CN104111268B - 一种原子力显微镜导电探针原位加热、原位表征纳米塞贝克系数的装置 - Google Patents

一种原子力显微镜导电探针原位加热、原位表征纳米塞贝克系数的装置 Download PDF

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Abstract

本申请公开了一种原子力显微镜导电探针原位加热、原位表征纳米塞贝克系数的装置，该装置进一步包括：一原子力显微镜导电探针原位加温模块，用于实现原子力显微镜导电探针的原位加热以及与其相互接触的纳米热电材料微区加热；一纳米塞贝克系数原位检测模块，用于提供发展原位表征纳米塞贝克系数装置的原子力显微镜平台，并原位实现所述纳米热电材料纳米塞贝克电压信号的原位激发和原位检测，并进而获得纳米塞贝克系数的原位定量表征结果。本申请将原子力显微镜纳米检测功能、焦耳热效应、热传导效应和热电材料塞贝克物理效应相结合，建立起基于原子力显微镜导电探针原位加热、原位定量表征纳米塞贝克系数的新装置。

Description

一种原子力显微镜导电探针原位加热、原位表征纳米塞贝克系数的装置
技术领域
本申请涉及信号检测仪器领域，一种原子力显微镜导电探针原位加热、原位表征纳米塞贝克系数的装置。
背景技术
在原子力显微镜(Atomic force microscope)基础上发展起来的扫描探针显微镜(Scanning Probe Microscopy,SPM)已成为当前开展纳米科学与技术研究的重要手段之一，目前商用SPM功能模式主要包括扫描隧道显微镜(STM)、扫描近场光学显微镜、原子力显微镜、静电力显微镜及磁力显微镜等。SPM不仅具有极高的空间分辨率(纳米级甚至原子级)，可实现物质表面高分辨率的结构成像；而且可探测纳米尺度微结构与外场互作用的功能响应，从而可原位、无损、高分辨率获得与材料纳米尺度结构相对应的、电、磁、光等性能。因此在AFM基础上发展起来的SPM技术给纳米结构的超高分辨显微成像、结构操纵以及有关纳米性能的原位表征等方面带来了革命性突破。随着纳米材料和器件的深入发展，研究与纳米热学相关的物理性能显得日愈重要。由此，迫切需要发展一种能够实现纳米尺度原位加热的技术，以更好地能够开展与纳米热学密切关联的纳米物理功能响应的本质研究。针对该急需性，本申请基于AFM平台，希望发展一种能够实现AFM导电探针原位加热的方法和装置，并进而实现该方法和装置应用于纳米热电材料微区热电物理性能表征，以获得微区塞贝克系数物理参量的超高分辨原位定量表征结果。
发明内容
基于目前纳米材料物理性能表征之迫切需求，本申请基于AFM纳米平台发展了一种原子力显微镜导电探针原位加热装置，并成功应用纳米热电材料微区塞贝克系数的超高分辨原位定量表征，为纳米材料有关与热学相关的物理功能响应深入研究及有关纳米器件的物性评价提供了一种原理简单、测试直接的原位纳米表征技术。
本申请目的在于提供一种原子力显微镜导电探针原位加热、原位表征纳米塞贝克系数的方法，该方法将原子力显微镜纳米检测功能、焦耳热效应、热传导效应和热电材料塞贝克物理效应相结合，建立起基于原子力显微镜导电探针原位加热、原位定量表征纳米塞贝克系数的新技术。该新型纳米方法具有纳米尺度原位加热、原位同步表征的独特功能，且具有纳米级超高分辨率、高灵敏度、高信噪比、测试直接等优点。本申请所述的关键技术装置结构简单、兼容性强，适与不同商用AFM系统相结合，是一项易于推广和应用的新技术。
为了实现上述发明目的，本发明公开了一种原子力显微镜导电探针原位加热、原位表征纳米塞贝克系数的装置，用于原位加热原子力显微镜导电探针、原位定量表征纳米热电材料纳米塞贝克系数，其特征在于，所述装置进一步包括：
一原子力显微镜导电探针原位加温模块，用于实现原子力显微镜导电探针的原位加热以及与其相互接触的纳米热电材料微区加热；
一纳米塞贝克系数原位检测模块，用于提供发展原位表征纳米塞贝克系数装置的原子力显微镜平台，并原位实现所述纳米热电材料纳米塞贝克电压信号的原位激发和原位检测，并进而获得纳米塞贝克系数的原位定量表征结果。
比较好的是，本发明所揭示的一种原子力显微镜导电探针原位加热、原位表征纳米塞贝克系数的装置，其特征在于，
所述原子力显微镜导电探针原位加温模块进一步包括：
一AFM探针支架，一绝缘底座，一探针底座，一发热体支架，一发热体，一激励源和一AFM导电探针，所述AFM导电探针包括一导电探针微悬臂和一导电探针针尖，其中，所述AFM探针支架、所述绝缘底座、所述发热体支架、所述发热体依次相连，所述探针底座与所述发热体支架独立平行置于所述绝缘底座上并与所述导电探针微悬臂相连，实现所述AFM导电探针稳定安置；所述发热体置于刚性薄层结构状的发热体支架上并与激励源相连，实现发热体发热并对置于其上并紧密连接的所述导电探针微悬臂进行加热，该热量经所述导电探针微悬臂传导于与其一体化连接的所述导电探针针尖，从而实现所述导电探针针尖原位加热。
比较好的是，本发明所揭示的一种原子力显微镜导电探针原位加热、原位表征纳米塞贝克系数的装置，其特征在于，
所述发热体具热敏电阻特性，其表面覆裹一绝缘漆层，可高效传热而不导通。
比较好的是，本发明所揭示的一种原子力显微镜导电探针原位加热、原位表征纳米塞贝克系数的装置，其特征在于，
所述导电探针具有微区加热源、信号检测源的功能，其工作模式为原子力显微镜接触模式。
比较好的是，本发明所揭示的一种原子力显微镜导电探针原位加热、原位表征纳米塞贝克系数的装置，其特征在于，
所述AFM导电探针与被测纳米热电材料样品互作用接触面积为10-30nm，所述AFM导电探针的作用力为3nN-100nN，所述AFM导电探针的加热电压为0.5V-10V。
比较好的是，本发明所揭示的一种原子力显微镜导电探针原位加热、原位表征纳米塞贝克系数的装置，其特征在于，
所述一纳米塞贝克系数原位检测模块进一步包括：
一AFM平台，一纳米热电材料样品，一磁性金属垫层，一低信号引出端，一高信号引出端，一高灵敏电压计，一数据处理显示模块；其中，所述一纳米热电材料与所述导电探针针尖相互接触时，将由于加热所述导电探针针尖在被测纳米热电材料样品和所述导电探针针尖相接触的纳米尺度加热区与非接触的未加热区之间原位激发纳米尺度塞贝克电压信号；所述一低信号引出端和一高信号引出端共同输出纳米塞贝克电压信号，并与所述高灵敏度电压计相连，实现对纳米尺度塞贝克电压信号的原位检测，进而获得纳米尺度塞贝克系数原位定量表征结果。
本申请的原子力显微镜导电探针原位加热、原位表征纳米塞贝克系数的装置只需直接加热并直接检测纳米热电材料微区塞贝克电压信号即可直接获得纳米塞贝克系数的独特优点。该方法拓展了现有商用原子力显微镜所不具有的导电探针原位加热和原位评价热电物性功能，为有关AFM技术的深入发展以及纳米材料相关纳米尺度热物性研究提供了重要的原位纳米表征新方法。
附图说明
下面，参照附图，对于熟悉本技术领域的人员而言，从对本申请的详细描述中，本申请的上述和其他目的、特征和优点将显而易见。
图1示意出本申请的AFM导电探针原位加热、原位表征纳米塞贝克系数的原理图；
图2示意出本申请的原子力显微镜导电探针原位加热、原位表征纳米塞贝克系数的装置的结构框图；
图3给出了不同加热电压下的7种热电材料的纳米尺度塞贝克电压信号；
图4给出了不同加热电压下与探针加热温度之间的关系；
图5给出了7种热电材料的纳米尺度塞贝克电压与探针加热温度之间的关系；
图6给出了7种热电材料纳米尺度塞贝克系数原位表征结果。
附图标记
10―――AFM导电探针
11―――AFM探针支架
12―――绝缘底座
13―――探针底座
14―――发热体支架
15―――发热体
16―――激励源
17―――导电探针微悬臂
18―――导电探针针尖
19―――被测纳米热电材料样品
20―――磁性金属垫层
21―――AFM平台
22―――低信号引出端
23―――高信号引出端
24―――高灵敏电压计
25―――数据处理显示模块
具体实施方式
以下实例均是应用本申请的原子力显微镜导电探针原位加热、原位表征纳米塞贝克系数的装置对纳米热电材料的表征结果，以进一步说明本申请的效果，但并非仅限于下述实施例。
本申请建立了一种原子力显微镜导电探针原位加热、原位表征纳米塞贝克系数的新装置。
本申请装置的工作原理如图1所示，具体可表述如下：当一直流稳压激励信号施加于发热体15时，发热体15温度上升并加热与其连接紧密的AFM导电探针10，由此实现对该AFM导电探针10原位加热，加热后的AFM导电探针10将热量传递于与其相互接触的被测纳米热电材料样品19，由此，在该样品19上形成由AFM导电探针10和被测纳米热电材料样品19纳米尺度接触区和非接触区分别构成加热区与未加热区，且两个加热区和未加热区将存在一温度差，基于被测纳米热电材料样品19所特有的热电塞贝克效应，该温度差将产生塞贝克电压信号。因此，利用微型发热体15实现了AFM导电探针10原位加热，同时在被测纳米热电材料样品19中实现了微区塞贝克电压信号的原位激发和原位检测。
基于该工作原理，本申请建立了一种原子力显微镜导电探针原位加热、原位表征纳米塞贝克系数的新装置，其工作结构如图2所示，该表征装置由二部分组成：原子力显微镜导电探针原位加热模块和纳米塞贝克系数原位检测征模块。
其中，原子力显微镜导电探针原位加温模块用于实现AFM导电探针10原位加热并进而实现纳米热电材料微区加热，从而在纳米热电的加热区(探针-样品纳米尺度接触区)与未加热区产生一温度梯度差；纳米塞贝克系数原位表征模块，用于提供发展导电探针原位表征塞贝克系数装置的平台，并原位实现所述纳米热电材料微区塞贝克电压信号的原位激发和原位检测，并进而获得微区塞贝克系数的原位定量表征结果。
其中，原子力显微镜导电探针原位加温模块包括：一AFM探针支架11，一绝缘底座12，一探针底座13，一发热体支架14，一发热体15，一激励源16和一AFM导电探针10，图2示意了导电探针微悬臂17和导电探针针尖18构成了其中AFM导电探针10。
其中，AFM探针支架11、绝缘底座12、发热体支架14、发热体15依次相连，其中，AFM探针支架11用以作为固定整个模块的支架，绝缘底座12固定于AFM探针支架11上，用于支撑发热体支架14并将其与AFM探针支架11实现电绝；探针底座13为一金属底座，与所述发热体支架14独立平行置于所述绝缘底座12上并与所述导电探针微悬臂17相连，实现AFM导电探针10的稳定安置；所述发热体支架14为一刚性薄层结构，所述发热体15与其连结紧密；所述发热体15与所述激励源16相连，激励源16用以对发热体15实现发热并对置于其上并紧密连接的导电探针微悬臂17进行加热，该热量经导电探针微悬臂17传导于与其连接的导电探针针尖18，从而实现导电探针针尖18原位加热。
纳米塞贝克系数原位检测模块包括：一被测纳米热电材料样品19，一磁性金属垫层20，一AFM平台21，一低信号引出端22，一高信号引出端23，一高灵敏电压计24，一数据处理显示模块25。
其中，所述被测纳米热电材料样品19置于原子力显微镜平台21的磁性金属垫层20上，被测纳米热电材料样品19与磁性金属底座20构成热电样品台，彼此之间采用导电胶粘结，有效保证了被测纳米热电材料样品19的机械稳定性和信号的有效传输。被测纳米热电材料样品19与所述导电探针针尖18之间相互接触，以实现导电探针针尖18对被测纳米热电样品19纳米尺度接触区的原位加热，进而在被测纳米热电材料样品19的纳米尺度加热区(导电探针针尖18与被测纳米热电材料样品19纳米接触区)与未加热区之间原位激发纳米尺度塞贝克电压信号。低信号引出端22源于被测纳米热电材料样品19上的未加热点(低温端)，高信号引出端23源于导电探针底座13，通过导电探针微悬臂17和导电针尖18从而作为针尖18与样品19相互接触区加热处的电信号引出端(高温端)，低信号引出端22与高信号引出端23二者实现被测纳米热电材料样品19加热区(导电针尖18与样品接触处)与被测纳米热电材料样品19上未加热区之间产生的微区塞贝克电压信号的输出；低信号引出端22和高信号引出端23直接与高灵敏电压计24相连，实现纳米尺度塞贝克电压信号的原位检测；该信号经数据处理及显示模块25处理，从而显示纳米尺度塞贝克系数值。
具有上述结构的纳米塞贝克系数原位测试平台实现了AFM导电探针原位加热、纳米塞贝克电压信号的原位激发和原位检测，从而可获得微区塞贝克系数的原位定量表征结果。
基于原子力显微镜平台所建立的导电探针原位加热、原位表征纳米塞贝克系数的工作模式为AFM接触工作模式，用以实现导电探针10与样品19之间良好的纳米尺度热接触及有效的信号激发和传输。
图2中的发热体15是本发明的原子力显微镜导电探针原位加热、原位表征纳米塞贝克系数的装置实现AFM导电探针10原位加热的核心部件，具热敏电阻特性，体积小，其表面覆裹一绝缘漆层，可高效传热而不导通，与导电探针微悬臂17结合紧密，实现了导电探针微悬臂17和导电探针针尖18的良好加热。
激励源16与发热体15直接相连，其工作电压须同时兼顾发热体16的工作电流、导电探针10与被测纳米热电材料样品19之间的良好接触以及微区塞贝克电压信号的有效激发和输出。
导电探针针尖18是系统实现原位激发和检测的核心部件，具导电特性。该探针同时具有微区加热源、微区塞贝克电压信号引出端等功能。导电探针针尖18工作模式为接触模式，与被测纳米热电材料样品19互作用接触面积为10-30nm,探针作用力为3nN-100nN，探针加热电压为0.5V-10V。如此有效实现了纳米尺度塞贝克电压信号的有效激发及输出，提高了测试信号的检测灵敏度，确保了测试数据的准确性。
纳米尺度塞贝克电压信号源于导电探针针尖18与样品19相互作用处(加热区)与样品19上未加热区之间温差所诱导的塞贝克电压信号。纳米塞贝克电压信号一端源于低信号引出端22，另一端源于高信号引出端23。低信号引出端22与高信号引出端23分别与被测纳米热电材料样品19和探针底座13以焊接方式粘结，不仅保证了信号引线的微欧姆接触；同时引线坚固保证了测试条件的稳定性和数据的可靠性。
高灵敏度电压计24具有测量灵敏度高、抗干扰性强、满足系统工作要求等优点，可实现微弱电压信号的高灵敏度检测。
数据处理及显示模块25包括基于计算机平台的信号处理模块和结果显示模块。基于不同纳米热电材料与标准热电材料的纳米塞贝克电压信号的比值，可计算获得被测纳米热电材料纳米尺度塞贝克系数。
应用本申请建立的原子力显微镜导电探针原位加热、原位表征纳米塞贝克系数的装置对多种热电材料样品的纳米尺度塞贝克系数进行了测试。
图3给出了不同加热电压下的7种热电材料的纳米尺度塞贝克电压信号，其中从上到下依次为：掺锑的碲化铋薄膜-1((Bi,Sb)2Te3film-1)、掺锑的碲化铋薄膜-2((Bi,Sb)2Te3film-2)、掺锑的碲化铋薄膜-3((Bi,Sb)2Te3film-3)、纯碲化铋薄膜-4(Bi2Te3film-4)、硒化银体材料-5(Ag2Se bulk-5)、纯碲化铋薄膜-6(Bi2Te3film-6)、纯碲化铋薄膜-7(Bi2Te3film-7)。其中硒化银体材料-5(Ag2Se bulk-5)为标准样品，其塞贝克系数为124μV/K。
根据热电塞贝克系数公式，塞贝克系数为塞贝克电压与温差之比。因此，以Ag2Se体材料为标样，可以计算不同加热电压下探针的加热温度。图4给出了不同加热电压与探针加热温度之间的关系。
由图3和图4的结果，可以获得7种热电材料的纳米尺度塞贝克电压与探针加热温度之间的关系，如图5所示。理论上二者之间应该呈线性关系且其斜率即为塞贝克系数值。拟合结果表明，二者之间良好的线性关系与理论完全一致，
图6给出了根据图5斜率获得的7种热电材料纳米尺度塞贝克系数，表明该方法的可行性和结果的准确性。
上述实例表明了基于原子力显微镜所建立的原子力显微镜导电探针原位加热、原位表征纳米塞贝克系数的装置解决了纳米热电材料纳米尺度塞贝克系数原位表征这一关键技术难题。该新型纳米表征装置实现了纳米尺度区域原位加热、纳米尺度塞贝克电压信号的原位激发和原位检测，拓展了现有商用原子力显微镜所不具有的纳米热电材料纳米尺度区域原位加热和纳米尺度物理性能原位表征功能，为深入研究纳米热电材料及相关器件的深入发展提供了重要的原位纳米表征新方法。
综上所述，本申请突出优点将原子力显微镜纳米检测功能、焦耳热效应、热传导效应和热电材料塞贝克物理效应相结合，建立起基于原子力显微镜导电探针原位加热、原位定量表征纳米塞贝克系数的新方法和新装置。
该新方法具有纳米尺度原位加热、原位同步表征的独特功能，且具有纳米级超高分辨率、高灵敏度、高信噪比、测试直接等优点。本申请所述的关键技术装置结构简单、兼容性强，适与不同商用AFM系统相结合，是一项易于推广和应用的新技术，可望在纳米热电材料、纳米半导体材料及其它纳米材料和功能器件等领域中获得重要应用。
前面提供了对较佳实施例的描述，以使本领域内的任何技术人员可使用或利用本申请。对这些实施例的各种修改对本领域内的技术人员是显而易见的，可把这里所述的总的原理应用到其他实施例而不使用创造性。因而，本申请将不限于这里所示的实施例，而应依据符合这里所揭示的原理和新特征的最宽范围。

Claims (4)

1.一种原子力显微镜导电探针原位加热、原位表征纳米塞贝克系数的装置，用于原位加热原子力显微镜导电探针、原位定量表征纳米热电材料纳米塞贝克系数，其特征在于，所述装置进一步包括：
一原子力显微镜导电探针原位加温模块，用于实现原子力显微镜导电探针的原位加热以及与其相互接触的纳米热电材料微区加热；
一纳米塞贝克系数原位检测模块，用于提供发展原位表征纳米塞贝克系数装置的原子力显微镜平台，并原位实现所述纳米热电材料纳米塞贝克电压信号的原位激发和原位检测，并进而获得纳米塞贝克系数的原位定量表征结果；
其中，所述原子力显微镜导电探针原位加温模块进一步包括：
一AFM探针支架，一绝缘底座，一探针底座，一发热体支架，一发热体，一激励源和一AFM导电探针，所述AFM导电探针包括一导电探针微悬臂和一导电探针针尖，其中，所述AFM探针支架、所述绝缘底座、所述发热体支架、所述发热体依次相连，所述探针底座与所述发热体支架独立平行置于所述绝缘底座上并与所述导电探针微悬臂相连，实现所述AFM导电探针稳定安置；所述发热体置于刚性薄层结构状的发热体支架上并与激励源相连，实现发热体发热并对置于其上并紧密连接的所述导电探针微悬臂进行加热，该热量经所述导电探针微悬臂传导于与其一体化连接的所述导电探针针尖，从而实现所述导电探针针尖原位加热；
其中，所述一纳米塞贝克系数原位检测模块进一步包括：
一AFM平台，一纳米热电材料样品，一磁性金属垫层，一低信号引出端，一高信号引出端，一高灵敏电压计，一数据处理显示模块；其中，所述一纳米热电材料样品与所述导电探针针尖相互接触时，将由于加热所述导电探针针尖在被测纳米热电材料样品和所述导电探针针尖相接触的纳米尺度加热区与非接触的未加热区之间原位激发纳米尺度塞贝克电压信号；所述一低信号引出端和一高信号引出端共同输出纳米塞贝克电压信号，并与所述高灵敏电压计相连，实现对纳米尺度塞贝克电压信号的原位检测，进而获得纳米尺度塞贝克系数原位定量表征结果。
2.根据权利要求1所述的一种原子力显微镜导电探针原位加热、原位表征纳米塞贝克系数的装置，其特征在于，
所述发热体具热敏电阻特性，其表面覆裹一绝缘漆层，可高效传热而不导通。
3.根据权利要求1所述的一种原子力显微镜导电探针原位加热、原位表征纳米塞贝克系数的装置，其特征在于，
所述导电探针具有微区加热源、信号检测源的功能，其工作模式为原子力显微镜接触模式。
4.根据权利要求1所述的一种原子力显微镜导电探针原位加热、原位表征纳米塞贝克系数的装置，其特征在于，
所述AFM导电探针与被测纳米热电材料样品互作用接触面积为10-30nm，所述AFM导电探针的作用力为3nN-100nN，所述AFM导电探针的加热电压为0.5V-10V。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104614557B (zh) * 2015-02-02 2017-07-18 国家纳米科学中心 一种材料微区电导和热电性质的测量装置、测量方法及其用途
CN107765037B (zh) * 2017-09-05 2019-10-15 浙江大学 高温原位样品杆
CN108414564B (zh) * 2018-03-14 2020-04-03 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种亚表面纳米尺度失效行为显微成像的装置
CN109613051B (zh) * 2018-10-24 2021-08-17 武汉嘉仪通科技有限公司 一种采用对比法测量材料Seebeck系数的装置及方法
CN110127589B (zh) * 2019-05-22 2022-03-29 季华实验室 用于加工衬底材料的钝化层的探针
CN110907489A (zh) * 2019-11-13 2020-03-24 中国科学院上海硅酸盐研究所 基于原子力显微镜的纳米尺度热导-电畴原位表征装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6467951B1 (en) * 2000-08-18 2002-10-22 International Business Machines Corporation Probe apparatus and method for measuring thermoelectric properties of materials
CN2824026Y (zh) * 2004-11-26 2006-10-04 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种测量赛贝克系数用的测量装置
CN102053171A (zh) * 2009-11-09 2011-05-11 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种微纳米热检测传感组件
CN102692427A (zh) * 2012-06-20 2012-09-26 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种基于原子力显微镜的纳米热电多参量原位定量表征装置
CN103344790A (zh) * 2013-07-08 2013-10-09 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种基于扫描热学显微镜原位表征纳米热电塞贝克系数的装置
CN103472087A (zh) * 2013-03-15 2013-12-25 深圳市彩煌实业发展有限公司 热电材料塞贝克系数测量装置及方法
CN103512914A (zh) * 2012-06-25 2014-01-15 中国科学院电子学研究所 塞贝克系数测量系统

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6467951B1 (en) * 2000-08-18 2002-10-22 International Business Machines Corporation Probe apparatus and method for measuring thermoelectric properties of materials
CN2824026Y (zh) * 2004-11-26 2006-10-04 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种测量赛贝克系数用的测量装置
CN102053171A (zh) * 2009-11-09 2011-05-11 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种微纳米热检测传感组件
CN102692427A (zh) * 2012-06-20 2012-09-26 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种基于原子力显微镜的纳米热电多参量原位定量表征装置
CN103512914A (zh) * 2012-06-25 2014-01-15 中国科学院电子学研究所 塞贝克系数测量系统
CN103472087A (zh) * 2013-03-15 2013-12-25 深圳市彩煌实业发展有限公司 热电材料塞贝克系数测量装置及方法
CN103344790A (zh) * 2013-07-08 2013-10-09 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种基于扫描热学显微镜原位表征纳米热电塞贝克系数的装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Probe calibration of the scanning thermal microscope in the AC mode;S.Lefevre et al.;《Superlattices and Microstructures》;20040615;第35卷;第283-288页 *

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