CN104022049B

CN104022049B - 校准目标值的方法以及配置用于校准目标值的处理系统

Info

Publication number: CN104022049B
Application number: CN201410037347.3A
Authority: CN
Inventors: 韩昌虎; 金大煜; 李珍宁; 崔诚元; 金炳勋; 朴瀚钦; 崔相镇; 具滋钦
Original assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Current assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Priority date: 2013-02-13
Filing date: 2014-01-26
Publication date: 2018-05-25
Anticipated expiration: 2034-01-26
Also published as: US20140229134A1; TWI659481B; TW201432831A; US9613002B2; KR102070086B1; DE102014101265A1; KR20140102064A; CN104022049A

Abstract

一种处理方法，包括：基于初始数据处理晶片；测量多个区域的每一个的误差；将多个区域中的至少一些区域的误差相似度计算为一些区域的每一对之间的分隔距离的函数；选择第一区域和与第一区域相邻的多个第二区域；基于每一对第二区域之间的误差相似度和第一区域与每个第二区域之间的误差相似度来计算第二区域的权重值；基于第二区域的测量误差和第二区域的权重值来计算第一区域的估计误差；以及基于多个区域的每一个的估计误差来产生估计数据。

Description

校准目标值的方法以及配置用于校准目标值的处理系统

技术领域

本发明概念的实施例涉及通过校准或偏移覆盖、误差、处理参数、或目标值来处理诸如晶片或显示面板的工件的方法和系统。

背景技术

生产半导体设备和面板的工艺可以包括处理各种晶片或显示面板。处理工艺并不总是获得一致的结果，而是会获得具有不规则误差的不均匀结果。因此，生产半导体设备的工艺可以包括持续地校准反映处理工件的结果的工艺条件。生产半导体的工艺应该包括精确地分析处理结果，并且在下一工序中校正处理结果。

发明内容

本发明概念的实施例提供实际应用来自地统计学（geostatistics）的克里格法（Kriging）的方法和系统。

本发明概念的实施例提供用于在半导体制造工艺中校准覆盖、误差、处理参数、或目标值的方法和系统。

本发明概念的其他实施例提供用于通过校准覆盖、误差、处理参数、或目标值来制造半导体的方法和处理系统。

本发明概念的其他实施例提供用于通过对覆盖、误差、处理参数、或目标值进行采样来制造半导体的方法和系统。

本发明概念的其他实施例提供用于通过对覆盖、误差、处理参数、或目标值进行估计来制造半导体的方法和系统。

本发明概念的其他实施例提供用于在半导体制造处理中对包括覆盖、误差、处理参数、或目标值的数据进行各种加工、处理、或转换的方法和系统。

本发明概念的各方面不限于上述说明，并且从这里描述的实施例中，本领域技术人员将能清楚地理解未提及的其他方面。

根据本发明概念的一个方面，一种处理方法包括：使用初始数据来处理具有多个区域的工件；测量多个区域的每一个的误差；将多个区域中的至少一些的误差相似度计算为一些区域的每一对之间的分隔距离的函数；选择第一区域和与第一区域相邻的多个第二区域；基于每对第二区域之间的误差相似度和第一区域与每个第二区域之间的误差相似度来计算第二区域的权重值；基于第二区域的测量的误差和第二区域的权重值来计算第一区域的估计误差；以及基于多个区域的每一个的估计误差来产生估计数据。

根据本发明概念的另一方面，一种处理方法包括：基于初始数据来处理具有多个区域的第一工件；产生包括多个区域的测量误差的测量数据；将其异常因子的绝对值大于基准异常因子的那些区域确定为异常区（outlier）；从测量数据中去除被确定为异常区的那些区域的测量误差以产生采样数据；基于多个区域的测量误差来计算多个区域的估计误差；将估计误差添加到采样数据中以产生估计数据；将估计数据与初始数据进行比较以产生校准数据；以及基于校准数据来处理第二工件。

根据本发明概念的另一方面，一种处理方法包括：处理具有第一区域和第二区域的工件；测量第一区域的第一误差；估计第二区域的第二误差；产生包括第一误差和第二误差的估计数据；确定第一区域是否是异常区；以及从测量数据中删除被确定为异常区的第一区域的第一误差。根据本发明概念的另一方面，估计第二误差包括：计算相对于第一区域的第一误差之间的距离的第一相似度；基于第一相似度来估计第一区域和第二区域的误差之间的第二相似度；基于第一相似度和第二相似度来计算由第一区域的第一误差施加到第二区域的第二误差的权重值；以及基于第一误差、第一相似度、第二相似度、和权重值来估计第二区域的第二误差。

根据本发明概念的另一方面，一种处理系统包括：处理部分，其被配置为基于初始数据来处理具有多个区域的工件；测量部分，其被配置为测量多个区域的误差并且产生测量数据；采样部分，其被配置为从测量数据中去除测量误差中的一些并且产生采样数据；估计部分，其被配置为计算多个区域的估计误差，将估计误差添加到采样数据中，并且产生估计数据；以及计算部分，其被配置为将估计数据与初始数据进行比较并且产生校准数据。估计部分将多个区域中的至少一些区域的误差相似度计算为多个区域中的区域对之间的分隔距离的函数，选择第一区域和与第一区域相邻的多个第二区域，基于每对第二区域之间的误差相似度和第一区域与第二区域之间的误差相似度来计算第二区域的权重值，并且基于第二区域的测量误差和第二区域的权重值来计算第一区域的估计误差。

根据本发明概念的另一方面，一种处理系统包括：处理部分，其被配置为基于初始数据来处理具有多个区域的工件；测量部分，其被配置为测量多个区域的误差并且产生测量数据；采样部分，其被配置为确定测量误差是否是异常区，从测量数据中去除被确定为异常区的那些区域的测量误差并且产生采样数据；估计部分，其被配置为计算多个区域的估计误差，将估计误差添加到采样数据中并且产生估计数据；以及计算部分，其被配置为将估计数据与初始数据进行比较，并且产生校准数据。确定测量误差是否是异常区包括：选择多个区域中的一个，并且选择位于与所选区域相邻的至少两个第二区域；基于至少两个相邻的第二区域的测量误差来计算所选择区域的加权平均值；基于加权平均值来计算所选区域的异常因子；设置基准异常因子；以及将其异常因子的绝对值大于基准异常因子的那些区域确定为异常区。

根据本发明概念的另一方面，一种处理系统包括：处理部分，其被配置为基于初始数据来处理具有多个第一区域和多个第二区域的工件；测量部分，其被配置为测量多个第一区域的第一误差并且产生测量数据；采样部分，其被配置为从测量数据中去除第一误差中的一些，并且产生采样数据；估计部分，其被配置为估计第二区域的第二误差，将第二误差添加到采样数据中并且产生估计数据；以及计算部分，其被配置为将估计数据与初始数据进行比较，并且产生校准数据。根据本发明的另一方面，估计部分计算相对于第一区域的第一误差之间的距离的第一相似度；基于第一相似度来估计第一区域和第二区域的误差之间的第二相似度；基于第一相似度和第二相似度来计算由第一区域的第一误差施加到第二区域的第二误差的权重值；以及基于第一误差、第一相似度、第二相似度、和权重值来估计第二区域的第二误差。

其他实施例的具体细节被包括在详细的说明书和附图中。

附图说明

图1是根据本发明概念的实施例的处理系统的框图；

图2A至图2C是根据本发明概念的实施例的处理方法的流程图；以及

图3至图10C是示出根据本发明概念的实施例的处理方法的图。

具体实施方式

参考其中示出示范性实施例的附图更全面地描述各种实施例。然而，本发明概念可以以不同的形式实现，并且不应解读为限于这里描述的实施例。

全文中，相似的标号指示相似的元件。附图不一定按比例来绘制，其重点在于用于图示本发明概念的原理。

图1是根据本发明概念的实施例的处理系统10的框图。处理系统10可以处理晶片W，并基于处理前的覆盖、误差、和目标值以及处理后的覆盖、误差、和各种其他目标值来产生校准或偏移覆盖、误差、和各种目标值。例如，处理系统10可以处理晶片W，测量已处理的晶片W的覆盖、误差、或各种其他目标值，校准或者偏移覆盖、误差、目标值、工艺参数、和各种其他条件，以使得以处理的晶片W的覆盖、误差、或各种其他目标值更加接近于目标值，并且基于校准或者偏移覆盖、误差、目标值、工艺参数、以及在各种其他条件下重复地处理晶片W。此外，处理系统10可以根据初始目标执行各种工艺，诸如沉积工艺、蚀刻工艺、诸如化学机械抛光（CMP）工艺或回蚀工艺的平坦化工艺、离子注入工艺、以及金属化工艺，测量处理结果以校准或偏移初始目标，并重复地根据校准或偏移目标来执行处理。

参考图1，处理系统10可以包括处理部分100、测量部分200、和数据处理部分300。数据处理部分300可以包括采样部分310、估计部分320、计算部分330、和数据库340。

处理部分100可以在半导体制造工艺中处理晶片W。例如，处理部分100可以执行光刻工艺、沉积工艺、蚀刻工艺、诸如CMP工艺的平坦化工艺、离子注入工艺、或金属化工艺。在示范性实施例中，执行光刻工艺，然而本发明概念的实施例不限于此。处理部分100可以使用基于初始数据Di而设置、确定、和/或分布的初始覆盖值、初始误差、或各种其他初始目标值来执行预处理，并且使用基于校准数据Dc而重置、确定、和/或分布的校准覆盖值、校准误差、或各种其他校准目标值来执行后处理。例如，初始覆盖值、误差、和各种其他目标可以在X方向和/或Y方向上规定照射区域SA的理想位置或坐标，并且预处理可以按规定移动照射区域SA。

照射区域SA的位置或坐标可以指各个照射区域SA的初始启动点。即，在每个照射区域SA中，可以在由于校准数据Dc的校准覆盖、误差、或目标值而已移离理想位置的位置处开始光刻工艺。可以重复光刻工艺。替换地，可以基于第一校准或偏移覆盖、误差、或各种其他目标值来执行第一校准或偏移光刻工艺，并且可以基于第二校准或偏移覆盖、误差、或各种其他目标值来执行第二校准或偏移光刻工艺。另外，在其他实施例中，可以为晶片W的每个照射区域SA重复光刻工艺。如果初始数据Di包括覆盖目标值，则初始数据Di可以包括由沿X或Y方向移动的理想覆盖目标坐标所产生的值。即，光刻工艺将不在每个照射区域SA的理想坐标处初始化和执行，而是在每个照射区域SA的偏移坐标处初始化和执行。理想坐标可以指其中覆盖误差或对准误差是零（0）的坐标。初始数据Di可以是在其上指示目标值的晶片地图或表。替换地，初始数据Di可以具有一组用于计算目标值的多项式回归系数。

当处理部分100执行其他工艺，例如沉积工艺、蚀刻工艺、诸如CMP工艺的平坦化工艺、离子注入工艺、或者金属化工艺时，可以根据温度、时间、压力、或各种其他初始目标处理值来执行初始处理，并且可以根据校准目标值来执行校准处理。由处理部分100处理的晶片W可以被传送并提供给测量部分200。

测量部分200可以测量由处理部分100处理的晶片W的处理结果，并且产生测量数据Dm。例如，测量部分200可以包括光学测量设备、扫描电子显微镜（SEM）、或诸如X射线光电子能谱（XPS）系统的高分辨率测量设备。

虽然测量部分200可以测量所有的照射区域SA（图3），但是测量部分200也可以对照射区域SA进行采样，选择测量的照射区域SAm（图5A至5C），并测量选定的测量照射区域SAm以提高生产量和生产率。例如，测量的照射区域SAm可以以各种排列而从所有的照射区域SA中采样，例如，以同心圆、多边形、交线、格、或若干聚集区域的形式采样，或者可以没有特定的规则地随机地从所有照射区域SA中采样。

测量数据Dm可以是包括测量照射区域SAm的测量覆盖、误差、或结果的晶片地图或表。例如，测量数据Dm可以包括测量照射区域SAm的覆盖误差、测量照射区域SAm或图案的对准误差、或者图案的尺寸误差、厚度误差、宽度误差、长度误差、深度误差、或各种其他误差，其可以对应于执行的处理的结果。可以通过诸如局部总线或有线/无线局域网（LAN）的网络向数据处理部分300提供测量数据Dm。提供给数据处理部分300的测量数据Dm可以被提供给采样部分310，并且额外地提供给并存储在数据库340中。

数据处理部分300可以从测量部分200接收测量数据Dm并执行各种处理。

采样部分310可以从测量数据Dm中去除具有异常值的异常区，并产生仅包括正常区（inlier）的采样数据Ds。例如，采样部分310可以去除具有异常覆盖、异常误差、或各种其他异常目标值的测量的照射区域SAm的测量结果。即，被确定为异常区的测量的照射区域Sam可以被视为未测量的照射区域SAn（图5A到5C）。下面将描述确定并且去除异常区的方法。采样数据Ds可以包括晶片地图、表、或者一组多项式回归系数。可以通过内部总线或有线/无线网络将采样数据Ds提供给估计部分320。

估计部分320可以分析采样数据Ds，估计未测量的照射区域SAn的测量值，并产生测量结果和包括估计结果的估计数据De。即，估计数据De可以包括晶片W的所有照射区域SA的测量值、测量误差、估计值、或估计误差。估计数据De可以包括晶片地图、表、或者一组多项式回归系数。可以通过内部总线或有线/无线网络将估计数据De提供给计算部分330。下面将描述产生估计数据De的方法。采样部分310和估计部分320可以在单个处理部分中连续地进行处理。

计算部分330可以将估计数据De与初始数据Di进行比较，并产生校准数据Dc。校准数据Dc可以包括估计数据De与初始数据Di之间的偏移差。例如，校准数据Dc可以包括校准覆盖、校准误差、或各种其他目标值。校准数据Dc可以包括晶片地图、表、或者一组多项式回归系数。可以通过内部总线或有线/无线网络向处理部分100和/或数据库340提供校准数据Dc。

数据库340可以存储各种数据，并将各种数据提供给其他的功能部分和/或设备。例如，数据库340可以完全地或选择性地存储初始数据Di、测量数据Dm、采样数据Ds、估计数据De、或校准数据Dc，并将初始数据Di、测量数据Dm、采样数据Ds、估计数据De、或校准数据Dc提供给内部组件或其他处理设备和控制系统。

之后，处理部分100可以从计算部分330或数据库340接收校准数据Dc，并基于校准目标值来处理下一个晶片W。可以重复上述过程。

图2A至图2C是处理方法的流程图，而图3至图10C是示出根据本发明概念的实施例的处理方法的图。以下，将描述使用图1中所示的处理系统10来执行处理的方法。此外，非限制性的实施例可以假定处理部分100包括光刻设备，并且在处理部分100内执行光刻工艺。因此，本发明的实施例可以假定光刻工艺包括测量覆盖误差以及校准或偏移覆盖误差。覆盖可以指以精确坐标表示的图案的位置的移动、或者下部图案与上部图案之间的重叠度，而覆盖误差可以指相对于作为理想覆盖值的零（0）而测得的覆盖歪斜（skew）。理想地，覆盖误差可以尽可能地接近零（0）。

参考图2A和图3和表1，处理方法可以包括向处理部分100提供初始数据Di（S10）。初始数据Di可以包括所有照射区域SA的初始处理目标值、初始覆盖目标值、或初始校准覆盖目标值。初始目标值可以是晶片地图的向量或者具有各个照射区域SA的数值的表。替换地，初始目标值可以包括每个照射区域SA的坐标，其可以使用一组多项式回归系数来计算。

参考图3，将要基于初始数据Di来执行的处理晶片W的过程的初始目标值、初始覆盖、或初始校准覆盖可以在概念上提供为晶片地图。以下，出于简洁的考虑，将使用目标值或误差值。目标值可以指执行处理之前的各种数值，而误差值可以指在执行处理之后通过测量处理结果获得的各种数值。此外，本发明概念的实施例包括校准或偏移覆盖误差的过程。因此，以下描述的数据的X分量和Y分量的数值可以分开或者一起来描述。

参照表1，可以将初始数据Di提供为表。具体地，初始数据Di可以包括用于每个照射区域SA的X分量目标值X_target和Y分量目标值Y_target。为简洁起见，通过没有单位的整数来表示每个照射区域SA的X分量目标值X_target和Y分量目标值Y_target。可以为设备的每个工件使用任何方便的单位。例如，可以使用mil、fm、pm、nm、μm、或其他单位。

[表1]

替换地，初始数据Di可以包括一组多项式回归系数。该组多项式回归系数可以包括借以可以使用最小二乘法来估计晶片W的照射区域SA的目标值或误差的一组系数。例如，可以使用立方最小二乘法获得满足公式（1）和（2）的k₁至k₂₀：

X_target=k₁+k₃X+k₅Y+k₇X²+k₉XY+k₁₁Y²+k₁₃X³+k₁₅X²Y+k₁₇XY²+k₁₉Y³…(1),以及

Y_target=k₂+k₄Y+k₆X+k₈Y²+k₁₀XY+k₁₂X²+k₁₄Y³+k₁₆XY²+k₁₈X²Y+k₂₀X³…(2),

其中，X_target表示每个照射区域的X分量目标值，Y_target表示每个照射区域的Y分量目标值，X和Y表示每个照射区域的坐标，并且k₁至k₂₀是系数。在其他实施例中，初始数据Di可以包括使用二次最小二乘法计算出的12个系数，或者初始数据Di可以包括使用四次最小二乘法计算出的30个系数。

X和Y可以指每个照射区域SA的特定对准键（key）的位置坐标、或者开始点的坐标。可以进一步参考图8A到8C来理解X和Y。

此外，虽然在公式（1）和（2）中省略，但是可以在公式（1）和（2）中进一步包括代表设备特性的误差常数ε_x和ε_y。即，可以扩展公式（1）和（2）以获得公式（3）和（4）：

X_target=k₁+k₃X+k₅Y+k₇X²+k₉XY+k₁₁Y²+k₁₃X³+k₁₅X²Y+k₁₇XY²+k₁₉Y³+ε_x…(3),

Y_target=k₂+k₄Y+k₆X+k₈Y²+k₁₀XY+k₁₂X²+k₁₄Y³+k₁₆XY²+k₁₈X²Y+k₂₀X³+ε_y…(4),

其中，ε_x和ε_y表示设备的每个工件的误差常数。

可以基于处理设备的每个工件的特性而获得误差常数ε_x和ε_y，并且可以减少数据误差并且执行最佳处理。

参考图2A、4A、和4B，校准误差的方法可以包括在处理部分100中预处理晶片W（S20）。具体地，该方法可以包括基于初始数据Di的初始目标值来预处理晶片W。例如，如果处理部分100包括光刻设备，则处理部分100可以基于初始数据Di的输入初始目标值来执行光刻预处理，并且处理晶片W。

现在参考图4A，晶片W的处理可以包括在台110上安装具有光刻胶层的晶片W，通过镜131和132以及扫描狭缝140将来自光源120的光Li照射到光掩模150上，并且将来自光掩模150的光Lr反射到晶片W上。台110可以沿X方向和Y方向移动，并且扫描狭缝140可以沿Y方向移动。此外，晶片W的处理可以包括：在晶片W上形成光刻胶层，使用光刻工艺曝光光刻胶层，以及显影已曝光的光刻胶层以形成光刻胶图案。

在其上执行光刻工艺的晶片W可以包括多个照射区域SA。照射区域SA可以是使用单个光刻工艺曝光的区域。虚线可以指照射区域SA之间的想象的边界。在其他实施例中，在其上执行光刻工艺的晶片W可以包括无机材料图案或金属图案，并且可以通过使用光刻胶图案作为蚀刻掩膜并接着去除光刻胶图案的蚀刻工艺来执行光刻工艺。返回参考图1，在其上执行光刻工艺的晶片W可以被传送并提供给测量部分200。

参考图2A和图5A至图5C，处理方法可以包括在测量部分200中产生测量数据Dm（Dmt、Dmx、Dmy）（S30）。例如，产生测量数据Dm可以包括：从处理的晶片W的照射区域SA中选择待测量的照射区域SAm，测量在待测量的照射区域SAm上执行的处理的结果，以及将测量结果R（R_t、R_x、R_y）指示为晶片地图或表。测量结果R（R_t、R_x、R_y）可以包括目标误差或覆盖误差。目标误差可以包括理想目标值与测量值之间的差。覆盖误差可以包括理想覆盖目标坐标与测量覆盖坐标之间的差。例如，覆盖误差可以指包括在晶片W中的无机图案或金属图案与在晶片W上形成的诸如光刻胶图案的有机图案之间的重叠度、垂直对准度、或偏离度。

如上所述，所选测量照射区域SAm可以被布置成各种图案，诸如同心圆、多边形、交叉线、网格、若干聚集区域等。在本非限制性实施例中，所需测量照射区域SAm可以布置为同心圆或同心多边形。测量结果R（R_t、R_x、R_y）可以具有各种趋势。照射区域SA可以包括测量照射区域SAm和未测量照射区域SAn。

以下，测量结果R（R_t、R_x、R_y）将被称为误差R（R_t、R_x、R_y），并且对其进行说明。即，测量结果R（R_t、R_x、R_y）可以包括各种数值并具有各种含义，并且为简便起见将由术语“误差”来表示。因此，如在本公开中使用的词语“误差”可以被理解为具有各种含义，例如，诸如尺寸、厚度、长度、宽度、深度、位置、坐标、或形状的差或结果。例如，在本公开中，“误差”可以被理解为“覆盖值”或“覆盖误差”。

参考图5A，Dmt是指可以包括统一误差R_t的统一测量数据，统一误差R_t包括诸如X分量误差R_x的横向误差和诸如Y分量误差R_y的纵向误差。参照图5B，X分量测量数据Dmx可以选择性地包括X分量误差R_x。参照图5C，Y分量测量数据Dmy可以选择性地包括Y分量误差R_y。误差R（R_t、R_x、R_y）可以表示各种方向（误差方向）和长度（误差大小），如箭头所示。下文中，横向分量将被称为X分量，并且纵向分量将被称为Y分量。

测量部分200可以产生统一测量数据Dmt，从统一测量数据Dmt中单独地分离或提取X分量误差R_x和Y分量误差R_y，并产生X分量测量数据Dmx和Y分量测量数据Dmy。替换地，可以通过X分量误差R_x产生X分量测量数据Dmx，并且可以通过测量Y分量误差R_y产生Y分量测量数据Dmy。在其他实施例中，可以通过数据处理部分300来执行X分量测量数据Dmx和Y分量测量数据Dmy的分离。

回来参照图4A，如上所述，X分量可以对应于光刻设备的台110移动以瞄准每个照射区域SA的步进方向，而Y分量可以对应于扫描狭缝140或光刻设备的台110移动以曝光每个照射区域SA的扫描方向。反之，Y分量可以是步进方向，而X分量可以是扫描方向。

可以通过内部总线或有线/无线网络将测量数据Dm（Dmt、Dmx和Dmy）提供给数据处理部分300。

提供给数据处理部分300的测量数据Dm（Dmt、Dmx和Dmy）可以被初始提供给采样部分310。

如果提供给数据处理部分300或采样部分310的测量数据Dm仅包括统一测量数据Dmt，则采样部分310可以从统一测量数据Dmt中分别产生X分量测量数据Dmx和Y分量测量数据Dmy。例如，可以通过相对于X对统一测量数据Dmt进行偏微分、或通过从统一测量数据Dmt中去除Y分量误差Ry来获得X分量测量数据Dmx。可以通过相对于Y对统一测量数据Dmt进行偏微分、或通过从统一测量数据Dmt中去除X分量误差Rx来获得Y分量测量数据Dmy。如上所述，如果X分量测量数据Dmx和Y分量测量数据Dmy两者均由测量部分200提供，则测量部分200可以从统一测量数据Dmt中分别产生X分量测量数据Dmx和Y分量测量数据Dmy。

可以根据需要使用统一测量数据Dmt、X分量测量数据Dmx、和Y分量测量数据Dmy独立地重复下面描述的过程。为简便起见，假定实施例执行与X分量或Y分量无关的一系列过程而不将对X分量执行的一系列处理与对Y分量执行的一系列处理进行分离。因此，即使本实施例中描述仅仅一次，可以独立地或重复地执行使用X分量测量数据Dmx或Y分量测量数据Dmy的每个描述的过程以独立地产生各种统一数据、X分量数据、和Y分量数据。如上所述，测量数据Dm（Dmt、Dmx、Dmy）可以包括测量误差R（Rt、Rx、Ry），并且下面将描述处理误差R（Rt、Rx、Ry）以产生各种数据的过程。

参考图2A、图6、和图7A至7C，处理方法可以包括从测量数据Dm（Dmt、Dmx和Dmy）中去除异常区以产生采样数据Ds（Dst、Dsx和Dsy）（S40）。异常区可以指具有超过容限或有不正常数值的误差R（Rt、Rx、Ry）的测量照射区域SAm。因此，产生采样数据Ds（Dst、Dsx和Dsy）可以包括从测量数据Dm（Dmt、Dmx和Dmy）中提取和去除或忽略具有超过容限或有不正常数值的误差R（Rt、Rx、Ry）的测量照射区域SAm，并提供具有为正常数值或在公差范围的误差R（Rt、Rx、Ry）的测量照射区域SAm作为晶片地图或表。采样数据Ds（Dst、Dsx和Dsy）还可以包括：仅包括X分量正常误差Rx的X分量采样数据Dsx、仅包括Y分量正常误差Ry的Y分量采样数据Dsy、和同时包含X分量误差正Rx和Y分量正常误差Ry的统一采样数据Dst。产生采样数据Ds（Dst、Dsx和Dsy）可以包括下面描述的过程。

参考图2B，产生采样数据Ds（Dst、Dsx和Dsy）可以包括：从提供的测量数据Dm（Dmt、Dmx和Dmy）选择一个测量照射区域SA用于确定为异常区，以及选择所选测量照射区域SAs的相邻测量照射区域SAp1到SAp4（S41）。相邻测量照射区域SAp1到SAp4可以包括除了所选测量照射区域SAs之外的所有测量照射区域SAm，或者包括位于预定基准距离d之内的相邻测量照射区域SAp1到SAp4。基准距离d可以指其中心位于所选测量拍摄区SA中的圆的半径。随着基准距离d的值增大，包括在圆区域中的相邻测量照射区域SAp1到SAp4的数目可以增加，这可能会使得计算处理复杂，但是会提高计算值的精度。随着基准距离d的值减少，包括在圆区域中的相邻测量照射区域SAp1到SAp4的数目可以减小，这可能会使得计算处理简化，但是会降低计算值的精度。另外，随着基准距离d的值增大，相邻测量照射区域SAp1到SAp4对于所选测量照射区域SAs的影响可能会降低。根据实施例，为简化计算过程并减少计算时间，可以设置适当的任意的基准距离d以仅选择可以相互影响的相邻测量照射区域SAp1到SAp4。根据其他实施例，可以没有基准距离d，并且可以选取晶片W的所有照射区域SAm以产生采样数据Ds（Dst、Dsx和Dsy）。

参考图6，为简洁起见，非限制性实施例可以假定所选测量照射区域SAs和四个相邻的测量照射区域SAp1～SAp4被选中。例如，非限制性的实施例可以假定所选测量照射区域SAs具有误差Rs=4，与所选测量照射区域SAs距离为d=1的第一相邻测量照射区域SAp1具有误差Rp1=15，与所选测量照射区域SAs距离为d=2的第二相邻测量照射区域SAp2具有误差Rp2=14，与所选测量照射区域SAs距离为d=3的第三相邻测量照射区域SAp3具有误差Rp3=19，并且与所选测量照射区域SA距离为d=4的第四相邻测量照射区域SAp4具有误差Rp4=20。

回来参照图2B，产生采样数据Ds（Dst、Dsx和Dsy）可以包括计算所选测量照射区域SAs的加权平均WAs（S42）。例如，可以使用公式（5）来计算所选测量照射区域SAs的加权平均WAs：

其中，WAs表示所选测量照射区域的加权平均，l表示相邻测量照射区域，n表示相邻测量照射区域的总数量，d表示所选测量照射区域与每个相邻测量照射区域之间的距离，并且R表示每个相邻测量照射区域的误差。

回来参照图6和公式（5），可以如下计算所选测量照射区域SAs的加权平均：{(15/1+14/2+19/3+20/4)/(1/1+1/2+1/3+1/4)}=16。通过重复地执行上述过程，可以计算所有的测量照射区域SAm的误差R（Rt、Rx、Ry）的加权平均WAs。从概念上讲，所选测量照射区域SAs的加权平均WAs的计算可以指相对于相邻测量照射区域SAp1到SAp4的误差Rp的所选测量照射区域SAs的估计误差Rs的估计和计算。例如，考虑到相邻测量照射区域SAp1到SAp4的误差Rp1到Rp4，如果图6所示的所选测量照射区域SAs的误差Rs大约是16，则测量拍摄领域SAs（SAp1到SAp4）的误差Rp（Rp1到Rp4）可以是连续的和线性的。

参考图2B，产生采样数据Ds（Dst、Dsx和Dsy）可以包括计算所选测量照射区域SAs的加权平均WAs与所选测量照射区域SAs的估计和计算的误差Rs之间的差Diffs：Diffs=WAs-Rs（S43）。在图6的示例中，由于所选测量照射区域SAs的误差Rs是4，所以所选测量照射区域SAs的加权平均WAs与误差R之间的差Diffs可以由下式计算：16-4=12。可以在测量照射区域SAm上重复执行步骤S43，以确定照射区域SAm是否是异常区。通过重复上述过程，可以计算所有测量照射区域SAm的误差Rm、加权平均WA_m、以及加权平均WA_m与误差Rm之间的差Diffm，以确定哪些照射区域SAm（如果有的话）是异常区。

参考图2B，产生采样数据Ds（Dst、Dsx和Dsy）可以包括使用公式（6）来计算所有的测量照射区域SAm的加权平均WA_m与误差Rm之间的差Diffm的差平均Mean(Diffm)（S44）：

其中，Mean(Diffm)表示各个测量照射区域的加权平均和误差之间的差Diffm的差平均，n表示测量照射区域的总数量。

示范性实施例可以假定所有的测量照射区域SAm的加权平均WA_m和误差Rm之间的差Diffm的差平均Mean(Diffm)是零（0）。由于每个加权平均WA_m和误差Rm可以具有正（+）值或负（-）值，所以加权平均WA_m与误差Rm之间的差Diffm的差平均Mean(Diffm)可以是正数、负数、或零（0）。

参考图2B，产生采样数据Ds（Dst、Dsx和Dsy）可以包括计算所有的测量照射区域SAm的加权平均WA_m与误差Rm之间的差Diffm的标准偏差Stdev(Diffm)（S45）。在示范性实施例中，可以假定所有的测量照射区域SAm的加权平均WA_m与误差Rm之间的差Diffm的标准偏差Stdev(Diffm)是3。

参考图2B，产生采样数据Ds（Dst、Dsx和Dsy）可以包括在各个测量照射区域SAm中计算异常因子Zs（S46）。可以使用公式（7）来计算异常因子Zs。即，计算异常因子Zs可以包括：从所选测量照射区域SAs的加权平均WAs与误差Rs之间的差Diffs中减去所有的测量照射区域SAm的加权平均WA_m与误差Rm之间的差平均Mean(Diffm)，以及将相减的结果值除以所有的测量照射区域SAm的加权平均WA_m与误差Rm之间的差的标准偏差Stdev(Diffm)：

Z_S={Diff_S-Mean(Diff_m)}/Stdev(Diff_m)（7），

其中，Zs表示每个测量照射区域的异常因子，Diffs表示每个测量照射区域的加权平均和误差之间的差。Mean(Diffm)表示所有的测量照射区域的加权平均和误差之间的差的差平均，Stdev(Diffm)表示所有测量照射区域的加权平均和误差之间的差的标准偏差。

在本实施例中，由于图6所示的所选测量照射区域SAs的加权平均WAs和误差Rs之间的差Diffs是12，所有的测量照射区域SAm的加权平均WA_m和误差Rm之间的差Diffm的差平均Mean(Diffm)是零（0），并且所有的测量照射区域SAm的加权平均WA_m和误差Rm之间的差Diffm的标准偏差Stdev(Diffm)是3，所以可以通过：（12-0）/3=4来计算所选测量照射区域SAs的异常因子Zs。

作为示例，表2示出所有的测量照射区域SAm的加权平均WA_m和误差Rm、各个测量照射区域SAm的加权平均WA_m和误差Rm之间的差Diffm、所有的测量照射区域SAm的加权平均WA_m和误差Rm之间的差Diffm的差平均Mean(Diffm)、所有的测量照射区域SAm的加权平均WA_m和误差Rm之间的差Diffm的标准偏差Stdev(Diffm)、以及异常因子Zm。表2中，为简便起见，通过没有单位的整数来表示数值，并且假定测量的照射区域SAm的总数是40。

[表2]

参考图2B，产生采样数据Ds（Dst、Dsx和Dsy）可以包括：设置每个测量照射区域SAm的基准异常因子Zc（S47），基于相应的基准异常因子Zc来确定哪些测量照射区域SAm是异常区（S48），以及从测量数据Dm（Dmt、Dmx、Dmy）中去除那些被确定为异常区的测量照射区域SAm（S49）。即，产生采样数据Ds（Dst、Dsx和Dsy）可以包括：从测量数据Dm（Dmt、Dmx、Dmy）中去除那些被确定为异常区的测量照射区域Sam，忽略被确定为异常区的测量照射区域SAm的误差Rm，或者将被确定为异常区的测量照射区域Sam看作是未测量的照射区域SAn。

可以使用基于每个测量照射区域SAm的误差幅度|Rm|的基准误差来执行设置每个测量照射区域SAm的基准异常因子Zc（S47）。例如，假定误差|Rm|的基准值是15，则可以通过将实际基准异常因子Zc严格地设置为比计算的异常因子相对低来确定具有大于15的基准误差值的误差|Rm|的测量照射区域SA4、SA5、…和SA40是否是异常区，并且可以通过将实际基准异常因子Zc宽松地设置为比计算的异常因子相对高来确定具有小于15的基准误差值的误差|Rm|的测量照射区域SA1、SA1、SA3…是否是异常区。具体地，假设具有大于15的基准误差值的误差|Rm|的测量照射区域SA4、SA5、…和SA40被当作候选异常区域。确定候选异常区域是否是实际的异常区可以包括严格地设置例如为3的相对低的基准异常因子Zc，并且将每个候选异常测量照射区域SAm的计算的异常因子|Zm|的绝对值与基准异常因子Zc进行比较。如果|Zm|>Zc（=3），则候选异常区域是实际异常区，否则如果|Zm|<Zc（=3）则该候选异常区域是正常区。此外，假设具有小于15的基准误差值的误差|Rm|的测量照射区域SA1、SA2、SA3、...被当作候选正常区域。确定候选正常区域是否是异常区可以包括宽松地设置例如为5的相对高的基准异常因子Zc，并且将每个候选正常测量照射区域SAm的计算的异常因子|Zm|的绝对值与基准异常因子Zc进行比较。如果|Zm|>Zc（=5），则候选正常区域是异常区，否则如果|Zm|<Zc=5），则候选正常区域是实际正常区（S48）。即，将测量照射区域SAm确定为异常区可以包括将相对严格的异常确定基准应用到具有大于基准误差值的误差|Rm|的候选异常区域，并且将相对宽松的异常确定基准应用到具有小于基准误差值的误差|Rm|的候选正常区域。

通过重复步骤S41到S48，可以去除所有的异常区以使得可以产生仅具有正常点的采样数据Ds（Dst、Dsx和Dsy）。采样数据Ds（Dst、Dsx和Dsy）可以是晶片地图或表。如上所述，产生采样数据Ds（Dst、Dsx和Dsy）可以包括独立地对X-分量测量数据Dmx和Y分量测量数据Dmy执行上述过程。因此，采样数据Ds（Dst、Dsx和Dsy）可以包括X分量采样数据Dsx、Y分量采样数据Dsy、和/或统一采样数据Dst。

图7A至7C示出从其中去除了异常区并且仅仅包括正常区的采样数据Ds（Dst、Dsx和Dsy）。例如，图7A示出统一采样数据Dst，图7B示出X分量采样数据Dsx，图7C示出Y分量采样数据Dsy。采样数据Ds（Dst、Dsx和Dsy）可以被提供到估计部分320。

参考图2A、图8A至8C、以及图9，根据本发明概念的实施例的校准误差的方法可以包括产生估计数据De（Det、Dex、Dey）（S50）。例如，产生估计数据De（Det、Dex、Dey）可以包括执行以下过程。

参考图2C，产生估计数据De（Det、Dex、Dey）可以包括测量采样数据Ds（Dst、Dsx和Dsy）的正常测量照射区域SAm之间的相似度γ。相似度γ的测量可以包括计算变异（variogram）函数或半变异（semi-variogram）函数（S51）。例如，可以使用公式（8）来计算正常测量照射区域SAm之间的相似度γ：

其中，γ表示相似度，h表示照射区域之间的距离的范围，n表示布置在距离范围内的照射区域的总数，R(x_i)表示特定照射区域的误差，并且R(x_i+h)表示距离特定照射区域为h的照射区域的误差。

相似度γ可以指彼此隔开预定距离的测量照射区域的SA_x和SA_x+1的误差R_i和R_i+h之间的相似程度。例如，如果两个照射区域的SA_x和SA_x+1的误差R_i和R_i+h相同，则相似度γ可以是零（0）。随着两个照射区域的SA_x和SA_x+1的误差R_i和R_i+h之间的差增加，相似度γ可以增加。如果距离h被设定为5，则相似度γ的计算可以包括将彼此相隔距离5的两个照射区域的SA_x和SA_x+1的误差R_i和R_i+h之间的差应用到所有照射区域SAs。距离h可以在最小距离与最大距离之间的范围内。例如，距离h可以被确定为在“5至6”的范围内。因此，可以将布置在距离h之内的照射区域SAs的总数量n确定为布置在最小距离与最大距离之间的范围内的照射区域SAs的总数量。

参考图2C和图8A至8D，产生估计数据De（Det、Dex、Dey）可以包括选择将估计其误差R(Rt、Rx、Ry)的照射区域SAe、以及被布置为与所选照射区域SAe相邻的测量照射区域SApA到SApD（S52），计算被布置为与所选照射区域SAe相邻的测量照射区域SApA到SApD的权重值（S53），以及基于权重值来计所选照射区域SAe的估计误差Re（S54）。所选照射区域SAe可以包括未测量的照射区域SAn和已经被确定为异常区并去除的测量照射区域SAm。

参考图8C，计算相似度γ可以包括计算相似度的X分量γ_X。例如，计算相似度γ可以包括通过在公式（8）中将测量照射区域SAm之间的距离范围h应用于X方向来计算相似度的X分量γx。具体地，即使沿Y方向布置的相邻照射区域SApY1与SApY2之间的距离小于或等于沿X方向布置的相邻照射区域SApX1与SApX2之间的距离（h_y≥h_x），可以排除沿Y方向布置的相邻照射区域SApY1和SApY2，以计算X分量相似度γ_X。

参考图8D，计算相似度γ可以包括计算相似度的Y分量γ_Y。例如，计算相似度γ可以包括通过在公式（8）中将测量照射区域SAm之间的距离范围h应用于Y方向来计算相似度的Y分量γ_Y。具体地，即使沿X方向布置的相邻照射区域SApX1与SApX2之间的距离小于或等于沿Y方向布置的相邻照射区域SApY1与SApY2之间的距离（h_x≥h_y），可以排除沿X方向布置的相邻照射区域SApX1和SApX2，以计算Y分量相似度γ_Y。

将参考图8E至图8G来具体描述各个相似度γ、γ_X、γ_Y的非限制性计算。例如，可以假定存在9个照射区域A至I，并且用于两个箭头的距离范围h在1到2的范围内（1≤h≤2）。

参考图8E，可以假定沿X方向布置的距离范围h内的照射区域A至I形成9个组合A-B、A-C、B-C、D-E、D-F、E-F、G-H、G-I、以及H-I，并且分别具有0.9、1.0、1.1、1.0、1.2、0.9、0.8、0.9、1.1的误差。如果各个照射区域A至I具有如表3中所示的误差R_i和R_i+h，则可以使用公式（8）来计算X分量相似度γ_X。由于距离范围h的取值范围为1至2，如果取1.5作为代表值，则布置在具有1.5的代表值的距离h内的照射区域A至I的误差R_i和R_i+h之间的X分量相似度γ_X可以被计算为0.0189。

[表3]

参考图8F，可以假定沿Y方向布置在1到2的距离范围内的照射区域A至I形成9个组合A-D、A-G、D-G、B-E、B-H、E-H、C-F、C-I、以及F-I，并且分别具有0.9、1.0、1.1、1.0、1.2、0.9、0.8、0.9、1.1的误差。如果各个照射区域A至I具有如表4中所示的误差R_i和R_i+h，则可以使用公式（8）来计算Y分量相似度γ_Y。由于距离范围h的取值范围为1至2，如果取1.5作为代表值，则布置在具有1.5的代表值的距离h内的照射区域A至I的误差R_i和R_i+h之间的Y分量相似度γ_Y可以被计算为0.0156。

[表4]

参考图8G，可以假定沿除了X方向和Y方向之外的方向（例如，沿成角度的方向或者沿对角线方向）布置在1到2的距离范围h内的照射区域A至I形成8个组合A-E、B-D、B-F、C-E、D-H、E-G、E-I、和F-H，并且分别具有0.9、1.0、1.1、1.0、1.2、0.9、0.8、0.9、和1.1的误差。如果各个照射区域A至I具有如表5中所示的误差R_i和R_i+h，则可以使用公式（8）基于X分量相似度γ_X、Y分量相似度γ_Y、以及对角线相似度来计算统一相似度γ。根据实施例，可以独立地计算对角线相似度。

[表5]

考虑X分量相似度γ_X，可以独立地分析处理设备的X分量影响，例如，光刻系统的步进过程的影响。此外，考虑Y分量相似度γ_Y，可以独立地分析处理设备的Y分量影响，例如，光刻系统的扫描过程的影响。

图9A是示出统一采样数据Dst的相似度γ的测量结果的曲线图，图9B是示出X分量采样数据Dsx的相似度γ_X的测量结果的曲线图，并且图9C是示出Y分量采样数据Dsy的相似度γ_Y的测量结果的曲线图。参照图9A至9C，相似度γ、γ_X、γ_Y可以随距离h减小而减小，并且随距离h增加而增加。随着距离h增加，由于相似度γ、γ_X、和γ_Y之间的差较小，所以结果可能会变成非线性的（例如，对数）。

接下来，参考图8A和8B，计算选择照射区域SAe的估计误差Re可以包括使用公式（9）来计算相邻测量照射区域SApA到SApD之间的相关性以计算权重值λ_A、λ_B、λ_C、λ_D。在公式（9）中，可以假定存在与所选照射区域SAe相邻的四个相邻测量照射区域SApA到SApD。

其中，λ_A、λ_B、λ_C、λ_D是由相邻测量照射区域施加到所选照射区域的误差的权重值，γ_AA～γ_AD、γ_BA～γ_BD、γ_CA～γ_CD、γ_DA～γ_DD是照射区域之间的相似度，其中（γ_AA、γ_BB、γ_CC、γ_DD=0），并且γ_AS、γ_BS、γ_CS、γ_DS是所选照射区域与各个相邻测量照射区域之间的相似度。

虽然为简明起见假定实施例中仅使用四个相邻测量照射区域SApA到SApD来计算所选照射区域SAe的估计误差Re，在其他实施例中，可以提供更多或更少的测量照射区域SApN来计算所选照射区域SAe的估计误差Re。本领域技术人员容易理解，可以将与相邻测量照射区域SApN相等数量的行和/或列添加到公式（9）中所示的行列式中。例如，将相邻测量照射区域SApN的总数表示为N，可以扩展公式（9）以获得公式（10）：

接下来，产生估计数据De（Det、Dex、Dey）可以包括计算所选照射区域SAe的估计误差Re。例如，可以使用公式（11）来计算所选照射区域SAe的估计误差Re：

R_e=λ_AR_A+λ_BR_B+λ_CR_C+λ_DR_D （11），

其中，Re表示所选照射区域的估计误差，λ_A、λ_B、λ_C、λ_D是由各个相邻测量照射区域施加到所选照射区域的权重值，并且R_A、R_B、R_C、和R_D是相邻测量照射区域的测量误差。

即，可以通过添加相邻测量照射区域SApA到SApD的相应的测量误差R_A到R_D、以及权重值λ_A、λ_B、λ_C、λ_D来计算所选照射区域SAe的估计误差Re。将相邻测量照射区域SApN的总数表示为N，可以将公式（11）改写为公式（12）：

其中，i表示相邻测量照射区域。

例如，在公式（9）和（10）中，可以基于X分量相似度γ_X来计算X分量权重值λ_X，并且可以估计X分量误差Rex，并且可以基于Y分量相似度γ_Y来计算Y分量权重值λ_Y，并且可以估计Y分量误差Rey。替换地，可以基于X分量权重值λ_X和Y分量权重值λ_Y二者来估计统一误差Ret。统一误差Ret可以是例如估计的X分量误差Rex和估计的Y分量误差Rey的平均，或者是基于X分量权重值λ_X和Y分量权重值λ_Y的中间值。

X分量处理结果或测量结果可以具有与Y分量处理结果或测量结果不同的趋势。如上所述，如果将根据本发明概念的实施例的方法应用到例如光刻工艺中，则X方向可以是步进方向并且Y方向可以是扫描方向，使得由步进引起的误差元素以及由扫描引起的误差元素可以被单独地和独立地估计。因此，估计数据De（Det、Dex、Dey）可以包含地或独立地包括由X分量相似度γ_X导致的X分量估计结果、以及由Y分量相似度γ_Y导致的Y分量估计结果。

通过执行根据本发明概念的实施例的过程，可以测量所有的照射区域SA，并且可以产生具有估计误差Re（Rt、Rx、Ry）的估计数据De（Det、Dex、Dey）。参照图10A和10B，估计数据De（Det、Dex、Dey）可以是晶片地图。例如，估计数据De（Det、Dex、Dey）可以包括仅包括X分量估计误差Rx的X分量估计数据Dex、仅包括Y分量估计误差Ry的Y分量估计数据Dey、以及包括X分量估计误差Rx和Y分量估计误差Ry的统一估计数据Det。或者，参照表6，估计数据De（Det、Dex、Dey）可以是表。

[表6]

照射区域

测量或者估计误差

X位置	Y位置	X方向	Y方向
				…	…	…	…
-5	-4	4	2
				-5	-3	5	6
…	…	…	…
				-2	1	8	5
…	…	…	…
				1	-2	-6	-5
…	…	…	…
				5	4	-6	-6
5	5	-4	-4
				…	…	…	…

估计数据De（Det、Dex、Dey）可以被提供给计算部分330。

如上所述，X分量误差可以包括基于X分量元素（例如，步进）而获得的误差，而Y分量误差可以包括基于Y分量元素（例如，扫描）而获得的误差。根据实施例，X分量元素和Y分量元素可以被包括在误差中。

再次参考图2A，根据本发明概念的实施例的校准差错的方法可以包括产生校准数据Dc（Dct、Dcx、Dcy）（S60）。产生校准数据Dc（Dct、Dcx、Dcy）可以包括将估计数据De（Det、Dex、Dey）与初始数据Di进行比较，并通过估计数据De（Det、Dex、Dey）与初始数据Di之间的差来校准或偏移初始数据Di的目标值。例如，如果初始数据Di和相同照射区域SA的估计数据De（Det、Dex、Dey）分别具有10和5的目标值，则基于校准数据Dc（Dct、Dcx、Dcy）的照射区域SA可以具有5–10=-5的校准或偏移值。参照表7，校准数据Dc（Dct、Dcx、Dcy）可以被产生为表。

[表7]

替换地，校准数据Dc（Dct、Dcx、Dcy）可以包括一组多项式回归系数：

X_cal=k_C1+k_C3X+k_C5Y+k_C7X²+k_C9XY+k_C11Y²+k_C13X³+k_C15X²Y+k_C17XY²+k_C19Y³…(13)，

Y_cal=k_C2+k_C4Y+k_C6X+k_C8Y²+k_C10XY+k_C12X²+k_C14Y³+k_C16XY²+k_C18X²Y+k_C20X³…(14)，

其中，X_cal表示每个照射区域的X分量校准目标值，Y_cal表示每个照射区域的Y分量校准目标值，X和Y表示每个照射区域的坐标，并且kc1到kc20是校准系数。

此外，可以进一步包括代表设备特性的误差常数ε_x和ε_y。即，公式（13）和（14）可以被扩展以获得公式（15）和（16）：

X_cal=k_C1+k_C3X+k_C5Y+k_C7X²+k_C9XY+k_C11Y²+k_C13X³+k_C15X²Y+k_C17XY²+k_C19Y³+ε_x…(15),

Y_cal=k_C2+k_C4Y+k_C6X+k_C8Y²+k_C10XY+k_C12X²+k_C14Y³+k_C16XY²+k_C18X²Y+k_C20X³+ε_y…(16),

其中，ε_x和ε_y为设备的每个工件的误差常量。

根据本发明概念的实施例的处理方法可以包括向处理部分100提供校准数据Dc（Dct、Dcx、Dcy），并且在数据库340中存储校准数据Dc（Dct、Dcx、Dcy）。根据本发明概念的实施例的校准误差的方法可以包括基于Dc（Dct、Dcx、Dcy）在处理部分100中处理其他晶片W。所有上述过程可以不断重复和执行。

本发明概念的实施例提供一种逻辑系统，其被配置为：通过选择在其上执行处理的晶片的一些照射区域来测量覆盖误差；使用每个照射区域的加权平均以及所有测量覆盖误差的平均和标准偏差来计算异常因子；以及基于异常因子来确定照射区域是否是异常区。

本发明概念的实施例提供一种逻辑系统，其被配置为基于已去除异常区的测量值的测量数据来估计晶片的所有照射区域的误差。

根据本发明概念的各种实施例的一种处理方法和系统包括：处理晶片，选择性地采样和测量处理结果，基于测量结果来估计所有结果，并且基于估计结果通过执行校准或者偏移处理来处理晶片。根据本发明概念的实施例，可以减少用于测量处理结果所需的时间，可以更加精确地估计测量结果，并且可以适当地校准或偏移处理。

前述是示范性实施例而不应被解读为限制。虽然已经描述一些示范性实施例，但是本领域的技术人员将容易理解，可以进行许多修改而不脱离示范性实施例的新颖教导。因此，意图将所有这些修改包括在如权利要求限定的本发明概念的范围内。

Claims

1.一种校准正在处理的晶片的目标值的方法，包括：

使用初始数据来处理具有多个照射区域的晶片，其中所述初始数据包括初始目标值，所述初始目标值包括晶片地图的向量、具有各个照射区域的数值的表格、每个照射区域的坐标、或者一组用于计算每个照射区域的坐标的多项式回归系数之一；

测量多个照射区域的每一个的误差；

将多个照射区域中的至少一些照射区域的误差相似度计算为一些照射区域的每一对之间的分隔距离的函数；

选择第一照射区域和与第一照射区域相邻的多个第二照射区域；

基于每对第二照射区域之间的误差相似度和第一照射区域与每个第二照射区域之间的误差相似度来计算第二照射区域的权重值；

基于第二照射区域的测量误差和第二照射区域的权重值来计算第一照射区域的估计误差；

基于多个照射区域的每一个的估计误差来产生估计数据；

根据估计数据和初始数据之间的差值计算校准数据；以及

使用校准数据处理具有多个照射区域的另一个晶片。

2.如权利要求1所述的方法，其中，计算误差相似度包括计算

<mrow> <mi>&gamma;</mi> <mrow> <mo>(</mo> <mi>h</mi> <mo>)</mo> </mrow> <mo>=</mo> <mfrac> <mn>1</mn> <mrow> <mn>2</mn> <mi>n</mi> </mrow> </mfrac> <munderover> <mo>&Sigma;</mo> <mrow> <mi>i</mi> <mo>=</mo> <mn>1</mn> </mrow> <mi>n</mi> </munderover> <msup> <mrow> <mo>&lsqb;</mo> <mi>R</mi> <mrow> <mo>(</mo> <msub> <mi>x</mi> <mi>i</mi> </msub> <mo>)</mo> </mrow> <mo>-</mo> <mi>R</mi> <mrow> <mo>(</mo> <msub> <mi>x</mi> <mi>i</mi> </msub> <mo>+</mo> <mi>h</mi> <mo>)</mo> </mrow> <mo>&rsqb;</mo> </mrow> <mn>2</mn> </msup> <mo>,</mo> </mrow>

其中，γ是误差相似度，h是照射区域对之间的分隔距离，n是布置在分隔距离范围内的照射区域的总数量，R(x_i)和R(x_i+h)是位置x_i处的特定照射区域和与该特定照射区域相隔距离范围h的另一照射区域的测量误差。

3.如权利要求1所述的方法，其中，计算误差相似度包括：

独立地计算

基于沿X方向布置为彼此相邻的照射区域的测量误差的X分量误差相似度，

基于沿Y方向布置为彼此相邻的照射区域的测量误差的Y分量误差相似度，以及

基于X分量误差相似度、Y分量误差相似度、和沿对角线方向布置为彼此相邻的照射区域的测量误差的对角线误差相似度。

4.如权利要求2所述的方法，其中，计算权重值包括计算

<mrow> <mfenced open = "[" close = "]"> <mtable> <mtr> <mtd> <msub> <mi>&lambda;</mi> <mi>A</mi> </msub> </mtd> </mtr> <mtr> <mtd> <msub> <mi>&lambda;</mi> <mi>B</mi> </msub> </mtd> </mtr> <mtr> <mtd> <msub> <mi>&lambda;</mi> <mi>C</mi> </msub> </mtd> </mtr> <mtr> <mtd> <msub> <mi>&lambda;</mi> <mi>D</mi> </msub> </mtd> </mtr> <mtr> <mtd> <mn>...</mn> </mtd> </mtr> <mtr> <mtd> <msub> <mi>&lambda;</mi> <mi>N</mi> </msub> </mtd> </mtr> </mtable> </mfenced> <mo>=</mo> <msup> <mfenced open = "[" close = "]"> <mtable> <mtr> <mtd> <msub> <mi>&gamma;</mi> <mrow> <mi>A</mi> <mi>A</mi> </mrow> </msub> </mtd> <mtd> <msub> <mi>&gamma;</mi> <mrow> <mi>A</mi> <mi>B</mi> </mrow> </msub> </mtd> <mtd> <msub> <mi>&gamma;</mi> <mrow> <mi>A</mi> <mi>C</mi> </mrow> </msub> </mtd> <mtd> <msub> <mi>&gamma;</mi> <mrow> <mi>A</mi> <mi>D</mi> </mrow> </msub> </mtd> <mtd> <mn>...</mn> </mtd> <mtd> <msub> <mi>&gamma;</mi> <mrow> <mi>A</mi> <mi>N</mi> </mrow> </msub> </mtd> </mtr> <mtr> <mtd> <msub> <mi>&gamma;</mi> <mrow> <mi>B</mi> <mi>A</mi> </mrow> </msub> </mtd> <mtd> <msub> <mi>&gamma;</mi> <mrow> <mi>B</mi> <mi>B</mi> </mrow> </msub> </mtd> <mtd> <msub> <mi>&gamma;</mi> <mrow> <mi>B</mi> <mi>C</mi> </mrow> </msub> </mtd> <mtd> <msub> <mi>&gamma;</mi> <mrow> <mi>B</mi> <mi>D</mi> </mrow> </msub> </mtd> <mtd> <mn>...</mn> </mtd> <mtd> <msub> <mi>&gamma;</mi> <mrow> <mi>B</mi> <mi>N</mi> </mrow> </msub> </mtd> </mtr> <mtr> <mtd> <msub> <mi>&gamma;</mi> <mrow> <mi>C</mi> <mi>A</mi> </mrow> </msub> </mtd> <mtd> <msub> <mi>&gamma;</mi> <mrow> <mi>C</mi> <mi>B</mi> </mrow> </msub> </mtd> <mtd> <msub> <mi>&gamma;</mi> <mrow> <mi>C</mi> <mi>C</mi> </mrow> </msub> </mtd> <mtd> <msub> <mi>&gamma;</mi> <mrow> <mi>C</mi> <mi>D</mi> </mrow> </msub> </mtd> <mtd> <mn>...</mn> </mtd> <mtd> <msub> <mi>&gamma;</mi> <mrow> <mi>C</mi> <mi>N</mi> </mrow> </msub> </mtd> </mtr> <mtr> <mtd> <msub> <mi>&gamma;</mi> <mrow> <mi>D</mi> <mi>A</mi> </mrow> </msub> </mtd> <mtd> <msub> <mi>&gamma;</mi> <mrow> <mi>D</mi> <mi>B</mi> </mrow> </msub> </mtd> <mtd> <msub> <mi>&gamma;</mi> <mrow> <mi>D</mi> <mi>C</mi> </mrow> </msub> </mtd> <mtd> <msub> <mi>&gamma;</mi> <mrow> <mi>D</mi> <mi>D</mi> </mrow> </msub> </mtd> <mtd> <mn>...</mn> </mtd> <mtd> <msub> <mi>&gamma;</mi> <mrow> <mi>D</mi> <mi>N</mi> </mrow> </msub> </mtd> </mtr> <mtr> <mtd> <mn>...</mn> </mtd> <mtd> <mn>...</mn> </mtd> <mtd> <mn>...</mn> </mtd> <mtd> <mn>...</mn> </mtd> <mtd> <mn>...</mn> </mtd> <mtd> <mn>...</mn> </mtd> </mtr> <mtr> <mtd> <msub> <mi>&gamma;</mi> <mrow> <mi>N</mi> <mi>A</mi> </mrow> </msub> </mtd> <mtd> <msub> <mi>&gamma;</mi> <mrow> <mi>N</mi> <mi>B</mi> </mrow> </msub> </mtd> <mtd> <msub> <mi>&gamma;</mi> <mrow> <mi>N</mi> <mi>C</mi> </mrow> </msub> </mtd> <mtd> <msub> <mi>&gamma;</mi> <mrow> <mi>N</mi> <mi>D</mi> </mrow> </msub> </mtd> <mtd> <mn>...</mn> </mtd> <mtd> <msub> <mi>&gamma;</mi> <mrow> <mi>N</mi> <mi>N</mi> </mrow> </msub> </mtd> </mtr> </mtable> </mfenced> <mrow> <mo>-</mo> <mn>1</mn> </mrow> </msup> <mfenced open = "[" close = "]"> <mtable> <mtr> <mtd> <msub> <mi>&gamma;</mi> <mrow> <mi>A</mi> <mi>S</mi> </mrow> </msub> </mtd> </mtr> <mtr> <mtd> <msub> <mi>&gamma;</mi> <mrow> <mi>B</mi> <mi>S</mi> </mrow> </msub> </mtd> </mtr> <mtr> <mtd> <msub> <mi>&gamma;</mi> <mrow> <mi>C</mi> <mi>S</mi> </mrow> </msub> </mtd> </mtr> <mtr> <mtd> <msub> <mi>&gamma;</mi> <mrow> <mi>D</mi> <mi>S</mi> </mrow> </msub> </mtd> </mtr> <mtr> <mtd> <mn>...</mn> </mtd> </mtr> <mtr> <mtd> <msub> <mi>&gamma;</mi> <mrow> <mi>N</mi> <mi>S</mi> </mrow> </msub> </mtd> </mtr> </mtable> </mfenced> </mrow>

其中，λ_A、λ_B、λ_C、λ_D、…λ_N是由第二照射区域施加到第一照射区域的权重值，γ_AA...γ_AD、γ_BA...γ_BD、γ_CA...γ_CD、γ_DA...γ_DD、…、γ_NA...γ_ND是每对第二照射区域之间的误差相似度，其中γ_AA、γ_BB、γ_CC、γ_DD、…γ_NN＝0，并且γ_AS、γ_BS、γ_CS、γ_DS、…γ_NS是所选第一照射区域与第二照射区域之间的误差相似度。

5.如权利要求4所述的方法，其中，计算估计误差包括计算：

<mrow> <msub> <mi>R</mi> <mi>e</mi> </msub> <mo>=</mo> <munderover> <mi>&Sigma;</mi> <mrow> <mi>i</mi> <mo>=</mo> <mn>1</mn> </mrow> <mi>N</mi> </munderover> <msub> <mi>&lambda;</mi> <mi>i</mi> </msub> <msub> <mi>R</mi> <mi>i</mi> </msub> <mo>,</mo> </mrow>

其中，R_e是所选第一照射区域的估计误差，N是第一照射区域的数量，λ_i是第二照射区域的权重值，并且R_i是第二照射区域的测量误差。

6.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

确定照射区域是否是异常区；以及

从测量数据中删除被确定为异常区的照射区域的测量误差，

其中，确定第一照射区域是否是异常区包括：

计算多个照射区域的异常因子；

设置基准异常因子；以及

将其异常因子的绝对值大于基准异常因子的那些照射区域确定为异常区。

7.如权利要求6所述的方法，其中，设置基准异常因子包括：

设置基准误差；

将基准异常因子设置为相对小于其测量误差大于基准误差的照射区域的计算的异常因子；以及

将基准异常因子设置为相对大于其测量误差小于基准误差的照射区域的计算的异常因子。

8.如权利要求6所述的方法，其中，计算多个照射区域的异常因子包括：

选择多个照射区域中的一个；

选择被布置为与所选照射区域相邻的至少两个第二照射区域；

基于至少两个相邻第二照射区域的测量误差来计算所选照射区域的加权平均；

计算所选照射区域的加权平均与所选照射区域的测量误差之间的差；

对于所有的多个照射区域，计算所选照射区域的加权平均与所选照射区域的测量误差之间的差的平均和标准偏差；以及

将通过从所选照射区域的加权平均和测量误差之间的差中减去平均值而获得的值除以标准偏差，

其中，计算加权平均包括计算：

<mrow> <msub> <mi>WA</mi> <mi>S</mi> </msub> <mo>=</mo> <mfrac> <mrow> <munderover> <mi>&Sigma;</mi> <mrow> <mi>l</mi> <mo>=</mo> <mn>1</mn> </mrow> <mi>n</mi> </munderover> <mrow> <mo>(</mo> <msub> <mi>R</mi> <mi>l</mi> </msub> <mo>/</mo> <msub> <mi>d</mi> <mi>l</mi> </msub> <mo>)</mo> </mrow> </mrow> <mrow> <munderover> <mi>&Sigma;</mi> <mrow> <mi>l</mi> <mo>=</mo> <mn>1</mn> </mrow> <mi>n</mi> </munderover> <mrow> <mo>(</mo> <mn>1</mn> <mo>/</mo> <msub> <mi>d</mi> <mi>l</mi> </msub> <mo>)</mo> </mrow> </mrow> </mfrac> <mo>,</mo> </mrow>

其中，WA_S是所选照射区域的加权平均，l表示相邻照射区域，n是相邻照射区域的总数量，d是所选照射区域与每个相邻照射区域之间的距离，并且R表示每个相邻照射区域的测量误差。

9.如权利要求1所述的方法，进一步包括计算包括估计数据与初始数据之间的差的校准数据，

其中，校准数据包括所有的多个照射区域的X分量校准目标值和Y分量校准目标值，

其中，估计数据包括：

具有多个照射区域的X分量测量误差的X分量估计数据；以及

具有多个照射区域的Y分量测量误差的Y分量估计数据。

10.如权利要求1所述的方法，进一步包括计算包括估计数据与初始数据之间的差的校准数据，

其中，校准数据包括从以下公式计算的一组多项式回归系数k_c1至k_c20，

X_cal＝k_C1+k_C3X+k_C5Y+k_C7X²+k_C9XY+k_C11Y²+k_C13X³+k_C15X²Y+k_C17XY²+k_C19Y³+ε_x,

Y_cal＝k_C2+k_C4Y+k_C6X+k_C8Y²+k_C10XY+k_C12X²+k_C14Y³+k_C16XY²+k_C18X²Y+k_C20X³+ε_y,

其中，X_cal是每个照射区域的X分量校准目标值，Y_cal是每个照射区域的Y分量校准目标值，X和Y是每个照射区域的位置，k_c1到k_c20是校准系数，并且ε_x和ε_y是设备的每个工件的误差常量。

11.一种校准正在处理的晶片的目标值的方法，包括：

使用初始数据来处理具有第一照射区域和第二照射区域的晶片，其中所述初始数据包括初始目标值，所述初始目标值包括晶片地图的向量、具有各个照射区域的数值的表格、每个照射区域的坐标、或者一组用于计算每个照射区域的坐标的多项式回归系数之一；

测量第一照射区域的第一误差；

估计第二照射区域的第二误差；

产生包括第一误差和第二误差的估计数据，

确定第一照射区域是否是异常区；以及

从测量数据中删除被确定为异常区的第一照射区域的第一误差；

根据估计数据和初始数据之间的差值计算校准数据；以及

使用校准数据处理具有第一照射区域和第二照射区域的另一个晶片，

其中，估计第二误差包括：

相对于第一照射区域的第一误差之间的距离来计算第一相似度；

基于第一相似度来估计第一照射区域和第二照射区域的误差之间的第二相似度；

基于第一相似度和第二相似度计算由第一照射区域的第一误差施加到第二照射区域的第二误差的权重值；以及

基于第一误差、第一相似度、第二相似度、和权重值来估计第二照射区域的第二误差。

12.如权利要求11所述的方法，其中，从以下公式计算第一相似度，

<mrow> <mi>&gamma;</mi> <mrow> <mo>(</mo> <mi>h</mi> <mo>)</mo> </mrow> <mo>=</mo> <mfrac> <mn>1</mn> <mrow> <mn>2</mn> <mi>n</mi> </mrow> </mfrac> <munderover> <mo>&Sigma;</mo> <mrow> <mi>i</mi> <mo>=</mo> <mn>1</mn> </mrow> <mi>n</mi> </munderover> <msup> <mrow> <mo>&lsqb;</mo> <mi>R</mi> <mrow> <mo>(</mo> <msub> <mi>x</mi> <mi>i</mi> </msub> <mo>)</mo> </mrow> <mo>-</mo> <mi>R</mi> <mrow> <mo>(</mo> <msub> <mi>x</mi> <mi>i</mi> </msub> <mo>+</mo> <mi>h</mi> <mo>)</mo> </mrow> <mo>&rsqb;</mo> </mrow> <mn>2</mn> </msup> </mrow>

其中，γ是第一相似度，h是第一照射区域之间的距离范围，n是布置在距离范围内的第一照射区域的总数量，R(x_i)是特定第一照射区域的第一误差，并且R(x_i+h)是与该特定第一照射区域相隔距离范围h的另一第一照射区域的第一误差，

其中，计算第一相似度包括独立地计算仅基于沿X方向布置为彼此相邻的第一照射区域的第一误差的X分量第一相似度、以及仅基于沿Y方向布置为彼此相邻的第一照射区域的第一误差的Y分量第一相似度。

13.如权利要求11所述的方法，其中，从以下的公式计算权重值：

其中，λ_A、λ_B、λ_C、λ_D是由相邻第一照射区域施加到所选第二照射区域的权重值，γ_AA～γ_AN,γ_BA～γ_BN,γ_CA～γ_CN,γ_DA～γ_DN,…,γ_NA～γ_NN是第一照射区域(γ_AA,γ_BB,γ_CC,γ_DD,…,γ_NN＝0)的第一误差之间的第一相似度，并且γ_AS、γ_BS、γ_CS、γ_DS、…、γ_NS是所选第二照射区域的第二误差与相邻第一照射区域的第一误差之间的第二相似度，并且

其中，从以下的公式计算第二误差：

其中，R_e是所选第二照射区域的第二误差，l是第一照射区域的数量，λ是由第一照射区域施加的权重值，并且R_i是第一照射区域的第一误差。

14.如权利要求11所述的方法，其中，确定第一照射区域是否是异常区包括：

计算各个第一照射区域的异常因子的绝对值；

设置基准异常因子；以及

将具有大于基准异常因子的绝对值的异常因子的第一照射区域确定为异常区，

其中，设置基准异常因子包括：

设置基准误差；

当每个第一照射区域的第一误差大于基准误差时，将基准异常因子设置为相对小的值；以及

当每个第一照射区域的第一误差小于基准误差时，将基准异常因子设置为相对大的值，并且

其中，计算各个第一照射区域的异常因子包括：

选择第一照射区域中的一个；

选择被布置为与所述一个选择的第一照射区域相邻的至少两个第一照射区域；

基于被布置为与所选第一照射区域相邻的所述至少两个第一照射区域的第一误差来计算所述一个选择的第一照射区域的加权平均；

计算所述一个选择的第一照射区域的加权平均与第一误差之间的差；

计算所有的第一照射区域的所有的第一误差的平均；

计算所有的第一照射区域的所有的第一误差的标准偏差；以及

将通过从所述一个选择的第一照射区域的加权平均与第一误差之间的差减去平均值而获得的值除以标准偏差。

15.如权利要求11所述的方法，其中，估计数据包括：

具有第一和第二照射区域的X分量第一误差和X分量第二误差的X分量估计数据；以及

具有第一和第二照射区域的Y分量第一误差和Y分量第二误差的Y分量估计数据，

其中，该方法进一步包括：

计算包括估计数据与初始数据之间的差的校准数据，

其中，校准数据包括所有的第一和第二照射区域的X分量校准目标值和Y分量校准目标值。

16.一种校准正在处理的晶片的目标值的系统，包括：

处理部分，其被配置为基于初始数据来处理具有多个照射区域的晶片，其中所述初始数据包括初始目标值，所述初始目标值包括晶片地图的向量、具有各个照射区域的数值的表格、每个照射区域的坐标、或者一组用于计算每个照射区域的坐标的多项式回归系数之一；

测量部分，其被配置为测量多个照射区域的误差，并且产生测量数据；

采样部分，其被配置为从测量数据中去除测量误差中的一些，并且产生采样数据；

估计部分，其被配置为计算多个照射区域的估计误差，将估计误差添加到采样数据中，并且产生估计数据；以及

计算部分，其被配置为将估计数据与初始数据进行比较，并且产生校准数据，使用校准数据处理具有多个照射区域的另一个晶片，

其中，估计部分将多个照射区域中的至少一些照射区域的误差相似度计算为多个照射区域中的照射区域对之间的分隔距离的函数，选择第一照射区域和与第一照射区域相邻的多个第二照射区域，基于每对第二照射区域之间的误差相似度和第一照射区域与每个第二照射区域之间的误差相似度来计算第二照射区域的权重值，并且基于第二照射区域的测量误差和第二照射区域的权重值来计算第一照射区域的估计误差。

17.如权利要求16所述的系统，其中，初始数据包括：包括多个照射区域的X分量初始目标值和Y分量初始目标值的表、或者用于计算多个照射区域的初始目标值的一组初始多项式回归系数中的任何一个，并且

校准数据包括：包括多个照射区域的X分量校准目标值和Y分量校准目标值的表、或者用于计算多个照射区域的校准目标值的一组多项式回归系数中的任何一个，

其中，初始数据包括用于光刻工艺的多个照射区域的覆盖目标值，

其中，处理部分包括光刻设备，其被配置为以与多个照射区域的数量一样多地沿X方向执行步进，并且沿Y方向执行扫描，

其中，估计数据包括：

包括多个照射区域的X分量测量误差的X分量估计数据；以及

包括多个照射区域的Y分量测量误差的Y分量估计数据。

18.如权利要求16所述的系统，其中，多个照射区域的测量误差包括理想覆盖值与测量覆盖值之间的差。

19.如权利要求16所述的系统，其中，从测量数据中去除测量误差中的一些包括：

确定照射区域是否是异常区；以及

从测量数据中去除被确定为异常区的那些照射区域的测量误差，并且在采样数据中包括没有被确定为异常区的那些照射区域的测量误差。

20.如权利要求19所述的系统，其中，确定照射区域是否是异常区包括为多个照射区域的每个照射区域计算异常因子，包括：

选择多个照射区域中的一个；

选择被布置为与选择的照射区域相邻的至少两个第二照射区域；

基于所述至少两个相邻第二照射区域的测量误差来计算选择的照射区域的加权平均；

计算选择的照射区域的加权平均与选择的照射区域的测量误差之间的差；

为所有的多个照射区域计算选择的照射区域的加权平均与选择的照射区域的测量误差之间的差的平均和标准偏差；以及

将通过从差中减去平均值而获得的值除以标准偏差。

21.如权利要求20所述的系统，其中，计算加权平均包括计算：

<mrow> <msub> <mi>WA</mi> <mi>S</mi> </msub> <mo>=</mo> <mfrac> <mrow> <munderover> <mi>&Sigma;</mi> <mrow> <mi>l</mi> <mo>=</mo> <mn>1</mn> </mrow> <mi>n</mi> </munderover> <mrow> <mo>(</mo> <msub> <mi>R</mi> <mi>l</mi> </msub> <mo>/</mo> <msub> <mi>d</mi> <mi>l</mi> </msub> <mo>)</mo> </mrow> </mrow> <mrow> <munderover> <mi>&Sigma;</mi> <mrow> <mi>l</mi> <mo>=</mo> <mn>1</mn> </mrow> <mi>n</mi> </munderover> <mrow> <mo>(</mo> <mn>1</mn> <mo>/</mo> <msub> <mi>d</mi> <mi>l</mi> </msub> <mo>)</mo> </mrow> </mrow> </mfrac> </mrow>

其中，WA_S是所选照射区域的加权平均，l表示相邻照射区域，n是相邻照射区域的总数量，d是所选照射区域与每个相邻照射区域之间的距离，并且R是每个相邻照射区域的测量误差。

22.如权利要求16所述的系统，其中，计算误差相似度包括计算：

其中，γ是误差相似度，h是照射区域对之间的分隔距离，n是布置在分隔距离范围内的照射区域的总数量，R(x_i)和R(x_i+h)是在位置x_i处的特定照射区域和与该特定照射区域相隔距离范围h的另一照射区域的测量误差。

23.如权利要求16所述的系统，其中，计算误差相似度包括：

独立地计算基于沿X方向布置为彼此相邻的照射区域的测量误差的X分量误差相似度，

24.如权利要求16所述的系统，其中，计算权重值包括计算：

其中，λ_A、λ_B、λ_C、λ_D、…、λ_N是由第二照射区域施加到第一照射区域的权重值，γ_AA...γ_AD、γ_BA...γ_BD、γ_CA...γ_CD、γ_DA...γ_DD、…、γ_NA...γ_ND是每对第二照射区域之间的误差相似度，其中γ_AA,γ_BB,γ_CC,γ_DD,…γ_NN＝0，并且γ_AS、γ_BS、γ_CS、γ_DS、…γ_NS是所选第一照射区域与各个第二照射区域之间的误差相似度。

25.如权利要求16所述的系统，其中，计算估计误差包括计算：

<mrow> <msub> <mi>R</mi> <mi>e</mi> </msub> <mo>=</mo> <munderover> <mi>&Sigma;</mi> <mrow> <mi>i</mi> <mo>=</mo> <mn>1</mn> </mrow> <mi>N</mi> </munderover> <msub> <mi>&lambda;</mi> <mi>i</mi> </msub> <msub> <mi>R</mi> <mi>i</mi> </msub> </mrow>

其中，R_e是所选第一照射区域的估计误差，n表示相邻第二照射区域，λ_i是相邻第二照射区域的权重值，并且R_i是相邻第二照射区域的测量误差。

26.一种校准正在处理的晶片的目标值的系统，包括：

处理部分，其被配置为基于初始数据来处理具有多个第一照射区域和多个第二照射区域的晶片，其中所述初始数据包括初始目标值，所述初始目标值包括晶片地图的向量、具有各个照射区域的数值的表格、每个照射区域的坐标、或者一组用于计算每个照射区域的坐标的多项式回归系数之一；

测量部分，其被配置为测量多个第一照射区域的第一误差，并且产生测量数据；

采样部分，其被配置为从测量数据中去除第一误差中的一些，并且产生采样数据；

估计部分，其被配置为估计第二照射区域的第二误差，将第二误差添加到采样数据中，并且产生估计数据；以及

计算部分，其被配置为将估计数据与初始数据进行比较，并且产生校准数据，使用校准数据处理具有第一照射区域和第二照射区域的另一个晶片，

其中，估计部分计算相对于第一照射区域的第一误差之间的距离的第一相似度，基于第一相似度来估计第一照射区域和第二照射区域的误差之间的第二相似度，基于第一相似度和第二相似度来计算由第一照射区域的第一误差施加到第二照射区域的第二误差的权重值，并且基于第一误差、第一相似度、第二相似度、和权重值来估计第二照射区域的第二误差。

27.如权利要求26所述的系统，其中，从测量数据中去除第一误差中的一些包括：

确定第一照射区域是否是异常区；以及

从测量数据中去除被确定为异常区的第一照射区域的第一误差，其中，仅将未被确定为异常区的第一照射区域的第一误差包括在采样数据中。

28.如权利要求26所述的系统，其中，计算每个第一照射区域的异常因子包括：

选择第一照射区域中的一个；

计算所述一个选择的第一照射区域的加权平均；

计算所述一个选择的第一照射区域的加权平均与所述一个选择的第一照射区域的第一误差之间的差；

计算所有的第一照射区域的第一误差的平均；

计算所有的第一照射区域的第一误差的标准偏差；以及

将通过从差中减去平均值而获得的值除以标准偏差。

29.如权利要求26所述的系统，其中，估计数据包括：

包括第一和第二照射区域的X分量第一误差和X分量第二误差的X分量估计数据；以及

包括第一和第二照射区域的Y分量第一误差和Y分量第二误差的Y分量估计数据。

30.如权利要求26所述的系统，其中，从以下的公式计算第二误差：

其中，R_e是所选第一照射区域的第一误差，i是相邻第一照射区域，λ_i是相邻第一照射区域的权重值，并且R_i是相邻第一照射区域的第一误差。