CN104018221A - 一种应用热交换生产多晶硅铸锭的方法 - Google Patents

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王文广
周光进
应红飞
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Abstract

本发明涉及一种应用热交换生产多晶硅铸锭的方法，该方法是先在坩埚的内壁上喷涂二氧化硅胶体溶液并形成具有针尖状凸出层或点状凸出层，待二氧化硅胶体溶液干燥后，再将多晶硅料放入坩埚内，在真空状态下，启动多晶硅铸锭炉内的顶部加热器和位于坩锅中部的两侧加热器，把多晶炉升温加热到1550℃，待多晶硅料全部熔化后，按一定速度持续且慢慢提升四周的隔热板进行降温，当温度低于硅的熔点时开始长晶并在坩埚内壁的针尖状凸出层或点状凸出层上优先形成一个稳定晶向的优势尖端，通过该优势尖端诱导长晶并形成相对稳定的晶向至所有硅都结晶为止。采用本发明，由于坩埚内壁具有针尖状凸出层或点状凸出层，长晶过程中会形成相对稳定的晶向，减少了位错，从而提高了多晶硅少子寿命和光电转换效率。

Description

一种应用热交换生产多晶硅铸锭的方法
技术领域
本发明涉及一种应用热交换生产多晶硅铸锭的方法。
背景技术
目前，应用热交换生产多晶硅铸锭的方法是；直接将多晶硅料放在铸锭坩埚内，在真空状态下，将多晶硅铸锭炉内的顶部加热器和位于坩锅中部的两侧加热器的功率控制在25%和75%，把多晶炉升温加热到1550℃，待多晶硅料全部熔化后，按一定速度持续且慢慢提升四周的隔热板，使得四周隔热板与底部隔热板之间具有散热口，并通过热交换台的平面状的热交换面使坩埚底部开始降温，当温度低于硅的熔点时，开始长晶至所有硅都结晶为止。这种方法，由于长晶过程中易形成凸形界面，造成很多晶向位错，沉积杂质，影响多晶硅少子寿命和光电转换效率。
发明内容
本发明的目的是提供能提供能诱导长晶形成优势尖端，确保长晶过程中减少位错的一种应用热交换生产多晶硅铸锭的方法。。
本发明采取的技术方案是：一种应用热交换生产多晶硅铸锭的方法，其特征在于先在坩埚的内壁上喷涂二氧化硅胶体溶液并形成具有针尖状凸出层或点状凸出层，待二氧化硅胶体溶液干燥后，再将多晶硅料放入坩埚内，在真空状态下，启动多晶硅铸锭炉内的顶部加热器和位于坩锅中部的两侧加热器，把多晶炉升温加热到1550℃，待多晶硅料全部熔化后，按一定速度持续且慢慢提升四周的隔热板进行降温，当温度低于硅的熔点时开始长晶并在坩埚内壁的针尖状凸出层或点状凸出层上优先形成一个稳定晶向的优势尖端，通过该优势尖端诱导长晶并形成相对稳定的晶向至所有硅都结晶为止。
采用本发明，由于坩埚内壁具有针尖状凸出层或点状凸出层，在长晶过程中会优先形成一个稳定晶向的优势尖端并通过该优势尖端诱导长晶，形成相对稳定的晶向，减少了位错，从而提高了多晶硅少子寿命和光电转换效率。
具体实施方式
下面对本发明作进一步说明。它包括下列步骤；
一、在坩埚的内壁上喷涂二氧化硅胶体溶液并形成具有针尖状凸出层或点状凸出层，直至二氧化硅胶体溶液干燥。
二、将多晶硅料放在坩埚内，在真空状态下，启动多晶硅铸锭炉内的顶部加热器和位于坩锅中部的两侧加热器，并将功率控制在25%和75%。
三、把多晶炉升温加热到1550℃，待多晶硅料全部熔化后，按一定速度持续且慢慢提升四周的隔热板，使得四周隔热板与底部隔热板之间具有散热口，并通过热交换台的平面状的热交换面使坩埚底部开始降温。
四、当温度低于硅的熔点时，开始长晶，先在坩埚内壁的针尖状凸出层或点状凸出层上优先形成一个稳定晶向的优势尖端并通过该优势尖端诱导长晶，形成相对稳定的晶向至所有硅都结晶为止。

Claims (1)

1.一种应用热交换生产多晶硅铸锭的方法，其特征在于先在坩埚的内壁上喷涂二氧化硅胶体溶液并形成具有针尖状凸出层或点状凸出层，待二氧化硅胶体溶液干燥后，再将多晶硅料放入坩埚内，在真空状态下，启动多晶硅铸锭炉内的顶部加热器和位于坩锅中部的两侧加热器，把多晶炉升温加热到1550℃，待多晶硅料全部熔化后，按一定速度持续且慢慢提升四周的隔热板进行降温，当温度低于硅的熔点时开始长晶并在坩埚内壁的针尖状凸出层或点状凸出层上优先形成一个稳定晶向的优势尖端，通过该优势尖端诱导长晶并形成相对稳定的晶向至所有硅都结晶为止。
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PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
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C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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