CN104076559A - 显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种显示装置，该显示装置包括：第一基底；接地电极，设置在第一基底上；薄膜晶体管，设置在第一基底上；第一钝化层，设置在薄膜晶体管上；光阻挡构件和滤色器，设置在第一钝化层上。场产生电极设置在光阻挡构件和滤色器上。接地电极以矩阵布置在第一基底上并连接到接地端子。

Description

显示装置

技术领域

本发明的示例性实施例涉及一种显示装置。

背景技术

液晶显示器是目前使用的最为常见的平板显示器类型中的一种，液晶显示器包括显示装置，显示装置将电压施加到诸如像素电极和共电极的场产生电极以使液晶层的液晶分子重新排列，从而可以控制穿过液晶层的光的量。

光阻挡构件被形成以防止在液晶显示器的非显示区域中漏光。如果光阻挡构件形成在面对其上形成有像素电极的基底的另一基底上，则由于两块基底未对准，而可能不能防止非显示区域中的漏光并可能使显示区域的透射率减小。

因此，光阻挡构件可以形成在其上形成有像素电极的基底上。

然而，当诸如光阻挡构件的组成元件形成在单个基底上时，基底中产生的静电受到限制而没有正常放电，这可能导致诸如信号失真的缺陷。

在该背景技术部分中公开的以上信息仅用于提高对本发明的背景的理解，因此，其可能包含未形成对本领域普通技术人员来讲在本国中已知的现有技术的信息。

发明内容

本发明的示例性实施例提供了一种显示装置，该显示装置包括通过其可以释放静电的接地电极。

本发明的附加特征将在下面的描述中阐述，部分通过描述将是明显的，或者可以通过本发明的实践而明了。

本发明的示例性实施例公开了一种显示装置，该显示装置包括：第一基底；接地电极，设置在第一基底上；薄膜晶体管，设置在第一基底上；第一钝化层，设置在薄膜晶体管上；光阻挡构件和滤色器，设置在第一钝化层上；场产生电极，设置在光阻挡构件和滤色器上。接地电极以矩阵形状布置在第一基底上并连接到接地端子。

将理解的是，前面的总体描述和下面的详细描述都是示例性的和说明性的，并且意图提供对所要求保护的本发明的进一步解释。

附图说明

附图示出了本发明的示例性实施例并与描述一起用于解释本发明的原理，包括附图以提供对本发明的进一步的理解，附图被包含在本说明书中并构成本说明书的一部分：

图1是示出根据本发明示例性实施例的显示装置的示意性布局视图。

图2是示出根据本发明示例性实施例的液晶显示器的俯视图。

图3是沿图2中的线III-III截取的剖视图。

图4是示出根据本发明另一示例性实施例的液晶显示器的俯视图。

图5是沿图4中的线V-V截取的剖视图。

具体实施方式

在下文中参照附图更加充分地描述本发明，附图中示出了本发明的示例性实施例。然而，本发明可以以许多不同的形式实施，并且不应该被解释为局限于这里阐述的示例性实施例。相反，提供这些示例性实施例使得本公开是完全的，这些示例性实施例将把本发明的范围充分地传达给本领域技术人员。在附图中，为清晰起见，可能夸大层和区域的尺寸和相对尺寸。在附图中，相似的附图标记表示相似的元件。

将理解的是，当元件或层被称作“在”另一元件或层“上”或“连接到”另一元件或层时，它可以直接在所述另一元件或层上或直接连接到所述另一元件或层，或者可以存在中间元件或层。相反，当元件或层被称作“直接在”另一元件或层“上”或者“直接连接到”另一元件或层时，不存在中间元件或中间层。将理解的是，为了本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个（种）”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z或者X、Y和Z中的两项或多于两个项中的任意组合（例如，XYZ、XYY、YZ、ZZ）。

图1是示出根据本发明示例性实施例的显示装置的示意性布局视图。

参照图1，显示装置包括在第一基底110上的沿水平方向延伸的栅极线121和与栅极线121交叉并沿竖直方向延伸的数据线171。多个像素PX设置在第一基底110上，多个像素PX中的每个像素可以由栅极线121和数据线171形成，接地电极128也设置在第一基底110上。

接地电极128在显示区域DP中以矩阵布置。接地电极128包括沿着与栅极线121平行的方向延伸的第一接地电极128a和沿着与数据线171平行的方向延伸的第二接地电极128b。根据本发明的示例性实施例，接地电极128可以设置在设置有栅极线的水平处或下面。

第一接地电极128a和第二接地电极128b中的每个布置在显示区域DP中并延伸到非显示区域NDP以连接到接地端子GRD。因此，在第一基底110的表面上产生的静电被释放到接地端子GRD，从而减小由静电导致的任何缺陷。

在下文中，将更详细地描述根据本示例性实施例的接地电极128的特征。

图2是示出根据本发明示例性实施例的液晶显示器的俯视图。图3是沿图2中的线III-III截取的剖视图。图2是图1中的区域A的放大视图。

参照图2和图3，液晶显示器包括设置有第一基底110的下面板100、设置有第二基底210的相对的上面板200以及注入到它们之间的液晶层3。

由透明材料或不透明材料制成的接地电极128和剩余接地电极（residualground electrode）120设置在由透明玻璃或塑料制成的第一基底110上。包括栅电极124的栅极线121设置在剩余接地电极120上。剩余接地电极120和栅极线121可以具有基本上相同的平面形状。

栅极线121不仅包括栅电极124，而且还包括用于与另一层或外部驱动电路连接的宽的端部（未示出）。栅极线121可以由诸如铝（Al）或铝合金的铝基金属、诸如银（Ag）或银合金的银基金属、诸如铜（Cu）或铜合金的铜基金属、诸如钼（Mo）或钼合金的钼基金属、铬（Cr）、钽（Ta）或者钛（Ti）制成。然而，栅极线121可以具有包括物理性质不同的至少两层导电层的多层结构。

接地电极128包括第一接地电极128a和第二接地电极128b，第一接地电极128a从与栅极线121相邻的位置沿着与栅极线121平行的方向延伸，第二接地电极128b连接到第一接地电极128a并沿着与数据线171平行的方向延伸。第一接地电极128a设置在与剩余接地电极120相同的层上，不连接到剩余接地电极120和栅极线121并与剩余接地电极120和栅极线121绝缘。第二接地电极128b仅连接到两个相邻的第一接地电极128a中的一个。这容许第二接地电极128b不与栅极线121交叉并与其绝缘的结构。

在平面视图中，第二接地电极128b设置在与数据线171相邻的位置处，但是也可以设置成与数据线171叠置。然而，第二接地电极128b形成为不与包括在栅极线121中的栅电极124交叉。

这里，接地电极128和栅极线121可以通过一个工艺形成。在第一基底110上形成诸如ITO的透明电极材料和金属材料之后，涂覆感光膜，并使用半色调工艺来形成包括其处形成有栅极线121的第一部分、其处形成有接地电极128的第二部分以及栅极线121和接地电极128被从其处除去的第三部分的感光膜图案。通过使用形成为掩模的感光膜图案图案化金属材料和透明电极材料来形成接地电极128和栅极线121。在这种情况下，设置在栅极线121下面的透明电极材料保留以形成剩余接地电极120。

由硅氮化物（SiN_x）或硅氧化物（SiO_x）制成的栅绝缘层140设置在接地电极128和栅极线121上。栅绝缘层140可以具有包括物理性质不同的至少两层绝缘层的多层结构。

由非晶硅或多晶硅制成的半导体层154设置在栅绝缘层140上。半导体层154可以包括氧化物半导体。

欧姆接触163和165形成在半导体层154上。欧姆接触163和165可以由诸如硅化物或以高浓度掺杂有诸如磷的n型杂质的n+氢化非晶硅的材料制成。欧姆接触163和165可以位于半导体层154上。当半导体层154是氧化物半导体时，可以省略欧姆接触163和165。

包括数据线171（包括源电极173和漏电极175）的数据导体形成在欧姆接触163和165以及栅绝缘层140上。

数据线171包括用于与另一层或外部驱动电路连接的宽的端部（未示出）。数据线171传输数据信号并主要沿着竖直方向延伸以与栅极线121交叉。

数据线171可以具有第一弯曲部分，第一弯曲部分具有弯曲形状以获得液晶显示器的最大的透射率，第一弯曲部分可以在像素区域的中间区域彼此相遇以形成V形。弯曲以与第一弯曲部分形成角度的第二弯曲部分可以进一步形成在像素区域的中间区域中。

数据线171的第一弯曲部分可以弯曲以相对于竖直参考线形成大约7度的角度的角，其中，竖直参考线与栅极线121延伸所沿的方向形成90°角。设置在像素区域的中间区域中的第二弯曲部分可以进一步弯曲以相对于第一弯曲部分形成大约7度的角度至大约15度的角度的角。

源电极173对应于数据线171的一部分并设置在与数据线171相同的线上。漏电极175形成为与源电极173平行地延伸。因此，漏电极175平行于数据线171的一部分。

栅电极124、源电极173和漏电极175与半导体层154一起形成薄膜晶体管（TFT），薄膜晶体管的沟道在源电极173和漏电极175之间形成在半导体层154上。

根据本发明示例性实施例的液晶显示器包括从数据线171延伸的源电极173和与数据线171平行地延伸的漏电极175，使得在未增加数据导体的面积的情况下可以增大薄膜晶体管的宽度，从而增大液晶显示器的开口率。

数据线171和漏电极175可以由诸如钼、铬、钽和钛的难熔金属或它们的合金制成，并且具有包括难熔金属层（未示出）和低电阻导电层（未示出）的多层结构。多层结构的示例包括双层（包括铬或钼（合金）下层和铝（合金）上层）和三层（包括钼（合金）下层、铝（合金）中间层和钼（合金）上层）。然而，数据线171和漏电极175可以由除了上述材料之外的各种金属或导体制成。

第一钝化层180a形成在数据导体171、173和175、栅绝缘层140以及半导体层154的暴露部分上。第一钝化层180a可以由无机绝缘材料或有机绝缘材料制成。

光阻挡构件220设置在第一钝化层180a上。光阻挡构件220可以设置在与接地电极128、栅极线121、数据线171和半导体层154叠置的位置处。即使未示出，光阻挡构件220也可以以矩阵布置。光阻挡构件220被从与漏电极175的周围对应的区域除去。

滤色器230设置在光阻挡构件220和第一钝化层180a上。滤色器230自身可以显示原色。原色的示例包括诸如红、绿和蓝的原色或者黄色、蓝绿色或品红色。即使未示出，但是滤色器还可以包括显示原色的混合颜色或白色的滤色器。滤色器230被从与漏电极175的周围对应的区域除去。

有机层170设置在滤色器230上。有机层170防止滤色器230的颜料被引入到液晶层3，并且还使下面的层平坦。

共电极270设置在有机层170上。共电极270具有平面形状，可以作为板形成在整个第一基底110上，并且可以具有形成在与漏电极175的周围对应的区域中的开口273。即，共电极270可以具有平面形状。

设置在相邻的像素上的共电极270彼此连接以接收从显示区域的外部施加的具有一定电平的共电压。

第二钝化层180b设置在共电极270上。第二钝化层180b可以由有机绝缘材料或无机绝缘材料制成。

像素电极191设置在第二钝化层180b上。像素电极191包括弯曲边缘，弯曲边缘与数据线171的第一弯曲部分和第二弯曲部分基本上平行。像素电极191包括切除部92以及由切除部92限定的第一分支电极192。

第一接触孔185形成在第一钝化层180a和第二钝化层180b中以暴露漏电极175。像素电极191通过第一接触孔185物理连接到并且电连接到漏电极175，以接收来自漏电极175的电压。

即使未示出，但是取向层也可以涂覆在像素电极191和第二钝化层180b上，取向层可以是水平取向层并且沿一定方向摩擦（rub）。然而，在根据本发明另一示例性实施例的液晶显示器中，取向层可以包含光反应性材料以进行光取向。

分隔件325设置在第一基底110与第二基底210之间。

分隔件325用于维持第一基底110与面对第一基底110的第二基底210之间的距离。

着色构件326设置在与第一接触孔185对应的位置处。

着色构件326设置在第一接触孔185附近以用于防止第一接触孔185附近的漏光并用于补偿由第一接触孔185产生的台阶。

分隔件325和着色构件326可以由相同的材料制成。

液晶层3设置在第一基底110和第二基底210之间。

液晶层3包括具有正介电各向异性的向列型液晶材料。液晶层3的液晶分子具有其主轴方向与基底110和210平行的结构，该方向从第一基底110的取向层的摩擦方向向第二基底210成螺旋形状以90度的角度扭曲。

像素电极191从漏电极175接收数据电压，共电极270从设置在显示区域外部的参考电压施加单元接收具有一定电平的参考电压。

作为场产生电极的像素电极191和共电极270产生电场，使得位于两个电极191和270上的液晶层3的液晶分子沿与电场的方向平行的方向旋转。穿过液晶层的光的偏振根据如上所述确定的液晶分子的旋转方向而改变。

这样，在根据本发明示例性实施例的液晶显示器中，像素电极191和共电极270形成在第一基底110上，滤色器230和光阻挡构件220也形成在第一基底110上。因此，能够防止由第一基底110与第二基底210之间的未对准导致的开口率的劣化或漏光。

此外，在根据本发明示例性实施例的液晶显示器中，光阻挡构件220、滤色器230和有机层170设置在下面板100上，使得第一基底110与作为场产生电极之一的共电极270之间的厚度增加。因此，在第一基底110上产生的任何静电没有被正常释放，从而在驱动液晶显示器时不能在屏幕上准确地表现对比度，并且发生信号失真，导致余像的形成。然而，根据本示例性实施例，以矩阵形状形成在第一基底110上的接地电极128连接到非显示区域的接地端子来释放静电，因此解决了上述问题。

图4是示出根据本发明另一示例性实施例的液晶显示器的俯视图。图5是沿图4中的线V-V截取的剖视图。

将参照图4和图5描述的该示例性实施例包括与上面参照图1至图3描述的示例性实施例的构造几乎相同的构造。在下文中，将主要描述不同的部分。

参照图4和图5，包括第一接地电极128a和第二接地电极128b的接地电极128设置在第一基底110上，第一接地电极128a包括向着作为场产生电极之一的像素电极191所设置的像素区域突出的第一接地电极件128p。第一接地电极件128p设置在与第一接地电极128a相同的层上，栅绝缘层140和第一钝化层180a设置在第一接地电极件128p上。第一接地电极件128p的上表面的一部分通过形成在栅绝缘层140和第一钝化层180a中的接触孔145暴露。

光阻挡构件220设置在第一钝化层180a上并可以设置在与接地电极128、栅极线121、数据线171和半导体层154叠置的位置处。光阻挡构件220可以覆盖第一接地电极件128p的一部分。

滤色器230设置在光阻挡构件220和第一钝化层180a上，滤色器230通过形成在栅绝缘层140和第一钝化层180a中的接触孔145与第一接地电极件128p直接接触。

如上所述，根据本示例性实施例，第一接地电极件128p通过接触孔145与滤色器230直接接触，从而不仅可以有效地释放在第一基底110中产生的静电，而且还可以有效地释放在滤色器230中产生的静电。此外，可以与在第一基底110中产生的静电和在滤色器230中产生的静电一起释放在直接设置在滤色器230上的有机层170中产生的静电。

上面描述了共电极270和像素电极191二者设置在下面板100上并且在平面的共电极270和线性的像素电极191之间产生电场的液晶显示器的示例，但是液晶显示器不限于此。例如，当诸如光阻挡构件220、滤色器230或有机层170的厚的组成元件设置在下面板100上时，在第一基底110中产生的静电可能变成麻烦，因此当诸如有机层170的厚的组成元件设置在下面板100上时，根据本发明的示例性实施例甚至可以应用到诸如竖直取向（VA）模式的不同类型的液晶显示器。

根据本发明的示例性实施例，显示装置包括以矩阵形状形成在基底上的接地电极，以将在基底或滤色器中产生的静电释放到接地端子，从而防止缺陷。

对本领域技术人员来说将明显的是，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以对本发明做出各种修改和改变。因此，意图使本发明覆盖对本发明的修改和改变，只要它们落入权利要求及其等同物的范围内。

Claims (10)

1.一种显示装置，包括：

第一基底；

接地电极，设置在第一基底上；

薄膜晶体管，设置在第一基底上；

第一钝化层，设置在薄膜晶体管上；

光阻挡构件和滤色器，设置在第一钝化层上；以及

场产生电极，设置在光阻挡构件和滤色器上，

其中，接地电极以矩阵布置并连接到接地端子。

2.如权利要求1所述的显示装置，其中，接地电极设置在设置有连接到薄膜晶体管的栅极线的水平处或下面。

3.如权利要求2所述的显示装置，所述显示装置还包括设置在场产生电极与光阻挡构件或滤色器之间的有机层。

4.如权利要求3所述的显示装置，其中，接地电极包括：

第一接地电极，沿着与栅极线平行的方向延伸；以及

第二接地电极，沿着与连接到薄膜晶体管的数据线平行的方向延伸。

5.如权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括设置在连接到薄膜晶体管的栅极线下面的剩余接地电极，

其中，剩余接地电极设置在与接地电极相同的层上。

6.如权利要求5所述的显示装置，其中，剩余接地电极包括与接地电极相同的材料。

7.如权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括连接到薄膜晶体管的栅极线和数据线，

其中，接地电极包括沿着与栅极线平行的方向延伸的第一接地电极和沿着与数据线平行的方向延伸的第二接地电极，数据线连接到薄膜晶体管。

8.如权利要求1所述的显示装置，其中，接地电极与光阻挡构件叠置。

9.如权利要求1所述的显示装置，其中，场产生电极包括：

像素电极；

共电极；以及

设置在像素电极和共电极之间的绝缘层。

10.如权利要求9所述的显示装置，其中，像素电极包括切除部，共电极是平面的。