CN104051645A - 有机电致发光器件及其封装方法 - Google Patents

有机电致发光器件及其封装方法 Download PDF

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CN104051645A CN201310084226.XA CN201310084226A CN104051645A CN 104051645 A CN104051645 A CN 104051645A CN 201310084226 A CN201310084226 A CN 201310084226A CN 104051645 A CN104051645 A CN 104051645A
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organic
nitride
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周明杰
王平
钟铁涛
陈吉星
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Shenzhen Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd
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Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd
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Abstract

本发明涉及一种有机电致发光器件及其封装方法，该有机电致发光器件包括依次层叠的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极及层叠于阴极上的5～7个保护层，每个保护层包括有机阻挡层及层叠于有机阻挡层上的无机阻挡层。其中，有机阻挡层由酞菁掺杂于酞菁铜、酞菁锌、酞菁铁、酞菁钴、酞菁锰及酞菁镍中的一种中形成，无机阻挡层由氮化铝、氮化钛、氮化钒、氮化铌、氮化锆或氮化钽形成。由上述有机材料和无机材料形成的致密的保护层能够有效地减少外部水、氧等活性物质对有机层和阴极的侵蚀，并且5～7个保护层能够满足封装的密封性要求，对有机层和阴极形成有效的保护，从而使有机电致发光器件的使用寿命较高。

Description

有机电致发光器件及其封装方法
技术领域
本发明涉及电致发光技术领域，特别是涉及一种有机电致发光器件及其封装方法。
背景技术
有机电致发光器件（OLED）是基于有机材料的一种电流型半导体发光器件。其典型结构是在ITO玻璃上制作一层几十纳米厚的有机发光材料作发光层，发光层上方有一层低功函数的金属电极。当电极上加有电压时，发光层就产生光辐射。
OLED器件具有主动发光、发光效率高、功耗低、轻、薄、无视角限制等优点，被业内人士认为是最有可能在未来的照明和显示器件市场上占据霸主地位的新一代器件。作为一项崭新的照明和显示技术，OLED技术在过去的十多年里发展迅猛，取得了巨大的成就。由于全球越来越多的照明和显示厂家纷纷投入研发，大大的推动了OLED的产业化进程，使得OLED产业的成长速度惊人，目前已经到达了大规模量产的前夜。
然而，OLED中的发光层对于大气中的污染物、氧气、水汽等十分敏感，在污染物、氧气及水汽等的作用下发生化学反应会导致发光量子效率的降低，而阴极一般由较活泼的金属形成，在空气或氧气中易受侵蚀，从而导致OLED的稳定性较差，使用寿命较低。
发明内容
基于此，有必要提供一种使用寿命较高的有机电致发光器件及其封装方法。
一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，还包括层叠于所述阴极上的5～7个保护层，每个保护层包括有机阻挡层及层叠于所述有机阻挡层上的无机阻挡层；其中，所述有机阻挡层由酞菁掺杂于酞菁铜、酞菁锌、酞菁铁、酞菁钴、酞菁锰及酞菁镍中的一种中形成，所述无机阻挡层由氮化铝、氮化钛、氮化钒、氮化铌、氮化锆或氮化钽形成。
在其中一个实施例中，所述酞菁与酞菁铜、酞菁锌、酞菁铁、酞菁钴、酞菁锰及酞菁镍中的一种的摩尔比为1～5:100。
在其中一个实施例中，所述有机阻挡层的厚度为100纳米～200纳米。
在其中一个实施例中，所述无机阻挡层的厚度为50纳米～100纳米。
一种有机电致发光器件的封装方法，包括如下步骤：
步骤一：提供阳极，采用真空蒸镀在所述阳极上形成空穴注入层；
步骤二：采用真空蒸镀在所述空穴注入层上形成空穴传输层；
步骤三：采用真空蒸镀在所述空穴传输层上形成发光层；
步骤四：采用真空蒸镀在所述发光层上形成电子传输层；
步骤五：采用真空蒸镀在所述电子传输层上形成电子注入层；
步骤六：采用真空蒸镀在所述电子注入层上阴极；
步骤七：采用真空蒸镀在所述阴极上形成有机阻挡层，所述有机阻挡层由酞菁掺杂于酞菁铜、酞菁锌、酞菁铁、酞菁钴、酞菁锰及酞菁镍中的一种中形成；
步骤八：采用磁控溅射在所述有机阻挡层上形成无机阻挡层，所述无机阻挡层由氮化铝、氮化钛、氮化钒、氮化铌、氮化锆或氮化钽形成，所述有机阻挡层和无机阻挡层形成一个保护层；
步骤九：交替重复所述步骤七和所述步骤八4至6次，在所述阴极上形成5～7个保护层，得到有机电致发光器件。
在其中一个实施例中，所述步骤七～步骤九中，真空蒸镀的真空度为1×10-5Pa～1×10-3Pa。
在其中一个实施例中，所述采用真空蒸镀在所述阴极上形成有机阻挡层的步骤中，蒸发速度为
在其中一个实施例中，所述采用磁控溅射在所述有机阻挡层上形成无机阻挡层的步骤中，通入流量为5sccm～15sccm的氩气。
在其中一个实施例中，所述采用真空蒸镀在所述阳极上形成空穴注入层的步骤之前，还包括对阳极的清洗步骤，所述清洗步骤为：将所述阳极依次放入丙酮、乙醇、去离子水及乙醇中进行超声清洗，每次超声清洗5分钟，然后用氮气吹干，再用烘箱烘干。
在其中一个实施例中，所述清洗步骤完成之后，所述采用真空蒸镀在所述阳极上形成空穴注入层的步骤之前还包括对所述阳极进行表面活化处理的步骤，所述活化处理的步骤为：采用紫外-臭氧对清洗干燥后的阳极进行处理30～50分钟。
上述有机电致发光器件的阴极上层叠5～7个保护层，将活泼的有机层和阴极封装于保护层与阳极之间，由上述有机材料和无机材料形成的致密的保护层能够有效地减少外部水、氧等活性物质对有机层和阴极的侵蚀，并且5～7个保护层能够满足封装的密封性要求，对有机电致发光器件的有机层和阴极形成有效的保护，从而使有机电致发光器件的使用寿命较高。
附图说明
图1为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图；
图2为一实施方式的有机电致发光器件的封装方法流程图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。
请参阅图1，一实施方式的有机电致发光器件100，包括依次层叠的阳极10、空穴注入层20、空穴传输层30、发光层40、电子传输层50、电子注入层60、阴极70及保护层80。
阳极10可以为铟锡氧化物玻璃（ITO）、铝锌氧化物玻璃（AZO）或铟锌氧化物玻璃（IZO），优选为铟锡氧化物玻璃（ITO）。
在其他实施方式中，阳极10也可以包括聚碳酸酯板基板等透过性较高的柔性基板及层叠于柔性基板上的铟锡氧化物薄膜、铝锌氧化物薄膜或铟锌氧化物薄膜。
优选地，阳极10的厚度为100纳米。
空穴注入层20由三氧化钼（MoO3）掺杂于N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺（NPB）中形成。其中，三氧化钼（MoO3）占空穴注入层20的质量百分比为30%。
优选地，空穴注入层20的厚度为10纳米。
空穴传输层30由4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA）形成。
优选地，空穴传输层30的厚度为30纳米。
发光层40由三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)掺杂于1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI）中形成。其中，三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)占发光层40的质量百分比为5%。
优选地，发光层40的厚度为20纳米。
电子传输层50由4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）形成。
优选地，电子传输层50的厚度为10纳米。
电子注入层60由叠氮化铯（CsN3）掺入4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）中形成。其中，叠氮化铯（CsN3）占电子注入层60的质量百分比为30%。
优选地，电子注入层60的厚度为20纳米。
阴极70由金属铝（Al）形成。优选地，阴极70的厚度为150纳米。
本实施方式中，保护层80的数量为5个，5个保护层层叠于阴极70上。在其他实施方式中，保护层80的数量可以为6个或7个。5～7个保护层80使有机电致发光器件100的防水氧性能较高。
每一个保护层80包括有机阻挡层81和层叠于有机阻挡层81上的无机阻挡层82。
有机阻挡层81由酞菁（H2Pc）掺杂于酞菁铜（CuPc）、酞菁锌（ZnPc）、酞菁铁（FePc）、酞菁钴（CoPc）、酞菁锰（MnPc）及酞菁镍（NiPc）中的一种中形成。酞菁物形成的薄膜平整度高，应力小，有利于在由酞菁物形成有机阻挡层81上形成致密的、平整的无机阻挡层82。
优选地，酞菁（H2Pc）与酞菁铜（CuPc）、酞菁锌（ZnPc）、酞菁铁（FePc）、酞菁钴（CoPc）、酞菁锰（MnPc）及酞菁镍（NiPc）中的一种的摩尔比为1～5:100。
优选地，有机阻挡层81的厚度为100纳米～200纳米。
无机阻挡层82由氮化铝（AIN）、氮化钛（TiN）、氮化钒（VN）、氮化铌（NbN）、氮化锆（ZrN）或氮化钽（TaN）形成。这几种无机材料易于在有机阻挡层81的表面上形成致密性较高薄膜，从而提高防水氧性能。氮化物阻水阻氧能力强，绝缘性高，使保护层80的阻挡性能较好。
优选地，无机阻挡层82的厚度为50纳米～100纳米。
本实施方式中，由多个有机阻挡层81和无机阻挡层82交替层叠形成的5个保护层80能够很好的隔绝水、氧等活性物质，使有机电致发光器件100的寿命（T701000cd/m2）达到4500小时以上。
由上述材料形成的有机阻挡层81具有较高的热稳定性，平整度好，有利于无机物在有机阻挡层81表面上成膜，有利于形成致密的无机阻挡层82，从而形成致密性较高的保护层80，使得保护层80能够有效地阻挡空气中的氧气、水汽等，并且5～7个保护层能够进一步满足封装的密封性要求，能够有效地保护空穴注入层20、空穴传输层30、发光层40、电子传输层50、电子注入层60及阴极70，使得有机电致发光器件100的使用寿命较高。
请参阅图2，一实施方式中的有机电致发光器件的封装方法，包括如下步骤：
步骤S110：提供阳极，采用真空蒸镀在阳极上形成空穴注入层。
阳极可以为铟锡氧化物玻璃（ITO）、铝锌氧化物玻璃（AZO）或铟锌氧化物玻璃（IZO），优选为铟锡氧化物玻璃（ITO）。
在其他实施方式中，阳极也可以由聚碳酸酯板基板等透过性较高的柔性基板及层叠于柔性基板上的铟锡氧化物薄膜、铝锌氧化物薄膜或铟锌氧化物薄膜形成。
采用真空蒸镀在洁净的干燥的玻璃基板上或聚碳酸酯板基板蒸镀铟锡氧化物、铝锌氧化物或铟锌氧化物，在玻璃基板或聚碳酸酯板基板形成阳极图形，得到阳极。
优选地，阳极的厚度为100纳米。
采用真空蒸镀在阳极上形成空穴注入层之前，首先将阳极依次放入丙酮、乙醇、去离子水及乙醇中进行超声清洗，每次超声清洗5分钟，然后用氮气吹干，再用烘箱烘干，得到洁净、干燥的阳极。进一步将阳极进行表面活性处理，以增加阳极表面的含氧量，提高阳极的功函数。进行表面活性处理的步骤为采用紫外-臭氧（UV-ozone）对清洗干燥后的阳极进行处理30～50分钟。
空穴注入层由三氧化钼（MoO3）掺杂于N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺（NPB）中形成。其中，三氧化钼（MoO3）占空穴注入层的质量百分比为30%。
优选地，空穴注入层的厚度为10纳米。
真空蒸镀的真空度为1×10-5Pa。蒸发速度为
步骤S120：采用真空蒸镀在空穴注入层上形成空穴传输层。
空穴传输层由4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA）形成。
优选地，空穴传输层的厚度为30纳米。
真空蒸镀的真空度为1×10-5Pa。蒸发速度为
步骤S130：采用真空蒸镀在空穴传输层上形成发光层。
发光层由三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)掺杂于1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI）中形成。其中，三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)占发光层的质量百分比为5%。
优选地，发光层的厚度为20纳米。
真空蒸镀的真空度为1×10-5Pa。蒸发速度为
步骤S140：采用真空蒸镀在发光层上形成电子传输层。
电子传输层由4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）形成。
优选地，电子传输层的厚度为10纳米。
真空蒸镀的真空度为1×10-5Pa。蒸发速度为
步骤S150：采用真空蒸镀在电子传输层上形成电子注入层。
电子注入层由叠氮化铯（CsN3）掺入4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）中形成。其中，叠氮化铯（CsN3）占电子注入层的质量百分比为30%。
优选地，电子注入层的厚度为20纳米。
真空蒸镀的真空度为1×10-5Pa。蒸发速度为
步骤S160：采用真空蒸镀在电子注入层上阴极。
阴极由金属铝（Al）形成。优选地，阴极的厚度为150纳米。
真空蒸镀的真空度为1×10-5Pa。蒸发速度为
步骤S170：采用真空蒸镀在阴极上形成有机阻挡层，有机阻挡层由酞菁掺杂于酞菁铜、酞菁锌、酞菁铁、酞菁钴、酞菁锰及酞菁镍中的一种中形成。
优选地，酞菁（H2Pc）与酞菁铜（CuPc）、酞菁锌（ZnPc）、酞菁铁（FePc）、酞菁钴（CoPc）、酞菁锰（MnPc）及酞菁镍（NiPc）中的一种的摩尔比为1～5:100。
优选地，有机阻挡层的厚度为100纳米～200纳米。
真空蒸镀的真空度为1×10-5Pa～1×10-3Pa。蒸发速度为
步骤S180：采用磁控溅射在有机阻挡层上形成无机阻挡层，无机阻挡层由氮化铝、氮化钛、氮化钒、氮化铌、氮化锆或氮化钽形成，所述有机阻挡层和无机阻挡层形成一个保护层。
优选地，无机阻挡层的厚度为50纳米～100纳米。
本底的真空度为1×10-5Pa～1×10-3Pa。
该步骤中，通入流量为5sccm～15sccm。的氩气（Ar）。流量为5sccm～15sccm，以形成一定的真空度，并对靶材形成一定的冲击，提高效率。
无机阻挡层层叠于有机阻挡层形成一个保护层。
步骤S190：交替重复步骤S170和步骤S1804至6次，在阴极上形成5～7个保护层，得到有机电致发光器件。
交替重复步骤S170和步骤S1804至6次，形成4～6个保护层，从而在阴极上形成5～7个保护层，得到有机电致发光器件。
上述有机电致发光器件的封装方法采用真空蒸镀及磁控溅射的方法在阴极上形成5～7个保护层，从而将空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极封装于阳极和5～7个保护层之间，能够很好的保护空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极封装于保护层和阳极，封装得到稳定性较高、使用寿命较长的有机电致发光器件，并且封装工艺简单，易于大规模封装。
以下为具体实施例。
实施例1
结构为ITO/MoO3:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al/(H2Pc:CuPc/AIN)7的有机电致发光器件的封装
（1）提供阳极，阳极为铟锡氧化物玻璃，表示为ITO。首先将阳极依次放入丙酮、乙醇、去离子水及乙醇中进行超声清洗，每次超声清洗5分钟，然后用氮气吹干，再用烘箱烘干，得到洁净、干燥的阳极。进一步采用紫外-臭氧（UV-ozone）对清洗干燥后的阳极进行处理进行表面活性处理30分钟，以增加阳极表面的含氧量，提高阳极的功函数；
（2）采用真空蒸镀在阳极的表面上形成的空穴注入层，真空蒸镀的真空度为1×10-5Pa，蒸发速度为空穴注入层由三氧化钼（MoO3）掺杂于N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺（NPB）中形成，表示为MoO3:NPB，其中三氧化钼（MoO3）占空穴注入层的质量百分比为30%；空穴注入层的厚度为10纳米；
（3）采用真空蒸镀在空穴注入层的表面上形成的空穴传输层，真空蒸镀的真空度为1×10-5Pa，蒸发速度为空穴传输层由4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA）形成；空穴传输层的厚度为30纳米；
（4）采用真空蒸镀在空穴传输层上形成发光层，真空蒸镀的真空度为1×10-5Pa，蒸发速度为发光层由三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)掺杂于1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI）中形成，表示为Ir(ppy)3:TPBI，其中三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)占发光层的质量百分比为5%；发光层的厚度为20纳米；
（5）采用真空蒸镀在发光层上形成电子传输层，真空蒸镀的真空度为1×10-5Pa，蒸发速度为电子传输层由4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）形成，电子传输层的厚度为10纳米；
（6）采用真空蒸镀在电子传输层上形成电子注入层，真空蒸镀的真空度为1×10-5Pa，蒸发速度为电子注入层由叠氮化铯（CsN3）掺入4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）中形成，表示为CsN3:Bphen，其中叠氮化铯（CsN3）占电子注入层的质量百分比为30%；电子注入层的厚度为20纳米；
（7）采用真空蒸镀在电子注入层上形成阴极，真空蒸镀的真空度为1×10-5Pa，蒸发速度为阴极由铝形成，阴极的厚度为150纳米；
（8）采用真空蒸镀在阴极上形成有机阻挡层，真空蒸镀的真空度为1×10-5Pa，蒸发速度为有机阻挡层由酞菁（H2Pc）掺杂于酞菁铜（CuPc）中的一种中形成，表示为H2Pc:CuPc，其中，酞菁（H2Pc）与酞菁铜（CuPc）的摩尔比为5:100；有机阻挡层的厚度为200纳米；
（9）采用磁控溅射在有机阻挡层上形成无机阻挡层，本底的真空度为1×10-5Pa；磁控溅射过程中通入的氩气的流量为10sccm，无机阻挡层由氮化铝形成，无机阻挡层的厚度为100纳米；有机阻挡层和无机阻挡层形成保护层，表示为H2Pc:CuPc/AIN；
（10）交替重复步骤（8）和步骤（9）6次，最终在阴极上形成层叠的7个保护层，表示为(H2Pc:CuPc/AIN)7，得到结构为ITO/MoO3:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al/(H2Pc:CuPc/AIN)7的有机电致发光器件。
实施例2
结构为ITO/MoO3:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al/(H2Pc:ZnPc/TiN)7的有机电致发光器件的封装
步骤（1）～（7）中，除对阳极进行表面活化处理的时间为50分钟外，其余同实施例1。
（8）采用真空蒸镀在阴极上形成有机阻挡层，真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa，蒸发速度为有机阻挡层由酞菁（H2Pc）掺杂于酞菁锌（ZnPc）中的一种中形成，表示为H2Pc:ZnPc，其中，酞菁（H2Pc）与酞菁锌（ZnPc）的摩尔比为3:100；有机阻挡层的厚度为150纳米；
（9）采用磁控溅射在有机阻挡层上形成无机阻挡层，本底的真空度为1×10-5Pa；磁控溅射过程中通入的氩气的流量为10sccm，无机阻挡层由氮化钛形成，无机阻挡层的厚度为50纳米；有机阻挡层和无机阻挡层形成保护层，表示为H2Pc:ZnPc/TiN；
（10）交替重复步骤（8）和步骤（9）6次，最终在阴极上形成层叠的7个保护层，表示为(H2Pc:ZnPc/TiN)7，得到结构为ITO/MoO3:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al/(H2Pc:ZnPc/TiN)7的有机电致发光器件。
实施例3
结构为ITO/MoO3:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al/(H2Pc:FePc/VN)7的有机电致发光器件的封装
步骤（1）～（7）中，除对阳极进行表面活化处理的时间为40分钟外，其余同实施例1。
（8）采用真空蒸镀在阴极上形成有机阻挡层，真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa，蒸发速度为有机阻挡层由酞菁（H2Pc）掺杂于酞菁铁（FePc）中的一种中形成，表示为H2Pc:FePc，其中，酞菁（H2Pc）与酞菁铁（FePc）的摩尔比为1:100；有机阻挡层的厚度为100纳米；
（9）采用磁控溅射在有机阻挡层上形成无机阻挡层，本底的真空度为1×10-5Pa；磁控溅射过程中通入的氩气的流量为10sccm，无机阻挡层由氮化钒形成，无机阻挡层的厚度为70纳米；有机阻挡层和无机阻挡层形成保护层，表示为H2Pc:FePc/VN；
（10）交替重复步骤（8）和步骤（9）6次，最终在阴极上形成层叠的7个保护层，表示为(H2Pc:FePc/VN)7，得到结构为ITO/MoO3:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al/(H2Pc:FePc/VN)7的有机电致发光器件。
实施例4
结构为ITO/MoO3:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al/(H2Pc:CoPc/NbN)6的有机电致发光器件的封装
步骤（1）～（7）中，除对阳极进行表面活化处理的时间为45分钟外，其余同实施例1。
（8）采用真空蒸镀在阴极上形成有机阻挡层，真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa，蒸发速度为有机阻挡层由酞菁（H2Pc）掺杂于酞菁钴（CoPc）中的一种中形成，表示为H2Pc:CoPc，其中，酞菁（H2Pc）与酞菁钴（CoPc）的摩尔比为3:100；有机阻挡层的厚度为150纳米；
（9）采用磁控溅射在有机阻挡层上形成无机阻挡层，本底的真空度为5×10-5Pa；磁控溅射过程中通入的氩气的流量为15sccm，无机阻挡层由氮化铌形成，无机阻挡层的厚度为100纳米；有机阻挡层和无机阻挡层形成保护层，表示为H2Pc:CoPc/NbN；
（10）交替重复步骤（8）和步骤（9）5次，最终在阴极上形成层叠的6个保护层，表示为(H2Pc:FePc/VN)6，得到结构为ITO/MoO3:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al/(H2Pc:CoPc/NbN)6的有机电致发光器件。
实施例5
结构为ITO/MoO3:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al/(H2Pc:MnPc/ZrN)6的有机电致发光器件的封装
步骤（1）～（7）同实施例1。
（8）采用真空蒸镀在阴极上形成有机阻挡层，真空蒸镀的真空度为5×10-5Pa，蒸发速度为有机阻挡层由酞菁（H2Pc）掺杂于酞菁锰（MnPc）中的一种中形成，表示为H2Pc:MnPc，其中，酞菁（H2Pc）与酞菁锰（MnPc）的摩尔比为3:100；有机阻挡层的厚度为150纳米；
（9）采用磁控溅射在有机阻挡层上形成无机阻挡层，本底的真空度为5×10-5Pa；磁控溅射过程中通入的氩气的流量为15sccm，无机阻挡层由氮化锆形成，无机阻挡层的厚度为100纳米；有机阻挡层和无机阻挡层形成保护层，表示为H2Pc:MnPc/ZrN；
（10）交替重复步骤（8）和步骤（9）5次，最终在阴极上形成层叠的6个保护层，表示为(H2Pc:MnPc/ZrN)6，得到结构为ITO/MoO3:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al/(H2Pc:MnPc/ZrN)6的有机电致发光器件。
实施例6
结构为ITO/MoO3:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al/(H2Pc:NiPc/TaN)5的有机电致发光器件的封装
步骤（1）～（7）同实施例1。
（8）采用真空蒸镀在阴极上形成有机阻挡层，真空蒸镀的真空度为1×10-3Pa，蒸发速度为有机阻挡层由酞菁（H2Pc）掺杂于酞菁镍（NiPc）中的一种中形成，表示为H2Pc:NiPc，其中，酞菁（H2Pc）与酞菁镍（NiPc）的摩尔比为3:100；有机阻挡层的厚度为150纳米；
（9）采用磁控溅射在有机阻挡层上形成无机阻挡层，本底的真空度为1×10-3Pa；磁控溅射过程中通入的氩气的流量为15sccm，无机阻挡层由氮化钽形成，无机阻挡层的厚度为70纳米；有机阻挡层和无机阻挡层形成保护层，表示为H2Pc:NiPc/TaN；
（10）交替重复步骤（8）和步骤（9）4次，最终在阴极上形成层叠的5个保护层，表示为(H2Pc:NiPc/TaN)5，得到结构为ITO/MoO3:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al/(H2Pc:NiPc/TaN)5的有机电致发光器件。
对比例1
结构为ITO/MoO3:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al的有机电致发光器件的封装
该有机电致发光器件的结构除了没有保护层以外，其余同实施例1。
方法同实施例1的步骤（1）～（7）。
表1为实施例1～6及对比例1的有机电致发光器件的水汽渗透率及使用寿命。
表1实施例1～6及对比例1的有机电致发光器件的水汽渗透率及使用寿命
由表1可看出，相对于对比例1，实施例1～6的有机电致发光器件的水汽渗透率较高，说明实施例1～6的有机电致发光器件防水氧能力强，能够有效地保护有机层及阴极，因而使用寿命较高。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，其特征在于，还包括层叠于所述阴极上的5～7个保护层，每个保护层包括有机阻挡层及层叠于所述有机阻挡层上的无机阻挡层；其中，所述有机阻挡层由酞菁掺杂于酞菁铜、酞菁锌、酞菁铁、酞菁钴、酞菁锰及酞菁镍中的一种中形成，所述无机阻挡层由氮化铝、氮化钛、氮化钒、氮化铌、氮化锆或氮化钽形成。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述酞菁与酞菁铜、酞菁锌、酞菁铁、酞菁钴、酞菁锰及酞菁镍中的一种的摩尔比为1～5:100。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机阻挡层的厚度为100纳米～200纳米。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述无机阻挡层的厚度为50纳米～100纳米。
5.一种有机电致发光器件的封装方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一：提供阳极，采用真空蒸镀在所述阳极上形成空穴注入层；
步骤二：采用真空蒸镀在所述空穴注入层上形成空穴传输层；
步骤三：采用真空蒸镀在所述空穴传输层上形成发光层；
步骤四：采用真空蒸镀在所述发光层上形成电子传输层；
步骤五：采用真空蒸镀在所述电子传输层上形成电子注入层；
步骤六：采用真空蒸镀在所述电子注入层上阴极；
步骤七：采用真空蒸镀在所述阴极上形成有机阻挡层，所述有机阻挡层由酞菁掺杂于酞菁铜、酞菁锌、酞菁铁、酞菁钴、酞菁锰及酞菁镍中的一种中形成；
步骤八：采用磁控溅射在所述有机阻挡层上形成无机阻挡层，所述无机阻挡层由氮化铝、氮化钛、氮化钒、氮化铌、氮化锆或氮化钽形成，所述有机阻挡层和无机阻挡层形成一个保护层；
步骤九：交替重复所述步骤七和所述步骤八4至6次，在所述阴极上形成5～7个保护层，得到有机电致发光器件。
6.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的封装方法，其特征在于，所述步骤七～步骤九中，真空蒸镀的真空度为1×10-5Pa～1×10-3Pa。
7.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的封装方法，其特征在于，所述采用真空蒸镀在所述阴极上形成有机阻挡层的步骤中，蒸发速度为
8.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的封装方法，其特征在于，所述采用磁控溅射在所述有机阻挡层上形成无机阻挡层的步骤中，通入流量为5sccm～15sccm的氩气。
9.根据权利要求8所述的有机电致发光器件的封装方法，其特征在于，所述采用真空蒸镀在所述阳极上形成空穴注入层的步骤之前，还包括对阳极的清洗步骤，所述清洗步骤为：将所述阳极依次放入丙酮、乙醇、去离子水及乙醇中进行超声清洗，每次超声清洗5分钟，然后用氮气吹干，再用烘箱烘干。
10.根据权利要求9所述的有机电致发光器件的封装方法，其特征在于，所述清洗步骤完成之后，所述采用真空蒸镀在所述阳极上形成空穴注入层的步骤之前还包括对所述阳极进行表面活化处理的步骤，所述活化处理的步骤为：采用紫外-臭氧对清洗干燥后的阳极进行处理30～50分钟。
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