CN104037309A - 一种led的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种LED的制造方法，包括如下步骤：1）将荧光粉和透明树脂材料混合均匀后形成混合料；2）将混合料制成厚度均匀的荧光粉膜片；3）在芯片或SMD支架的表面涂覆上一层粘结胶体层；4）将荧光粉膜片贴敷在芯片或SMD支架表面的粘结胶体层上，进行固化后得到LED成品。采用荧光粉膜片后，由于荧光粉与芯片之间的距离缩短，有利于改善光效，采用荧光粉膜片法封装的白光LED的光效较点胶法封装的白光LED的高约2.5~3%。由于荧光粉膜片可以有效提升出光均匀性，提高色区集中度，降低色容差；因此采用荧光粉膜片法封装的白光LED的光色指标波动明显较小，而现有点胶法制作的白光LED的指标波动幅度较大。
Description
技术领域
本发明涉及LED领域，具体涉及一种LED的制造方法。
背景技术
近年来，随着发光二极管（LED）的发光效率的逐渐提高以及成本的逐渐下降，半导体照明逐渐成为现代照明的发展趋势。白光LED具有耗电量小、寿命长、环保等许多其它光源无可比拟的特殊优点，被誉为继白炽灯、日光灯和节能灯之后的第四代照明电光源，被称为“21世纪绿色光源”。
目前主流的的商用白光LED的封装技术是采用点胶技术进行封装，即将荧光粉与硅胶进行混合，再涂敷到固有芯片的支架内部，经高温烘烤固化处理后制成白光LED灯珠。该方法工艺简单，由于配套的产业化设备的技术不断提升，一方面不断改进点胶量的控制精度，从而提升光色集中度；另一方面，点胶机的点胶频率不断提升，从而提高生产效率。但是随着人们对光色质量和使用寿命要求越来越高，目前的点胶法封装技术已经不能很好的满足需求，主要表现在无法同时在光效、光色一致性和成本这三个关键因素上实现最佳组合。主要原因有以下三个方面：（1）在制作彩色或高显色白光LED时需要同时采用铝酸盐黄绿粉和氮化物红粉或其他成分体系的荧光粉，但不同体系荧光粉的比重也存在较大差异，导致荧光粉颗粒在胶体的沉降速度存在较大的差异，由此造成光色一致性较差，尤其是不同体系荧光粉在胶体中会产生分层现象，造成光色一致性变差，产生相当比例的档外品，导致生产成本上升。（2）尽管荧光粉的制造水平不断提升，颗粒粒径分布系数不断降低，但仍有一定分布宽度，因此在点胶过程中，不同粒径的颗粒在胶体中的沉降速度会存在差异。（3）采用点胶法制作的灯珠中，荧光粉颗粒中胶体的沉降速度不同还会导致在芯片表面的堆积状态存在明显差异。在工作状态下，靠近芯片的荧光粉颗粒环境温度较高，进而也会导致荧光粉的光转换效率下降以及长期抗老化性能的下降。
发明内容
本发明的目的在于提供一种可以避免对芯片加热处理，延长芯片使用寿命；提升光色均匀性和集中度的LED的制造方法。
本发明的具体技术方案如下：
一种LED的制造方法，包括如下步骤：
1）将荧光粉和透明树脂材料混合均匀后形成混合料；
2）根据芯片的形状和尺寸，将步骤1）得到的混合料制成厚度均匀的荧光粉膜片；
3）在芯片或SMD支架的表面涂覆一层粘结胶体层；
4）将步骤2）得到的荧光粉膜片直接贴敷在芯片或SMD支架表面的粘结胶体层上，进行固化后得到LED成品
步骤1）中荧光粉与透明树脂材料的质量比为1:9~7:3。
步骤1）中，所述透明树脂材料的透光率大于90%。
所述透明树脂材料选自有机硅树脂、环氧树脂、PC树脂、PMMA树脂、硅胶、聚甲基丙烯酸树脂中的一种。
步骤1）中，所述荧光粉选自(Ba,Sr)2SiO4:Eu、(Sr,Ba)3SiO5:Eu、(Y,Gd，Lu)Al5O12:Ce、Y3(Al,Ga)5O12:Ce、(Sr,Ba)2Si5N8:Eu、(Sr,Ca,Ba)AlSiN3:Eu、Ba2Si2N2O2:Eu、β-Sialon:Eu、α-Sialon:Eu、Y3Al5O12:Ce 、（Ca,Sr)AlSiN3:Eu、Sr2Si5N8:Eu、Lu3Al5O12:Ce、(Al,Ga)5O12:Ce中的一种或两种以上任意组合。
本发明所述的荧光粉膜片的厚度取决于led的色坐标，如果色温低，则膜片较厚，色温高，则膜片薄；优选的步骤2）中荧光粉膜片的厚度为50~500μm，更优选为80~200μm。
步骤2）中荧光粉膜片采用丝网印刷法制备而成。具体步骤如下：将荧光粉与透明树脂混合均匀后，用丝网印刷机在底模上涂覆出厚度一致的膜片。具体根据芯片类型不同，会采取相应后续处理工艺。（1）如采用垂直结构芯片，芯片正面有一个或两个电极，则可通过丝网印刷法根据芯片尺寸图形制成带有电极孔的荧光粉膜片，或采用机械冲孔法加工出电极孔；（2）如果采用的是倒装芯片，则只要丝印与芯片尺寸相当的膜片即可，无需预留电极孔。
除了上述方法外，荧光粉膜片上的电极孔可以采用激光束进行刻蚀。
步骤2）中荧光粉膜片采用压延法制备而成，具体步骤如下:将混合料倒在已经预留芯片图形的底模上，盖上模板；将模具整体置于100~160℃保温60~300min，即得到荧光粉膜片。
步骤3）中粘结胶体层的厚度为5~50μm。
当LED采用垂直结构芯片时，芯片正面有一个或两个电极，所使用的荧光粉膜片上设有电极孔，所述电极孔采用激光束进行刻蚀。
步骤3）中，芯片的波长范围为320~470nm。
本发明与现有技术相比，具有如下优点：
本发明中荧光粉与透明树脂材料提前制成了固化好的荧光粉膜片，可以避免芯片长时间热处理，延长芯片寿命；
1. 采用荧光粉膜片后，由于荧光粉与芯片之间的距离缩短，有利于改善光效，采用荧光粉膜片法封装的白光LED的光效较点胶法封装的白光LED的高约2.5~3%。
2. 由于荧光粉膜片可以有效提升出光均匀性，提高色区集中度，降低色容差；因此采用荧光粉膜片法封装的白光LED的光色指标波动明显较小，而现有点胶法制作的白光LED的指标波动幅度较大。
3. 采用荧光粉膜片法可以采用粒径相对较粗的荧光粉，荧光粉的中心粒径可以达到15~25μm，因而可以获得更高的光效，并且有效兼顾光色一致性，这是现有点胶法封装技术无法比拟的。
4. 由于只是芯片表面或SMD支架的表面贴敷一层荧光粉膜片，由于可以大幅度提升出货率，甚至可以实现零分并，因而有利于降低成本。
附图说明
图1 为采用点胶法封装的LED结构示意图；
图2 为采用荧光粉膜片法封装的LED结构示意图（倒装结构芯片表面贴敷荧光粉膜片）；图3 为采用荧光粉膜片法封装的LED结构示意图（垂直结构芯片表面贴敷荧光粉膜片）；
图4为采用荧光粉膜片法封装的LED结构示意图（在SMD支架表面贴敷荧光粉膜片）；
图5为本发明所述的 荧光粉膜片（预留电极孔）的结构示意图；
图6 为实施例1和对比例1的流明值图；
图7 为实施例1和对比例1的白光LED光衰性能图；
图8为实施例2和对比例2的白光LED光衰性能图。
具体实施方式
以下结合具体实施例进一步说明本发明。
本发明所述的“流明”、“色温”采用LED光学测试系统侧出；“光衰数据”采用 LED光衰测试仪进行测量。
对比例1
称取1g的Y3Al5O12:Ce黄色荧光粉（主波长为571.2nm，粒径d50为13μm)与18克硅胶进行混合，将混合好的胶体用点胶机滴注入已经固晶（垂直结构，芯片波长为452.2nm）的支架内部，将点好胶的支架置于120℃保存120min，即制成色温为5700K左右的白光LED，白光LED的具体结构参见图1，其中1为支架，2为芯片，3为荧光粉和有机硅的混合体。
对比例2
称取2.3gY3(Al,Ga)5O12:Ce黄绿色荧光粉（主波长为561.2nm，粒径d50为12.9μm)、0.2g（Ca,Sr)AlSiN3:Eu红色荧光粉（主波长为605.2nm，粒径d50为11.52μm)与15.6克硅胶进行混合，将混合好的胶体用点胶机滴注入已经固晶（垂直结构，芯片波长为455nm）的支架内部，将点好胶的支架置于150℃保存180min，即制成色温为3012K显色指数Ra达81.1的白光LED，白光LED的具体结构参见图1，其中1为支架，2为芯片，3为荧光粉和有机硅的混合体。
对比例3
称取2.6gY3(Al,Ga)5O12:Ce黄绿色荧光粉（主波长为559.6nm，粒径d50为12.5μm)、0.2g（Ca,Sr)AlSiN3:Eu红色荧光粉（主波长为612.4nm，粒径d50为11.36μm)与14.2克硅胶进行混合，将混合好的胶体用点胶机滴注入已经固晶（垂直结构，芯片波长为457nm）的支架内部，将点好胶的支架置于150℃保存180min，即制成色温为2996K，显色指数Ra达91.6的白光LED，白光LED的具体结构参见图1，其中1为支架，2为芯片，3为荧光粉和有机硅的混合体。
对比例4
称取0.86gSr2Si5N8:Eu红色荧光粉（主波长为609.6nm，粒径d50为10.5μm)与22克硅胶进行混合，将混合好的胶体用点胶机滴注入已经固晶（垂直结构，芯片波长为455nm）的支架内部，将点好胶的支架置于150℃保存180min，即制成紫罗兰色LED，白光LED的具体结构参见图1，其中1为支架，2为芯片，3为荧光粉和有机硅的混合体。
实施例1
称取5克Y3Al5O12:Ce黄色荧光粉（主波长为571.2nm，粒径d50为13μm)）与9克的有机硅树脂进行混合，再用根据芯片图形尺寸制作好的带有掩膜的丝网进行印刷，制成厚度为100μm且分离好的荧光粉膜片，再通过激光束刻蚀出直径为120μm的电极孔。如图3所示在已经固定到支架1上的芯片2表面涂覆上厚度为15 μm的硅胶层，再将荧光粉膜片4贴敷在芯片2表面的硅胶层（垂直结构芯片，芯片波长为455nm）上，然后将该整体结构置于120℃保存120min进行固化，即制成色温为5700K的白光LED，具体结构参见图3。
实施例2
称取4gY3(Al,Ga)5O12:Ce黄绿色荧光粉（主波长为561.2nm，粒径d50为12.9μm)、0.38g（Ca,Sr)AlSiN3:Eu红色荧光粉（主波长为605.2nm，粒径d50为11.52μm)与6.5克硅胶进行混合，再用根据芯片图形尺寸制作好的带有掩膜的丝网进行印刷，制成厚度为130μm且分离好的荧光粉膜片，再通过激光束刻蚀出直径为120μm的电极孔。如图3所示在已经固定到支架1上的芯片2表面涂覆上厚度为15 μm的硅胶层，再将荧光粉膜片4贴敷在芯片2表面的硅胶层（垂直结构芯片，芯片波长为457nm）上，然后将该整体结构置于120℃保存120min进行固化，即制成色温为3021K、显色指数Ra达81.6的白光LED，具体结构参见图3。
实施例3
称取4.5gY3(Al,Ga)5O12:Ce黄绿色荧光粉（主波长为559.6nm，粒径d50为12.5μm)、0.41g（Ca,Sr)AlSiN3:Eu红色荧光粉（主波长为612.4nm，粒径d50为11.36μm)与7.2克硅胶进行混合，再用根据芯片图形尺寸制作好的带有掩膜的丝网进行印刷，制成厚度为145μm且分离好的荧光粉膜片，采用机械冲孔法加工出直径为120μm的电极孔。如图3所示在已经固定到支架1上的芯片2表面涂覆上厚度为12μm的硅胶层，再将荧光粉膜片4贴敷在芯片2表面的硅胶层（垂直结构芯片，芯片波长为457nm）上，然后将该整体结构置于120℃保存120min进行固化，即制成色温为3021K显色指数Ra达91.8的白光LED，具体结构参见图3。
实施例4
称取0.86gSr2Si5N8:Eu红色荧光粉（主波长为609.6nm，粒径d50为10.5μm)与12克硅胶进行混合制成厚度为65nm的荧光粉膜片，采用机械冲孔法加工出直径为120μm的电极孔。如图3所示在已经固定到支架1上的芯片2表面涂覆上厚度为12μm的硅胶层，再将荧光粉膜片4贴敷在芯片2表面的硅胶层（垂直结构芯片，芯片波长为445nm）上，然后将该整体结构置于150℃保存180min进行固化，制成紫罗兰色LED，具体结构参见图3。
实施例5
称取3.2克(Ba,Sr)2SiO4:Eu绿色荧光粉（主波长为545.2nm，粒径d50为14.5μm）、3.6克（Sr,Ba)3SiO5:Eu橙红色（主波长为595nm,粒径d50为14.5μm）荧光粉与11克的PMMA树脂进行混合，再用根据芯片图形尺寸制作好的带有掩膜的丝网进行印刷，制成厚度为220μm的荧光粉膜片，再通过激光束刻蚀出直径为120μm的电极孔。再沿根据芯片图形和尺寸将膜片切割开，得到分离好的荧光粉膜片。如图3所示在已经固定到支架1上的芯片2表面涂覆上厚度为20μm的硅胶层，再将荧光粉膜片4贴敷在芯片2表面的硅胶层（垂直结构芯片，芯片波长为435nm）上，然后将该整体结构置于120℃保存100min进行固化，即制成色温为4500K，显色指数为75的白光LED，具体结构参见图3。
实施例6
称取2.2g的β-Sialon:Eu（主波长为525nm，粒径d50为9.85μm）、0.3g的α-Sialon:Eu（主波长为565.2nm，粒径d50为10.26μm）和0.31g的(Sr,Ca,Ba)AlSiN3:Eu红色荧光粉（主波长为605.5nm，粒径d50为10.26μm）与14克的有机硅树脂进行混合，制作出厚度为160μm的荧光粉膜片。如图2所示在已经固定到支架1上的芯片2表面涂覆上厚度为20μm的硅胶层，再将荧光粉膜片4贴敷在芯片2表面的硅胶层（倒装结构芯片，芯片波长为462nm）上，然后将该整体结构置于120℃保存100min进行固化，即制成显色指数达88，色温为4500K的白光LED，具体结构参见图2。
实施例7
称取3.5克 Ba2Si2N2O2:Eu绿色荧光粉（主波长为535nm，粒径d50为9.88μm）、0.41g(Sr,Ca,Ba)AlSiN3:Eu红色荧光粉（主波长为606.5nm，粒径d50为11.15μm）与5.6克聚甲基丙烯酸树脂进行混合，制成厚度为80μm的荧光粉膜片，再通过激光束刻蚀出直径为120μm的电极孔。如图3所示在已经固定到支架1上的芯片2表面涂覆上厚度为15 μm的硅胶层，再将荧光粉膜片4贴敷在芯片2表面的硅胶层（垂直结构芯片，芯片波长为445nm）上，然后将该整体结构置于120℃保存100min进行固化，即制成显色指数为87，色温为3152K的白光LED，具体结构参见图3。
实施例8
称取0.64克（Ca,Sr)AlSiN3:Eu红色荧光粉（主波长为606nm，粒径d50为11.88μm）、8.2克Lu3Al5O12:Ce黄绿粉（主波长为530nm，粒径d50为14.24μm）与17.4克PC树脂进行混合制作成厚度为190μm的荧光粉膜片。再用根据芯片图形将荧光粉膜片制成与之相匹配的膜片。如图2所示在已经固定到支架1上的芯片2表面涂覆上厚度为20μm的硅胶层，再将荧光粉膜片4贴敷在芯片2表面的硅胶层（倒装结构芯片，芯片波长为457.5nm）上，然后将该整体结构置于120℃保存100min进行固化，即制成显色指数为84，色温为2850K的白光LED，具体结构参见图2。
实施例9
称取2.5克Y3(Al,Ga)5O12:Ce黄色荧光粉（主波长为570.6nm，粒径d50为11.84μm）、0.73克(Sr,Ba)3SiO5:Eu橙粉（主波长为592.4nm，粒径d50为14.26μm）与6克透明环氧树脂混合，将混合料倒在已经预留芯片图形的底模上，盖上模板；将模具整体置于100~160℃保温60~300min，制成厚度为120μm的荧光粉膜片，再通过机械冲孔法加工出电极孔，再根据芯片尺寸制成与之相匹配的膜片。如图3所示在已经固定到支架1上的芯片2表面涂覆上厚度为10μm的硅胶层，再将荧光粉膜片4贴敷在芯片2表面的硅胶层（垂直结构芯片，芯片波长为452nm）上，然后将该整体结构置于120℃保存100min进行固化，即制成显色指数为61，色温为2990K的白光LED，具体结构参见图3。
实施例10
称取0.74克（Ca,Sr)AlSiN3:Eu红色荧光粉（主波长为605.6nm，粒径d50为10.38μm）、9.2克Lu3Al5O12:Ce黄绿粉（主波长为530nm，粒径d50为14.26μm）与18.4克有机硅树脂进行混合，将混合料倒在已经预留芯片图形的底模上，盖上模板；将模具整体置于100~160℃保温60~300min，制作成厚度为250μm且预留电极孔的荧光粉膜片。如图3所示在已经固定到支架1上的芯片2表面涂覆上厚度为20μm的硅胶层，再将荧光粉膜片4贴敷在芯片2表面的硅胶层（垂直结构芯片，芯片波长为455nm）上，然后将该整体结构置于120℃保存100min进行固化，即制成显色指数为83.6，色温为2950K的白光LED，具体结构参见图3。
实施例11
称取4.6克(Ba,Sr)2SiO4:Eu绿色荧光粉（主波长为545.2nm，粒径d50为14.5μm）、2.6克(Sr,Ba)3SiO5:Eu橙红色（主波长为595nm,粒径d50为14.5μm）荧光粉与11克的PMMA树脂混合，将混合料倒在已经预留芯片图形的底模上，盖上模板；将模具整体置于100~160℃保温60~300min，制成厚度为230μm的荧光粉膜片。如图2所示在已经固定到支架1上的芯片2表面涂覆上厚度为25 μm的硅胶层，再将荧光粉膜片4贴敷在芯片2表面的硅胶层（倒装结构芯片，芯片波长为385nm）上，然后将该整体结构置于120℃保存100min进行固化，即制成色坐标为（0.465,0.503）的黄光LED，具体结构参见图2。
实施例12
称取7gY3(Al,Ga)5O12:Ce黄绿色荧光粉（主波长为561.2nm，粒径d50为19.4μm)、0.86g（Ca,Sr)AlSiN3:Eu红色荧光粉（主波长为605.2nm，粒径d50为16.52μm)与8.5克硅胶进行混合，再用根据芯片图形尺寸制作好的带有掩膜的丝网进行印刷，制成厚度为180μm且分离好的荧光粉膜片，采用机械冲孔法加工出直径为120μm的电极孔。如图3所示在已经固定到支架1上的芯片2表面涂覆上厚度为15 μm的硅胶层，再将荧光粉膜片4贴敷在芯片2表面的硅胶层（垂直结构芯片，芯片波长为457nm）上，然后将该整体结构置于120℃保存120min进行固化，即制成色温为3042K显色指数Ra达81.7的白光LED，具体结构参见图3。
实施例13
称取2.6克（Ca,Sr)AlSiN3:Eu红色荧光粉（主波长为605.6nm，粒径d50为20.25μm）与23.2克Lu3Al5O12:Ce黄绿粉（主波长为530nm，粒径d50为24.13μm）与32克PC树脂进行混合，将混合料倒在已经预留芯片图形的底模上，盖上模板；将模具整体置于100~160℃保温60~300min，制作成厚度为450μm且预留电极孔的荧光粉膜片。如图3所示在已经固定到支架1上的芯片2表面涂覆上厚度为10μm的硅胶层，再将荧光粉膜片4贴敷在芯片2表面的硅胶层（垂直结构芯片，芯片波长为455nm）上，然后将该整体结构置于120℃保存120min进行固化，即制成显色指数为83.4，色温为2982K的白光LED，具体结构参见图3。
实施例14
称取7g的β-Sialon:Eu绿色荧光粉（主波长为553.2nm，粒径d50为11.4μm)、0.72g（Ca,Sr)AlSiN3:Eu红色荧光粉（主波长为605.2nm，粒径d50为16.52μm)与8.5克硅胶进行混合，再用根据芯片图形尺寸制作好的带有掩膜的丝网进行印刷，制成厚度为160μm且分离好的荧光粉膜片，再通过激光束刻蚀出直径为120μm的电极孔。如图3所示在已经固定到支架1上的芯片2表面涂覆上厚度为15μm的硅胶层，再将荧光粉膜片4贴敷在芯片2表面的硅胶层（垂直结构芯片，芯片波长为457nm）上，然后将该整体结构置于120℃保存120min进行固化，即制成色温为3035K显色指数Ra达84.7的白光LED，具体结构参见图3。
实施例15
称取5g的Ba2Si2N2O2:Eu绿色荧光粉（主波长为546.1m，粒径d50为10.6μm)、0.42g（Ca,Sr)AlSiN3:Eu红色荧光粉（主波长为605.2nm，粒径d50为9.23μm)与7.5克硅胶进行混合，将混合料倒在已经预留芯片图形的底模上，盖上模板；将模具整体置于100~160℃保温60~300min，制成厚度为120μm且分离好的荧光粉膜片，再通过激光束刻蚀出直径为120μm的电极孔。如图3所示在已经固定到支架1上的芯片2表面涂覆上厚度为45 μm的硅胶层，再将荧光粉膜片4贴敷在芯片2表面的硅胶层（垂直结构芯片，芯片波长为457nm）上，然后将该整体结构置于120℃保存120min进行固化，即制成色温为2978K显色指数Ra达85.2的白光LED，具体结构参见图3。
实施例16
称取3.2克α-Sialon:Eu黄色荧光粉（主波长为570.2nm，粒径d50为12μm)）与6.3g的有机硅树脂进行混合，将混合料倒在已经预留芯片图形的底模上，盖上模板；将模具整体置于100~160℃保温60~300min，制成厚度为90μm且分离好的荧光粉膜片。如图2所示在已经固定到支架1上的芯片2表面涂覆上厚度为10μm的硅胶层，再将荧光粉膜片4贴敷在芯片2表面的硅胶层（倒装结构芯片，芯片波长为455nm）上，然后将该整体结构置于150℃保存160min进行固化，即制成色温为6400K的白光LED，具体结构参见图2。
实施例17
称取6.3 g (Al,Ga)5O12:Ce黄绿色荧光粉（主波长为561.2nm，粒径d50为17.5μm)、0.43g（Ca,Sr)AlSiN3:Eu红色荧光粉（主波长为605.2nm，粒径d50为14.32μm)与5.8g硅胶进行混合，根据芯片图形尺寸制作好厚度为180μm荧光粉膜片，再通过激光束刻蚀出直径为120μm的电极孔。如图3所示在已经固定到支架1上的芯片2表面涂覆上厚度为20μm的硅胶层，再将荧光粉膜片4贴敷在芯片2表面的硅胶层（垂直结构芯片，芯片波长为457nm）上，然后将该整体结构置于120℃保存120min进行固化，即制成色温为3034K、显色指数Ra达81.5的白光LED，具体结构参见图3。
实施例18
称取11.5 g (Al,Ga)5O12:Ce黄绿色荧光粉（主波长为558.5nm，粒径d50为12.5μm)、1.23g（Ca,Sr)AlSiN3:Eu红色荧光粉（主波长为608.1nm，粒径d50为12.43μm)与21gPMMA进行混合，根据SMD支架尺寸制作好厚度为240μm荧光粉膜片。如图4所示，芯片2可以是垂直结构芯片也可以是平行结构芯片，在SMD支架5内部滴注硅胶，再在硅胶上方涂覆上荧光粉膜片4，然后将该整体结构置于150℃保存120min进行固化，即制成色温为3012K、显色指数Ra达85.5的白光LED，具体结构参见图4。
Claims (11)
1.一种LED的制造方法，其特征在于包括如下步骤：
1）将荧光粉和透明树脂材料混合均匀后形成混合料；
2）根据芯片的形状和尺寸，将步骤1）得到的混合料制成厚度均匀的荧光粉膜片；
3）在芯片或SMD支架的表面涂覆上一层粘结胶体层；
4）将步骤2）得到的荧光粉膜片贴敷在芯片或SMD支架表面的粘结胶体层上，进行固化后得到LED成品。
2.根据权利要求1所述的LED的制造方法，其特征在于步骤1）中荧光粉与透明树脂材料的质量比为1:9~7:3。
3.根据权利要求1所述的LED的制造方法，其特征在于步骤1）中，所述透明树脂材料的透光率大于90%。
4.根据权利要求1或2或3所述的LED的制造方法，其特征在于所述透明树脂材料选自有机硅树脂、环氧树脂、PC树脂、PMMA树脂、硅胶、聚甲基丙烯酸树脂中的一种。
5.根据权利要求1所述的LED的制造方法，其特征在于步骤1）中，所述荧光粉选自(Ba,Sr)2SiO4:Eu、(Sr,Ba)3SiO5:Eu、(Y,Gd，Lu)Al5O12:Ce、Y3(Al,Ga)5O12:Ce、(Sr,Ba)2Si5N8:Eu、(Sr,Ca,Ba)AlSiN3:Eu、Ba2Si2N2O2:Eu、β-Sialon:Eu、α-Sialon:Eu、Y3Al5O12:Ce 、（Ca,Sr)AlSiN3:Eu、Sr2Si5N8:Eu、Lu3Al5O12:Ce、(Al,Ga)5O12:Ce中的一种或两种以上任意组合。
6.根据权利要求1所述的LED的制造方法，其特征在于步骤2）中荧光粉膜片的厚度为50~500μm 。
7.根据权利要求1或6所述的LED的制造方法，其特征在于步骤2）中荧光粉膜片采用丝网印刷法制备而成。
8.根据权利要求1或6所述的LED的制造方法，其特征在于步骤2）中荧光粉膜片采用压延法制备而成，具体步骤如下:将混合料倒在已经预留芯片图形的底模上，盖上模板；将模具整体置于100~160℃保温60~300min，即得到荧光粉膜片。
9.根据权利要求1所述的LED的制造方法，其特征在于步骤3）中粘结胶体层的厚度为5~50μm。
10.根据权利要求1所述的LED的制造方法，其特征在于步骤2）中荧光粉膜片上设有电极孔，所述电极孔采用激光束进行刻蚀。
11.根据权利要求1所述的LED的制造方法，其特征在于步骤3）中，芯片的波长范围为320~470nm。
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2014
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