)上线性地移动。第二线性驱动器444c使辊支承构件442、旋转驱动器444a、以及第一线性驱动器444b在平行于衬底S的沉积表面的第一方向(即,垂直于衬底S的移动方向的方向)上线性地移动。第三线性驱动器444d使辊支承构件442、旋转驱动器444a、以及第一线性驱动器444b和第二线性驱动器444c在垂直于第一方向的第二方向(即,衬底S的移动方向)上线性地移动。第三线性驱动器444d可安装在基底445上,其中基底445在衬底S的移动方向上延伸。
通过旋转驱动器444a和第一至第三线性驱动器444b、444c、以及444d使辊支承构件442旋转与线性移动,可使薄膜掩模420对准至衬底S的沉积表面。此外,在实施方式中,当沉积具有大面积的大面积衬底时,顺序地沉积衬底的两个或更多区域。通过使用第三线性驱动器444d可使衬底支承构件200与薄膜掩模420相对地移动,以将这些区域之一放置在掩模420之上。
在下文中,将描述通过使用具有所描述的元件的有机薄膜沉积设备10将有机材料沉积至衬底S的方法。
图2A至图2C示出了通过使用图1的有机薄膜沉积设备处理小面积衬底的过程。
参照图1和图2A至图2c,通过开口110将第一衬底S1装载至处理室100。第一衬底S1为这样的衬底,在该衬底中沉积层形成为具有薄膜掩模420的沉积图案中的第一沉积图案P1。
装载至处理室100的第一衬底S1由衬底支承构件200支承并通过衬底支承构件200沿活动导引件210的移动被移动至薄膜掩模420上的处理位置。
沉积掩模组件400的第一辊410a和第二辊410b使薄膜掩模420移动,以使得沉积图案中的第一沉积图案P1位于处理位置(即,面对第一衬底S1的位置)。
沉积源300将有机材料加热以生成烟雾,然后有机材料的生成的烟雾通过薄膜掩模420的第一沉积图案P1沉积至第一衬底S1的沉积表面。
如果用于第一衬底S1的沉积过程完成,衬底支承构件200沿活动导引件210在朝向开口120的方向上移动,并且第一衬底S1通过开口120从处理室100卸载。
然后,第二衬底S2通过开口110装载至处理室100。第二衬底S2为这样的衬底,在该衬底中沉积层形成为具有薄膜掩模420的沉积图案中的第二沉积图案P2。
装载至处理室100的第二衬底S2由衬底支承构件200支承并通过衬底支承构件200沿活动导引件210的移动被移动至薄膜掩模420上的处理位置。
沉积掩模组件400的第一辊410a和第二辊410b使薄膜掩模420移动,以使得沉积图案中的第二沉积图案P2位于处理位置(即,面对第二衬底S2的位置)。
由沉积源300产生的有机材料的烟雾通过薄膜掩模420的第二沉积图案P2沉积至第二衬底S2的沉积表面。
如上所述,根据示例性实施方式的有机薄膜沉积设备10执行用于衬底S1和衬底S2的薄膜掩模420的不同图案P1和P2的沉积过程,在衬底S1和衬底S2中,具有不同形状的沉积层被沉积。
图3A和图3B示出了通过使用图1的有机薄膜沉积设备处理大面积衬底的过程的一个示例。
参照图1、图3A、以及图3B,通过开口110将大面积衬底S装载至处理室100。在实施方式中,大面积衬底S为这样的衬底,其需要通过使用薄膜掩模420的沉积图案中的两个或更多沉积图案的用于两个或更多预定区域的顺序沉积。
装载至处理室100的大面积衬底S由衬底支承构件200支承并通过衬底支承构件200沿活动导引件210的移动被移动至薄膜掩模420上的处理位置。
沉积掩模组件400的第一辊410a和第二辊410b使薄膜掩模420移动,以使得沉积图案中的第一沉积图案P1位于处理位置,从而使第一沉积图案位于沉积源与大面积衬底的第一区域之间。
沉积源300将有机材料加热以生成烟雾,然后该烟雾通过薄膜掩模420的第一沉积图案P1沉积至大面积衬底S的第一区域。
当用于大面积衬底S的第一区域的沉积过程完成时,通过衬底支承构件200沿活动导引件210的移动使大面积衬底的第二区域移动至处理位置。
沉积掩模组件400的第一辊410a和第二辊410b使薄膜掩模420移动,以使得沉积图案中的第二沉积图案P2位于处理位置,从而使第二沉积图案位于沉积源与大面积衬底S的第二区域之间。
由沉积源300产生的有机材料的烟雾通过薄膜掩模420的第二沉积图案P2沉积至大面积衬底S的第二区域。
如上所述,根据示例性实施方式的有机薄膜沉积设备10可执行用于大面积衬底S的预定区域的薄膜掩模420的不同图案P1和P2的沉积过程,并且在第一辊410a和第二辊410b的位置固定的状态下移动大面积衬底S。
图4A和图4B示出了通过使用图1的有机薄膜沉积设备处理大面积衬底的过程的另一示例。
参照图1、图4A、以及图4B,通过开口110将大面积衬底S装载至处理室100。在实施方式中,大面积衬底S为这样的衬底,其需要通过使用薄膜掩模420的沉积图案中的两个或更多沉积图案的用于两个或更多预定区域的顺序沉积。
装载至处理室100的大面积衬底S由衬底支承构件200支承并通过衬底支承构件200沿活动导引件210的移动被移动至薄膜掩模420上的处理位置。
沉积掩模组件400的第一辊410a和第二辊410b使薄膜掩模420移动,以使得沉积图案中的第一沉积图案P1位于处理位置,从而使第一沉积图案位于沉积源与大面积衬底的第一区域之间。
沉积源300将有机材料加热以生成烟雾,然后该烟雾通过薄膜掩模420的第一沉积图案P1沉积至大面积衬底S的第一区域。
当用于大面积衬底S的第一区域的沉积工艺完成时,在大面积衬底S的位置固定的状态下,第三线性驱动器444d使辊支承构件442在衬底S的移动方向上移动,以使得第一辊410a和第二辊410b移动至对应于大面积衬底S的第二区域的处理位置。此时,定位在辊支承构件442内的沉积源300通过辊支承构件442的移动被移动至对应于大面积衬底S的第二区域的处理位置。
然后,沉积掩模组件400的第一辊410a和第二辊410b使薄膜掩模420移动,以使得沉积图案中的第二沉积图案P2位于处理位置,从而使第二沉积图案位于沉积源与大面积衬底S的第二区域之间。
沉积源300使有机材料的烟雾生成,然后该烟雾通过薄膜掩模420的第二沉积图案P2沉积在大面积衬底S的第二区域。
如上所述,根据示例性实施方式的有机薄膜沉积设备10可执行用于大面积衬底S的预定区域的薄膜掩模420的不同图案P1和P2的沉积过程,并且在大面积衬底S的位置固定的状态下将第一辊410a和第二辊410b移动至对应于大面积衬底S的预定区域的位置。
图5是根据示例性实施方式的有机薄膜沉积设备的剖视图,以及图6是图5的沉积掩模组件的立体图。
参照图5和图6,有机薄膜沉积设备10'包括:处理室100'、衬底支承构件200'、沉积源300、以及沉积掩模组件400'。
衬底支承构件200'设置在处理室100'内,并且支承装载至处理室100'的衬底S。衬底支承构件200'可支承衬底S,以使沉积表面朝下。此外,在处理室100'中,衬底支承构件200'可沿活动导引件210'在水平方向上移动。通过活动导引件210'的衬底支承构件200的移动方向在图6中示为箭头方向A或相反的方向。
沉积源300'可设置在处理室100'内的下部部分处以面对衬底支承构件200',并向由衬底支承构件200'支承的衬底S的沉积表面供给有机材料。
可通过驱动器360'使沉积源300'在箭头方向A上或相反方向上平行于衬底S线性地移动。驱动单元360'可包括导引构件362'和驱动器364'。导引构件362'在箭头方向A上延伸,例如可以是线性马达(LM)导引件。驱动器364'可以是线性马达。驱动器364'联接至导引构件362'以沿导引构件362'线性地移动,并且沉积源300'联接至驱动器364'。也就是说,沉积源300'可沿导引构件362'的长度方向线性地移动。
沉积掩模组件400'可设置为卷对卷型。沉积掩模组件400'可包括:第一辊410a'和第二辊410b'、薄膜掩模420'、以及移动单元440'。
第一辊410a'和第二辊410b'可在长度方向上对准以朝向箭头方向A,并且可设置为被分离至衬底支承构件200的两侧。
薄膜掩模420'可以是例如用于有机发光层和有机发光二极管(OLED)显示器的电极(阳极/阴极)的沉积过程中的掩模。薄膜掩模420'可设置为薄膜状柔性材料。例如,薄膜掩模420'可设为诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚酰亚胺(PI)的聚合材料的薄膜、或诸如金属箔的金属材料的薄膜、或玻璃材料的薄膜。
薄膜掩模420'可以带状延伸,并且薄膜掩模420'可包括沿其长度方向设置的具有不同形状的多个沉积图案P。薄膜掩模420'被卷绕至第一辊410a'和第二辊410b',并通过旋转第一辊410a'和第二辊410b'可将该多个沉积图案P之一定位成面对衬底S。此外,通过旋转第一辊410a'和第二辊410b'可控制薄膜掩模420'的张紧。
移动单元440'包括辊支承构件442'和驱动器444',以移动第一辊410a'和第二辊410b',以使得薄膜掩模420'可相对于衬底S的沉积表面相对地移动。
辊支承构件442'相对于薄膜掩模420'被定位在沉积源300'的相对侧,并支承第一辊410a'和第二辊410b'。
例如,辊支承构件442'可包括:第一竖直负荷443a'和第二竖直负荷443b'、第一水平负荷445a和第二水平负荷445b'、连接负荷447'、以及主负荷449'。
第一竖直负荷443a'的下端联接至第一辊410a'的旋转轴412a'的两端,并且第二竖直负荷443b'的下端联接至第二辊410b'的旋转轴412b'的两端。第一水平负荷445a'连接至第一竖直负荷443a'的上端,并且第二水平负荷445b'连接至第二竖直负荷443b'的上端。连接负荷447'连接至第一水平负荷445a'的中间部分和第二水平负荷445b'的中间部分,并且主负荷449'垂直地联接至连接负荷447'的中间部分。
驱动器444'可包括旋转驱动器444a'和第一至第三线性驱动器444b'、444c'、以及444d'。旋转驱动器444a'使辊支承构件442'绕垂直于衬底S的沉积表面的旋转轴线旋转。第一线性驱动器444b'使辊支承构件442'和旋转驱动器444a'在旋转轴线方向(即,高度方向)上线性地移动。第二线性驱动器444c'使辊支承构件442'、旋转驱动器444a'、以及第一线性驱动器444b'在平行于衬底S的沉积表面的第一方向(即,垂直于衬底S的移动方向的方向)上线性地移动。第三线性驱动器444d'使辊支承构件442'、旋转驱动器444a'、以及第一线性驱动器444b'和第二线性驱动器444c'在垂直于第一方向的第二方向(即,衬底S的移动方向)上线性地移动。第三线性驱动器444d'可安装在基底445'上,其中基底445'在箭头方向A上延伸。
通过旋转驱动器444a'和第一至第三线性驱动器444b'、444c'、以及444d'使辊支承构件442'旋转与线性移动,可使薄膜掩模420'对准至衬底S的沉积表面。此外,当将大面积衬底装载至衬底支承构件200'时,通过第三线性驱动器444d'使辊支承构件442'线性移动,可将薄膜掩模420'定位在大面积衬底的不同区域之下。
此外,图2至图4中示出的大面积衬底和小面积衬底的处理过程还可通过根据示例性实施方式的有机薄膜沉积设备10执行。
虽然已经描述了一些示例性实施方式,但是本领域技术人员容易理解的是,在实质上不背离新颖的教导和优点情况下,可以对示例性实施方式进行许多修改。因此,以上公开的示例性实施方式用于提供解释而不是限制本发明。本发明的范围应通过所附权利要求来解释,并且所有的等同都将落本发明的范围内。
Claims (11)
1.一种薄膜沉积设备,包括:
处理室;
衬底支承件,包括配置成支承所述处理室中的衬底的平坦表面;
沉积源,配置成将用于沉积的有机材料供给至所述衬底上;
沉积掩模组件,包括在所述处理室中设置成彼此分开的第一辊和第二辊;
薄膜掩模卷,具有绕所述第一辊卷绕的第一端和绕所述第二辊卷绕的第二端,其中沉积掩模限定在第一平面上并且所述薄膜掩模卷的一部分在所述第一辊与所述第二辊之间延伸;以及
衬底输送机构,配置成在所述处理室内在平行于所述第一平面的第二平面上转移所述衬底支承件。
2.根据权利要求1所述的薄膜沉积设备,其中所述薄膜掩模卷包括聚合物、金属、或玻璃材料中的一种。
3.根据权利要求1所述的薄膜沉积设备,其中所述沉积掩模组件还包括移动单元,所述移动单元配置成使所述第一辊和所述第二辊相对于所述衬底支承件移动。
4.根据权利要求3所述的薄膜沉积设备,其中所述移动单元包括:
辊支承构件,包括具有开放顶部的箱,所述第一辊和所述第二辊位于所述开放顶部附近,其中所述沉积源位于所述箱中;以及
驱动器,配置成使所述辊支承构件移动。
5.根据权利要求3所述的薄膜沉积设备,其中所述移动单元包括:
辊支承构件,相对于所述沉积掩模位于所述沉积源的相对侧并与所述第一辊和所述第二辊相接合;以及
驱动器,配置成使所述辊支承构件移动。
6.根据权利要求4所述的薄膜沉积设备,其中所述驱动器包括:
旋转驱动器,配置成使所述辊支承构件绕垂直于所述第一平面的旋转轴线旋转;
第一线性驱动器,配置成使所述辊支承构件在所述旋转轴线的方向上线性地移动;
第二线性驱动器,配置成使所述辊支承构件在平行于所述第一平面的第一方向上线性地移动;以及
第三线性驱动器,使所述辊支承构件在垂直于所述第一方向且平行于所述第一平面的第二方向上线性地移动。
7.根据权利要求1所述的薄膜沉积设备,其中所述薄膜掩模卷可包括一个或多个额外的沉积掩模,所述沉积掩模包括彼此不同的沉积图案并设置在所述薄膜掩模卷的长度方向上。
8.根据权利要求7所述的薄膜沉积设备,其中所述衬底支承件配置成装载将使用从所述沉积图案中选择的一个沉积图案进行沉积的衬底;以及
其中所述第一辊和所述第二辊可配置成旋转以使所述沉积掩模的被选择的沉积图案放置在所述第一辊与所述第二辊之间。
9.根据权利要求7所述的薄膜沉积设备,其中所述衬底支承件配置成装载将使用从所述沉积图案中选择的至少两个沉积图案进行沉积的衬底;以及
其中所述第一辊和所述第二辊配置成随所述衬底支承件、所述第一辊和所述第二辊、以及所述沉积源的相对运动进行旋转,使得所述沉积掩模的被选择的沉积图案顺序地提供在第一辊与第二辊之间,以沉积所述衬底上的不同区域。
10.根据权利要求9所述的薄膜沉积设备,其中所述衬底支承件配置成相对于所述第一辊和所述第二辊在平行于所述沉积掩模的方向上移动。
11.根据权利要求9所述的薄膜沉积设备,其中所述第一辊和所述第二辊以及所述沉积源配置成相对于所述衬底支承件在平行于所述衬底的方向上移动。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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CN109563618A (zh) * | 2016-07-18 | 2019-04-02 | 荷兰应用科学研究会(Tno) | 沉积装置和用于沉积的方法 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Family Cites Families (9)
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JP5319024B2 (ja) * | 2011-01-07 | 2013-10-16 | シャープ株式会社 | 蒸着装置および蒸着方法 |
US8689686B2 (en) * | 2011-07-31 | 2014-04-08 | Charles Moncavage | Screen printing device with infinite loop stencil |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109563618A (zh) * | 2016-07-18 | 2019-04-02 | 荷兰应用科学研究会(Tno) | 沉积装置和用于沉积的方法 |
CN108538749A (zh) * | 2017-03-02 | 2018-09-14 | 三星显示有限公司 | 沉积设备、显示装置的制造方法和通过该方法制造的显示装置 |
CN108538749B (zh) * | 2017-03-02 | 2024-03-26 | 三星显示有限公司 | 沉积设备、显示装置的制造方法和通过该方法制造的显示装置 |
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C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
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