CN104051636A - 有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

有机电致发光器件及其制备方法 Download PDF

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CN104051636A CN201310076795.XA CN201310076795A CN104051636A CN 104051636 A CN104051636 A CN 104051636A CN 201310076795 A CN201310076795 A CN 201310076795A CN 104051636 A CN104051636 A CN 104051636A
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周明杰
王平
冯小明
张娟娟
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Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Shenzhen Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
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Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd
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Abstract

一种有机电致发光器件及其制备方法。该器件包括依次层叠的基板、阳极、第一发光功能层、电荷生成层、第二发光功能层和阴极，电荷生成层包括由碳酸锂、叠氮化锂、叠氮化铯或碳酸铯掺杂于电子传输材料中形成的n型层、由2,3,5,6-四氟-7,7’,8,8’-四氰醌-二甲烷、1,3,4,5,7,8-六氟-四氰-二甲对萘醌、2,2'-(2,5-二氰基-3,6-二氟环己烷-2,5-二烯-1,4-二亚基)二丙二腈或2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂三亚苯形成的中间层及由三氧化铼、五氧化二钒、氧化钼或三氧化钨掺杂于空穴传输材料中形成的p型层。该器件的驱动电流小、发光效率高。

Description

有机电致发光器件及其制备方法
技术领域
本发明涉及发光技术领域，特别是涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
有机电致发光(Organic Light Emission Diode)，以下简称OLED，具有亮度高、材料选择范围宽、驱动电压低、全固化主动发光等特性，同时拥有高清晰、广视角，以及响应速度快等优势，是一种极具潜力的显示技术和光源，符合信息时代移动通信和信息显示的发展趋势，以及绿色照明技术的要求，是目前国内外众多研究者的关注重点。
到目前为止，尽管全世界各国的科研人员通过选择合适的有机材料和合理的器件结构设计，已使器件性能的各项指标得到了很大的提升，但是目前由于驱动发光器件的电流较大，发光效率低，器件寿命低，为了实现有机电致发光器件的实用化，人们急于寻找一种驱动电流小，发光效率高的发光器件结构。
发明内容
基于此，有必要提供一种驱动电流较小、发光效率较高的有机电致发光器件。
进一步，提供一种有机电致发光器件的制备方法。
一种有机电致发光器件，包括基板、阳极和阴极，还包括第一发光功能层、第二发光功能层和电荷生成层，所述阳极层叠于所述基板上，所述第一发光功能层层叠于所述阳极上，所述电荷生成层包括依次层叠于所述第一发光功能层上的n型层、中间层和p型层，所述第二发光功能层和阴极依次层叠于所述p型层上；其中，所述n型层由碳酸锂、叠氮化锂、叠氮化铯或碳酸铯掺杂于电子传输材料中形成，所述中间层由2,3,5,6-四氟-7,7’,8,8’-四氰醌-二甲烷、1,3,4,5,7,8-六氟-四氰-二甲对萘醌、2,2'-(2,5-二氰基-3,6-二氟环己烷-2,5-二烯-1,4-二亚基)二丙二腈或2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂三亚苯形成，所述p型层由三氧化铼、五氧化二钒、氧化钼或三氧化钨掺杂于空穴传输材料中形成。
在其中一个实施例中，所述碳酸锂、叠氮化锂、叠氮化铯或碳酸铯占所述n型层的质量百分比为5～30%。
在其中一个实施例中，所述三氧化铼、五氧化二钒、氧化钼或三氧化钨占所述p型层的质量百分比为5～35%。
在其中一个实施例中，所述电子传输材料为2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1,3,4-噁二唑、4,7-二苯基-邻菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯或2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲。
在其中一个实施例中，所述空穴传输材料为4,4',4''-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺或N,N,N',N’-四甲氧基苯基)-对二氨基联苯。
在其中一个实施例中，所述n型层的厚度为5～20纳米，所述中间层的厚度为2～8纳米，所述p型层的厚度为5～20纳米。
在其中一个实施例中，所述第一发光功能层包括依次层叠于所述阳极上的第一空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层和第一空穴阻挡层，所述第二发光功能层包括依次层叠于所述p型层上的第二空穴传输层、第二发光层和第二电子传输层。
在其中一个实施例中，所述第一空穴注入层、第一空穴传输层、第一空穴阻挡层、第二空穴传输层和第二电子传输层的厚度为10～60纳米，所述第一发光层和第二发光层的厚度为5～20纳米。
在其中一个实施例中，所述阳极由铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锌氧化物或镓锌氧化物形成，所述阳极的厚度为70～200纳米；所述阴极由银、铝、镁-银合金或镁-铝合金形成，所述阴极的厚度为70～200纳米。
一种有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤：
提供基板，采用真空溅射在所述基板在形成阳极；
采用真空蒸镀在所述阳极上形成第一发光功能层；
采用真空蒸镀在所述第一发光功能层上依次形成n型层、中间层和p型层，得到电荷生成层；其中，所述n型层由碳酸锂、叠氮化锂、叠氮化铯或碳酸铯掺杂于电子传输材料中形成，所述中间层由2,3,5,6-四氟-7,7’,8,8’-四氰醌-二甲烷、1,3,4,5,7,8-六氟-四氰-二甲对萘醌、2,2'-(2,5-二氰基-3,6-二氟环己烷-2,5-二烯-1,4-二亚基)二丙二腈或2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂三亚苯形成，所述p型层由三氧化铼、五氧化二钒、氧化钼或三氧化钨掺杂于空穴传输材料中形成；
采用真空蒸镀在所述p型层上形成第二发光功能层；
采用热蒸发或电子束蒸发技术在所述第二发光功能层上形成阴极，得到有机电致发光器件。
上述有机电致发光器件的第一发光功能层和第二发光功能层之间设置包括n型层、中间层和p型层的电荷生成层，这种电荷生成层能够产生较多的电荷（电子和空穴），并能够提高电荷的分离和传输效率，从而可以降低驱动电流、提高发光效率。
附图说明
图1为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图；
图2为一实施方式的有机电致发光器件的制备方法流程图；
图3为实施例1和对比例1的有机电致发光器件的亮度-电流密度特性曲线。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。
请参阅图1，一实施方式的有机电致发光器件100，包括依次层叠的基板10、阳极20、第一发光功能层30、电荷生成层40、第二发光功能层50和阴极60。
基板10为透明基板，可以采用透明玻璃基板或聚醚砜树脂基板。本实施方式采用透明玻璃基板。
阳极20由铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铝锌氧化物(AZO)或镓锌氧化物(GZO)形成。阳极20的厚度为70～200纳米。
第一发光功能层30包括依次层叠于阳极20上的第一空穴注入层（图未示）、第一空穴传输层（图未示）、第一发光层（图未示）和第一空穴阻挡层（图未示）。
第一空穴注入层由酞菁锌(ZnPc)、酞菁铜(CuPc)、酞菁氧钒(VOPc)、酞菁氧钛(TiOPc)、酞菁铂(PtPc)或4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)形成。
第一空穴传输层由4,4',4''-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺)(2-TNATA)、4,4',4''-三(1-萘基苯基氨基)三苯基胺(1-TNATA)、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)、N,N′-二(α-萘基)-N,N′-二苯基-4,4′-联苯胺(α-NPD)、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(TPD)、(N,N,N',N’-四甲氧基苯基)-对二氨基联苯(MeO-TPD)、2,7-双(N,N-二(4-甲氧基苯基）氨基)-9,9-螺二芴)(MeO-Sprio-TPD)、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、1,1-二(4-(N,N′-二(p-甲苯基)氨基)苯基)环己烷(TAPC)或2,2′,7,7′-四(N,N-二苯胺基)-9,9′-螺二芴(S-TAD)形成。
第一空穴注入层和第一空穴传输层的厚度均为10～60纳米。
第一发光层由第一发光材料掺杂于第一空穴传输材料或第一电子传输材料中形成。第一发光材料占第一发光层的质量百分比为1～15%。
第一发光材料选自4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、10-(2-苯并噻唑)-2,3,6,7-四氢-1,1,7,7,-四甲基L-1H,5H,11H-[1]苯丙吡喃酮基[6,7,8-IJ]喹嗪-11-酮(C545T)、二(2-甲基-8-羟基喹啉)-(4-联苯酚)铝(BALQ)、4-(二腈甲烯基)-2-异丙基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTI)、二甲基喹吖啶酮(DMQA)、8-羟基喹啉铝(Alq3)、5,6,11,12-四苯基萘并萘(Rubrene)、4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-联苯(DPVBi)、双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱(FIrpic)、双(4,6-二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合铱(FCNIrpic)、双(4,6-二氟-5-氰基苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酸合铱(FIrN4)、二(2′,4′-二氟苯基)吡啶](四唑吡啶)合铱(Ir(MDQ)2(acac))、二(2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱(Ir(piq)2(acac))、二(1-苯基异喹啉)(乙酰丙酮)合铱(Ir(ppy)2(acac))、乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)铱(Ir(piq)3)、三(1-苯基-异喹啉)合铱及三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)中的至少一种。
第一空穴传输材料为4,4',4''-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺(2-TNATA)、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、N,N,N',N’-四甲氧基苯基)-对二氨基联苯(MeO-TPD)或4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)。
第一电子传输材料为2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1,3,4-噁二唑(PBD)、(8-羟基喹啉)-铝(Alq3)、4,7-二苯基-邻菲咯啉(Bphen)、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)或2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲(BCP)。
第一发光层的厚度为5～20纳米。
第一空穴阻挡层由2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1,3,4-噁二唑(PBD)、(8-羟基喹啉)-铝(Alq3)、4,7-二苯基-邻菲咯啉(Bphen)、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲(BCP)、1,2,4-三唑衍生物(TAZ)或双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1'-联苯-4-羟基)铝)(BAlq)形成。
第一空穴阻挡层的厚度优选为10～60纳米。
电荷生成层40包括依次层叠于第一发光功能层30上的n型层41、中间层42和p型层43。
n型层41由碳酸锂(Li2CO3)、叠氮化锂(LiN3)、叠氮化铯(CsN3)或碳酸铯(Cs2CO3)掺杂于电子传输材料中形成。碳酸锂(Li2CO3)、叠氮化锂(LiN3)、叠氮化铯(CsN3)或碳酸铯(Cs2CO3)占n型层41的质量百分比为5～30%。
电子传输材料为2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1,3,4-噁二唑(PBD)、4,7-二苯基-邻菲咯啉(Bphen)、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)或2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲(BCP)。
优选地，n型层41的厚度为5～20纳米。
中间层42由2,3,5,6-四氟-7,7’,8,8’-四氰醌-二甲烷(F4-TCNQ)、1,3,4,5,7,8-六氟-四氰-二甲对萘醌(F6-TNAP)、2,2'-(2,5-二氰基-3,6-二氟环己烷-2,5-二烯-1,4-二亚基)二丙二腈(F2-HCNQ)或2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂三亚苯(HAT-CN)形成。
优选地，中间层42的厚度为2～8纳米。
p型层43由三氧化铼(ReO3)、五氧化二钒(V2O5)、氧化钼(MoO3)或三氧化钨(WO3)掺杂于空穴传输材料中形成。三氧化铼(ReO3)、五氧化二钒(V2O5)、氧化钼(MoO3)或三氧化钨(WO3)占p型层43的质量百分比为5～35%。
空穴传输材料为4,4',4''-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺(2-TNATA)、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)或(N,N,N',N’-四甲氧基苯基)-对二氨基联苯(MeO-TPD)。
优选地，p型层43的厚度为5～20纳米。
第二发光功能层50包括依次层叠于p型层43上的第二空穴传输层（图未示）、第二发光层（图未示）和第二电子传输层（图未示）。
第二空穴传输层和第一空穴传输层的材料相同。第二电子传输层的材料与第一空穴阻挡层的材料相同。
第二空穴传输层和第二电子传输层的厚度均为10～60纳米。
第二发光层由第二发光材料掺杂于第二空穴传输材料或第二电子传输材料中形成。第二发光材料占第二发光层的质量百分比为1～15%。
第二发光材料与第一发光材料相同。第二空穴传输材料与第一空穴传输材料相同。第二电子传输材料与第一电子传输材料相同。
优选地，第二发光层的厚度为5～20纳米。
阴极60由银(Ag)、铝(Al)、镁-银(Mg-Ag)合金或镁-铝(Mg-Al)合金形成。阴极60的厚度为70～200纳米。
有机电致发光器件100的第一发光功能层30和第二发光功能层50之间设置包括n型层41、中间层42和p型层43的电荷生成层40，电荷生成层40能够产生较多的电荷（电子和空穴），并能够提高电荷的分离和传输效率，从而可以降低驱动电流、提高发光效率。
请参阅图2，一实施方式的有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤：
步骤S110：提供基板，采用真空溅射在基板在形成阳极。
基板优选为透明玻璃基板。采用真空溅射在透明玻璃基板上形成阳极。
阳极由铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铝锌氧化物(AZO)或镓锌氧化物(GZO)形成。阳极的厚度为70～200纳米。
真空溅射的真空度为5×10-4Pa。
步骤S120：采用真空蒸镀在阳极上形成第一发光功能层。
第一发光功能层包括依次层叠于阳极上的第一空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层和第一空穴阻挡层。
第一空穴注入层由酞菁锌(ZnPc)、酞菁铜(CuPc)、酞菁氧钒(VOPc)、酞菁氧钛(TiOPc)、酞菁铂(PtPc)或4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)形成。
第一空穴传输层由4,4',4''-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺)(2-TNATA)、4,4',4''-三(1-萘基苯基氨基)三苯基胺(1-TNATA)、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)、N,N′-二(α-萘基)-N,N′-二苯基-4,4′-联苯胺(α-NPD)、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(TPD)、(N,N,N',N’-四甲氧基苯基)-对二氨基联苯(MeO-TPD)、2,7-双(N,N-二(4-甲氧基苯基）氨基)-9,9-螺二芴)(MeO-Sprio-TPD)、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、1,1-二(4-(N,N′-二(p-甲苯基)氨基)苯基)环己烷(TAPC)或2,2′,7,7′-四(N,N-二苯胺基)-9,9′-螺二芴(S-TAD)形成。
第一空穴注入层和第一空穴传输层的厚度均为10～60纳米。
第一发光层由第一发光材料掺杂于第一空穴传输材料或第一电子传输材料中形成。第一发光材料占第一发光层的质量百分比为1～15%。
第一发光材料选自4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、10-(2-苯并噻唑)-2,3,6,7-四氢-1,1,7,7,-四甲基L-1H,5H,11H-[1]苯丙吡喃酮基[6,7,8-IJ]喹嗪-11-酮(C545T)、二(2-甲基-8-羟基喹啉)-(4-联苯酚)铝(BALQ)、4-(二腈甲烯基)-2-异丙基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTI)、二甲基喹吖啶酮(DMQA)、8-羟基喹啉铝(Alq3)、5,6,11,12-四苯基萘并萘(Rubrene)、4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-联苯(DPVBi)、双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱(FIrpic)、双(4,6-二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合铱(FCNIrpic)、双(4,6-二氟-5-氰基苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酸合铱(FIrN4)、二(2′,4′-二氟苯基)吡啶](四唑吡啶)合铱(Ir(MDQ)2(acac))、二(2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱(Ir(piq)2(acac))、二(1-苯基异喹啉)(乙酰丙酮)合铱(Ir(ppy)2(acac))、乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)铱(Ir(piq)3)、三(1-苯基-异喹啉)合铱及三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)中的至少一种。
第一空穴传输材料为4,4',4''-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺(2-TNATA)、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)或N,N,N',N’-四甲氧基苯基)-对二氨基联苯(MeO-TPD)。
第一电子传输材料为2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1,3,4-噁二唑(PBD)、4,7-二苯基-邻菲咯啉(Bphen)、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)或2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲(BCP)。
第一发光层的厚度为5～20纳米。
第一空穴阻挡层由2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1,3,4-噁二唑(PBD)、(8-羟基喹啉)-铝(Alq3)、4,7-二苯基-邻菲咯啉(Bphen)、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲(BCP)、1,2,4-三唑衍生物(TAZ)或双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1'-联苯-4-羟基)铝)(BAlq)形成。
第一空穴阻挡层的厚度优选为10～60纳米，优选为15nm。
真空蒸镀的真空度为5×10-4Pa。
步骤S130：采用真空蒸镀在第一发光功能层上依次形成n型层、中间层和p型层，得到电荷生成层。
电荷生成层包括依次层叠于第一发光功能层上的n型层、中间层和p型层。
n型层由碳酸锂(Li2CO3)、叠氮化锂(LiN3)、叠氮化铯(CsN3)或碳酸铯(Cs2CO3)掺杂于电子传输材料中形成。碳酸锂(Li2CO3)、叠氮化锂(LiN3)、叠氮化铯(CsN3)或碳酸铯(Cs2CO3)占n型层的质量百分比为5～30%。
电子传输材料为2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1,3,4-噁二唑(PBD)、4,7-二苯基-邻菲咯啉(Bphen)、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)或2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲(BCP)。
优选地，n型层的厚度为5～20纳米。
中间层由2,3,5,6-四氟-7,7’,8,8’-四氰醌-二甲烷(F4-TCNQ)、1,3,4,5,7,8-六氟-四氰-二甲对萘醌(F6-TNAP)、2,2'-(2,5-二氰基-3,6-二氟环己烷-2,5-二烯-1,4-二亚基)二丙二腈(F2-HCNQ)或2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂三亚苯(HAT-CN)形成。
优选地，中间层的厚度为2～8纳米。
p型层由三氧化铼(ReO3)、五氧化二钒(V2O5)、氧化钼(MoO3)或三氧化钨(WO3)掺杂于空穴传输材料中形成。三氧化铼(ReO3)、五氧化二钒(V2O5)、氧化钼(MoO3)或三氧化钨(WO3)占p型层的质量百分比为5～35%。
空穴传输材料为4,4',4''-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺(2-TNATA)、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)或N,N,N',N’-四甲氧基苯基)-对二氨基联苯(MeO-TPD)。
优选地，p型层的厚度为5～20纳米。
真空蒸镀的真空度为5×10-4Pa。
步骤S140：采用真空蒸镀在p型层上形成第二发光功能层。
第二发光功能层包括依次层叠于p型层上的第二空穴传输层、第二发光层和第二电子传输层。
第二空穴传输层和第一空穴传输层的材料相同。第二电子传输层的材料与第一空穴阻挡层的材料相同。
第二空穴传输层和第二电子传输层的厚度均为10～60纳米。
第二发光层由第二发光材料掺杂于第二空穴传输材料或第二电子传输材料中形成。第二发光材料占第二发光层的质量百分比为1～15%。
第二发光材料与第一发光材料相同。第二空穴传输材料与第一空穴传输材料相同。第二电子传输材料与第一电子传输材料相同。
真空蒸镀的真空度为5×10-4Pa。
步骤S150：采用热蒸发或电子束蒸发技术在第二发光功能层上形成阴极，得到有机电致发光器件。
阴极由银(Ag)、铝(Al)、镁-银(Mg-Ag)合金或镁-铝(Mg-Al)合金形成。阴极的厚度为70～200纳米。
上述有机电致发光器件的制备方法，采用真空溅射在基板上形成阳极，采用真空蒸镀在阳极上形成第一发光功能层、电荷生成层和第二发光功能层，采用热蒸发或电子束蒸发技术在第二发光功能层上形成阴极。该制备方法工艺简单，易于大规模制备。
阴极优选采用电子束蒸发技术形成。电子束蒸发设备结构简单，成本低廉，而且可以蒸发高熔点材料，尤其是在蒸镀合金时可以实现快速蒸发，避免合金的分馏，其镀膜质量也可以达到较高水平，有利于形成性能稳定的有机电致发光器件。
以下为具体实施例。
实施例1
结构为Glass/ITO/CuPc/NPB/DCJTB:Alq3/TPBi/LiN3:TPBi/HAT-CN/ReO3:NPB/NPB/DCJTB:Alq3/TPBi/Ag的有机电致发光器件的制备
(1)提供透明玻璃作为基板，表示为Glass。将透明玻璃放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，再用氮气吹干；
(2)采用真空溅射在清洗干燥后的透明玻璃上形成阳极。真空度为5×10-4Pa。阳极由铟锡氧化物(ITO)形成。阳极的厚度为100nm；
(3)采用真空蒸镀在阳极上依次形成第一空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层和第一空穴阻挡层。真空度为5×10-4Pa。第一空穴注入层由酞菁铜(CuPc)形成，第一空穴注入层的厚度为10纳米。第一空穴传输层由N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)形成，第一空穴传输层的厚度为40纳米；第一发光层由第一发光材料掺杂于第一电子传输材料中形成，第一发光材料为4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)，第一电子传输材料为(8-羟基喹啉)-铝(Alq3)，第一发光层表示为DCJTB:Alq3，其中DCJTB占第一发光层的质量百分比为1%，第一发光层的厚度为10纳米；第一空穴阻挡层由1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)形成，第一空穴阻挡层的厚度为50纳米；第一空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层和第一空穴阻挡层依次层叠得到第一发光功能层，表示为CuPc/NPB/DCJTB:Alq3/TPBi；
(4)采用真空蒸镀在第一空穴阻挡层的表面依次形成n型层、中间层和p型层。真空度为5×10-4Pa。n型层由叠氮化锂(LiN3)掺杂于电子传输材料1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)中形成，表示为LiN3:TPBi，其中LiN3占n型层的质量百分比为20%，n型层的厚度为15纳米；中间层由2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂三亚苯(HAT-CN)形成，中间层的厚度为5纳米；p型层由三氧化铼(ReO3)掺杂于空穴传输材料N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)中形成，表示为ReO3:NPB，其中ReO3占p型层的质量百分比为20%，p型层的厚度为15纳米；n型层、中间层和p型层依次层叠得到电荷生成层；
(5)采用真空蒸镀在p型层上依次形成第二空穴传输层、第二发光层和第二电子传输层。真空度为5×10-4Pa。第二空穴传输层由N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)形成，第二空穴传输层的厚度为50纳米；第二发光层由第二发光材料掺杂于第二电子传输材料中形成，第二发光材料为4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)，第二电子传输材料为(8-羟基喹啉)-铝(Alq3)，第二发光层表示为DCJTB:Alq3，其中Alq3占第二发光层的质量百分比为1%，第二发光层的厚度为10纳米；第二电子传输层由1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)形成，第二空穴阻挡层的厚度为50纳米；第二空穴传输层、第二发光层和第二空穴阻挡层依次层叠得到第二发光功能层，表示为NPB/DCJTB:Alq3/TPBi；
(6)采用热蒸发技术在第二电子传输层上形成阴极。真空度为5×10-4Pa。阴极由阴(Ag)形成，阴极的厚度为100纳米。
依次层叠的基板、阳极、第一发光功能层、电荷生成层、第二发光功能层和阴极得到结构为Glass/ITO/CuPc/NPB/DCJTB:Alq3/TPBi/LiN3:TPBi/HAT-CN/ReO3:NPB/NPB/DCJTB:Alq3/TPBi/Ag的有机电致发光器件。
实施例2
结构为Glass/IZO/ZnPc/TPD/C545T:Alq3/PBD/CsN3:Bphen/F4-TCNQ/WO3:MeO-TPD/TPD/C545T:Alq3/Bphen/Al的有机电致发光器件的制备
(1)提供透明玻璃作为基板，表示为Glass。将透明玻璃放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，再用氮气吹干；
(2)采用真空溅射在清洗干燥后的透明玻璃上形成阳极。真空度为5×10-4Pa。阳极的材料为铟锌氧化物(IZO)。阳极的厚度为70nm；
(3)采用真空蒸镀在阳极上依次形成第一空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层和第一空穴阻挡层。真空度为5×10-4Pa。第一空穴注入层由酞菁锌(ZnPc)形成，第一空穴注入层的厚度为10纳米。第一空穴传输层由N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(TPD)形成，第一空穴传输层的厚度为60纳米；第一发光层由第一发光材料掺杂于第一电子传输材料中形成，第一发光材料为10-(2-苯并噻唑)-2,3,6,7-四氢-1,1,7,7,-四甲基L-1H,5H,11H-[1]苯丙吡喃酮基[6,7,8-IJ]喹嗪-11-酮(C545T)，第一电子传输材料为(8-羟基喹啉)-铝(Alq3)，第一发光层表示为C545T:Alq3，其中C545T占第一发光层的质量百分比为10%，第一发光层的厚度为20纳米；第一空穴阻挡层由2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1,3,4-噁二唑(PBD)形成，第一空穴阻挡层的厚度为60纳米；第一空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层和第一空穴阻挡层依次层叠得到第一发光功能层，表示为ZnPc/TPD/C545T:Alq3/PBD；
(4)采用真空蒸镀在第一空穴阻挡层的表面依次形成n型层、中间层和p型层。真空度为5×10-4Pa。n型层由叠氮化铯(CsN3)掺杂于电子传输材料4,7-二苯基-邻菲咯啉(Bphen)中形成，表示为CsN3:Bphen，其中CsN3占n型层的质量百分比为5%，n型层的厚度为5纳米；中间层由2,3,5,6-四氟-7,7’,8,8’-四氰醌-二甲烷(F4-TCNQ)形成，中间层的厚度为2纳米；p型层由三氧化钨(WO3)掺杂于空穴传输材料(N,N,N',N’-四甲氧基苯基)-对二氨基联苯(MeO-TPD)中形成，表示为WO3:MeO-TPD，其中WO3占p型层的质量百分比为5%，p型层的厚度为5纳米；n型层、中间层和p型层依次层叠得到电荷生成层；
(5)采用真空蒸镀在p型层上依次形成第二空穴传输层、第二发光层和第二电子传输层。真空度为5×10-4Pa。第二空穴传输层由N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(TPD)形成，第二空穴传输层的厚度为40纳米；第二发光层由第二发光材料掺杂于第二电子传输材料中形成，第二发光材料为10-(2-苯并噻唑)-2,3,6,7-四氢-1,1,7,7,-四甲基L-1H,5H,11H-[1]苯丙吡喃酮基[6,7,8-IJ]喹嗪-11-酮(C545T)，第一电子传输材料为(8-羟基喹啉)-铝(Alq3)，第二发光层表示为C545T:Alq3，其中Alq3占第二发光层的质量百分比为10%，第二发光层的厚度为20纳米；第二电子传输层由4,7-二苯基-邻菲咯啉(Bphen)形成，第二电子传输层的厚度为40纳米；第二空穴传输层、第二发光层和第二电子传输层依次层叠得到第二发光功能层，表示为TPD/C545T:Alq3/Bphen；
(6)采用电子束蒸发技术在第二电子传输层上形成阴极。真空度为5×10-4Pa。阴极由银(Al)形成，阴极的厚度为70纳米。
依次层叠的基板、阳极、第一发光功能层、电荷生成层、第二发光功能层和阴极得到结构为Glass/IZO/ZnPc/TPD/C545T:Alq3/PBD/CsN3:Bphen/F4-TCNQ/WO3:MeO-TPD/TPD/C545T:Alq3/Bphen/Al的有机电致发光器件。
实施例3
结构为Glass/AZO/CuPc/NPB/Ir(MDQ)2(acac):NPB/TPBi/Li2CO3:BCP/F6-TNAP/MoO3:2-TNATA/NPB/Ir(ppy)3:TCTA/TPBi/Mg-Ag的有机电致发光器件的制备
(1)提供透明玻璃作为基板，表示为Glass。将透明玻璃放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，再用氮气吹干；
(2)采用真空溅射在清洗干燥后的透明玻璃上形成阳极。真空度为5×10-4Pa。阳极的材料为铝锌氧化物(AZO)。阳极的厚度为100nm；
(3)采用真空蒸镀在阳极上依次形成第一空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层和第一空穴阻挡层。真空度为5×10-4Pa。第一空穴注入层由酞菁铜(CuPc)形成，第一空穴注入层的厚度为10纳米。第一空穴传输层由N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)形成，第一空穴传输层的厚度为40纳米；第一发光层由第一发光材料掺杂于第一空穴传输材料中形成，第一发光材料为二(2′,4′-二氟苯基)吡啶](四唑吡啶)合铱Ir(MDQ)2(acac)，第一空穴传输材料为N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)，第一发光层表示为Ir(MDQ)2(acac):NPB，其中Ir(MDQ)2(acac)占第一发光层的质量百分比为10%，第一发光层的厚度为10纳米；第一空穴阻挡层由1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)形成，第一空穴阻挡层的厚度为50纳米；第一空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层和第一空穴阻挡层依次层叠得到第一发光功能层，表示为CuPc/NPB/Ir(MDQ)2(acac):NPB/TPBi；
(4)采用真空蒸镀在第一空穴阻挡层的表面依次形成n型层、中间层和p型层。真空度为5×10-4Pa。n型层由碳酸锂(Li2CO3)掺杂于电子传输材料2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲(BCP)中形成，表示为Li2CO3:BCP，其中Li2CO3占n型层的质量百分比为35%，n型层的厚度为20纳米；中间层由1,3,4,5,7,8-六氟-四氰-二甲对萘醌(F6-TNAP)形成，中间层的厚度为8纳米；p型层由氧化钼(MoO3)掺杂于空穴传输材料4,4',4''-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺(2-TNATA)中形成，表示为MoO3:2-TNATA，其中MoO3占p型层的质量百分比为35%，p型层的厚度为20纳米；n型层、中间层和p型层依次层叠得到电荷生成层；
(5)采用真空蒸镀在p型层上依次形成第二空穴传输层、第二发光层和第二电子传输层。真空度为5×10-4Pa。第二空穴传输层由N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)形成，第二空穴传输层的厚度为50纳米；第二发光层由第二发光材料掺杂于第二电子传输材料中形成，第二发光材料为三(1-苯基-异喹啉)合铱及三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)，第一电子传输材料为4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)，第二发光层表示为Ir(ppy)3:TCTA，其中Ir(ppy)3占第二发光层的质量百分比为10%，第二发光层的厚度为1纳米；第二电子传输层由1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)形成，第二电子传输层的厚度为50纳米；第二空穴传输层、第二发光层和第二电子传输层依次层叠得到第二发光功能层，表示为NPB/Ir(ppy)3:TCTA/TPBi；
(6)采用热蒸发技术在第二电子传输层上形成阴极。真空度为5×10-4Pa。阴极由镁-银(Mg-Al)合金形成，阴极的厚度为200纳米。
依次层叠的基板、阳极、第一发光功能层、电荷生成层、第二发光功能层和阴极得到结构为Glass/AZO/CuPc/NPB/Ir(MDQ)2(acac):NPB/TPBi/Li2CO3:BCP/F6-TNAP/MoO3:2-TNATA/NPB/Ir(ppy)3:TCTA/TPBi/Mg-Ag的有机电致发光器件。
实施例4
结构为Glass/ITO/ZnPc/NPB/FIrpic:TPBi/TPBi/Cs2CO3:PBD/F2-HCNQ/V2O5:m-MTDATA/NPB/FIrpic:TPBi/TPBi/Mg-Ag的有机电致发光器件的制备
(1)提供透明玻璃作为基板，表示为Glass。将透明玻璃放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，再用氮气吹干；
(2)采用真空溅射在清洗干燥后的透明玻璃上形成阳极。真空度为5×10-4Pa。阳极的材料为铟锡氧化物(ITO)。阳极的厚度为100nm；
(3)采用真空蒸镀在阳极上依次形成第一空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层和第一空穴阻挡层。真空度为5×10-4Pa。第一空穴注入层由酞菁锌(ZnPc)形成，第一空穴注入层的厚度为10纳米。第一空穴传输层由N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)形成，第一空穴传输层的厚度为30纳米；第一发光层由第一发光材料掺杂于第一电子传输材料中形成，第一发光材料为双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱(FIrpic)，第一电子传输材料为1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)，第一发光层表示为FIrpic:TPBi，其中，FIrpic占第一发光层的质量百分比为10%，第一发光层的厚度为2纳米；第一空穴阻挡层由1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)形成，第一空穴阻挡层的厚度为40纳米；第一空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层和第一空穴阻挡层依次层叠得到第一发光功能层，表示为ZnPc/NPB/FIrpic:TPBi/TPBi；
(4)采用真空蒸镀在第一空穴阻挡层的表面依次形成n型层、中间层和p型层。真空度为5×10-4Pa。n型层由碳酸铯(CsCO3)掺杂于电子传输材料2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1,3,4-噁二唑(PBD)中形成，表示为CsCO3:PBD，其中CsCO3占n型层的质量百分比为10%，n型层的厚度为10纳米；中间层由2,2'-(2,5-二氰基-3,6-二氟环己烷-2,5-二烯-1,4-二亚基)二丙二腈(F2-HCNQ)形成，中间层的厚度为4纳米；p型层由五氧化二钒(V2O5)掺杂于空穴传输材料4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)中形成，表示为V2O5:m-MTDATA，其中V2O5占p型层的质量百分比为15%，p型层的厚度为15纳米；n型层、中间层和p型层依次层叠得到电荷生成层；
(5)采用真空蒸镀在p型层上依次形成第二空穴传输层、第二发光层和第二电子传输层。真空度为5×10-4Pa。第二空穴传输层由N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)形成，第二空穴传输层的厚度为30纳米；第二发光层由第二发光材料掺杂于第二空穴传输材料中形成，第二发光材料为5,6,11,12-四苯基萘并萘(Rubrene)，第二空穴传输材料为N,N,N',N’-四甲氧基苯基)-对二氨基联苯(MeO-TPD)，第二发光层表示为Rubrene:MeO-TPD，其中Rubrene占第二发光层的质量百分比为10%，第二发光层的厚度为2纳米；第二电子传输层由1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)形成，第二电子传输层的厚度为50纳米；第二空穴传输层、第二发光层和第二电子传输层依次层叠得到第二发光功能层，表示为NPB/Rubrene:MeO-TPD/TPBi；
(6)采用电子束蒸发技术在第二电子传输层上形成阴极。真空度为5×10-4Pa。阴极由镁-铝(Mg-Al)合金形成，阴极的厚度为200纳米。
依次层叠的基板、阳极、第一发光功能层、电荷生成层、第二发光功能层和阴极得到结构为Glass/ITO/ZnPc/NPB/FIrpic:TPBi/TPBi/Cs2CO3:PBD/F2-HCNQ/V2O5:m-MTDATA/NPB/FIrpic:TPBi/TPBi/Mg-Ag的有机电致发光器件。
对比例1
结构为Glass/ITO/CuPc/NPB/DCJTB:Alq3/TPBi/Ag的有机电致发光器件的制备
(1)提供透明玻璃作为基板，表示为Glass。将透明玻璃放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，再用氮气吹干；
(2)采用真空溅射在清洗干燥后的透明玻璃上形成阳极。真空度为5×10-4Pa。阳极由铟锡氧化物(ITO)形成。阳极的厚度为100nm；
(3)采用真空蒸镀在阳极上依次形成第一空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层和第一空穴阻挡层。真空度为5×10-4Pa。第一空穴注入层由酞菁铜(CuPc)形成，第一空穴注入层的厚度为10纳米。第一空穴传输层由N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)形成，第一空穴传输层的厚度为40纳米；第一发光层由第一发光材料掺杂于第一电子传输材料中形成，第一发光材料为4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)，第一电子传输材料为(8-羟基喹啉)-铝(Alq3)，第一发光层表示为DCJTB:Alq3，其中DCJTB占第一发光层的质量百分比为1%，第一发光层的厚度为10纳米；第一空穴阻挡层由1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)形成，第一空穴阻挡层的厚度为50纳米；第一空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层和第一空穴阻挡层依次层叠得到第一发光功能层，表示为CuPc/NPB/DCJTB:Alq3/TPBi；
(4)采用热蒸发技术在第二空穴阻挡层上形成阴极。真空度为5×10-4Pa。阴极由阴(Ag)形成，阴极的厚度为100纳米。
依次层叠的基板、阳极、第一发光功能层和阴极得到结构为Glass/ITO/CuPc/NPB/DCJTB:Alq3/TPBi/Ag的有机电致发光器件。
表1是实施例1～4和对比例1所制作的器件的发光效率，从表1可以看出，实施例1～4的有机电致发光器件与对比例1的有机电致发光器件相比，由于采用了电荷生成层，使电子和空穴在电场的作用下，在电荷生成层中发生分离，并分别向第一发光功能层和第二发光功能层移动，从而使同样的驱动电流可以获得更高的发光效率。
表1实施例1～4及实施例1的有机电致发光器件的发光效率
实施例及对比例1 发光效率(cd/A)
实施例1 21.5
实施例2 19.2
实施例3 25.5
实施例4 16.3
对比例1 11.3
图3为实施例1及对比例1的有机电致发光器件的亮度-电流密度特性曲线。由图3可看出，在相同的驱动电流下，由于实施例1的电荷生成层产生了电荷分离，在两个发光区（第一发光功能层和第二发光功能层）内，均能获得相同的注入电子和空穴，因此在相同的驱动电流下，其亮度明显提高。
由此可见，实施例1～4的有机电致发光器件具有驱动电流小、发光效率高的优点。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种有机电致发光器件，包括基板、阳极和阴极，其特征在于，还包括第一发光功能层、第二发光功能层和电荷生成层，所述阳极层叠于所述基板上，所述第一发光功能层层叠于所述阳极上，所述电荷生成层包括依次层叠于所述第一发光功能层上的n型层、中间层和p型层，所述第二发光功能层和阴极依次层叠于所述p型层上；其中，所述n型层由碳酸锂、叠氮化锂、叠氮化铯或碳酸铯掺杂于电子传输材料中形成，所述中间层由2,3,5,6-四氟-7,7’,8,8’-四氰醌-二甲烷、1,3,4,5,7,8-六氟-四氰-二甲对萘醌、2,2'-(2,5-二氰基-3,6-二氟环己烷-2,5-二烯-1,4-二亚基)二丙二腈或2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂三亚苯形成，所述p型层由三氧化铼、五氧化二钒、氧化钼或三氧化钨掺杂于空穴传输材料中形成。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述碳酸锂、叠氮化锂、叠氮化铯或碳酸铯占所述n型层的质量百分比为5～30%。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述三氧化铼、五氧化二钒、氧化钼或三氧化钨占所述p型层的质量百分比为5～35%。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子传输材料为2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1,3,4-噁二唑、4,7-二苯基-邻菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯或2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输材料为4,4',4''-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺或N,N,N',N’-四甲氧基苯基)-对二氨基联苯。
6.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述n型层的厚度为5～20纳米，所述中间层的厚度为2～8纳米，所述p型层的厚度为5～20纳米。
7.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第一发光功能层包括依次层叠于所述阳极上的第一空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层和第一空穴阻挡层，所述第二发光功能层包括依次层叠于所述p型层上的第二空穴传输层、第二发光层和第二电子传输层。
8.根据权利要求7所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第一空穴注入层、第一空穴传输层、第一空穴阻挡层、第二空穴传输层和第二电子传输层的厚度均为10～60纳米，所述第一发光层和第二发光层的厚度均为5～20纳米。
9.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述阳极由铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锌氧化物或镓锌氧化物形成，所述阳极的厚度为70～200纳米；所述阴极由银、铝、镁-银合金或镁-铝合金形成，所述阴极的厚度为70～200纳米。
10.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供基板，采用真空溅射在所述基板在形成阳极；
采用真空蒸镀在所述阳极上形成第一发光功能层；
采用真空蒸镀在所述第一发光功能层上依次形成n型层、中间层和p型层，得到电荷生成层；其中，所述n型层由碳酸锂、叠氮化锂、叠氮化铯或碳酸铯掺杂于电子传输材料中形成，所述中间层由2,3,5,6-四氟-7,7’,8,8’-四氰醌-二甲烷、1,3,4,5,7,8-六氟-四氰-二甲对萘醌、2,2'-(2,5-二氰基-3,6-二氟环己烷-2,5-二烯-1,4-二亚基)二丙二腈或2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂三亚苯形成，所述p型层由三氧化铼、五氧化二钒、氧化钼或三氧化钨掺杂于空穴传输材料中形成；
采用真空蒸镀在所述p型层上形成第二发光功能层；
采用热蒸发或电子束蒸发技术在所述第二发光功能层上形成阴极，得到有机电致发光器件。
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CN101128936A (zh) * 2005-02-23 2008-02-20 伊斯曼柯达公司 具有有机中间连接器的串联oled
CN101960632A (zh) * 2008-01-30 2011-01-26 全球Oled科技有限责任公司 具有中间连接体的串联oled器件

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