CN104078212B - 绕线式电子器件的封装结构及片式电感器 - Google Patents

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Abstract

一种绕线式电子器件的封装结构，具有支撑架，支撑架具有扁平部和支撑脚，扁平部稳固地夹置于线圈的导线中或夹置于绕线基体和线圈之间，而支撑脚和线圈的两个引出脚形成稳固的三角支撑结构，使绕线式电子器件焊接在电路板上时十分的稳固，抗振动、抗冲击能力较传统的绕线式电子器件更好。本发明还公开了一种片式电感器。

Description

绕线式电子器件的封装结构及片式电感器
技术领域
本发明涉及电子器件的封装结构，特别是涉及一种绕线式电子器件的封装结构。
背景技术
传统结构的绕线式电子器件，特别是传统结构的绕线片式电感器，大部分都是采用两引脚结构，抗振动、抗冲击能力较差，导致器件常常容易因为震动冲击而损坏。
发明内容
基于此，有必要提供一种能提高抗振动、抗冲击能力的绕线式电子器件的封装结构。
一种绕线式电子器件的封装结构，包括绕线基体、线圈和支撑架。
所述绕线基体包括绕线柱，所述线圈由扁平导线绕制而成，所述线圈缠绕所述绕线柱，所述线圈的两个引出脚从所述绕线基体的一侧引出。
所述支撑架包括扁平部和支撑脚，所述扁平部和所述支撑脚固定连接，所述扁平部夹置于所述线圈的扁平导线中或夹置于所述绕线基体和所述线圈之间，所述支撑脚从所述绕线基体的另一侧引出，所述线圈的两个引出脚和所述支撑脚形成三角支撑。
在其中一个实施例中，所述绕线基体为PQ型磁芯。
在其中一个实施例中，所述绕线式电子器件为绕线片式电感器，所述绕线基体为电感芯。
在其中一个实施例中，所述绕线基体包括上基体和下基体，所述上基体为倒“山”字型结构，所述下基体为“山”字型结构，所述上基体和所述下基体通过粘合剂连接，所述上基体的中间结构和所述下基体的中间结构连接而成的结构作为所述绕线柱。
在其中一个实施例中，所述上基体的中间结构和所述下基体的中间结构之间存在空隙。
在其中一个实施例中，所述扁平部为圆环状或圆弧状，所述扁平部围绕所述绕线柱。
在其中一个实施例中，所述支撑架的材质为金属。
在其中一个实施例中，所述支撑架的材质为铜，铜的表面镀锡处理。
在其中一个实施例中，还包括紧固胶，所述紧固胶用于将所述线圈紧固在所述绕线基体上。
另外，还提供一种包括所述绕线式电子器件的封装结构的片式电感器。
上述绕线式电子器件的封装结构和片式电感器，具有支撑架，支撑架具有扁平部和支撑脚，扁平部稳固地夹置于线圈的导线中或夹置于绕线基体和线圈之间，而支撑脚和线圈的两个引出脚形成稳固的三角支撑结构，使绕线式电子器件焊接在电路板上时十分的稳固，抗振动、抗冲击能力较传统的绕线式电子器件更好。
附图说明
图1为一个实施例的绕线式电子器件的封装结构俯视图；
图2为一个实施例的绕线式电子器件的封装结构侧视图；
图3为一个实施例的绕线基体的结构图；
图4为一个实施例的支撑架的俯视图；
图5为一个实施例的支撑架的侧视图；
图6为一个实施例的绕线式电子器件的装配示意图。
具体实施方式
下面结合附图，对本发明的具体实施方式进行详细描述。
在以下实施例中，绕线式电子器件为绕线片式电感器，绕线基体为电感芯，例如PQ型磁芯。当然在其他实施例中，绕线式电子器件还可以是绕线电压器等器件，绕线基体也可以为电压器用磁芯。绕线基体应保证有较高的磁导率，也要有较好的温度系数，能在较高和较低的工作温度下工作，且损耗低。
图1为一个实施例的绕线式电子器件的封装结构俯视图，图2为一个实施例的绕线式电子器件的封装结构侧视图，图3为一个实施例的绕线基体的结构图。
参考图1至图3，一种绕线式电子器件的封装结构，包括绕线基体100、线圈200和支撑架300。
绕线基体100包括绕线柱102，线圈200由扁平导线绕制而成，线圈200缠绕绕线柱102，线圈200的两个引出脚(引脚210和引脚220)从绕线基体100的一侧(图1中的下侧)引出。
图4为一个实施例的支撑架的俯视图，图5为一个实施例的支撑架的侧视图，请结合图4和图5。
支撑架300包括扁平部310和支撑脚320，扁平部310和支撑脚320固定连接，扁平部320夹置于线圈200的扁平导线中，支撑脚320从绕线基体100的另一侧(图1中的上侧)引出，线圈200的两个引出脚(引脚210和引脚220)和支撑脚320形成三角支撑。
上述绕线式电子器件的封装结构，具有支撑架300，支撑架300具有扁平部310和支撑脚320，扁平部310稳固地夹置于线圈200的导线中或夹置于绕线基体100和线圈200之间，而支撑脚320和线圈200的两个引出脚(引脚210和引脚220)形成稳固的三角支撑结构，使绕线式电子器件焊接在电路板上时十分的稳固，抗振动、抗冲击能力较传统的绕线式电子器件更好。
采用扁平导线绕制而成的线圈200可以降低直流电阻，使得电感器在工作通过电流时不易发热，提升了绕线式电子器件(绕线片式电感器)的额定电流，从而达到低直流电阻和高额定电流的要求。线圈200的扁平导线可以采用高温扁平铜线，耐高温可达到180℃。
见图3，在本实施例中，绕线基体100包括上基体110和下基体120，上基体110为倒“山”字型结构，下基体120为“山”字型结构，上基体110的两边凸出结构和下基体120的两边凸出结构通过粘合剂130连接，上基体110的中间结构112和下基体120的中间结构122连接而成的结构作为绕线柱102，上基体110的中间结构112和下基体120的中间结构122之间存在空隙400，即磁芯磨气隙。采用磁芯磨气隙的方式可增加绕线片式电感器的抗饱和能力，提升绕线片式电感器的额定电流。粘合剂130在此处还可以起到垫气隙作用，增加绕线片式电感器的抗饱和能力。粘合剂130为粘合胶，可以是热固型树脂。
上基体110和下基体120相互形状对称，上基体110的中间结构112和下基体120的中间结构122为圆柱状结构，从而结合形成类圆柱状的绕线柱102。当然在其他实施例中，绕线基体100也可以为一个整体，中间设有绕线柱。
见图4和图5，支撑架300包括扁平部310和支撑脚320，扁平部310为圆弧状，扁平部310围绕着绕线柱102夹置在线圈200的扁平导线中或夹置于绕线基体100和线圈200之间，例如夹置于上基体110和线圈200之间。扁平部310在本实施例中为了安装方便设计成与线圈200形状相近的圆弧状，从而可以夹置在线圈200的扁平导线中或夹置于绕线基体100和线圈200之间。在其他实施例中，还可以设计成圆环状，此时夹置在线圈200和绕线基体100之间固定。支撑架300的材质可以设计为金属，例如铜，然后对铜进行表面镀锡处理。在其他实施例中，还可以是合金。支撑脚320与电路板的结合处可以用于焊接，增强抗振动、抗冲击能力。
见图1，为了使绕线基体100和线圈200能紧密结合成为一个整体，还可以用紧固胶500填涂在绕线基体100和线圈200之间，使线圈200紧固在绕线基体100上。紧固胶500为紫外线硬化性树脂(UV Curable Resin)，在其他实施例中还可以为热固型树脂。
图6为一个实施例的绕线式电子器件的装配示意图。首先将线圈200套在下基体120的的中间结构122上，然后将支撑架300的扁平部310夹置于线圈200的扁平导线中或者线圈200顶部，再将上基体110从线圈顶部套进，然后通过粘合剂130把上基体110的两边凸出结构和下基体120的两边凸出结构粘合，再在绕线基体100和线圈200之间必要的地方填涂上紧固胶500。粘合剂130可以在套上线圈200之前就涂于上基体110的两边凸出结构和下基体120的两边凸出结构上。
本发明还公开了一种片式电感器，该片式电感器包括上述的绕线式电子器件的封装结构。
上述绕线式电子器件的封装结构和片式电感器，具有支撑架300，支撑架300具有扁平部310和支撑脚320，扁平部310稳固地夹置于线圈200的导线中或夹置于绕线基体100和线圈200之间，而支撑脚320和线圈200的两个引出脚(引脚210和引脚220)形成稳固的三角支撑结构，使绕线式电子器件焊接在电路板上时十分的稳固，抗振动、抗冲击能力较传统的绕线式电子器件更好。上述绕线式电子器件和片式电感器的工作温度可在-55℃～125℃的范围。上述绕线式电子器件和片式电感器达到军用要求，满足GJB1864A和GJB360B的试验要求。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (9)

1.一种绕线式电子器件的封装结构，其特征在于，包括绕线基体、线圈和支撑架；
所述绕线基体包括绕线柱，所述线圈由扁平导线绕制而成，所述线圈缠绕所述绕线柱，所述线圈的两个引出脚从所述绕线基体的一侧引出；
所述支撑架包括扁平部和支撑脚，所述扁平部和所述支撑脚固定连接，所述扁平部夹置于所述线圈的扁平导线中或夹置于所述绕线基体和所述线圈之间，所述支撑脚从所述绕线基体的另一侧引出，所述线圈的两个引出脚和所述支撑脚形成三角支撑；所述支撑架的材质为金属。
2.根据权利要求1所述的绕线式电子器件的封装结构，其特征在于，所述绕线基体为PQ型磁芯。
3.根据权利要求1所述的绕线式电子器件的封装结构，其特征在于，所述绕线式电子器件为绕线片式电感器，所述绕线基体为电感芯。
4.根据权利要求1所述的绕线式电子器件的封装结构，其特征在于，所述绕线基体包括上基体和下基体，所述上基体为倒“山”字型结构，所述下基体为“山”字型结构，所述上基体和所述下基体通过粘合剂连接，所述上基体的中间结构和所述下基体的中间结构连接而成的结构作为所述绕线柱。
5.根据权利要求4所述的绕线式电子器件的封装结构，其特征在于，所述上基体的中间结构和所述下基体的中间结构之间存在空隙。
6.根据权利要求1所述的绕线式电子器件的封装结构，其特征在于，所述扁平部为圆环状或圆弧状，所述扁平部围绕所述绕线柱。
7.根据权利要求1所述的绕线式电子器件的封装结构，其特征在于，所述支撑架的材质为铜，铜的表面镀锡处理。
8.根据权利要求1所述的绕线式电子器件的封装结构，其特征在于，还包括紧固胶，所述紧固胶用于将所述线圈紧固在所述绕线基体上。
9.一种片式电感器，包括如权利要求1～8任一项所述的绕线式电子器件的封装结构。
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