CN104010980A - 玻璃基板和玻璃基板的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种玻璃基板的制造方法，其特征在于，具有(a)在铁浓度为100ppm以上的熔融锡上，通过成形粘度η(dPa·s)的对数为2时温度T2为1500℃以下的熔融玻璃，得到粘度η(dPa·s)的对数为4时的温度T4在1100℃以下，150℃中体积电阻率ρ(Ω·cm)的对数logρ在8.8以上的玻璃带的步骤；和(b)将前述玻璃带冷却至室温，得到玻璃基板的步骤。

Description

玻璃基板和玻璃基板的制造方法
技术领域
本发明涉及一种玻璃基板和玻璃基板的制造方法。
背景技术
具有高透射率的所谓“高透射性玻璃基板”，灵活运用其特性，适用于例如太阳能电池用的玻璃基板等。
另外，在工业上，玻璃基板可通过称为浮法的方法进行制造。该浮法中，在强还原气氛中将熔融玻璃导入具有熔融锡的浮法锡槽内，在熔融锡的表面上成形玻璃带后，通过将该玻璃带冷却至室温而制造玻璃基板。这里，已知在玻璃带的与熔融锡接触的表面(以下，称为底面)上，锡离子通过热扩散侵入，最外表面成为强还原状态。并且在玻璃中的铁浓度和锡中的铁浓度不处于平衡状态的情况下，铁向其得到平衡的方向产生扩散。其结果是，在与玻璃带中的锡浓度相比熔融锡中的铁浓度低的情况下，熔融锡中的铁浓度增加，直至实现平衡。另一方面，在与玻璃带中的锡浓度相比熔融锡中的铁浓度高的情况下，熔融锡中的铁浓度减少，直至实现平衡。
这里，在以浮法制造“高透射性玻璃基板”的情况下，在底面中，需要留意铁成分从熔融锡一侧向玻璃带一侧侵入。这是由于铁成分在玻璃中以离子状态存在时，具有吸收光的性质。例如，2价铁离子在波长约1000nm的区域中显示吸收峰。此外，3价铁离子在波长约380nm的区域中显示吸收峰。除此之外，在强还原状态下，已知铁离子呈现在所谓红棕色的450nm上具有峰的强着色。因此，如果玻璃带中含有这样的铁成分，则会降低最终得到的玻璃基板的透射性。尤其，在高浓度的铁成分侵入到了玻璃带中的情况下，有时会难以制造“高透射性玻璃基板”。
另外，为了应对这样的问题，专利文献1中揭示了，使用铁的浓度在55ppm以上且不足100ppm的低铁浓度熔融锡成形“高透射性玻璃基板”。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利第4251552号说明书
发明内容
发明所要解决的技术问题
前述专利文献1所记载的方法中，通过使用铁浓度低的熔融锡，抑制铁从熔融锡一侧向玻璃带一侧侵入，成形“高透射性玻璃基板”。
但是，该方法由于以下的理由，并不能称为是实用的应对方法。
即，通常而言，在一个浮法设备中，大多制造多个种类的玻璃基板。例如，汽车的玻璃构件用的玻璃基板(具有铁浓度较高的特征)、和高透射性玻璃基板，常常有以一个设备进行制造的情况。由于多数情况下汽车的玻璃构件用的玻璃基板的铁浓度高，在制造汽车的玻璃构件用的玻璃基板后，熔融锡中，有时含有例如超过100ppm这样的相当量的铁。
因此，按照专利文献1所记载的方法的情况下，例如，在制造汽车的玻璃构件用的玻璃基板后，在以同一个设备制造高透射性玻璃基板的情况下等，产生了将浮法锡槽内的熔融锡交换为低铁浓度的熔融锡的必要。这样的熔融锡的交换造成了设备的启动时间的减少和成本的上升等。
由此，目前希望有另外的可抑制铁成分从熔融锡一侧向玻璃带一侧侵入的、制造高透射性玻璃基板的方法，。
本发明是鉴于这样的背景下完成的发明，本发明的目的是提供一种在浮法中，即使在使用具有较高铁浓度的熔融锡的情况下，也能够高效抑制铁的侵入的玻璃基板的制造技术。
解决技术问题所采用的技术方案
如果采用一种实施方式，则提供一种玻璃基板，它是在具有大于制造的玻璃的平衡浓度的铁浓度的熔融锡上成形的玻璃基板，其中，
150℃中体积电阻率ρ(Ω·cm)的对数logρ在8.8以上，
粘度η(dPa·s)的对数为4时的温度T4在1100℃以下，
粘度η(dPa·s)的对数为2时的温度T2在1500℃以下。
如果采用其它实施方式，则提供一种玻璃基板的制造方法，其中，具备
(a)在铁浓度为100ppm以上的熔融锡上，通过成形粘度η(dPa·s)的对数为2时温度T2为1500℃以下的熔融玻璃，
得到粘度η(dPa·s)的对数为4时的温度T4为1100℃以下，150℃中体积电阻率ρ(Ω·cm)的对数logρ为8.8以上的玻璃带的步骤，
(b)将前述玻璃带冷却至室温，得到玻璃基板的步骤。
附图说明
图1是简略表示本实施方式的玻璃基板的制造方法的流程的一例的图。
图2是简略表示本实施方式的具备玻璃基板的太阳能电池的一构成例的图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明，但本发明并不局限于下述的实施方式，可以在不脱离本发明的范围的前提下，对下述的实施方式进行各种变形和替换。
在本实施方式中，玻璃基板为具有高透射率玻璃基板，例如可用于太阳能电池用的基板等的玻璃基板。
本实施方式提供一种玻璃基板的制造方法，其中，具备
(a)在铁浓度为100ppm以上的熔融锡上，通过成形粘度η(dPa·s)的对数为2时温度T2(以下，简称为“T2”。)为1500℃以下的熔融玻璃，
得到粘度η(dPa·s)的对数为4时的温度T4(以下，简称为“T4”。)为1100℃以下，150℃中体积电阻率ρ(Ω·cm)的对数logρ(以下，简称为“logρ”。)为8.8以上的玻璃带的步骤，
(b)将前述玻璃带冷却至室温，得到玻璃基板的步骤，
如前所述，目前的方法是通过将熔融锡中的铁浓度控制在55ppm以上且不足100ppm来抑制铁从熔融锡一侧向玻璃带一侧的侵入，制造高透射性玻璃基板。
但是，这样的方法对目前工业上采用的通常的玻璃基板的制造方法的适用存在极限。例如，在以同样的设备制造汽车的玻璃构件用的玻璃基板(具有铁浓度较高的特征)和高透射性玻璃基板的情况下，常常发生在熔融锡中含有相当量的铁，例如超过100ppm的情况。该情况下，在制造高透射性玻璃基板之前，每次将浮法锡槽内的熔融锡换成低铁浓度的熔融锡会导致设备的运行时间的减少和成本的上升等。
对此，本实施方式的特征在于，将熔融玻璃以玻璃带的logρ在8.8以上为条件进行制备。此外，本实施方式的特征还在于，将熔融玻璃以T4在1100℃以下为条件进行制备。
另外，在本实施方式中，体积电阻率ρ指通过按照ASTM C657-78为根据的方法所测定的值。
此外，在本实施方式中，T4指利用旋转粘度计所测定的值。通常，熔融玻璃在粘度η(dPa·s)的对数为4的粘度下，从熔化状态转移到锡浴中进行的成型过程中。因此，T4相当于玻璃带与熔融锡接触时的温度。
发明人发现，在玻璃带的logρ为8.8以上的情况下，这样的玻璃带中各种离子的从熔融锡一侧向玻璃带一侧的移动被显著抑制，可得到高扩散防止特性。为此，本实施方式中，即使是在玻璃带与熔融锡接触的状态下，也可高效抑制铁成分或锡从熔融锡一侧向玻璃带一侧侵入。因此，本实施方式中，即使熔融锡中所含的铁浓度为100ppm以上，也可显著抑制铁成分从熔融锡一侧侵入玻璃带。
此外，本实施方式中，T4为1100℃以下。即，将玻璃带与熔融锡接触时的温度抑制在1100℃以下。由此，抑制玻璃带和熔融锡之间的反应性，进一步抑制来自熔融锡一侧的铁成分的侵入。
进一步，本实施方式的特征在于，熔融玻璃的T2为1500℃以下。
这里，在本实施方式中，T2指利用旋转粘度计所测定的值。
通常，2价的铁(离子)和3价的铁(离子)之间，存在以下(1)式所表示的平衡反应。
Fe2O3＝2FeO+1/2O2   (1)式
该平衡的特征在于，越是高温越是向右移动。
这里，已知如果玻璃基板中所含的铁成分(2价铁离子和3价铁离子的总和)的量变多，则可见光透射率Tv下降。此外，已知如果玻璃基板中所含的2价铁离子的量变多，则太阳光透射率Te下降。因此，为了得到可见光透射率Tv和太阳光透射率Te都高的“高透射性玻璃基板”，在抑制玻璃基板中所含的铁成分的总量的同时，需要抑制玻璃基板中所含的2价铁离子的量。
如前所述，本实施方式中，在玻璃的logρ为8.8以上的基础上，使T4在1100℃以下的条件，制备熔融玻璃。
通过这些特征，本实施方式可抑制有利于可见光透射率Tv的下降的铁成分的总量。
此外，本实施方式的特征在于，熔融玻璃的T2为1500℃以下。为此，本实施方式中，即使在(1)式的反应不怎么向右方向进行，玻璃基板中几乎不含有铁成分的情况下，也可抑制影响太阳光透射率Te的2价铁离子的量。
因此，本实施方式能够得到可见光透射率Tv和太阳光透射率Te都高的“高透射性玻璃基板”。
藉此，本实施方式能够在目前的浮法设备中，在几乎不用意识熔融锡所含的铁的浓度的情况下，制造具有高透射性的高透射性玻璃基板。
此外，按照本实施方式的方法，玻璃具有logρ为8.8以上的体积电阻率ρ。此外，熔融玻璃的特征在于，T4为1100℃以下。
该情况下，除了熔融锡所含的铁成分之外，还可以显著抑制熔融锡本身向玻璃带一侧侵入。
例如，玻璃基板的热处理时产生的不良之一，是在玻璃基板的表面上发生浑浊，称之为起霜的现象。该现象是在玻璃基板的底面上，锡离子过渡扩散，形成富锡层的情况下产生的。即，由于富锡层和玻璃基板的块状一侧的热膨张系数不同，在对具有富锡层的玻璃基板进行热处理时，因为热膨张表现出的失配，有时会在富锡层上产生浑浊。
按照本实施方式的方法，玻璃具有logρ为8.8以上的体积电阻率ρ。此外，熔融玻璃的特征在于，T4为1100℃以下。由此，可显著抑制锡从玻璃带的与熔融锡的接触面向玻璃带一侧侵入。因此，本实施方式方法可得到抑制起霜现象的额外效果。
(本实施方式中玻璃基板的制造方法)
接着，对本实施方式中玻璃基板的制造方法进行进一步具体说明。
图1简略表示了本实施方式中玻璃基板的制造方法的流程的一例。
如图1所示，本实施方式中玻璃基板的制造方法具备:
(a)在铁浓度为100ppm以上的熔融锡上，通过成形T2为1500℃以下的熔融玻璃，获得T4为1100℃以下，logρ为8.8以上的玻璃带的步骤(步骤S110)，
(b)将前述玻璃带冷却至室温，得到玻璃基板的步骤(步骤S120)。
以下对各步骤进行说明。
(步骤S110)
首先，制备作为熔融玻璃的原料的玻璃原料。
玻璃原料包括各种玻璃主要组成原料、碎片和澄清剂等。澄清剂可以是例如SO3、SnO2、和/或Sb2O3等。
玻璃原料被调整为，在熔融玻璃的状态中，T2在1500℃以下。此外，玻璃原料被调整为T4在1100℃以下，玻璃的logρ在8.8以上。
这样的玻璃原料的调整方法虽然不被以下限定，但可以例如用以下的方法进行控制。
例如，在玻璃主要组成原料中添加K2O、BaO、和/或SrO，通过适当控制此时的添加量，可以得到具有如上所述的特征的玻璃基板。具体而言，例如，在玻璃主要组成原料中添加K2O、BaO、和/或SrO，玻璃基板中可以使K2O、BaO、和/或SrO以超过作为不可避免的杂质的浓度的量存在。通过添加适当的量的K2O、BaO、和/或SrO，可在提高玻璃基板的logρ的同时保持熔融玻璃或玻璃带的状态中的低粘度，使T2以及T4降低。
K2O、BaO、和/或SrO(K2O+BaO+SrO的总计浓度)，相对于玻璃原料，以氧化物基准的质量比计可设为1％以上，更优选为1.5％以上。通过设定在该范围内，可将玻璃原料以玻璃的logρ在8.8以上的条件稳定地调整。
此外，K2O、BaO、和/或SrO(K2O+BaO+SrO的总计浓度)，相对于玻璃原料，以氧化物基准的质量比计可设为7％以下，更优选为5％以下。通过设定在该范围内，例如可适当地保持T2的温度。
这里，“氧化物基准的质量比”指，在假定作为本实施方式的玻璃原料使用的氧化物、复合盐等在熔融时全部分解变为氧化物的情况下，通过该生成氧化物的质量比表示玻璃中所含有的各成分的组成。
接着，将制备的玻璃原料熔融，形成熔融玻璃。熔融温度根据玻璃原料进行变化。例如，在钠钙硅酸盐类玻璃的情况下，熔融温度可为约1300～约1600℃。
接着，将该熔融玻璃导入控制了气氛的锡槽室。通常情况下，锡槽室的气氛为含氢的还原性气氛。锡槽室中设置充满熔融锡的浴(熔融锡浴)。这里，本实施方式中，熔融锡中的铁浓度可为100ppm以上，也可为超过100ppm的浓度，150ppm以上。
导入的熔融玻璃在熔融锡的表面上成形为玻璃带。
本实施方式中，成形了的玻璃带的logρ为8.8以上。由此，可显著抑制铁成分或锡成分从玻璃带的与熔融锡的接触面向玻璃带一侧扩散、侵入。
此外，本实施方式中，T4为1100℃以下。即，将玻璃带与熔融锡接触时的温度抑制在1100℃以下。由此，抑制玻璃带和熔融锡之间的反应性，进一步抑制来自熔融锡一侧的铁成分或锡成分的侵入。
进一步，本实施方式中，使用T2在1500℃以下的熔融玻璃。由此，即使在假使铁成分侵入了玻璃带中的情况下，也可显著抑制2价铁离子的量。
如上，发明人发现，通过将玻璃原料的特性设定为玻璃带的logρ在8.8以上的同时，T4在1100℃以下以及T2在1500℃以下的条件，可显著抑制铁成分或锡成分从熔融锡一侧向玻璃带一侧扩散、侵入。
(步骤S120)
接着，将以步骤S110成形的玻璃带从锡槽室排出，之后，冷却至室温。由此可制造玻璃基板。
本实施方式的制造方法可在显著抑制铁成分向玻璃基板的侵入的基础上，显著抑制2价铁离子的量。因此，通过本实施方式的制造方法所得到的玻璃基板具有高透射性。
(本实施方式的玻璃基板)
例如按照如前所述的方法，得到本实施方式的玻璃基板。其中，本实施方式的玻璃基板也可按照其它方法制造。
本实施方式的玻璃基板的特征在于，
在铁浓度大于制造的玻璃的平衡浓度的熔融锡(例如熔融锡中的铁浓度在100ppm以上)上成形，
logρ在8.8以上，
T2在1500℃以下，
T4在1100℃以下。
本实施方式的玻璃基板中显著抑制了铁成分的浓度。为此，本实施方式的玻璃基板中，显著抑制了由2价铁离子引起的波长1000nm上的吸收。此外，还显著抑制了由3价铁离子引起的波长450nm上的吸收。由此，本实施方式的玻璃基板具有高透射性。
这里，本实施方式的玻璃基板的logρ可设为8.8以上12.0以下的范围。
此外，本实施方式的玻璃基板中，T2可设为1350℃以上1500℃以下的范围。
进一步，本实施方式的玻璃基板中，T4可设为900℃以上1100℃以下的范围。
本实施方式的玻璃基板的组成，只要在具有前述的特性的范围内进行调整，则没有特别的限制。例如，本实施方式的玻璃基板，以氧化物换算的质量百分比表示计，可以具有以下表1所示的组成。
[表1]
组成 质量％
SiO2 68～75
Al2O3 0～2.5
CaO 0～15
MgO 0～12
Na2O 5～20
K2O 0.8～5
SrO 0～1
BaO 0～1
K2O+SrO+BaO 1.1～7
换算为Fe2O3的全部铁 0～0.06
特别地，本实施方式的玻璃基板，也可以具有表2或表3所示的组成。
[表2]
组成 质量％
SiO2 69～74
Al2O3 0.3～2.3
CaO 3～12
MgO 1～10
Na2O 7～17
K2O 1.0～4.5
SrO 0.1～0.8
BaO 0.1～0.8
K2O+SrO+BaO 1.5～6
换算为Fe2O3的全部铁 0～0.05
[表3]
组成 质量％
SiO2 69.3～73
Al2O3 0.5～2.1
CaO 5～10
MgO 3～8
Na2O 9～15
K2O 1.3～4.0
SrO 0.2～0.7
BaO 0.2～0.7
K2O+SrO+BaO 2～5
换算为Fe2O3的全部铁 0～0.03
另外，在这3种组成中，K2O的至少一部分可置换为BaO和/或SrO。
在以上表1～表3所示的组成范围内中，可稳定地得到具有T2在1500℃以下，T4在1100℃以下的特征的玻璃。
(本实施方式的玻璃基板的应用例)
接着，对本实施方式的玻璃基板的应用例进行说明。
本实施方式的玻璃基板，例如，可用于太阳能电池用的基板。以下参照图2，对具备本实施方式的玻璃基板的太阳能电池进行说明。
图2是示意地表示具备本实施方式的玻璃基板的太阳能电池的一构成例的截面图。
如图2所示，太阳能电池200包括具有第1表面212和第2表面214的玻璃基板210，和在该玻璃基板210的第1表面212上构成的太阳能电池用元件230。另外，虽未在图2中示出，但太阳能电池200也可进一步具有设置在玻璃基板210的第2表面214上的防反射膜(并未图示)。
太阳能电池用元件230从玻璃基板210开始依次具有透明导电层(第1电极层)250、光电变换层(发电层)260、和背面导电层(第2电极层)270。
透明导电层250可由例如以SnO2为主成分的层、以ZnO为主成分的层、或者由掺锡的氧化铟(ITO)构成的层等形成。这些之中，从原料成本、量产性、和透明导电层250的成分混入光电变换层(发电层)260时对光电变换层(发电层)260的影响少来看，优选以SnO2为主成分的层。这里，“主成分”是指该成分以氧化物基准的质量百分比表示计，含有90％以上。
此外，作为以SnO2为主成分的层，除了由SnO2构成的层之外，还可例举由掺氟的氧化锡(FTO)构成的层和由掺锑的氧化锡构成的层等。
作为透明导电层250的形成方法，可例举热分解法、CVD法、溅射法、蒸镀法、离子电镀法、以及喷雾法等。
透明导电层250的厚度通常为200nm～1200nm的范围。
光电变换层(发电层)260通常以薄膜半导体构成。作为薄膜半导体，可例举非晶硅类半导体、微晶硅类半导体、化合物半导体(CdTe类半导体等)、以及有机类半导体等。此外，这些半导体层有时也多层层叠。
光电变换层(发电层)260的厚度，通常，在非晶硅类半导体的情况下为50nm～500nm，在微晶硅类半导体的情况下为500nm～5000nm，在非晶硅类和微晶硅类的层叠的情况下为500nm～6000nm，在CdTe类半导体的情况下为500nm～10μm的范围。
背面导电层270可由不具有光透射性的材料构成，也可由具有光透射性的材料构成，也可将它们层叠。作为不具有光透射性的材料的一例，可例举银和铝等。此外，作为具有光透射性的材料的一例，可例举ITO、SnO2、和ZnO等。作为背面电极层270使用光透射性材料的情况下，进一步，可在与光电变换层260相反的面层叠反射层。作为反射层，可使用银和铝等、它们的合金、以及白色油墨。
背面导电层270的厚度通常为100nm～10μm的范围。
这里，在太阳能电池200中，玻璃基板210使用本实施方式的玻璃基板。
如前所述，本实施方式的玻璃基板由于显著抑制了铁成分的浓度，表现出高透射性。即，玻璃基板210显著抑制了尤其是波长约1000nm的区域的吸收。因此，具备本实施方式的玻璃基板210的太阳能电池200可发挥良好的效率。
可适用本实施方式的玻璃基板的太阳能电池不限于以上所例举的太阳能电池的构造。例如，可用于CI(G)S类化合物太阳能电池、结晶硅类太阳能电池、和玻璃密封薄膜太阳能电池防护玻璃。
实施例
下面，对本实施形态的实施例进行说明。
(实施例1)
适用铁浓度为约150ppm以上的锡浴，通过浮法制造logρ不同的2种玻璃基板(玻璃基板A、B)。并且对得到的玻璃基板A、B的透射率进行评价。
(玻璃基板的制造)
玻璃基板A、B的组成设为前述的表1所示出的钠钙玻璃类。玻璃基板A、B的厚度均以3.9mm为目标。
另外，体积电阻率ρ通过基于ASTM C657-78的方法进行如下测定。
首先，将玻璃基板切割为长约50mm×横约50mm的尺寸，制作样品。对得到的样品的两面以厚度为约3.5mm的条件进行光学研磨。
接着，在样品的两面上，以蒸镀法进行金属铝膜的成膜。将该金属铝膜作为电极，在100℃、150℃和200℃的3种条件下测定样品的体积电阻率。
将得到的各温度下的体积电阻率的测定结果，相对于测定温度的倒数进行作图。由得到的直线的斜率A和截距B，通过以下的(2)式，算出ρ(Ω·cm)的对数
logρ＝A/T+B  (2)式
表4中汇总示出了制造的玻璃基板(玻璃基板A、B)的组成、T4、T2、和ρ(Ω·cm)的对数logρ。
[表4]
(玻璃基板的透射率评价)
接着，使用前述2种玻璃基板A、B，测定在波长450nm和1000nm中的透射率。通常，红棕色着色的吸收在波长450nm附近有吸收峰。此外，2价铁离子在波长约1000nm附近有吸收峰。这2个吸光系数与在波长380nm附近有峰的3价铁离子的吸收系数相比非常大。因此，通过对450nm和1000nm两个波长中的透射率进行评价，可以一定程度地把握玻璃基板的透射性。
透射率使用加工成40mm×40mm的平板形状的样品，通过分光光度计(珀金埃尔默公司制(パーキン·エルマー社)，商品名：Lambda950)进行测定。
结果示于前述表4的“透射率”一栏。
该结果显示，logρ为8.8以上的玻璃基板A与logρ不足8.8的玻璃基板B相比，表现出了更高的透射率。
本实施例中，可知通过适当控制玻璃基板中的K2O的浓度，可得到logρ在8.8以上的玻璃基板。此外，还可适当地保持T2和T4的值。可知在具有这样的特征的玻璃基板中，在450nm和1000nm的任一种波长中，都可得到高透射率。
藉此，确认通过将玻璃基板的logρ设为8.8以上、T4设为1100℃以下、T2设为1500℃以下，在玻璃基板的制造中抑制了铁成分向玻璃带中侵入，由此在波长450nm和1000nm中得到高透射率。
(实施例2)
接着，制作在玻璃基板的一侧表面上成膜了透明导电层的测定用样品，对波长1000nm中的透射率进行评价。
作为玻璃基板，使用前述实施例1中的玻璃基板A和B。在这些玻璃基板的一侧表面上，通过通常的CVD法形成氧化锡层，得到测定用样品。以下，将具有玻璃基板A的测定用样品称为样品A，具有玻璃基板B的测定用样品称为样品B。氧化锡层的厚度设为约500nm。另外，透射率的测定方法与实施例1的情况相同。
测定的结果是，在测定用样品A的情况下，波长1000nm下的透射率为83.7％。与此相对，在测定用样品B的情况下，波长1000nm下的透射率为83.3％。
该结果显示，即使在玻璃基板上成膜了透明导电层的测定用样品的状态中，测定用样品A与测定用样品B相比也表现出了显著的高透射率。
(实施例3)
接着，使用实施例2中制作的测定用样品A和B实施DHB(Dump Heat Bias)试验。
DHB试验中，可对透明导电层的电学和热耐久性同时进行评价。
如下实施DHB试验。
首先，将测定用样品A(或B。以下相同)加热到50℃～200℃的范围的任意温度。
接着，在测定用样品保持加热的状态下，使用外部电源，对测定用样品A施加500V的电压。施加电压时，将测定用样品A的玻璃基板侧作为正(阳极)侧，透明导电层侧作为负(阴极)侧，施加15分钟。
接着，在加热和电压施加停止后，将测定用样品A配置在控制了温度和湿度的恒温槽内，进行暴露试验。恒温槽内的湿度设为相对湿度100％，温度设为50℃。暴露时间设为1小时。
暴露试验后，以肉眼观察测定用样品A的外观，评价透明导电层有无剥离。另外评价时，在测定用样品A内，在肉眼可确认至少存在1处剥离部分的情况下，即判断其温度下发生了剥离。
试验的结果是，可知测定用样品A在电压施加时的加热温度为150℃以下的情况下，在暴露试验后没有产生剥离。与此相对，可知如果测定用样品B在电压施加时的加热温度超过120℃，则透明导电层上产生剥离。
由此，测定用样品A与测定用样品B相比，玻璃基板和透明导电层之间得到了良好的密合性。
这些结果显示，在使用本实施方式的玻璃基板的情况下，与目前的玻璃基板相比，即使在更严苛的环境下，也能期待玻璃基板和透明导电层之间保持良好密合性。
本实施方式可提供一种在浮法中，即使在使用具有较高铁浓度的熔融锡的情况下，也能够显著抑制铁的侵入的玻璃基板的制造方法。此外，本实施方式可提供一种显著抑制了铁的侵入的玻璃基板，它是使用具有较高铁浓度的熔融锡制造的玻璃基板。
本实施方式可用于太阳能电池用玻璃基板等要求高透射性的高透射性玻璃基板。
以上，对本发明的理想实施方式及实施例进行了详述，但本发明不受上述特定的实施方式及实施例的限定，在权利要求中所记载的本发明的技术内容的范围内，可做各种变形、变更。
本国际申请主张基于2011年12月27日提出的日本国专利申请2011-286738号的优先权，并在此援引其全部内容。

Claims (6)

1.一种玻璃基板，它是在具有大于制造的玻璃的平衡浓度的铁浓度的熔融锡上成形的玻璃基板，其特征在于，
150℃中体积电阻率ρ(Ω·cm)的对数logρ在8.8以上，
粘度η(dPa·s)的对数为4时的温度T4在1100℃以下，
粘度η(dPa·s)的对数为2时的温度T2在1500℃以下。
2.如权利要求1所述的玻璃基板，其特征在于，在以氧化物基准表示的情况下，以超过不可避免的杂质的浓度含有选自K2O、BaO和SrO的至少1种。
3.如权利要求2所述的玻璃基板，其特征在于，以氧化物基准的质量比计，K2O+BaO+SrO的总计浓度为1％以上。
4.如权利要求1～3中任一项所述的玻璃基板，其特征在于，熔融锡中的铁浓度在100ppm以上。
5.如权利要求1～4中任一项所述的玻璃基板，其特征在于，进一步具有透明导电性氧化物层。
6.一种玻璃基板的制造方法，其特征在于，具备：
(a)在铁浓度为100ppm以上的熔融锡上，通过成形粘度η(dPa·s)的对数为2时温度T2为1500℃以下的熔融玻璃，
得到粘度η(dPa·s)的对数为4时的温度T4为1100℃以下，150℃中体积电阻率ρ(Ω·cm)的对数logρ为8.8以上的玻璃带的步骤，
(b)将前述玻璃带冷却至室温，得到玻璃基板的步骤。
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