CN104078735A - 利用阶梯部和阻挡部的等离子体波导 - Google Patents

利用阶梯部和阻挡部的等离子体波导 Download PDF

Info

Publication number
CN104078735A
CN104078735A CN201410116865.4A CN201410116865A CN104078735A CN 104078735 A CN104078735 A CN 104078735A CN 201410116865 A CN201410116865 A CN 201410116865A CN 104078735 A CN104078735 A CN 104078735A
Authority
CN
China
Prior art keywords
waveguide
stop part
microwave
end difference
plasma
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201410116865.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104078735B (zh
Inventor
金翼年
姜成玉
严敏钦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Triple Core Technology Co.,Ltd.
Original Assignee
Triple Cores Korea
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Triple Cores Korea filed Critical Triple Cores Korea
Publication of CN104078735A publication Critical patent/CN104078735A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104078735B publication Critical patent/CN104078735B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
    • H01P3/12—Hollow waveguides
    • H01P3/123—Hollow waveguides with a complex or stepped cross-section, e.g. ridged or grooved waveguides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
    • H01J37/32229—Waveguides
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/38—Impedance-matching networks
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • H05H1/461—Microwave discharges
    • H05H1/4622—Microwave discharges using waveguides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
    • H01P5/02—Coupling devices of the waveguide type with invariable factor of coupling
    • H01P5/022—Transitions between lines of the same kind and shape, but with different dimensions
    • H01P5/024—Transitions between lines of the same kind and shape, but with different dimensions between hollow waveguides

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Waveguide Connection Structure (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明提供了一种利用阶梯部和阻挡部的等离子体波导。从磁控管振荡的微波移动通过该等离子体波导，该等离子体波导包括：多个阶梯部，形成在波导的内侧表面上的任意一侧；预定高度的阻挡部，形成在波导的内侧表面上的任意另一侧，其中，阻挡部形成在与多个阶梯部之间的边界部相对的一侧处。因此，可以有效地解决贯穿整个波导的3-桩系统中涉及的微波泄露的问题和因微波向外行进而损坏外部系统的问题。此外，因为设置在波导的内侧表面的预定高度的阻挡部位于与阶梯部相对的表面处，所以可以将具有在微波传播方向上逐渐减小的高度的波导内的微波集中的效果最大化。

Description

利用阶梯部和阻挡部的等离子体波导
本申请要求于2013年3月27日在韩国知识产权局提交的第10-2013-0032748号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
本公开涉及一种利用阶梯部和阻挡部的等离子体波导，更具体地讲，涉及一种利用阶梯部和阻挡部的等离子体波导，该等离子体波导可以通过同时使用阶梯部与设置在波导的内侧表面处的预定高度的阻挡部在波导内产生微波匹配的效果同时将微波集中的效果最大化，波导具有在微波传播方向上逐渐减小的高度。
背景技术
传统的等离子体产生器包括传送电磁波的波导、调整等离子体阻抗的3-桩和产生等离子体的等离子体产生单元，等离子体产生单元配备有放电管。当电磁波被传送到波导时，电场集中在波导的产生等离子体的等离子体产生单元上。
因此，如何有效地集中电场是波导的重要设计因素。
波导已经从传统的矩形平坦结构向高度逐渐减小的趋势发展。
图1是示出在第10-2008-0033408号韩国专利公布中公开的等离子体反应器（在下文中称作现有技术）的完整示意图。
参照图1，根据现有技术1的等离子体反应器具有高度以预定角度减小的锥化形状以将施加的电场（电磁波）在波导内集中，并且包括在波导的后端的通过施加电场来产生等离子体的反应室。然而，现有技术1公开了被设计为使电磁波的反射最小化的锥形波导，但实际上，在产生等离子体的室中的电场集中的效果低于波导的后端的电场集中的效果。
为了解决这个问题，第10-1196966号韩国专利公开了多锥体结构的波导。然而，在这种情况下，存在难以细调由磁控管振荡的微波的问题。
为了微波的细调，使用如图1中所示的3-桩匹配系统20。
3-桩匹配系统20具有当λg为波长时以λg/4的桩间距安装在波导18中的三个桩，并且用作使波导18的特性阻抗与波导18的低高度部分的负载阻抗匹配以向负载输送最大功率。
然而，这样的3-桩匹配系统被设计为在平坦结构的波导的应用中向负载进行最大功率输送。此外，通过3-桩匹配系统的穿透波导的结构，发生波导外的弱电磁场的泄露和它所导致的电弧放电。为了解决这个问题，单独地需要高成本的密封装置以防止电磁场泄露至波导外。
发明内容
因此，本公开的目的在于提供一种具有提高的经济效率和技术效率的新型等离子体波导系统。
为了实现以上目的，本公开提供了一种等离子体波导，从磁控管振荡的微波移动通过该等离子体波导，该等离子体波导包括：多个阶梯部，形成在波导的内侧表面上的任意一侧；预定高度的阻挡部，形成在波导的内侧表面上的任意另一侧，其中，阻挡部形成在与多个阶梯部之间的边界部相对的一侧处。
在一个实施例中，阻挡部的高度占据基于阶梯部之中的低高度的波导高度的30%至70%。
在一个实施例中，阶梯部是高度以预定角度减小的锥体部。
在一个实施例中，阻挡部被包括在与锥体部相对的区域内。
在一个实施例中，阻挡部与波导的内侧表面结合。
在一个实施例中，阻挡部是没有与波导的内侧表面物理地结合的独立的构件，阻挡部的位置是可调节的。
本公开在波导内形成具有减小到预定水平的高度的阶梯部，并且提供与波导的阶梯部相对的在波导的内侧表面处的预定高度的阻挡部。因此，可以有效地解决贯穿整个波导的3-桩系统中涉及的微波泄露的问题和因微波向外行进而损坏外部系统的问题。此外，因为设置在波导的内侧表面的预定高度的阻挡部位于与阶梯部相对的表面处，所以可以将具有在微波传播方向上逐渐减小的高度的波导内的微波集中的效果最大化。
附图说明
图1是示出在第10-2008-0033408号韩国专利公布（在下文中称作现有技术）中公开的等离子反应器的完整示意图。
图2是示出根据示例性实施例的波导系统的剖视图。
图3是示出根据示例性实施例的波导的切除平面视图。
图4是示出根据示例性实施例的阻挡部的高度比的示意图。
图5是示出根据示例性实施例的波导系统的示意图。
图6是示出根据示例性实施例的包括阻挡部的波导的剖视图。
<主要元件的详细描述>
100：波导                  110：磁控管
120a、120b、220：阶梯部    130a、130b、210：阻挡部
300：波导
具体实施方式
在下文中，参照附图详细描述本公开。本公开的范围不限于在此阐述的实施例，本公开可以以不同的形式实施。在附图中，为了清晰起见可以夸大地表示元件的宽度、长度和厚度等。在整个说明书中，相同的附图标记指示相同的元件。此外，除非在此另行说明，否则在整个说明书中指定的缩写词应该以本领域通常使用和理解的水平解释。
为了解决以上问题，本公开在波导内形成具有减小到预定水平的高度的阶梯部，并且相对于波导的阶梯部在波导的内侧表面设置预定高度的阻挡部。因此，可以有效地解决贯穿整个波导的3-桩系统中涉及的微波泄露的问题和因微波向外行进而损坏外部系统的问题。此外，因为设置在波导的内侧表面的预定高度的阻挡部位于与阶梯部相对的表面处，所以将高度在微波传播方向上逐渐减小的波导内的微波集中的效果最大化。
在下文中，利用附图详细描述根据本公开的波导系统。
图2是示出根据示例性实施例的波导系统的剖视图。
参照图2，根据示例性实施例的波导系统包括产生微波的磁控管110。由磁控管110产生的微波在波导100内沿一个方向传播，在这种情况下，波导系统具有至少一个阶梯部120a和120b。在示例性实施例中，阶梯部表示波导内的有效高度沿微波传播方向减小的结构，并且由如图2中所示的锥化形状形成。
具体地，发明人发现，在已经出版和注册的双锥体结构的传统波导的情况下，微波集中的实质效果不高，此外，微波仅仅集中在波导的高度减小的部分（也就是说，锥形的后端）上，继而，在整个波导中没有获得微波密度的增加。此外，在双锥体结构的波导中使用从外部穿透波导的3-桩匹配系统的情况下，发明人发现了通过未集中的微波等的反射而在桩穿入区域处产生的微波泄露造成对外部设备的损坏的问题。
为了解决该问题，根据示例性实施例的等离子体波导系统在波导的内侧表面处具有与阶梯部120a和120b相对的预定高度的阻挡部130a和130b。预定高度的阻挡部可以具有圆形或矩形形状的横截面，优选地，具有圆形形状的横截面。
在示例性实施例中，对应于阶梯部的若干个阻挡部130a和130b结合到波导的内侧表面。例如，在图2中，波导具有两个锥形的阶梯部120a和120b，阻挡部130a和130b与两个锥形阶梯部中的每个相对地结合到波导的内侧表面。
图3是示出根据示例性实施例的波导的切除平面视图。
参照图3，根据示例性实施例的波导包括至少两个阶梯部120a和120b以及阻挡部130a和130b，至少两个阶梯部120a和120b在波导的一侧，阻挡部130a和130b在波导的与阶梯部120a和120b相对的另一侧并从另一侧突出预定高度。
在示例性实施例中，阻挡部130a和130b的位置被包括在至少两个锥形阶梯部120a和120b的区域之内，因此根据通过锥体的高度减小与在高度减小区域中的突出的阻挡部的结合使微波匹配和集中同时发生。
在本公开中，阻挡部的高度对在阶梯部处的微波集中和匹配的效果非常重要，下面提供其描述。
图4是示出根据示例性实施例的阻挡部的高度比的示意图。
参照图4，根据示例性实施例的阻挡部210被构造为与波导的发生高度差的阶梯部220相对。
阶梯部220具有至少两个高度；一个是高的高度h1，另一个是低的高度h2。在这种情况下，基于低的高度h2，阻挡部210的高度优选地是波导的低的高度的30%至70%。如果阻挡部210的高度小于该数值范围，则通过阻挡部210的微波匹配的效果减弱，随着各种波长的微波同时传播到阶梯部的低高度的部分，微波集中的效果也减弱。相反，如果阻挡部210的高度超过该数值范围，则微波被阻挡部210反射并且被反射的微波干扰进入的微波。
因此，优选地，在与阶梯部相对的位置处使用的阻挡部为如此高以将阶梯部的最低高度部分限制在预定水平，并且通过阶梯部和阻挡部的同时使用将微波匹配/集中的效果最大化。
此外，本公开提供一种使用高度垂直地减小的台阶形状的阶梯部而不是高度以预定角度减小的锥化形状的阶梯部并且同时具有相应的阻挡部的波导系统。
图5是示出根据示例性实施例的波导系统的示意图。
参照图5，波导包括具有垂直地减小的高度的多个阶梯部和在波导的内侧表面处与阶梯部相对的预定高度的阻挡部。
在这样的构造中，具有阻挡部的区域a被构造为包括与阶梯部的边界表面（即，波导的发生高度减小的位置）相对的表面b′。因此，与包括在锥体区域内的阻挡部相似，可以在同时设置有阶梯部和阻挡部的波导区域内使微波集中和匹配的效果最大化。
在另一示例性实施例中，阻挡部是没有物理地结合到波导的独立构件，并且其位置是可调节的。
图6是示出根据示例性实施例的包括阻挡部的波导的剖视图。
参照图6，波导300具有多个阶梯部以及在波导的内侧表面处与阶梯部的高度边界表面相对的预定高度的阻挡部。在这种情况下，阻挡部是独立于波导的构件，并且实际上设置在波导的内侧表面处。因此，如图6中示出的，用户可根据匹配条件以简单的方式调节阻挡部的位置，此外，因为阻挡部没有穿入波导的壁中，所以防止了微波从波导泄露出的问题。
如上文描述的，通过阶梯部和作为独立构件设置在波导的与阶梯部相对的一侧的预定高度的阻挡部，本公开可以通过匹配由波导产生并传播的各种频率的微波来极大地增加在阶梯部内的微波密度。也就是说，根据本公开的阻挡部没有物理地固定在并结合到波导的内侧表面，而是作为可以设置在内侧表面上的独立构件。因此，该独立构件可以由与波导相同的材料或与波导不同的材料制成，并且按照需要，可以根据等离子体的使用目的通过自由地改变其形状来做出任意的设计改变。
应理解的是，除非明确规定为相反，否则在此使用的术语“包括”、“包含”或“具有”说明存在所述组件，但不排除存在或添加一个或更多个其他组件。除非另有定义，否则在此使用的所有术语（包括技术术语和科学术语）具有与本发明所属领域的普通技术人员所通常理解的意思相同的意思。将进一步理解的是，术语（诸如在通用字典中定义的那些术语）应被解释为具有与在现有技术的情况下它们的意思相一致的意思，并且除非在此明确这样定义，否则将不以理想化的或过于正式的含义来理解。
虽然前面的描述举例说明了本公开的精神，但对本领域技术人员来讲将清楚的是，在不脱离本公开的基本特征的情况下，可以做出各种改变和修改。因此，这里公开的实施例仅为了举例说明而给出，而不意图限制本公开的精神，本公开的精神和范围不受这样的实施例限制。本公开的保护范围应该由权利要求解释，本公开的所有方面及等同物应该被解释为落入本公开的保护范围内。

Claims (6)

1.一种等离子体波导，从磁控管振荡的微波移动通过所述等离子体波导，所述等离子体波导包括：
多个阶梯部，形成在波导的内侧表面上的任意一侧；以及
预定高度的阻挡部，形成在波导的内侧表面上的任意另一侧，
其中，阻挡部形成在与所述多个阶梯部之间的边界部相对的侧面。
2.根据权利要求1所述的等离子体波导，其中，阻挡部的高度占据基于阶梯部之中的低高度的波导高度的30%至70%。
3.根据权利要求2所述的等离子体波导，其中，阶梯部是高度以预定角度减小的锥体部。
4.根据权利要求3所述的等离子体波导，其中，阻挡部被包括在与锥体部相对的区域内。
5.根据权利要求4所述的等离子体波导，其中，阻挡部与波导的内侧表面结合。
6.根据权利要求4所述的等离子体波导，其中，阻挡部是没有与波导的内侧表面物理地结合的独立的构件，阻挡部的位置是可调节的。
CN201410116865.4A 2013-03-27 2014-03-26 利用阶梯部和阻挡部的等离子体波导 Active CN104078735B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2013-0032748 2013-03-27
KR1020130032748A KR101427720B1 (ko) 2013-03-27 2013-03-27 단차부 및 블록부를 이용한 플라즈마 도파관

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104078735A true CN104078735A (zh) 2014-10-01
CN104078735B CN104078735B (zh) 2017-05-24

Family

ID=50440471

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410116865.4A Active CN104078735B (zh) 2013-03-27 2014-03-26 利用阶梯部和阻挡部的等离子体波导

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9576774B2 (zh)
EP (1) EP2785153B1 (zh)
JP (1) JP5767356B2 (zh)
KR (1) KR101427720B1 (zh)
CN (1) CN104078735B (zh)
TW (1) TWI563720B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU2018214488B2 (en) 2017-01-18 2022-05-26 Shine Technologies, Llc High power ion beam generator systems and methods
CN114050389B (zh) * 2021-12-01 2022-10-21 散裂中子源科学中心 一种高功率铁氧体负载

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2432094A (en) * 1942-07-30 1947-12-09 Bell Telephone Labor Inc Impedance transformer for wave guides
US4891614A (en) * 1986-05-29 1990-01-02 National Research Development Corporation Matching asymmetrical discontinuties in transmission lines
WO2012121132A1 (ja) * 2011-03-10 2012-09-13 東京エレクトロン株式会社 プラズマ生成装置、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US20130020939A1 (en) * 2011-07-22 2013-01-24 Ik Nyeon Kim C atmospheric plasma equipment and waveguide for the same

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4866346A (en) * 1987-06-22 1989-09-12 Applied Science & Technology, Inc. Microwave plasma generator
DE3803355A1 (de) * 1988-02-05 1989-08-17 Leybold Ag Teilchenquelle fuer eine reaktive ionenstrahlaetz- oder plasmadepositionsanlage
US4851630A (en) * 1988-06-23 1989-07-25 Applied Science & Technology, Inc. Microwave reactive gas generator
JPH0495394A (ja) * 1990-06-28 1992-03-27 Nippon Steel Corp 電子サイクロトロン共鳴プラズマ形成方法および処理装置
US5804033A (en) * 1990-09-26 1998-09-08 Hitachi, Ltd. Microwave plasma processing method and apparatus
EP0502269A1 (en) * 1991-03-06 1992-09-09 Hitachi, Ltd. Method of and system for microwave plasma treatments
KR930020761A (ko) * 1992-03-06 1993-10-20 강진구 마이크로파 가열기기의 도파관구조
US5389153A (en) * 1993-02-19 1995-02-14 Texas Instruments Incorporated Plasma processing system using surface wave plasma generating apparatus and method
TW264601B (zh) * 1993-09-17 1995-12-01 Hitachi Seisakusyo Kk
US6174424B1 (en) * 1995-11-20 2001-01-16 Cirrex Corp. Couplers for optical fibers
US6031333A (en) * 1996-04-22 2000-02-29 Fusion Lighting, Inc. Compact microwave lamp having a tuning block and a dielectric located in a lamp cavity
JPH1083896A (ja) * 1996-09-06 1998-03-31 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
JP3878267B2 (ja) * 1996-12-27 2007-02-07 株式会社ダイヘン プラズマ処理装置
US6706334B1 (en) * 1997-06-04 2004-03-16 Tokyo Electron Limited Processing method and apparatus for removing oxide film
KR100375423B1 (ko) * 2000-09-27 2003-03-15 홍용철 디젤 엔진에서 배출되는 매연 제거 플라즈마 장치
EP1561840A4 (en) * 2002-10-09 2009-05-13 Toyo Seikan Kaisha Ltd METHOD FOR PRODUCING A METAL OXIDE FILM AND MICROWAVE POWER SOURCE FOR USE IN THIS METHOD
JP3996880B2 (ja) * 2003-07-29 2007-10-24 京セラ株式会社 導波管分岐構造
JP4390604B2 (ja) * 2004-03-19 2009-12-24 株式会社 液晶先端技術開発センター プラズマ処理装置
GB0516695D0 (en) 2005-08-15 2005-09-21 Boc Group Plc Microwave plasma reactor
JP4703371B2 (ja) * 2005-11-04 2011-06-15 国立大学法人東北大学 プラズマ処理装置
GB0907947D0 (en) * 2009-05-08 2009-06-24 Ceravision Ltd Light source
KR101065793B1 (ko) * 2009-07-10 2011-09-20 엘지전자 주식회사 무전극 조명기기
KR101196966B1 (ko) 2010-01-28 2012-11-05 (주)트리플코어스코리아 상압 플라즈마 장치 및 이를 위한 도파관
KR20110088658A (ko) * 2010-01-29 2011-08-04 (주)에스피에스 전자파를 이용한 플라즈마 발생장치 및 이를 위한 도파관
JP2013026118A (ja) * 2011-07-25 2013-02-04 Triplecores Korea 常圧プラズマ装置及びこのための導波管
JP5817906B2 (ja) * 2012-02-23 2015-11-18 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置、および高周波発生器
US9273393B2 (en) * 2014-01-25 2016-03-01 Yuri Glukhoy Torch system for depositing protective coatings on interior walls and recesses present on the flat surface of an object

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2432094A (en) * 1942-07-30 1947-12-09 Bell Telephone Labor Inc Impedance transformer for wave guides
US4891614A (en) * 1986-05-29 1990-01-02 National Research Development Corporation Matching asymmetrical discontinuties in transmission lines
WO2012121132A1 (ja) * 2011-03-10 2012-09-13 東京エレクトロン株式会社 プラズマ生成装置、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US20130020939A1 (en) * 2011-07-22 2013-01-24 Ik Nyeon Kim C atmospheric plasma equipment and waveguide for the same

Also Published As

Publication number Publication date
TW201440310A (zh) 2014-10-16
JP5767356B2 (ja) 2015-08-19
US20140292195A1 (en) 2014-10-02
EP2785153A3 (en) 2014-11-05
TWI563720B (en) 2016-12-21
EP2785153A2 (en) 2014-10-01
US9576774B2 (en) 2017-02-21
CN104078735B (zh) 2017-05-24
KR101427720B1 (ko) 2014-08-13
EP2785153B1 (en) 2019-05-01
JP2014192158A (ja) 2014-10-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7183991B2 (en) Multiple flared antenna horn with enhanced aperture efficiency
US9190739B2 (en) Antenna with fifty percent overlapped subarrays
JP5713553B2 (ja) アンテナ装置およびレーダ装置
US9406477B2 (en) Traveling wave tube loaded by a material having negative permittivity and positive permeability
JP2007288283A (ja) スロットアンテナ
JPWO2015118586A1 (ja) アンテナ装置
EP2843763B1 (en) Radio frequency device with feed structure
JP4644262B2 (ja) 導波管型線路および漏れ波アンテナ
CN104078735A (zh) 利用阶梯部和阻挡部的等离子体波导
US9111714B2 (en) Backward-wave oscillator in communication system
KR20170009588A (ko) 혼 안테나 장치
JP2010166226A (ja) Ｔｍ０１モード結合器
US9876284B2 (en) Multibeam source
US10186757B2 (en) Antenna and wireless device
TWI403020B (zh) 可模式選擇之磁旋管之作用結構
US7453410B2 (en) Waveguide antenna using a continuous loop waveguide feed and method of propagating electromagnetic waves
JP2017059909A (ja) 導波管／伝送線路変換器、アレーアンテナ及び平面アンテナ
JP2009253940A (ja) 右手／左手系複合導波管およびその製造方法
JP6554686B2 (ja) フェーズドアレーアンテナの設計方法、フェーズドアレーアンテナおよび電力伝送システム
JP2012253411A (ja) ホーンアンテナ
Hummelt et al. Design of a volume mode W-band TWT amplifier
JP2004200896A (ja) 誘電体漏れ波アンテナ
Kamei et al. Design and simulation of a mode converter for the excitation of quasi-optical amplifiers
CN112532269A (zh) 射频装置
JP2007234343A (ja) マイクロ波管

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20230901

Address after: South Korea Gyeonggi Do Yongin

Patentee after: Triple Core Technology Co.,Ltd.

Address before: South Korea Gyeonggi Do Yongin

Patentee before: TRIPLE CORES KOREA CO.,LTD.