CN103984206A - 一种嵌段共聚物制剂及其相关方法 - Google Patents

一种嵌段共聚物制剂及其相关方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103984206A
CN103984206A CN201410043564.3A CN201410043564A CN103984206A CN 103984206 A CN103984206 A CN 103984206A CN 201410043564 A CN201410043564 A CN 201410043564A CN 103984206 A CN103984206 A CN 103984206A
Authority
CN
China
Prior art keywords
acrylic acid
methyl
deuterated
block
acrylate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201410043564.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103984206B (zh
Inventor
P·赫斯塔德
P·特雷福纳斯
顾歆宇
张诗玮
V·靳兹伯格
E·沃格尔
D·默里
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dow Global Technologies LLC
Rohm and Haas Electronic Materials LLC
Original Assignee
Dow Global Technologies LLC
Rohm and Haas Electronic Materials LLC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dow Global Technologies LLC, Rohm and Haas Electronic Materials LLC filed Critical Dow Global Technologies LLC
Publication of CN103984206A publication Critical patent/CN103984206A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103984206B publication Critical patent/CN103984206B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D153/00—Coating compositions based on block copolymers containing at least one sequence of a polymer obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F220/10—Esters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F230/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and containing phosphorus, selenium, tellurium or a metal
    • C08F230/04—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and containing phosphorus, selenium, tellurium or a metal containing a metal
    • C08F230/08—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and containing phosphorus, selenium, tellurium or a metal containing a metal containing silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F297/00—Macromolecular compounds obtained by successively polymerising different monomer systems using a catalyst of the ionic or coordination type without deactivating the intermediate polymer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F297/00—Macromolecular compounds obtained by successively polymerising different monomer systems using a catalyst of the ionic or coordination type without deactivating the intermediate polymer
    • C08F297/02—Macromolecular compounds obtained by successively polymerising different monomer systems using a catalyst of the ionic or coordination type without deactivating the intermediate polymer using a catalyst of the anionic type
    • C08F297/026—Macromolecular compounds obtained by successively polymerising different monomer systems using a catalyst of the ionic or coordination type without deactivating the intermediate polymer using a catalyst of the anionic type polymerising acrylic acid, methacrylic acid or derivatives thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/0008—Organic ingredients according to more than one of the "one dot" groups of C08K5/01 - C08K5/59
    • C08K5/005—Stabilisers against oxidation, heat, light, ozone
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/04—Oxygen-containing compounds
    • C08K5/05—Alcohols; Metal alcoholates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/04—Oxygen-containing compounds
    • C08K5/06—Ethers; Acetals; Ketals; Ortho-esters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L53/00—Compositions of block copolymers containing at least one sequence of a polymer obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds; Compositions of derivatives of such polymers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2205/00—Polymer mixtures characterised by other features
    • C08L2205/02—Polymer mixtures characterised by other features containing two or more polymers of the same C08L -group
    • C08L2205/025—Polymer mixtures characterised by other features containing two or more polymers of the same C08L -group containing two or more polymers of the same hierarchy C08L, and differing only in parameters such as density, comonomer content, molecular weight, structure

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Graft Or Block Polymers (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Other Resins Obtained By Reactions Not Involving Carbon-To-Carbon Unsaturated Bonds (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)

Abstract

本发明涉及一种嵌段共聚物制剂及其相关方法，提供了包含嵌段共聚物共混物的嵌段共聚物制剂，所述嵌段共聚物共混物包括第一聚（丙烯酸酯）-嵌段-聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段共聚物、和第二聚（丙烯酸酯）-嵌段-聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段共聚物。还提供了用所述嵌段共聚物制剂处理的基材。

Description

一种嵌段共聚物制剂及其相关方法
技术领域
本发明涉及自组装嵌段共聚物领域。具体来说，本发明涉及包含嵌段共聚物共混物的嵌段共聚物制剂，所述嵌段共聚物共混物包括第一聚（丙烯酸酯）-嵌段-聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段共聚物和第二聚（丙烯酸酯）-嵌段-聚（丙烯酸甲硅烷基酯）二嵌段共聚物。
背景技术
已知由首尾相连的两种或更多种不同的均聚物组成的一些嵌段共聚物能自组装（self-assemble）成典型尺寸为10纳米至50纳米的周期性微结构域(micro domain)。由于采用光刻技术以纳米尺度尺寸(尤其是小于45纳米)图案化的费用高、难度大，使用这种微结构域在表面形成图案的可能性正越来越受到关注。
但是，控制基材上嵌段共聚物微结构域的横向设置一直是个挑战。过去采用光刻形成的预定形貌的基材和/或对基材化学图案化来解决该问题。过去的研究证明，可引导薄层形式的自组装嵌段共聚物微结构域来遵循(follow)基材的化学图案化，产生与化学预定图案接近的周期性结构。其它研究证明通过控制形貌预定图案底部和侧壁上嵌段共聚物的表面润湿性，可引导所述薄层来遵循所述形貌预定图案。所述薄层形成与基材预设定图案相比尺寸更小的线条/间距图案，将形貌预定图案细分为更高频率的线条图案，即，具有较小间距的线条图案。对于形貌导向预定图案和/或化学导向预定图案而言，嵌段共聚物图案化的限制在于该嵌段共聚物倾向于在该预定图案表面的所有地方形成图案。
目前，缩小指定基材上各种特征(例如，场效应晶体管中的栅)尺寸的能力受到用来对光刻胶进行曝光的光波长(即193纳米)的限制。这些限制对制造临界尺寸(CD)小于50纳米的特征产生巨大的挑战。使用常规嵌段共聚物时，在自组装过程中，难以实现取向控制和长程有序。此外，这种嵌段共聚物通常不能为后续加工步骤提供足够的耐刻蚀性。
竹中（Takenaka）等研究了将二嵌段共聚物用于导向自组装（参见《聚合物科学：B部分，聚合物物理，（JOURNAL OF POLYMER SCIENCE:PARTB,Polymer Physics）》2010年第48卷、第2297-2301页的《通过嵌段共聚物导向自组装来形成半间距小于10纳米的长程条纹图案（Formation oflong-range stripe patterns with sub-10-nm half-pitch from directedself-assembly of block copolymer）》）。具体来说，竹中（Takenaka）等证明了使用聚（苯乙烯）-嵌段-聚（二甲基硅氧烷）二嵌段共聚物来导向自组装成小于10纳米的半间距，该二嵌段共聚物的分子量是15.8千克/摩尔；多分散性指数是1.03；以及，聚（苯乙烯）体积分数是0.74聚（苯乙烯）；其中，该二嵌段共聚物膜在170℃下真空退火24小时。
然而，仍需要在图案化基材中使用的新的共聚物组合物。具体来说，仍需要新共聚物组合物，该共聚物组合物使得能够在中等长度尺度（如，20-40纳米）图案化，并优选的具有快速退火分布和低缺陷形成。
发明内容
本发明提供一种嵌段共聚物制剂，其包含：嵌段共聚物共混物，该嵌段共聚物共混物包括：第一聚（丙烯酸酯）-嵌段-聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段共聚物("DB1")，其包括DB1聚（丙烯酸酯）嵌段、DB1聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段、且DB1数均分子量（MN-DB1）为10-1000千克/摩尔、DB1多分散性（PDDB1）为1-3；以及,第二聚（丙烯酸酯）-嵌段-聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段共聚物("DB2")，其包括DB2聚（丙烯酸酯）嵌段、DB2聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段、且DB2数均分子量（MN-DB2）为1-1000千克/摩尔、DB2多分散性（PDDB2）为1-3；以及，≥2重量%的抗氧化剂（以该嵌段共聚物共混物的重量为基准计）。
本发明提供一种方法，其包括：提供基材；提供本发明的嵌段共聚物制剂；将所述嵌段共聚物制剂膜应用到所述基材上；任选的，烘烤该膜；退火该膜；处理该退火的膜，以从该退火的膜中去除DB1聚（丙烯酸酯）嵌段和DB2聚（丙烯酸酯）嵌段，并将该退火的膜中的DB1聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段和DB2聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段转化成SiOx。
本发明提供一种嵌段共聚物制剂，其包含：嵌段共聚物共混物，该嵌段共聚物共混物包括：第一聚（丙烯酸酯）-嵌段-聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段共聚物("DB1")，其包括DB1聚（丙烯酸酯）嵌段、DB1聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段、且DB1数均分子量（MN-DB1）为10-1000千克/摩尔、DB1多分散性（PDDB1）为1-3；以及,第二聚（丙烯酸酯）-嵌段-聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段共聚物("DB2")，其包括DB2聚（丙烯酸酯）嵌段、DB2聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段、且DB2数均分子量（MN-DB2）为1-1000千克/摩尔、DB2多分散性（PDDB2）为1-3；其中，该嵌段共聚物制剂包含＜75重量%的聚（甲基丙烯酸甲酯）-嵌段-聚（甲基丙烯酸（三甲基甲硅烷基）甲酯）二嵌段共聚物。
本发明提供一种嵌段共聚物制剂，其包含：嵌段共聚物共混物，该嵌段共聚物共混物包括：第一聚（丙烯酸酯）-嵌段-聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段共聚物("DB1")，其包括DB1聚（丙烯酸酯）嵌段、DB1聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段、且DB1数均分子量（MN-DB1）为10-1000千克/摩尔、DB1多分散性（PDDB1）为1-3；以及,第二聚（丙烯酸酯）-嵌段-聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段共聚物("DB2")，其包括DB2聚（丙烯酸酯）嵌段、DB2聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段、且DB2数均分子量（MN-DB2）为1-1000千克/摩尔、DB2多分散性（PDDB2）为1-3；其中，该嵌段共聚物制剂包含＜0.001重量%的聚（甲基丙烯酸甲酯）-嵌段-聚（甲基丙烯酸（三甲基甲硅烷基）甲酯）二嵌段共聚物。
附图说明
图1显示了根据实施例8制备的产品膜的俯视扫描电子显微镜（“SEM”）图像。
图2显示了根据实施例9制备的产品膜的俯视扫描电子显微镜（“SEM”）图像。
具体实施方式
当应用到基材的表面时，在给定加工温度下，与使用常规的含硅聚合物如PS-嵌段-PDMS相比，本发明的嵌段共聚物制剂具有改善的退火能力，可获得更低缺陷的结构。此外，当加工该沉积的嵌段共聚物制剂以去除有机组分时，本发明的嵌段共聚物制剂的聚（丙烯酸甲硅烷基酯）结构域中结合的无机部分可转化成耐蚀刻的物质（如掩模）。本发明的嵌段共聚物制剂使得能在导向自组装应用中使用热加工，这具有重要意义，所述导向自组装可用于形成周期性纳米结构，如在含硅基材上形成例如在20-40纳米范围的线/间距图案。
本文和所附权利要求所使用的术语“PAcr-嵌段-PSiAcr嵌段共聚物”是聚（丙烯酸酯）-嵌段-聚（丙烯酸甲硅烷基酯）的缩写；其中所述聚（丙烯酸酯）嵌段包括来自丙烯酸酯单体、氘代丙烯酸酯单体、丙烯酸酯嵌段改性单体和氘代丙烯酸酯嵌段改性单体中至少一种的残基；以及其中所述聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段包括来自丙烯酸甲硅烷基酯单体、氘代丙烯酸甲硅烷基酯单体、丙烯酸甲硅烷基酯嵌段改性单体和氘代丙烯酸甲硅烷基酯嵌段改性单体中至少一种的残基。
本文及所附权利要求中使用的术语“氘代丙烯酸酯单体”是其中至少一个氢被氘取代的丙烯酸酯单体。
本文及所附权利要求中使用的术语“氘代丙烯酸酯嵌段改性单体”是指至少有一个氢被氘取代的丙烯酸酯改性单体。
本文及所附权利要求中使用的术语“氘代丙烯酸甲硅烷基酯单体”是至少一个氢被氘取代的丙烯酸甲硅烷基酯单体。
本文及所附权利要求中使用的术语“氘代丙烯酸甲硅烷基酯嵌段改性单体”是至少一个氢被氘取代的丙烯酸甲硅烷基酯嵌段改性单体。
本文及所附权利要求中使用的术语“甲基丙烯酸（三甲基甲硅烷基）甲酯"和"TMSMMA"指具有下述分子结构的单体：
本文及所附权利要求中使用的术语"PMMA-嵌段-PTMSMMA嵌段共聚物"是聚（甲基丙烯酸甲酯）-嵌段-聚（甲基丙烯酸（三甲基甲硅烷基）甲酯）嵌段共聚物的缩写。
本文及所附权利要求中，当参考本发明的嵌段共聚物制剂的聚（丙烯酸酯）-嵌段-聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段共聚物时使用的术语“MN-BCP”是所述聚（丙烯酸酯）-嵌段-聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段共聚物的数均分子量，其根据本文实施例所述的方法来测定。
本文及所附权利要求中，当参考本发明的嵌段共聚物制剂的嵌段共聚物共混物时使用的术语“MN-共混物或共混物数均分子量”是包含在该嵌段共聚物共混物中的聚（丙烯酸酯）-嵌段-聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段共聚物的数均分子量的加权平均值。
本文及所附权利要求中，当参考本发明的嵌段共聚物制剂的聚（丙烯酸酯）-嵌段-聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段共聚物时使用的术语“MW-BCP”是所述聚（丙烯酸酯）-嵌段-聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段共聚物的重均分子量，其根据本文实施例所述的方法来测定。
本文及所附权利要求中，当参考本发明的嵌段共聚物制剂的嵌段共聚物共混物时使用的术语“MW-共混物或共混物重均分子量”是包含在该嵌段共聚物共混物中的聚（丙烯酸酯）-嵌段-聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段共聚物的重均分子量的加权平均值。
本文及所附权利要求中，当参考本发明的嵌段共聚物制剂的聚（丙烯酸酯）-嵌段-聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段共聚物时使用的术语“PDBCP”是所述聚（丙烯酸酯）-嵌段-聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段共聚物的多分散性，其根据下述公式来决定：
PDBCP=(Mw-BCP)/(MN-BCP)。
本文及所附权利要求中，当参考本发明的嵌段共聚物制剂的聚（丙烯酸酯）-嵌段-聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段共聚物时使用的术语“WfPAcr”是所述聚（丙烯酸酯）嵌段占所述聚（丙烯酸酯）-嵌段-聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段共聚物的重量百分数。
本文及所附权利要求中，当参考用于本发明的嵌段共聚物制剂的嵌段共聚物共混物时使用的术语“WfPAcr-共混物或共混物聚(丙烯酸酯)重量分数”是所述聚（丙烯酸酯）嵌段占包含于该嵌段共聚物共混物的所述聚（丙烯酸酯）-嵌段-聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段共聚物的重量百分数的加权平均值。
本文及所附权利要求中，当参考本发明的嵌段共聚物制剂的聚（丙烯酸酯）-嵌段-聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段共聚物时使用的术语“WfPSiAcr”是所述聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段占所述聚（丙烯酸酯）-嵌段-聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段共聚物的重量百分数。
本文及所附权利要求中，当参考用于本发明的嵌段共聚物制剂的嵌段共聚物共混物时使用的术语“WfPSicr-共混物或共混物聚（丙烯酸甲硅烷基酯）重量分数”是所述聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段占包含于该嵌段共聚物共混物的所述聚（丙烯酸酯）-嵌段-聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段共聚物的重量百分数的加权平均值。
嵌段共聚物是由两种或更多种不同单体合成的聚合物，具有两种或更多种化学上不同但又彼此共价结合的聚合链段。二嵌段共聚物是衍生自两种不同单体(例如A和B)的一类特定嵌段共聚物，且其结构包括共价的结合到B残基的聚合嵌段的A残基的聚合嵌段(例如，AAAAA-BBBBB)。
在本发明的嵌段共聚物制剂中使用的聚（丙烯酸酯）-嵌段-聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段共聚物包括嵌段共聚物，该嵌段共聚物具有聚（丙烯酸酯）嵌段和聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段。任选的，在本发明的嵌段共聚物制剂中使用的聚（丙烯酸酯）-嵌段-聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段共聚物包括一种或更多种其它嵌段（如三嵌段共聚物）。
优选地，本发明的嵌段共聚物制剂中使用的嵌段共聚物共混物包含聚（丙烯酸酯）和聚（丙烯酸甲硅烷基酯）结构域(domain)；其中，在本文实施例所述条件下沉积在基材上时，所述嵌段共聚物制剂的膜间距L0是10-100纳米（优选14-60纳米；更优选20-40纳米)。
优选的，在本发明的嵌段共聚物制剂中使用的嵌段共聚物共混物包括：第一聚（丙烯酸酯）-嵌段-聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段共聚物("DB1")，其包括DB1聚（丙烯酸酯）嵌段、DB1聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段、且DB1数均分子量（MN-DB1）为10-1000千克/摩尔(优选15-200千克/摩尔；更优选15-100千克/摩尔；最优选20-60千克/摩尔)、DB1多分散性（PDDB1）为1-3(优选1-2；最优选1-1.2)；以及第二聚（丙烯酸酯）-嵌段-聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段共聚物("DB2")，其包括DB2聚（丙烯酸酯）嵌段、DB2聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段、且DB2数均分子量（MN-DB2）为1-1000千克/摩尔(优选1-300千克/摩尔；更优选1-100千克/摩尔；最优选20-60千克/摩尔)、DB2多分散性（PDDB2）为1-3(优选1-2；最优选1.2)。优选的，本发明的嵌段共聚物制剂中使用的嵌段共聚物共混物包括DB1和DB2，其中在该嵌段共聚物共混物中DB1对DB2的重量比例是1:1-1:9(优选1:1-1:5；更优选1:1-1:2.5)。更优选的，本发明的嵌段共聚物制剂中使用的嵌段共聚物共混物包括DB1和DB2，其中该嵌段共聚物共混物包括＞33重量%-99重量%的DB1和1至＜50重量%的DB2(优选＞50-99重量%的DB1和1至＜50重量%的DB2)。
优选的，本发明的嵌段共聚物制剂中使用的嵌段共聚物共混物的共混物聚（丙烯酸酯）重量分数（WfPAcr-共混物）范围选自下组：0.69-0.83(优选0.69-0.80；最优选0.70-0.75)；0.39至＜0.69(优选0.44-0.64；最优选0.49-0.59)；以及0.23至＜0.39(优选0.26-0.34；最优选0.27-0.30)；以及其中该嵌段共聚物共混物的共混物数均分子量（MN-共混物）是10-1000千克/摩尔(优选15-200千克/摩尔；更优选15-100千克/摩尔；最优选20-60千克/摩尔)。
优选的，本发明的嵌段共聚物制剂中使用的嵌段共聚物共混物包括多种聚（丙烯酸酯）-嵌段-聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段共聚物的共混物，且该共聚物的共混物聚（丙烯酸酯）重量分数（WfPAcr-共混物）是0.69-0.83(优选0.69-0.80；最优选0.70-0.75)；以及共混物数均分子量（MN-共混物）是10-1000千克/摩尔(优选15-200千克/摩尔；更优选15-100千克/摩尔；最优选20-60千克/摩尔)。本发明的嵌段共聚物共混物的WfPAcr-共混物为0.69-0.83且MN-共混物为10-1000千克/摩尔，并趋于具有圆柱状聚（丙烯酸甲硅烷基酯）结构域，该结构域是与聚（丙烯酸酯）结构域分离的微相（microphase）。根据本发明提供的技术，本领域普通技术人员能通过选择和控制膜沉积的条件来沉积本发明的、包含这种PAcr-嵌段-PSiAcr嵌段共聚物共混物的嵌段共聚物制剂，其中，沉积的嵌段共聚物制剂中的圆柱状聚（丙烯酸甲硅烷基酯）结构域会自组装以进行取向，从而使该结构域的对称轴与基材表面平行、与基材表面垂直、或与基材表面平行和垂直相组合，所述膜沉积条件例如：(a)基材的表面能(即，用插入材料预处理基材表面)，(b)沉积的嵌段共聚物制剂的膜厚度，(c)沉积的嵌段共聚物制剂的烘烤分布(即，烘烤温度和烘烤时间)以及(d)沉积的嵌段共聚物制剂的退火分布(即，退火温度和退火时间)。
优选的，本发明的嵌段共聚物制剂中使用的嵌段共聚物共混物包括多种PAcr-嵌段-PSiAcr嵌段共聚物的共混物，且该共聚物的共混物聚（丙烯酸酯）重量分数（WfPAcr-共混物）是0.39至＜0.69(优选0.44-0.64；最优选0.49-0.59)；以及共混物数均分子量（MN-共混物）是10-1000千克/摩尔(优选15-200千克/摩尔；更优选15-100千克/摩尔；最优选20-60千克/摩尔)。本发明的嵌段共聚物共混物的WfPAcr-共混物为0.39至＜0.69且MN- 共混物为10-1000千克/摩尔，并趋于具有与聚（丙烯酸酯）结构域分离的微相和聚（丙烯酸甲硅烷基酯）层状结构域。根据本发明提供的技术，本领域普通技术人员能通过选择和控制膜沉积的条件来沉积本发明的、包含这种PAcr-嵌段-PSiAcr嵌段共聚物共混物的嵌段共聚物制剂，其中，沉积的嵌段共聚物制剂中的层状结构域会自组装以进行取向，从而使该结构域的对称轴与基材表面平行、与基材表面垂直、或与基材表面平行和垂直相组合，所述膜沉积条件例如：(a)基材的表面能(即，用插入材料预处理基材表面)，(b)沉积的嵌段共聚物制剂的膜厚度，(c)沉积的嵌段共聚物制剂的烘烤分布(即，烘烤温度和烘烤时间)以及(d)沉积的嵌段共聚物制剂的退火分布(即，退火温度和退火时间)。
优选的，本发明的嵌段共聚物制剂中使用的嵌段共聚物共混物包括多种PAcr-嵌段-PSiAcr嵌段共聚物的共混物，且该共聚物的共混物聚（丙烯酸酯）重量分数（WfPAcr-共混物）是0.23至＜0.39(优选0.26-0.34；最优选0.27-0.30)；以及共混物数均分子量（MN-共混物）是10-1000千克/摩尔(优选15-200千克/摩尔；更优选15-100千克/摩尔；最优选20-60千克/摩尔)。本发明的嵌段共聚物共混物的WfPAcr-共混物为0.23至＜0.39且M-N-共混物为10-1000千克/摩尔，并趋于具有圆柱状聚（丙烯酸酯）结构域，该结构域是与聚（丙烯酸甲硅烷基酯）结构域分离的微相。根据本发明提供的技术，本领域普通技术人员能通过选择和控制膜沉积的条件来沉积本发明的、包含这种PAcr-嵌段-PSiAcr嵌段共聚物共混物的嵌段共聚物制剂，其中，沉积的嵌段共聚物制剂中的圆柱状聚（丙烯酸酯）结构域会自组装以进行取向，从而使该结构域的对称轴与基材表面平行、与基材表面垂直、或与基材表面平行和垂直相组合，所述膜沉积条件例如：(a)基材的表面能(即，用插入材料预处理基材表面)，(b)沉积的嵌段共聚物制剂的膜厚度，(c)沉积的嵌段共聚物制剂的烘烤分布(即，烘烤温度和烘烤时间)以及(d)沉积的嵌段共聚物制剂的退火分布(即，退火温度和退火时间)。
优选的，本发明的嵌段共聚物制剂中使用的聚（丙烯酸酯）-嵌段-聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段共聚物包括聚（丙烯酸酯）嵌段；其中该聚（丙烯酸酯）嵌段包括来自丙烯酸酯单体、氘代丙烯酸酯单体、丙烯酸酯嵌段改性单体和氘代丙烯酸酯嵌段改性单体中至少一种的残基；以及其中该聚（丙烯酸酯）嵌段包括＞75重量%(更优选的,＞90重量%；最优选的,＞95重量%)的丙烯酸酯单体衍生单元。
优选地，所述丙烯酸酯单体选自下组：(烷基)丙烯酸芳基酯(例如，丙烯酸苯基酯、甲基丙烯酸苯基酯)；(烷基)丙烯酸烷基酯(例如，丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯)；(烷基)丙烯酸卤代芳基酯(例如，丙烯酸氯苯基酯、甲基丙烯酸氯苯基酯)；(烷基)丙烯酸卤代烷基酯(例如，丙烯酸氟丙酯、甲基丙烯酸氟丙酯)和它们的组合。更优选地，所述丙烯酸酯单体选自下组：(C1-5烷基)丙烯酸C6-14芳基酯、(C1-5烷基)丙烯酸C1-5烷基酯。还更优选地，所述丙烯酸酯单体选自下组：(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸甲酯。最优选地，所述丙烯酸酯单体是甲基丙烯酸甲酯。
优选地，所述氘代丙烯酸酯单体选自下组：氘代(烷基)丙烯酸芳基酯(例如，氘代丙烯酸苯基酯、氘代甲基丙烯酸苯基酯)；氘代(烷基)丙烯酸烷基酯(例如，氘代丙烯酸甲酯、氘代甲基丙烯酸甲酯)；氘代(烷基)丙烯酸卤代芳基酯(氘代丙烯酸氯苯基酯、氘代甲基丙烯酸氯苯基酯)；氘代(烷基)丙烯酸卤代烷基酯(例如，氘代丙烯酸氟丙酯、氘代甲基丙烯酸氟丙酯)和它们的组合。更优选地，所述氘代丙烯酸酯单体选自下组：氘代(C1-5烷基)丙烯酸C6-14芳基酯、氘代(C1-5烷基)丙烯酸C1-5烷基酯。更优选地，所述氘代丙烯酸酯单体选自下组：氘代(甲基)丙烯酸丁酯、氘代(甲基)丙烯酸丙酯、氘代(甲基)丙烯酸乙酯、氘代(甲基)丙烯酸甲酯。最优地，所述丙烯酸酯单体是氘代甲基丙烯酸甲酯。
优选地，所述丙烯酸酯嵌段改性单体选自下组：烯烃和环烯烃。更优选地，所述丙烯酸酯嵌段改性单体选自C1-5烯烃和C3-7环烯烃。最优选地，所述丙烯酸酯嵌段改性单体是乙烯。
优选地，所述氘代丙烯酸酯嵌段改性单体选自下组：氘代烯烃和氘代环烯烃。更优选地，所述氘代丙烯酸酯嵌段改性单体选自氘代C1-5烯烃和氘代C3-7环烯烃。最优选地，所述氘代丙烯酸酯嵌段改性单体是氘代乙烯。
优选的，本发明的嵌段共聚物制剂中使用的聚（丙烯酸酯）-嵌段-聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段共聚物包括聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段；其中该聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段包括来自丙烯酸甲硅烷基酯单体、氘代丙烯酸甲硅烷基酯单体、丙烯酸甲硅烷基酯嵌段改性单体和氘代丙烯酸甲硅烷基酯嵌段改性单体中至少一种的残基；以及，其中该聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段包括＞75重量%(更优选的,＞90重量%；最优选的,＞95重量%)的丙烯酸甲硅烷基酯单体衍生单元。
优选的，该丙烯酸甲硅烷基酯单体具有下述结构式
(R1(R2)(R3)Si)rR4 xOOCC(R5)=CR6 2
其中，R1、R2和R3各自独立的选自下组：C1-18烷基,卤化C1-18烷基,甲硅烷基化C1-18烷基,甲硅烷基化卤化C1-18烷基,C1-18烷氧基,甲硅烷基化C1-18烷氧基,甲硅烷基化卤化C1-18烷氧基,C6-14芳基,卤化C6-14芳基,C6-14芳氧基,甲硅烷基化C6-14芳基,甲硅烷基化C6-14芳氧基,甲硅烷基化卤化C6-14芳氧基,C1-18芳基烷基,卤化C1-18芳基烷基,C1-18芳基烷氧基,甲硅烷基化C1-18芳基烷基,甲硅烷基化卤化C1-18芳基烷基,甲硅烷基化C1-18芳基烷氧基,甲硅烷基化卤化C1-18芳基烷氧基,C6-14烷基芳基,卤化C6-14烷基芳基,C6-14烷基芳氧基,甲硅烷基化C6-14烷基芳基,甲硅烷基化C6-14烷基芳氧基以及甲硅烷基化卤化C6-14烷基芳氧基(优选的,C1-6烷基,甲硅烷基化C1-6烷基,C1-6烷氧基,甲硅烷基化C1-6烷氧基,C6-10芳基,C6-10芳氧基,甲硅烷基化C6-10芳基,甲硅烷基化C6-10芳氧基,C1-10芳基烷基,C1-10芳基烷氧基,甲硅烷基化C1-10芳基烷基,甲硅烷基化C1-10芳基烷氧基,C6-10烷基芳基,C6-10烷基芳氧基,甲硅烷基化C6-10烷基芳基以及甲硅烷基化C6-10烷基芳氧基；更优选的,C1-3烷基；最优选的,甲基)；其中r选自下组：0、1、2以及3(优选的,1、2以及3；更优选的,r是1)；其中R4选自下组：C1-10烷基,卤化C1-10烷基,甲硅烷基化C1-10烷基,甲硅烷基化卤化C1-10烷基,甲硅烷基化C1-10烷氧基以及卤化甲硅烷基化C1-10烷氧基(优选的,C1-3烷基以及卤化C1-3烷基；更优选的,C1-3烷基；最优选的，甲基)；其中x选自下组：0以及1(优选的,x是1)；其中R5选自下组：氢、卤素、C1-3烷基、甲硅烷基化C1-3烷基以及卤化C1-3烷基(优选的,氢和甲基；更优选的,甲基)；其中R6独立的选自氢、卤素、甲硅烷基甲基,甲基和卤化甲基(优选的,氢和甲基；更优选的,氢)；以及，其中丙烯酸甲硅烷基酯单体包括至少一个Si原子。更优选的，所述丙烯酸甲硅烷基酯单体选自下组：（甲基）丙烯酸（三甲基甲硅烷基）甲酯；（甲基）丙烯酸（三乙基甲硅烷基）甲酯；（甲基）丙烯酸（三丙基甲硅烷基）甲酯；（甲基）丙烯酸（三异丙基甲硅烷基）甲酯；（甲基）丙烯酸（三丁基甲硅烷基）甲酯；（甲基）丙烯酸（三-仲-丁基甲硅烷基）甲酯；（甲基）丙烯酸（三异丁基甲硅烷基）甲酯；（甲基）丙烯酸（仲-丁基甲基甲硅烷基）甲酯；（甲基）丙烯酸（仲-丁基二甲基甲硅烷基）甲酯；（甲基）丙烯酸（二甲基丙基甲硅烷基）甲酯；（甲基）丙烯酸（单甲基二丙基甲硅烷基）甲酯；（甲基）丙烯酸（甲基乙基丙基甲硅烷基）甲酯；（甲基）丙烯酸双-（三甲基甲硅烷基）甲酯；（甲基）丙烯酸三-（三甲基甲硅烷基）甲酯；（甲基）丙烯酸（五甲基二甲硅烷基）甲酯；（甲基）丙烯酸（三甲基甲硅烷氧基）甲酯；（甲基）丙烯酸三-（三甲基甲硅烷氧基）丙酯；（甲基）丙烯酸（五甲基二甲硅烷氧基）甲酯；（甲基）丙烯酸（五甲基二甲硅烷氧基）丙酯；（甲基）丙烯酸（三甲氧基甲硅烷基）丙酯；以及，（甲基）丙烯酸（三乙氧基甲硅烷基）丙酯。最优地，所述丙烯酸甲硅烷基酯单体是甲基丙烯酸（三甲基甲硅烷基）甲酯。
优选的，该氘代丙烯酸甲硅烷基酯单体具有下述结构式
(R7(R8)(R9)Si)tR10 yOOCC(R11)=CR12 2
其中R7、R8和R9各自独立的选自下组：C1-18烷基,卤化C1-18烷基,甲硅烷基化C1-18烷基,甲硅烷基化卤化C1-18烷基,C1-18烷氧基,甲硅烷基化C1-18烷氧基,甲硅烷基化卤化C1-18烷氧基,C6-14芳基,卤化C6-14芳基,C6-14芳氧基,甲硅烷基化C6-14芳基,甲硅烷基化C6-14芳氧基,甲硅烷基化卤化C6-14芳氧基,C1-18芳基烷基,卤化C1-18芳基烷基,C1-18芳基烷氧基,甲硅烷基化C1-18芳基烷基,甲硅烷基化卤化C1-18芳基烷基,甲硅烷基化C1-18芳基烷氧基,甲硅烷基化卤化C1-18芳基烷氧基,C6-14烷基芳基,卤化C6-14烷基芳基,C6-14烷基芳氧基,甲硅烷基化C6-14烷基芳基,甲硅烷基化C6-14烷基芳氧基,甲硅烷基化卤化C6-14烷基芳氧基,氘代C1-18烷基,氘代卤化C1-18烷基,氘代甲硅烷基化C1-18烷基,氘代甲硅烷基化卤化C1-18烷基,氘代C1-18烷氧基,氘代甲硅烷基化C1-18烷氧基,氘代甲硅烷基化卤化C1-18烷氧基,氘代C6-14芳基,氘代卤化C6-14芳基,氘代C6-14芳氧基,氘代甲硅烷基化C6-14芳基,氘代甲硅烷基化C6-14芳氧基,氘代甲硅烷基化卤化C6-14芳氧基,氘代C1-18芳基烷基,氘代卤化C1-18芳基烷基,氘代C1-18芳基烷氧基,氘代甲硅烷基化C1-18芳基烷基,氘代甲硅烷基化卤化C1-18芳基烷基,氘代甲硅烷基化C1-18芳基烷氧基,氘代甲硅烷基化卤化C1-18芳基烷氧基,氘代C6-14烷基芳基,氘代卤化C6-14烷基芳基,氘代C6-14烷基芳氧基,氘代甲硅烷基化C6-14烷基芳基,氘代甲硅烷基化C6-14烷基芳氧基以及氘代甲硅烷基化卤化C6-14烷基芳氧基(优选的,C1-6烷基,甲硅烷基化C1-6烷基,C1-6烷氧基,甲硅烷基化C1-6烷氧基,C6-10芳基,C6-10芳氧基,甲硅烷基化C6-10芳基,甲硅烷基化C6-10芳氧基,C1-10芳基烷基,C1-10芳基烷氧基,甲硅烷基化C1-10芳基烷基,甲硅烷基化C1-10芳基烷氧基,C6-10烷基芳基,C6-10烷基芳氧基,甲硅烷基化C6-10烷基芳基,甲硅烷基化C6-10烷基芳氧基,氘代C1-6烷基,氘代甲硅烷基化C1-6烷基,氘代C1-6烷氧基,氘代甲硅烷基化C1-6烷氧基,氘代C6-10芳基,氘代C6-10芳氧基,氘代甲硅烷基化C6-10芳基,氘代甲硅烷基化C6-10芳氧基,氘代C1-10芳基烷基,氘代C1-10芳基烷氧基,氘代甲硅烷基化C1-10芳基烷基,氘代甲硅烷基化C1-10芳基烷氧基,氘代C6-10烷基芳基,氘代C6-10烷基芳氧基,氘代甲硅烷基化C6-10烷基芳基以及氘代甲硅烷基化C6-10烷基芳氧基；更优选的,C1-3烷基以及氘代C1-3烷基；最优选的,甲基以及氘代甲基)；其中t选自下组：0,1,2和3(优选的,1,2以及3；更优选的,t是1)；其中R10选自下组：C1-10烷基,卤化C1-10烷基,甲硅烷基化C1-10烷基,甲硅烷基化卤化C1-10烷基,甲硅烷基化C1-10烷氧基,卤化甲硅烷基化C1-10烷氧基,氘代C1-10烷基,氘代卤化C1-10烷基,氘代甲硅烷基化C1-10烷基,氘代甲硅烷基化卤化C1-10烷基,氘代甲硅烷基化C1-10烷氧基以及氘代卤化甲硅烷基化C1-10烷氧基(优选的,C1-3烷基以及氘代C1-3烷基；更优选的,C1-3烷基；最优选甲基)；其中y是0或者1(优选的,y是1)；其中R11选自下组：氢,氘,卤素,C1-3烷基,氘代C1-3烷基,甲硅烷基化C1-3烷基,氘代甲硅烷基化C1-3烷基,卤化C1-3烷基以及氘代卤化C1-3烷基(优选的,氢,氘,甲基以及氘代甲基；更优选的,甲基)；其中R12各自独立的选自下组：氢,氘,卤素,甲硅烷基甲基,氘代甲硅烷基甲基,甲基,氘代甲基,卤化甲基以及氘代卤化甲基(优选的,氢,氘,甲基以及氘代甲基；更优选的,氢)；其中所述氘代丙烯酸甲硅烷基酯单体包括至少一个Si原子；以及，其中所述氘代丙烯酸甲硅烷基酯单体包括至少一个氘。更优选的，所述氘代丙烯酸甲硅烷基酯单体选自下组：氘代（甲基）丙烯酸（三甲基甲硅烷基）甲酯；氘代（甲基）丙烯酸（三乙基甲硅烷基）甲酯；氘代（甲基）丙烯酸（三丙基甲硅烷基）甲酯；氘代（甲基）丙烯酸（三异丙基甲硅烷基）甲酯；氘代（甲基）丙烯酸（三丁基甲硅烷基）甲酯；氘代（甲基）丙烯酸（三-仲-丁基甲硅烷基）甲酯；氘代（甲基）丙烯酸（三异丁基甲硅烷基）甲酯；氘代（甲基）丙烯酸（仲-丁基甲基甲硅烷基）甲酯；氘代（甲基）丙烯酸（仲-丁基二甲基甲硅烷基）甲酯；氘代（甲基）丙烯酸（二甲基丙基甲硅烷基）甲酯；氘代（甲基）丙烯酸（单甲基二丙基甲硅烷基）甲酯；氘代（甲基）丙烯酸（甲基乙基丙基甲硅烷基）甲酯；氘代（甲基）丙烯酸双-（三甲基甲硅烷基）甲酯；氘代（甲基）丙烯酸三-（三甲基甲硅烷基）甲酯；氘代（甲基）丙烯酸（五甲基二甲硅烷基）甲酯；氘代（甲基）丙烯酸（三甲基甲硅烷氧基）甲酯；氘代（甲基）丙烯酸三-（三甲基甲硅烷氧基）丙酯；氘代（甲基）丙烯酸（五甲基二甲硅烷氧基）甲酯；氘代（甲基）丙烯酸（五甲基二甲硅烷氧基）丙酯；氘代（甲基）丙烯酸（三甲氧基甲硅烷基）丙酯；以及，氘代（甲基）丙烯酸（三乙氧基甲硅烷基）丙酯。最优选地，所述氘代丙烯酸甲硅烷基酯单体是氘代甲基丙烯酸（三甲基甲硅烷基）甲酯。
优选地，所述丙烯酸甲硅烷基酯嵌段改性单体选自下组：烯烃和环烯烃。更优选地，所述丙烯酸甲硅烷基酯嵌段改性单体选自C1-5烯烃和C3-7环烯烃。最优选地，所述丙烯酸甲硅烷基酯嵌段改性单体是乙烯。
优选地，所述氘代丙烯酸甲硅烷基酯嵌段改性单体选自下组：氘代烯烃和氘代环烯烃。更优选地，所述氘代丙烯酸甲硅烷基酯嵌段改性单体选自氘代C1-5烯烃和氘代C3-7环烯烃。最优选地，所述氘代丙烯酸甲硅烷基酯嵌段改性单体是氘代乙烯。
优选的，本发明的嵌段共聚物制剂包括≥2重量%的抗氧化剂（以该嵌段共聚物共混物的重量为基准计）。更优选的，该嵌段共聚物制剂包括2-30重量%的抗氧化剂（以该嵌段共聚物共混物的重量为基准计）。还更优选的，该嵌段共聚物制剂包括5-30重量%的抗氧化剂（以该嵌段共聚物共混物的重量为基准计）。还更优选的，该嵌段共聚物制剂包括10-25重量%的抗氧化剂（以该嵌段共聚物共混物的重量为基准计）。最优选的，该嵌段共聚物制剂包括15-25重量%的抗氧化剂（以该嵌段共聚物共混物的重量为基准计）。
本发明的嵌段共聚物制剂中包含的抗氧化剂可以选自主抗氧化剂和辅助抗氧化剂。优选的，该抗氧化剂选自下组：包含至少1种(优选的至少2种；更优选的至少3种；最优选的3-4种)2,6-双-叔-丁基苯酚部分的抗氧化剂；包含至少1种(优选的至少2种；更优选的至少3种；最优选的3-4种)具有以下结构式的部分的抗氧化剂：
包含至少1种(优选的至少2种，最优选的2种)具有以下结构式的部分的抗氧化剂
以及，
包含至少1种(优选的至少2种，最优选的2种)具有以下结构式的部分的抗氧化剂
以及，
它们的混合物。更优选的，该抗氧化剂选自下组：
以及，
它们的混合物。还更优选的，该抗氧化剂选自下组：
以及
和一种或多种其它抗氧化剂的混合物。最优选的，该抗氧化剂是
优选地，本发明的嵌段共聚物制剂中包含的所述抗氧化剂(或抗氧化剂的混合物)的平均分子量≥358克/摩尔。更优选地，本发明的嵌段共聚物制剂中包含的所述抗氧化剂(或抗氧化剂的混合物)的平均分子量≥600克/摩尔。最优选地，本发明的嵌段共聚物制剂中包含的所述抗氧化剂(或抗氧化剂的混合物)的平均分子量≥1000克/摩尔。
优选地，本发明的嵌段共聚物制剂中包含的所述抗氧化剂(或抗氧化剂的混合物)在760毫米Hg(101.3kPa)下所测的平均沸点＞400℃。更优选的，本发明的嵌段共聚物制剂中包含的所述抗氧化剂(或抗氧化剂的混合物)在760毫米Hg(101.3kPa)下所测的平均沸点＞500℃。还更优选的，本发明的嵌段共聚物制剂中包含的所述抗氧化剂(或抗氧化剂的混合物)在760毫米Hg(101.3kPa)下所测的平均沸点＞700℃。还更优选的，本发明的嵌段共聚物制剂中包含的所述抗氧化剂(或抗氧化剂的混合物)在760毫米Hg(101.3kPa)下所测的平均沸点＞800℃。最优选的，本发明的嵌段共聚物制剂中包含的所述抗氧化剂(或抗氧化剂的混合物)在760毫米Hg(101.3kPa)下所测的平均沸点＞1000℃。
本发明的嵌段共聚物制剂任选地还包含溶剂。溶剂包括能将该嵌段共聚物分散成平均流体动力直径（通过动态光散射测量）小于50纳米的颗粒或团聚体的液体。优选地，使用的溶剂选自丙二醇单甲醚乙酸酯(PGMEA)、丙酸乙氧基乙酯、苯甲醚、乳酸乙酯、2-庚酮、环己酮、乙酸戊酯、γ-丁内酯(GBL)、正-甲基吡咯烷酮(NMP)和甲苯。更优选地，使用的溶剂选自丙二醇单甲醚乙酸酯(PGMEA)和甲苯。最优选地，所述溶剂是甲苯。
本发明的嵌段共聚物制剂任选地还包含添加剂。添加剂包括额外的聚合物(包括均聚物和无规共聚物)、表面活性剂、抗氧化剂、光酸产生剂、热酸产生剂、猝灭剂、硬化剂、粘合促进剂、溶解速率调节剂、光固化剂、光敏剂、酸扩增剂、增塑剂、取向控制剂和交联剂。用于嵌段共聚物制剂的优选添加剂包括均聚物、表面活性剂和抗氧化剂。
优选的，本发明的嵌段共聚物制剂还包括聚（丙烯酸酯）均聚物添加剂(优选的是聚甲基丙烯酸甲酯均聚物添加剂("HPMMA"))。更优选的，本发明的嵌段共聚物制剂包括聚（丙烯酸酯）均聚物(优选的是HPMMA)；其中，聚（丙烯酸酯）均聚物与该嵌段共聚物共混物的重量比例是1:19-3:7(优选1:9-3:7；更优选1:9-1:4)。本发明的嵌段共聚物制剂优选的包括5-30重量%(更优选10-30重量%；最优选10-20重量%)(以固体计)的聚（丙烯酸酯）均聚物(优选为HPMMA)。该聚（丙烯酸酯）均聚物的数均分子量（MN-HPAcr）优选的是1-100千克/摩尔(更优选5-50千克/摩尔；最优选10-30千克/摩尔)。更优选的，本发明的嵌段共聚物制剂包括聚（丙烯酸酯）均聚物(优选的为HPMMA)；其中，聚（丙烯酸酯）均聚物与该嵌段共聚物共混物的重量比例是1:19-3:7(优选1:9-3:7；更优选1:9-1:4)；其中，嵌段共聚物共混物中DB1与DB2的重量比例是1:1-1:2.5；其中，DB1聚（丙烯酸酯）嵌段的重量分数（WfPAcr-DB1）是0.7-0.75；其中，MN-DB1是20-60千克/摩尔；其中，PDDB1是1.-1.2；其中，DB2聚（丙烯酸酯）嵌段的重量分数（WfPAcr-DB2）是0.7-0.75；其中，MN-DB2是20-60千克/摩尔；以及，其中PDDB2是1.-1.2。
本发明的方法优选包括：提供基材；提供本发明的嵌段共聚物制剂；将所述嵌段共聚物制剂膜应用到所述基材上；任选的，烘烤该膜；退火该膜；处理该退火的膜，以从该退火的膜中去除聚（丙烯酸酯）结构域，以及将该退火的膜中的聚（丙烯酸甲硅烷基酯）结构域转化成SiOx。
本发明的方法所使用的基材包括具有表面的任意基材，所述表面可以用本发明的嵌段共聚物制剂进行涂覆。优选的基材包括层状基材。优选的基材包括含硅基材(例如，玻璃、二氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、含硅半导体基材如硅晶片、硅晶片碎片、绝缘体上硅基材、蓝宝石上硅基材、基底半导体基材上外延生长的硅层(epitaxial layers of silicon on a basesemiconductor foundation)、硅-锗基材)；塑料；金属(例如，铜、钌、金、铂、铝、钛及合金)；氮化钛；和不含硅的半导体基材(例如，不含硅的晶片碎片、不含硅的晶片、锗、砷化镓和磷化铟)。最优选的基材是含硅基材。
任选的，在应用本发明的嵌段共聚物制剂之前，用插入材料预处理待用本发明的嵌段共聚物制剂涂覆的基材表面。优选的，该预处理材料用作插入在该基材表面和本发明的嵌段共聚物制剂的嵌段共聚物之间的粘结层，用来增强该嵌段共聚物和该基材之间的粘附。优选地，所述插入材料形成选自成像层和取向控制层的层。
适用于本发明方法的成像层包括，例如可以图案化或选择性活化的任意类型的材料。这种材料包括例如聚合物刷和自组装的单层硅烷和硅氧烷化合物。
适用于本发明方法的取向控制层包括中性和非中性取向控制层。即，所述取向控制层可以在所述基材表面和本发明的嵌段共聚物制剂的嵌段共聚物之间形成界面，且聚（丙烯酸酯）结构域或聚（丙烯酸甲硅烷基酯）结构域可优选润湿该界面-即，非中性取向控制层。中性取向控制层表示在所述基材表面和本发明的嵌段共聚物制剂的嵌段共聚物之间形成界面的层，且聚（丙烯酸酯）结构域和聚（丙烯酸甲硅烷基酯）结构域可等效的润湿该界面。中性取向控制层优选的包括通过浇铸无规共聚物来制备的膜，该无规共聚物同时包括丙烯酸酯单体和丙烯酸甲硅烷基酯单体的残基（如，聚（甲基丙烯酸甲酯）-无规-甲基丙烯酸（三甲基甲硅烷基）甲酯-OH）。
优选的，在沉积本发明的嵌段共聚物制剂之前对基材进行预处理，以促进该嵌段共聚物制剂中嵌段共聚物的导向自组装（guided selfassembly）。具体来说，所述预处理有利于用于导向自组装嵌段共聚物膜的两种常规方法（即制图外延法和化学外延法）中的一种。在制图外延法中，用在该基材表面上的形貌特征（如凹槽、孔）对基材表面进行预图案化，该形貌特征可用来引导该嵌段共聚物中嵌段的自组装。
在化学外延法中，用具有组成(compositional)图案的膜处理所述基材表面，其中所述组成图案的各部分之间对聚（丙烯酸酯）结构域和聚（丙烯酸甲硅烷基酯）结构域的亲合性不同。这种化学亲和性的差异，用于促进该嵌段共聚物制剂的导向自组装。
优选的，用选自下组的方法来在该基材上形成插入层：旋涂、浸涂、辊涂、喷涂和层压(最优选的是旋涂)。在所述基材表面上施用插入层形成材料之后，任选地将所述材料进一步加工以去除任何残留的溶剂。优选地，所述插入层在升高的温度(例如，70-340℃)下烘烤至少10秒至5分钟，以从所述插入层中除去任何残留的溶剂。优选地，用溶剂进行清洗烘烤过的插入层，所述溶剂能从基材表面去除任何未结合的残留插入层材料，然后在升高的温度(例如，70至340℃)下再烘烤至少10秒至5分钟，以除去任何残留溶剂。
在本发明的方法中，将本发明的嵌段共聚物制剂膜应用到基材上优选的包括使用选自下组的方法来将该嵌段共聚物制剂沉积到该基材上：旋涂、浸涂、辊涂、喷涂和层压(最优选的是旋涂)。在将所述嵌段共聚物制剂应用到所述基材之后，任选地进一步加工沉积的嵌段共聚物制剂，以去除任何残留的溶剂。优选地，所述沉积的嵌段共聚物制剂在升高的温度(例如，70-340℃)下烘烤至少10秒至5分钟，以从该沉积的嵌段共聚物制剂的膜中除去任何残留的溶剂。
可通过任意退火技术如热退火、热梯度退火和溶剂蒸汽退火来退火该沉积的膜。优选的，使用热退火技术来退火所述膜。更优选的，使用热退火技术来退火所述沉积的膜，其中将该沉积的膜在200-340℃(更优选200-300℃；最优选225-300℃)的温度下加热0.5分钟-2天(更优选0.5分钟-2小时；还更优选0.5分钟-0.5小时；最优选0.5分钟-5分钟)。优选的，在气态气氛下使用热退火技术来退火所述沉积的膜，其中所述气态气氛选自包含＞20重量%氧气的气氛和包含＜20重量%氧气的气氛。更优选的，在气态气氛下热退火该沉积的膜，其中所述气态气氛选自气态氮气气氛和气态氩气气氛，其中所述气态气氛的氧浓度＜150ppm(更优选的,＜10ppm；更优选的,＜7.5ppm；还更优选的,＜6.5ppm；最优选的,＜5ppm)。最优选的，在气态氮气气氛下热退火该沉积的膜，所述气态氮气气氛的氧浓度＜100ppm(优选的,＜7.5ppm；更优选的,＜6.5ppm；最优选的,＜5ppm)。
在本发明的方法中，处理该退火的膜以去除该退火的膜中的聚（丙烯酸酯）结构域，并将该退火的膜中的聚（丙烯酸甲硅烷基酯）结构域转化成SiOx，提供具有多个空穴的产品膜（即，垂直于该基材表面的凹槽状空穴；对称轴垂直于该基材表面的圆柱状孔；多个圆柱状SiOx杆，该SiOx杆的对称轴垂直于该基材表面）。所述处理包括：将该膜暴露于一些条件下，这些条件对该膜中的聚（丙烯酸酯）结构域的反应性相对于对该膜中聚（丙烯酸甲硅烷基酯）结构域的反应性不同，以有助于从该退火的膜中去除聚（丙烯酸酯）结构域，以及将聚（丙烯酸甲硅烷基酯）结构域转化成SiOx。优选的，所述处理包括：任选的，将该退火的膜暴露于含卤素等离子体（如，CF4）以去除在该退火的膜表面上形成的任何润湿层；然后将该退火的膜暴露于反应性等离子体或反应性离子蚀刻气氛，以去除聚（丙烯酸酯）结构域且将聚（丙烯酸甲硅烷基酯）结构域转化成SiOx。最优选的，所述处理包括：将该退火的膜暴露于含卤素等离子体以去除在该退火的膜上形成的任何润湿层；以及随后将该退火的膜暴露于反应性等离子体或反应性离子蚀刻气氛，其中该气氛包括等离子体，该等离子体包括低压离子化氧化性气体（优选的是O2）；其中，去除了该退火的膜中的聚（丙烯酸酯）结构域且将该退火的膜中的聚（丙烯酸甲硅烷基酯）结构域转化成SiOx。
现在将在以下实施例中详细描述本发明的一些实施方式。
在本文实施例中使用之前，将以下材料，即四氢呋喃(99.9%纯，购自奥德里奇公司(Aldrich))、苯乙烯(购自阿德里奇公司(Aldrich))和环己烷(HPCL级，购自费氏公司(Fischer))通过活化A-2级氧化铝填充柱进行处理。在本文实施例中使用之前，将以下材料，即1,1-二苯乙烯(购自奥德里奇公司(Aldrich))和甲基丙烯酸甲酯（MMA）)通过碱性氧化铝填充柱进行处理。本文实施例中使用的所有其它材料都是市售的，直接使用。
本文实施例中的膜厚度采用NanoSpec/AFT2100膜厚测量工具进行测量。根据通过衍射光栅的白光干涉确定膜厚度。使用称为“聚酰亚胺叠硅(Polyimide on Silicon)”的标准程序分析组分波长(380-780纳米)，以确定膜厚度。沉积的嵌段共聚物制剂膜和刷层的厚度在一起作为一个聚合层进行测量。报告的膜厚度为沉积的嵌段共聚物制剂和刷层的总厚度。
通过在配备了安捷伦（Agilent）1100系列折射率检测器和MiniDAWN光散射检测器的(瓦特科技公司（Wyatt Technology Co.）)安捷伦（Agilent）1100系列LC系统上的凝胶渗透色谱（GPC）来测量实施例中所报道的数均分子量MN和多分散性值。将样品以约1毫克/毫升的浓度溶解于HPCL级THF，以及在通过2个PLGel300x7.5毫米混合C填充柱(5毫米，聚合物实验室公司（Polymer Laboratories,Inc.)）注入之前，通过0.20微米的注射器过滤器过滤。流量保持为1mL/min，且温度保持为35℃。用窄分子量的PS标准物(品牌为EasiCal PS-2，聚合物实验室公司（Polymer Laboratories,Inc.))校准该填充柱。
实施例中的参考的质子核磁共振(1H NMR)谱结果是在VarianINOVA400MHz NMR波谱仪上测试的。使用了氘代氯仿。使用10秒的延迟时间来确保完全质子弛豫，用于定量积分。报告了相对于四甲基硅烷的化学位移。
将热等离子体（PlasmaTherm）790i/反应性离子蚀刻平台用于实施例中提到的所有反应性离子蚀刻步骤。
在实施例中报道的用于膜的膜间距L0是通过用公知结构域的、基于JAVA的图像处理程序ImageJ对膜的SEM进行图像分析来测量的。对于给定SEM图像，首先实施空间校准，将图像中以像素为单位的距离转化成以纳米为单位的距离。为了测量膜间距，划一条穿过并垂直多个SiOx柱的线。通过用所划线的长度除以(n-1)来计算膜间距，其中n指所划的线穿过的SiOx柱数目。
实施例1：制备羟基-封端的聚苯乙烯刷
在氮气气氛下，将环己烷（1500克）添加到2升的玻璃反应器中。然后，将苯乙烯(50.34克)通过导管添加至该反应器。然后，将反应器中的物质加热到40℃。然后，将在环己烷中稀释到浓度为0.32M的仲-丁基锂(19.18克)通过导管迅速加入该反应器，致使反应器中的物质变黄。然后，将反应器中的物质搅拌30分钟。然后，将反应器中的物质冷却到30℃。然后，将环氧乙烷(0.73克)转移进入该反应器。然后，将反应器中的物质搅拌15分钟。然后，将20mL1.4M在甲醇中的HCl溶液添加到该反应器。然后，以500毫升聚合物溶液对1250毫升异丙醇的比例，通过将该聚合物沉淀进入异丙醇来分离反应器中的聚合物。然后，过滤所得沉淀物，并于60℃下在真空烘箱中过夜干燥，得到42克产品羟基-封端的聚苯乙烯。该产品羟基-封端的聚苯乙烯的数均分子量MN是7.4千克/摩尔，且多分散性PD是1.07。
实施例2：制备PMMA-嵌段-PTMSMMA二嵌段共聚物
在氩气气氛下向500毫升三颈圆底反应器中加入四氢呋喃(“THF”)(226克)。然后，将该反应器中的THF冷却到-78℃。再用0.36M仲丁基锂的环己烷溶液滴定反应器中的物质，直至该反应器中的物质呈持久的浅黄色为止。然后将该反应器中的物质加热到30℃并维持在30℃，直至反应器中的物质的颜色完全消失(约10-15分钟)。然后将在环己烷(14.308克)中稀释的1，1-二苯乙烯(0.110克)通过导管转移至反应器中。然后，将反应器中的物质冷却到-78℃。然后，将在环己烷中稀释到浓度为0.60M的仲-丁基锂(0.62克)通过导管迅速加入该反应器，致使反应器中的物质变成红宝石深红色。将反应器中的物质搅拌15分钟。然后，将在环己烷(8.22克)中的甲基丙烯酸甲酯(11.8克)通过导管转移到该反应器中，致使该反应器中的物质的颜色消失。在将甲基丙烯酸甲酯添加到反应器的1分钟之内，该反应器中的物质的温度升高了15℃。然后，将反应器中的物质冷却回-78℃，并再将该反应器中的物质搅拌55分钟。然后从反应器中取出小部分反应器中的物质，用来对形成的聚甲基丙烯酸甲酯("PMMA")嵌段进行凝胶渗透色谱分析。然后将在环己烷(6.94克)中稀释的甲基丙烯酸（三甲基甲硅烷基）甲酯("TMSMMA")(4.54克)通过导管转移至反应器中。在将TMSMMA添加到该反应器的2分钟内，该反应器中的物质在冷却回-78℃之前，升温到-74℃。再将反应器中的物质搅拌2.5小时，然后通过将无水甲醇添加到该反应器来终止反应。然后，将反应器中的物质沉淀进入1升甲醇中。通过真空过滤来收集固体产物。在用额外的甲醇洗涤后，将该聚合物重新溶于150毫升的二氯甲烷中，用去离子水洗涤2次，并随后重新沉淀进入1升甲醇中。然后过滤该聚合物，并于60℃下在真空烘箱中过夜干燥，得到14.7克。产物聚（甲基丙烯酸甲酯）-嵌段-聚甲基丙烯酸（三甲基甲硅烷基）甲酯嵌段共聚物("BCP1")的重均分子量MW是41.5千克/摩尔；多分散性PD是1.19且聚甲基丙烯酸（三甲基甲硅烷基）甲酯含量是29.7重量%(通过1H NMR测定)。
实施例3：制备PMMA-嵌段-PTMSMMA二嵌段共聚物
在氩气气氛下向500毫升三颈圆底反应器中加入四氢呋喃(“THF”)(198克)。然后，将该反应器中的THF冷却到-78℃。再用0.36M仲丁基锂的环己烷溶液滴定反应器中的物质，直至该反应器中的物质呈持久的浅黄色为止。然后将该反应器中的物质加热到30℃并维持在30℃，直至反应器中的物质的颜色完全消失(约10-15分钟)。然后将在环己烷(5.099克)中稀释的1，1-二苯乙烯(0.135克)通过导管转移至反应器中。然后，将反应器中的物质冷却到-78℃。然后，将在环己烷中稀释到浓度为0.60M的仲-丁基锂(0.92克)通过导管迅速加入该反应器，致使反应器中的物质变成红宝石深红色。将反应器中的物质搅拌10分钟。然后，将在环己烷(11.99克)中的甲基丙烯酸甲酯(11.85克)通过导管转移到该反应器中，致使该反应器中的物质的颜色消失。在将甲基丙烯酸甲酯添加到反应器的1分钟之内，该反应器中的物质的温度升高了17℃。然后，将反应器中的物质冷却回-78℃，并再将该反应器中的物质搅拌60分钟。然后从反应器中取出小部分反应器中的物质，用来对形成的聚甲基丙烯酸甲酯("PMMA")嵌段进行凝胶渗透色谱分析。然后将在环己烷(8.41克)中稀释的甲基丙烯酸（三甲基甲硅烷基）甲酯("TMSMMA")(4.53克)通过导管转移至反应器中。在将TMSMMA添加到该反应器的2分钟内，该反应器中的物质在冷却回-78℃之前，升温到-71℃。再将反应器中的物质搅拌2.1小时，然后通过将无水甲醇添加到该反应器来终止反应。然后，将反应器中的物质沉淀进入1升甲醇中。通过真空过滤来收集固体产物。在用额外的甲醇洗涤后，将该聚合物重新溶于150毫升的二氯甲烷中，用去离子水洗涤2次，并随后重新沉淀进入1升甲醇中。然后过滤该聚合物，并于60℃下在真空烘箱中过夜干燥，得到14.4克。产物聚（甲基丙烯酸甲酯）-嵌段-聚甲基丙烯酸（三甲基甲硅烷基）甲酯嵌段共聚物("BCP2")的重均分子量MW是32.6千克/摩尔；多分散性PD是1.22且聚甲基丙烯酸（三甲基甲硅烷基）甲酯含量是29.2重量%(通过1H NMR测定)。
实施例4：过滤PMMA-嵌段-PTMSMMA二嵌段共聚物
将各自根据实施例2-3制备的PMMA-嵌段-PTMSMMA添加到甲苯中，以形成2.0重量%的溶液。然后，通过0.2微米的瓦塔曼（Whatman）注射器过滤器，分别手动过滤形成的2.0重量%溶液。收集滤饼材料产物，以备后用。
实施例5：制备嵌段共聚物共混物
混合在实施例4中从实施例2的PMMA-嵌段-PTMSMMA二嵌段共聚物获得的产物滤饼材料BCP1、在实施例4中从实施例3的PMMA-嵌段-PTMSMMA二嵌段共聚物获得的产物滤饼材料BCP2，使得BCP1:BCP2的重量比例是1:1。然后，将数均分子量为15千克/摩尔的聚（甲基丙烯酸甲酯）均聚物(H-PMMA)(购自科学聚合物产品公司（Scientific Polymer Products,Inc.），产品号424)添加到该二嵌段共聚物共混物中，以形成产物嵌段共聚物制剂，使得H-PMMA:二嵌段共聚物共混物的重量比例是1:9。该嵌段共聚物共混物产品是以在甲苯中的2重量%的固体来提供的；其中，所述固体是10重量%H-PMMA、45重量%BCP1和45重量%BCP2的共混物。
实施例6：制备具有均聚物的嵌段共聚物共混物
混合在实施例4中从实施例2的PMMA-嵌段-PTMSMMA二嵌段共聚物获得的产物滤饼材料BCP1、在实施例4中从实施例3的PMMA-嵌段-PTMSMMA二嵌段共聚物获得的产物滤饼材料BCP2，使得BCP1:BCP2的重量比例是1:1。然后，将数均分子量为15千克/摩尔的聚（甲基丙烯酸甲酯）均聚物(H-PMMA)(购自科学聚合物产品公司（Scientific Polymer Products,Inc.），产品号424)添加到该二嵌段共聚物共混物中，以形成具有均聚物的嵌段共聚物共混物产品，使得H-PMMA:二嵌段共聚物共混物的重量比例是1:4。该具有均聚物的嵌段共聚物共混物产品是以在甲苯中的2重量%的固体来提供的；其中，所述固体是20重量%H-PMMA、40重量%BCP1和40重量%BCP2的共混物。
实施例7：制备基材
从具有天然氧化物层的硅晶片中切割片材(约1英寸x1英寸)来制备基材。将根据实施例1制备的羟基-封端的聚苯乙烯刷溶于甲苯中，以形成1.5重量%的刷溶液。然后将所述刷溶液以3000rpm（转/分钟）的速度在各基材上旋涂1分钟。再将基材放置在设定为150℃的加热板上对沉积的刷层烘烤1分钟。在氮气气氛下，再将基材放置在设定为250℃的加热板上对沉积的刷层退火20分钟。然后将基材冷却至室温。然后，将该基材在甲苯中浸没1分钟。然后以3,000rpm的速度旋转干燥基材1分钟。然后，将基材在设定为110℃的加热板上放置1分钟，并随后储存在氮气中直到使用。
实施例8：膜沉积
然后，将根据实施例5制备的嵌段共聚物组合物旋涂到根据实施例7制备的基材涂覆了聚苯乙烯刷的表面上，以形成59纳米的膜。然后将基材在设定为150℃的加热板上放置1分钟，烘烤该膜。然后，在表压为25磅力/平方英寸（psig）的氮气气氛中，将基材在设定为270℃的另一加热板上放置1小时。
在该退火的膜的气氛-膜界面上形成PTMSMMA表面润湿层。然后，用2个连续的反应性离子蚀刻(RIE)步骤来处理该退火的膜，以显示该沉积的PMMA-嵌段-PTMSMMA膜的嵌段共聚物形貌。首先，使用短CF4等离子体(10mT,50W)RIE处理(后等离子体稳定8秒)来击穿PTMSMMA表面润湿层。然后，使用O2等离子体RIE处理(后等离子体稳定25秒)来去除聚（甲基丙烯酸甲酯）结构域，并将PTMSMMA结构域转化成SiOx。
然后，使用具有二次电子检测器的日立（Hitachi）S-4500扫描电子显微镜(SEM)，通过扫描电子显微镜来检测等离子体处理的产品膜。使用双面碳胶带将测试样品安装在SEM样品台上，分析之前通过氮气吹扫来清洁。收集该测试样品的图像，放大倍数是50000x，工作距离是4和8之间。该产品膜的俯视图像见图1。
实施例9：膜沉积
然后，将根据实施例6制备的嵌段共聚物组合物旋涂到根据实施例7制备的基材涂覆了聚苯乙烯刷的表面上，以形成57.5纳米的膜。然后将基材在设定为150℃的加热板上放置1分钟，烘烤该膜。然后，在25psig的氮气气氛中，将基材在设定为270℃的另一加热板上放置1小时。
在该退火的膜的气氛-膜界面上形成PTMSMMA表面润湿层。然后，用2个连续的反应性离子蚀刻(RIE)步骤来处理该退火的膜，以显示该沉积的PMMA-嵌段-PTMSMMA膜的嵌段共聚物形貌。首先，使用短CF4等离子体(10mT,50W)RIE处理(后等离子体稳定8秒)来击穿PTMSMMA表面润湿层。然后，使用O2等离子体RIE处理(后等离子体稳定25秒)来去除聚（甲基丙烯酸甲酯）结构域，并将PTMSMMA结构域转化成SiOx。
然后，使用具有二次电子检测器的日立（Hitachi）S-4500扫描电子显微镜(SEM)检测等离子体处理的产品膜的扫描电子显微图像。使用双面碳胶带将测试样品安装在SEM样品台上，分析之前通过氮气吹扫来清洁。收集该测试样品的图像，放大倍数是50000x，工作距离是4和8之间。该产品膜的俯视图像见图2。
实施例10：制备嵌段共聚物制剂
混合在实施例4中从实施例2的PMMA-嵌段-PTMSMMA二嵌段共聚物获得的产物滤饼材料BCP1、在实施例4中从实施例3的PMMA-嵌段-PTMSMMA二嵌段共聚物获得的产物滤饼材料BCP2，使得BCP1:BCP2的重量比例是1:1。然后，将数均分子量为15千克/摩尔的聚（甲基丙烯酸甲酯）均聚物(H-PMMA)(购自科学聚合物产品公司（Scientific Polymer Products,Inc.），产品号424)添加到该二嵌段共聚物共混物中，以形成具有均聚物的嵌段共聚物共混物，使得H-PMMA:二嵌段共聚物共混物的重量比例是1:9。
然后，将四（3-(3,5-二叔丁基-4-羟基苯基)丙酸）季戊四醇酯（Pentaerythritol tetrakis(3-(3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl)-propionate)）(购自巴斯夫（BASF），商标为1010)添加到该制剂，以形成具有5重量%1010的嵌段共聚物制剂。然后，将该产物嵌段共聚物制剂以在甲苯中的2重量%的固体来提供；其中，所述固体是9.5重量%H-PMMA、42.75重量%BCP1、42.75重量%BCP2、以及5重量%1010的共混物。
实施例11：膜沉积
然后，将根据实施例10制备的嵌段共聚物制剂旋涂到根据实施例7制备的基材涂覆了聚苯乙烯刷的表面上，以形成膜。然后将基材在设定为150℃的加热板上放置1分钟，烘烤该膜。然后，在25psig的氮气气氛中，将基材在设定为270℃的另一加热板上放置1小时。
在该退火的膜的气氛-膜界面上形成PTMSMMA表面润湿层。然后，用2个连续的反应性离子蚀刻(RIE)步骤来处理该退火的膜，以显示该沉积的PMMA-嵌段-PTMSMMA膜的嵌段共聚物形貌。首先，使用短CF4等离子体(10mT,50W)RIE处理(后等离子体稳定8秒)来击穿PTMSMMA表面润湿层。然后，使用O2等离子体RIE处理(后等离子体稳定25秒)来去除聚（甲基丙烯酸甲酯）结构域，并将PTMSMMA结构域转化成SiOx。
然后通过扫描电子显微镜检测等离子体处理的产物膜。收集该测试样品的图像，放大倍数是50000x，工作距离是4和8之间。该产物膜的俯视图像显示了指纹形貌，这与平行于该基材取向的圆柱状形貌是一致的。

Claims (12)

1.一种嵌段共聚物制剂，其包括：
嵌段共聚物共混物，该嵌段共聚物共混物包括：
第一聚（丙烯酸酯）-嵌段-聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段共聚物("DB1")，其包括DB1聚（丙烯酸酯）嵌段、DB1聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段、且DB1数均分子量MN-DB1为10-1000千克/摩尔、DB1多分散性PDDB1为1-3；以及，
第二聚（丙烯酸酯）-嵌段-聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段共聚物("DB2")，其包括DB2聚（丙烯酸酯）嵌段、DB2聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段、且DB2数均分子量MN-DB2为1-1000千克/摩尔、DB2多分散性PDDB2为1-3；以及，
≥2重量%的抗氧化剂，以该嵌段共聚物共混物的重量为基准计。
2.如权利要求1所述的嵌段共聚物制剂，其特征在于，所述嵌段共聚物制剂包括5-30重量%的抗氧化剂,以该嵌段共聚物共混物的重量为基准计。
3.如权利要求1所述的嵌段共聚物制剂，其特征在于，在该嵌段共聚物共混物中，DB1与DB2的重量比例是1:1-1:9。
4.如权利要求3所述的嵌段共聚物制剂，其特征在于，所述嵌段共聚物共混物是≥33重量%-99重量%的DB1和1至≤50重量%的DB2。
5.如权利要求1所述的嵌段共聚物制剂，其特征在于，所述抗氧化剂选自下组：
包含至少一种2，6-双-叔丁基苯酚部分的抗氧化剂；
包含至少一种具有下式结构的部分的抗氧化剂
包含至少一种具有下式结构的部分的抗氧化剂
包含至少一种具有下式结构的部分的抗氧化剂
以及，
它们的混合物。
6.如权利要求1所述的嵌段共聚物制剂，其特征在于，所述抗氧化剂选自下组
以及，
它们的混合物。
7.如权利要求1所述的嵌段共聚物制剂，其特征在于，
所述DB1聚（丙烯酸酯）嵌段和DB2聚（丙烯酸酯）嵌段两者都包括来自丙烯酸酯单体、氘代丙烯酸酯单体、丙烯酸酯嵌段改性单体和氘代丙烯酸酯嵌段改性单体中至少一种的残基；所述DB1聚（丙烯酸酯）嵌段和DB2聚（丙烯酸酯）嵌段两者都包括＞75重量%的丙烯酸酯单体衍生单元；所述丙烯酸酯单体选自下组：(C1-5烷基)丙烯酸C6-14芳基酯、(C1-5烷基)丙烯酸C1-5烷基酯；所述氘代丙烯酸酯单体选自下组：氘代(C1-5烷基)丙烯酸C6-14芳基酯、氘代(C1-5烷基)丙烯酸C1-5烷基酯；所述丙烯酸酯嵌段改性单体选自C1-5烯烃和C3-7环烯烃；所述氘代丙烯酸酯嵌段改性单体选自氘代C1-5烯烃和氘代C3-7环烯烃；以及，
所述DB1聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段和DB2聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段两者都包括来自丙烯酸甲硅烷基酯单体、氘代丙烯酸甲硅烷基酯单体、丙烯酸甲硅烷基酯嵌段改性单体和氘代丙烯酸甲硅烷基酯嵌段改性单体中至少一种的残基；所述DB1聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段和DB2聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段两者都包括＞75重量%的丙烯酸甲硅烷基酯单体衍生单元；所述丙烯酸甲硅烷基酯单体具有以下结构式
(R1(R2)(R3)Si)rR4 xOOCC(R5)=CR6 2
式中，R1、R2和R3各自独立的选自下组：C1-6烷基,甲硅烷基化C1-6烷基,C1-6烷氧基,甲硅烷基化C1-6烷氧基,C6-10芳基,C6-10芳氧基,甲硅烷基化C6-10芳基,甲硅烷基化C6-10芳氧基,C1-10芳基烷基,C1-10芳基烷氧基,甲硅烷基化C1-10芳基烷基,甲硅烷基化C1-10芳基烷氧基,C6-10烷基芳基,C6-10烷基芳氧基,甲硅烷基化C6-10烷基芳基,甲硅烷基化C6-10烷基芳氧基；r选自下组：0,1,2以及3；R4选自下组：C1-3烷基；x选自下组：0以及1；R5选自下组：氢以及甲基；R6是氢；所述丙烯酸甲硅烷基酯单体包括至少一个Si原子；所述氘代丙烯酸甲硅烷基酯单体具有以下结构式
(R7(R8)(R9)Si)tR10 yOOCC(R11)=CR12 2
式中，R7、R8和R9各自独立的选自下组：C1-6烷基,甲硅烷基化C1-6烷基,C1-6烷氧基,甲硅烷基化C1-6烷氧基,C6-10芳基,C6-10芳氧基,甲硅烷基化C6-10芳基,甲硅烷基化C6-10芳氧基,C1-10芳基烷基,C1-10芳基烷氧基,甲硅烷基化C1-10芳基烷基,甲硅烷基化C1-10芳基烷氧基,C6-10烷基芳基,C6-10烷基芳氧基,甲硅烷基化C6-10烷基芳基,甲硅烷基化C6-10烷基芳氧基，氘代C1-6烷基,氘代甲硅烷基化C1-6烷基,氘代C1-6烷氧基,氘代甲硅烷基化C1-6烷氧基,氘代C6-10芳基,氘代C6-10芳氧基,氘代甲硅烷基化C6-10芳基,氘代甲硅烷基化C6-10芳氧基,氘代C1-10芳基烷基,氘代C1-10芳基烷氧基,氘代甲硅烷基化C1-10芳基烷基,氘代甲硅烷基化C1-10芳基烷氧基,氘代C6-10烷基芳基,氘代C6-10烷基芳氧基,氘代甲硅烷基化C6-10烷基芳基,氘代甲硅烷基化C6-10烷基芳氧基；t选自下组：0,1,2和3；R10选自下组：C1-3烷基和氘代C1-3烷基；y是0或者1；R11选自下组：氢、氘、甲基和氘代甲基；R12选自下组：氢和氘；其中所述氘代丙烯酸甲硅烷基酯单体包括至少一个Si原子；以及，其中所述氘代丙烯酸甲硅烷基酯单体包括至少一个氘；所述丙烯酸甲硅烷基酯嵌段改性单体选自烯烃和环烯烃；所述氘代丙烯酸甲硅烷基酯嵌段改性单体选自氘代烯烃和氘代环烯烃。
8.如权利要求7所述的嵌段共聚物制剂，其特征在于，
所述丙烯酸酯单体选自下组：(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸甲酯；所述氘代丙烯酸酯单体选自下组：氘代(甲基)丙烯酸丁酯、氘代(甲基)丙烯酸丙酯、氘代(甲基)丙烯酸乙酯、氘代(甲基)丙烯酸甲酯；所述丙烯酸酯嵌段改性单体是乙烯；以及，所述氘代丙烯酸酯嵌段改性单体是氘代乙烯；以及，
所述丙烯酸甲硅烷基酯单体选自下组：（甲基）丙烯酸（三甲基甲硅烷基）甲酯；（甲基）丙烯酸（三乙基甲硅烷基）甲酯；（甲基）丙烯酸（三丙基甲硅烷基）甲酯；（甲基）丙烯酸（三异丙基甲硅烷基）甲酯；（甲基）丙烯酸（三丁基甲硅烷基）甲酯；（甲基）丙烯酸（三-仲-丁基甲硅烷基）甲酯；（甲基）丙烯酸（三异丁基甲硅烷基）甲酯；（甲基）丙烯酸（仲-丁基甲基甲硅烷基）甲酯；（甲基）丙烯酸（仲-丁基二甲基甲硅烷基）甲酯；（甲基）丙烯酸（二甲基丙基甲硅烷基）甲酯；（甲基）丙烯酸（单甲基二丙基甲硅烷基）甲酯；（甲基）丙烯酸（甲基乙基丙基甲硅烷基）甲酯；（甲基）丙烯酸双-（三甲基甲硅烷基）甲酯；（甲基）丙烯酸三-（三甲基甲硅烷基）甲酯；（甲基）丙烯酸（五甲基二甲硅烷基）甲酯；（甲基）丙烯酸（三甲基甲硅烷氧基）甲酯；（甲基）丙烯酸三-（三甲基甲硅烷氧基）丙酯；（甲基）丙烯酸（五甲基二甲硅烷氧基）甲酯；（甲基）丙烯酸（五甲基二甲硅烷氧基）丙酯；（甲基）丙烯酸（三甲氧基甲硅烷基）丙酯；以及，（甲基）丙烯酸（三乙氧基甲硅烷基）丙酯；所述氘代丙烯酸甲硅烷基酯单体选自下组：氘代（甲基）丙烯酸（三甲基甲硅烷基）甲酯；氘代（甲基）丙烯酸（三乙基甲硅烷基）甲酯；氘代（甲基）丙烯酸（三丙基甲硅烷基）甲酯；氘代（甲基）丙烯酸（三异丙基甲硅烷基）甲酯；氘代（甲基）丙烯酸（三丁基甲硅烷基）甲酯；氘代（甲基）丙烯酸（三-仲-丁基甲硅烷基）甲酯；氘代（甲基）丙烯酸（三异丁基甲硅烷基）甲酯；氘代（甲基）丙烯酸（仲-丁基甲基甲硅烷基）甲酯；氘代（甲基）丙烯酸（仲-丁基二甲基甲硅烷基）甲酯；氘代（甲基）丙烯酸（二甲基丙基甲硅烷基）甲酯；氘代（甲基）丙烯酸（单甲基二丙基甲硅烷基）甲酯；氘代（甲基）丙烯酸（甲基乙基丙基甲硅烷基）甲酯；氘代（甲基）丙烯酸双-（三甲基甲硅烷基）甲酯；氘代（甲基）丙烯酸三-（三甲基甲硅烷基）甲酯；氘代（甲基）丙烯酸（五甲基二甲硅烷基）甲酯；氘代（甲基）丙烯酸（三甲基甲硅烷氧基）甲酯；氘代（甲基）丙烯酸三-（三甲基甲硅烷氧基）丙酯；氘代（甲基）丙烯酸（五甲基二甲硅烷氧基）甲酯；氘代（甲基）丙烯酸（五甲基二甲硅烷氧基）丙酯；氘代（甲基）丙烯酸（三甲氧基甲硅烷基）丙酯；以及，氘代（甲基）丙烯酸（三乙氧基甲硅烷基）丙酯；所述丙烯酸甲硅烷基酯嵌段改性单体是乙烯；以及，所述氘代丙烯酸甲硅烷基酯嵌段改性单体是氘代乙烯。
9.如权利要求8所述的嵌段共聚物制剂，其特征在于，所述嵌段共聚物制剂还包括聚（甲基丙烯酸甲酯）均聚物(“HPMMA”)；所述聚（甲基丙烯酸甲酯）均聚物(“HPMMA”)与所述嵌段共聚物共混物的重量比例是1:9-1:4；DB1与DB2重量比例是1:1-1:2.5；DB1中DB1聚（丙烯酸酯）嵌段的重量分数WfPAcr-DB1是0.7-0.75；MN-DB1是20-60千克/摩尔；PDDB1是1.-1.2；DB2中DB1聚（丙烯酸酯）嵌段的重量分数WfPAcr-DB2是0.7-0.75；MN-DB2是20-60千克/摩尔；PDDB2是1.-1.2；所述丙烯酸酯单体是甲基丙烯酸甲酯；以及，所述丙烯酸甲硅烷基酯单体是（甲基）丙烯酸（三甲基甲硅烷基）甲酯。
10.一种方法，该方法包括：
提供基材；
提供权利要求1所述的嵌段共聚物制剂；
将所述嵌段共聚物制剂膜应用到所述基材上；
任选地，烘烤所述膜；
退火所述膜；
处理该退火的膜，以从该退火的膜中去除DB1聚（丙烯酸酯）嵌段和DB2聚（丙烯酸酯）嵌段，并将该退火的膜中的DB1聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段和DB2聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段转化成SiOx。
11.一种嵌段共聚物制剂，其包括：
嵌段共聚物共混物，该嵌段共聚物共混物包括：
第一聚（丙烯酸酯）-嵌段-聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段共聚物("DB1")，其包括DB1聚（丙烯酸酯）嵌段、DB1聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段、且DB1数均分子量（MN-DB1）为10-1000千克/摩尔、DB1多分散性（PDDB1）为1-3；以及，
第二聚（丙烯酸酯）-嵌段-聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段共聚物("DB2")，其包括DB2聚（丙烯酸酯）嵌段、DB2聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段、且DB2数均分子量MN-DB2为1-1000千克/摩尔、DB2多分散性PDDB2为1-3；
其中，所述嵌段共聚物制剂包括＜75重量%的聚（甲基丙烯酸甲酯）-嵌段-聚（甲基丙烯酸（三甲基甲硅烷基）甲酯）二嵌段共聚物。
12.如权利要求11所述的嵌段共聚物制剂，其特征在于，所述嵌段共聚物制剂包括＜0.001重量%的聚（甲基丙烯酸甲酯）-嵌段-聚（甲基丙烯酸（三甲基甲硅烷基）甲酯）二嵌段共聚物。
CN201410043564.3A 2013-02-08 2014-01-29 一种嵌段共聚物制剂及其相关方法 Active CN103984206B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/762,772 2013-02-08
US13/762,772 US8822616B1 (en) 2013-02-08 2013-02-08 Block copolymer formulation and methods relating thereto

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103984206A true CN103984206A (zh) 2014-08-13
CN103984206B CN103984206B (zh) 2018-05-25

Family

ID=51276229

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410043564.3A Active CN103984206B (zh) 2013-02-08 2014-01-29 一种嵌段共聚物制剂及其相关方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8822616B1 (zh)
JP (1) JP2014152331A (zh)
KR (1) KR102193316B1 (zh)
CN (1) CN103984206B (zh)
TW (1) TWI519591B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106687862A (zh) * 2014-09-10 2017-05-17 阿科玛法国公司 用于控制在由嵌段共聚物和聚合物的混合物获得的膜中的缺陷率的方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10649678B2 (en) * 2017-01-13 2020-05-12 Arm Limited Partitioning of memory system resources or performance monitoring
US11274176B2 (en) 2017-03-03 2022-03-15 National Institute of Technology Composite and production method thereof

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1361219A (zh) * 2000-10-25 2002-07-31 中国涂料株式会社 (聚)氧化烯嵌段甲硅烷基酯共聚物,含它的防污油漆组合物和其用途
CN101016400A (zh) * 2001-05-14 2007-08-15 钟渊化学工业株式会社 热塑性树脂组合物
CN101583642A (zh) * 2006-12-12 2009-11-18 利兹大学 可逆胶束及其应用
CN101765644A (zh) * 2007-07-30 2010-06-30 惠普发展公司，有限责任合伙企业 油墨组合物及其形成方法
US20110257289A1 (en) * 2008-10-03 2011-10-20 Chamelic Ltd Ab diblock copolymers and applications for their use

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5015708A (en) * 1989-06-26 1991-05-14 Gaf Chemicals Corporation Precipitation polymerization of terpolymers of a vinyl lactam, a polymerizable carboxylic acid and a hydrophobic monomer in an aliphatic hydrocarbon solvent
PL200670B1 (pl) 1998-12-28 2009-01-30 Chugoku Marine Paints Kopolimer sililo(met)akrylanowy, sposób jego wytwarzania, przeciwporostowa kompozycja do malowania zawierająca kopolimer sililo(met)akrylanowy oraz jej zastosowanie
JP3940546B2 (ja) 1999-06-07 2007-07-04 株式会社東芝 パターン形成方法およびパターン形成材料
US20050113475A1 (en) 2002-02-19 2005-05-26 Haruo Nishida Preparation of copolymers by gas phase polymerization
US6846776B2 (en) * 2002-08-21 2005-01-25 Eastman Kodak Company Transfer laminate donor for lenticular images with anti-stick backing material
JP3910926B2 (ja) * 2003-02-26 2007-04-25 株式会社東芝 表示装置用透明基板の製造方法
JP2005008701A (ja) * 2003-06-17 2005-01-13 Ube Ind Ltd 高分子膜及びその作製方法
US8287957B2 (en) * 2004-11-22 2012-10-16 Wisconsin Alumni Research Foundation Methods and compositions for forming aperiodic patterned copolymer films
JP2009520074A (ja) * 2005-12-16 2009-05-21 アーケマ・インコーポレイテッド 低表面エネルギーブロック共重合体の製造方法及び用途
JP5270817B2 (ja) * 2006-03-29 2013-08-21 株式会社東芝 ３次元形状を有する半導体部材を加工する方法
US20070254169A1 (en) 2006-04-28 2007-11-01 Kamins Theodore I Structures including organic self-assembled monolayers and methods of making the structures
JP4673266B2 (ja) * 2006-08-03 2011-04-20 日本電信電話株式会社 パターン形成方法及びモールド
JP5178401B2 (ja) * 2008-08-29 2013-04-10 株式会社日立製作所 微細構造を有する高分子薄膜およびパターン基板の製造方法
US8247033B2 (en) 2008-09-19 2012-08-21 The University Of Massachusetts Self-assembly of block copolymers on topographically patterned polymeric substrates
US7560141B1 (en) 2008-11-11 2009-07-14 International Business Machines Corporation Method of positioning patterns from block copolymer self-assembly
JP5281386B2 (ja) * 2008-12-22 2013-09-04 株式会社日立製作所 高分子薄膜及びパターン媒体並びにこれらの製造方法
EP2468805B1 (en) * 2009-08-18 2013-10-02 Japan Science and Technology Agency Method for producing polymer material
US8349203B2 (en) 2009-09-04 2013-01-08 International Business Machines Corporation Method of forming self-assembled patterns using block copolymers, and articles thereof
JP2012004434A (ja) * 2010-06-18 2012-01-05 Toshiba Corp パターン形成方法およびパターン形成装置
US8304493B2 (en) 2010-08-20 2012-11-06 Micron Technology, Inc. Methods of forming block copolymers

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1361219A (zh) * 2000-10-25 2002-07-31 中国涂料株式会社 (聚)氧化烯嵌段甲硅烷基酯共聚物,含它的防污油漆组合物和其用途
CN101016400A (zh) * 2001-05-14 2007-08-15 钟渊化学工业株式会社 热塑性树脂组合物
CN101583642A (zh) * 2006-12-12 2009-11-18 利兹大学 可逆胶束及其应用
CN101765644A (zh) * 2007-07-30 2010-06-30 惠普发展公司，有限责任合伙企业 油墨组合物及其形成方法
US20110257289A1 (en) * 2008-10-03 2011-10-20 Chamelic Ltd Ab diblock copolymers and applications for their use

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106687862A (zh) * 2014-09-10 2017-05-17 阿科玛法国公司 用于控制在由嵌段共聚物和聚合物的混合物获得的膜中的缺陷率的方法
CN106687862B (zh) * 2014-09-10 2020-12-22 阿科玛法国公司 用于控制在由嵌段共聚物和聚合物的混合物获得的膜中的缺陷率的方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN103984206B (zh) 2018-05-25
TWI519591B (zh) 2016-02-01
US8822616B1 (en) 2014-09-02
KR102193316B1 (ko) 2020-12-22
TW201439186A (zh) 2014-10-16
US20140227447A1 (en) 2014-08-14
JP2014152331A (ja) 2014-08-25
KR20140101306A (ko) 2014-08-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI498384B (zh) 熱退火過程
CN103980649A (zh) 嵌段共聚物组合物及其相关方法
US8697810B2 (en) Block copolymer and methods relating thereto
US8710150B2 (en) Blended block copolymer composition
KR102153960B1 (ko) 열 어닐링 가공법
CN103984206A (zh) 一种嵌段共聚物制剂及其相关方法
CN103980648A (zh) 一种导向自组装共聚物组合物及其相关方法
KR20140009065A (ko) 고온 열 어닐링 가공법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant