CN103951439A - 微波介质陶瓷及其制备方法 - Google Patents
微波介质陶瓷及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103951439A CN103951439A CN201410166735.1A CN201410166735A CN103951439A CN 103951439 A CN103951439 A CN 103951439A CN 201410166735 A CN201410166735 A CN 201410166735A CN 103951439 A CN103951439 A CN 103951439A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- microwave
- preparation
- sintering
- mass ratio
- microwave dielectric
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 91
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 68
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L lithium carbonate Chemical compound [Li+].[Li+].[O-]C([O-])=O XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 16
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract description 16
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 31
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 claims description 28
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 12
- 238000005469 granulation Methods 0.000 claims description 12
- 230000003179 granulation Effects 0.000 claims description 12
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 claims description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 9
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 239000012188 paraffin wax Substances 0.000 claims description 5
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 claims description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 2
- 229960001866 silicon dioxide Drugs 0.000 claims 3
- 238000004513 sizing Methods 0.000 claims 3
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 claims 2
- 235000012054 meals Nutrition 0.000 claims 1
- 238000007873 sieving Methods 0.000 claims 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 14
- 229910052808 lithium carbonate Inorganic materials 0.000 abstract description 12
- UZLYXNNZYFBAQO-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);ytterbium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Yb+3].[Yb+3] UZLYXNNZYFBAQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract description 4
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 abstract description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 9
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 8
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 8
- 238000002490 spark plasma sintering Methods 0.000 description 7
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 5
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 5
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011361 granulated particle Substances 0.000 description 2
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000009774 resonance method Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- FIXNOXLJNSSSLJ-UHFFFAOYSA-N ytterbium(III) oxide Inorganic materials O=[Yb]O[Yb]=O FIXNOXLJNSSSLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
一种微波介质陶瓷，包括质量比为90～98:2～10的α-三氧化二铝和助烧剂，所述助烧剂包括质量比为2:2:1的二氧化硅、碳酸锂和三氧化二镱。上述微波介质陶瓷的助烧剂中的二氧化硅和碳酸锂相对于α-三氧化二铝熔点较低。通过添加助烧剂，能有效降低烧结温度，使该微波介质陶瓷的烧结温度比传统的α-三氧化二铝材质的微波介质陶瓷的烧结温度低150℃以上。助烧剂中的三氧化二镱具有促进烧结的作用，能够有效提高微波介质陶瓷的致密度，从而提高微波介质陶瓷的导热系数。此外，还提供一种微波介质陶瓷的制备方法。
Description
技术领域
本发明涉及电子材料领域，特别是涉及一种微波介质陶瓷及其制备方法。
背景技术
微波介质陶瓷是指应用于微波频段(主要是UHF、SHF频段，300MHz～300GHz)电路中作为介质材料并完成一种或多种功能的陶瓷，是最近20年来迅速发展起来的一种新型功能电子陶瓷材料。它是滤波器、双工器、谐振器及介质波导回路等微波器件中的关键材料，被广泛应用于卫星通信、移动通信、电子对抗及机载通信等微波通信设备中，是当前介质材料的研究热点之一。
由于微波介质陶瓷很大一部分是应用在高功率大型通信器件上，不可避免的要承受高功率的冲击从而引起局部剧烈受热。然而，传统的微波介质陶瓷的导热系数较小，微波介质陶瓷承受高功率的冲击时容易引起局部剧烈受热导致的微波介质陶瓷的损害甚至器件失灵。
发明内容
基于此，有必要提供一种导热系数较高的微波介质陶瓷及其制备方法。
一种微波介质陶瓷，包括质量比为90～98:2～10的α-三氧化二铝和助烧剂，所述助烧剂包括质量比为2:2:1的二氧化硅、碳酸锂和三氧化二镱。
在其中一个实施例中，所述α-三氧化二铝和所述助烧剂的质量比为92:8。
一种的微波介质陶瓷的制备方法，包括如下步骤：
提供质量比为90～98:2～10的α-三氧化二铝和助烧剂的混合粉末，所述助烧剂包括质量比为2:2:1的二氧化硅、碳酸锂和三氧化二镱；
往所述混合粉末中加入胶黏剂造粒，压制成型后得到陶瓷生坯；以及
采用放电等离子烧结技术对所述陶瓷生坯进行烧结处理，得到所述微波介质陶瓷。
在其中一个实施例中，所述烧结处理的温度为1325℃～1375℃，压强为25MPa～29MPa，时间为25min～35min。
在其中一个实施例中，所述混合粉末通过如下步骤制备，往质量比为90～98:2～10的α-三氧化二铝和助烧剂的混合物中加入乙醇，接着球磨4小时，烘干后得到所述混合粉末。
在其中一个实施例中，所述助烧剂采用如下步骤制备，将质量比为2:2:1的二氧化硅、碳酸锂和三氧化二镱研磨成粉末，接着在875℃～925℃下煅烧85min～95min，得到所述助烧剂。
在其中一个实施例中，所述混合粉末的中位径为0.78μm～1.48μm。
在其中一个实施例中，所述胶黏剂为聚乙烯醇或石蜡。
在其中一个实施例中，所述聚乙烯醇的质量为所述混合粉末质量的1.0％～1.8％。
在其中一个实施例中，往所述混合粉末中加入胶黏剂造粒后，压制成型得到陶瓷生坯前，先将造粒后得到的颗粒过60目筛，接着将过筛后的细粉过300目筛，收集过300目筛后的粗粉用于制备所述陶瓷生坯。
上述微波介质陶瓷的助烧剂中的二氧化硅和碳酸锂相对于α-三氧化二铝熔点较低。通过添加助烧剂，能有效降低烧结温度，使该微波介质陶瓷的烧结温度比传统的α-三氧化二铝材质的微波介质陶瓷的烧结温度低150℃以上。助烧剂中的三氧化二镱具有促进烧结的作用，能够有效提高微波介质陶瓷的致密度，从而提高微波介质陶瓷的导热系数。
附图说明
图1为一实施方式的微波介质陶瓷的制备方法的流程图；
图2为实施例3制备的微波介质陶瓷的X射线衍射图；
图3为实施例3制备的微波介质陶瓷的扫描电镜图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。
一实施方式的微波介质陶瓷，包括质量比为90～98:2～10的α-三氧化二铝(α-Al2O3)和助烧剂，助烧剂包括质量比为2:2:1的二氧化硅(SiO2)、碳酸锂(Li2CO3)和三氧化二镱(Yb2O3)。
优选的，α-Al2O3和助烧剂的质量比为92:8。
该微波介质陶瓷以氧化铝为主晶相，具有超高的品质因数，Q×f值很高。
助烧剂中的SiO2和Li2CO3相对于α-Al2O3熔点较低。通过添加助烧剂，能有效的降低烧结温度，使该微波介质陶瓷的烧结温度比传统的α-Al2O3材质的微波介质陶瓷的烧结温度低150℃以上。助烧剂中的Yb2O3具有促进烧结的作用，能够有效提高微波介质陶瓷的致密度，从而提高微波介质陶瓷的导热系数。
上述微波介质陶瓷，Q×f值为97300GHz～138300GHz，频率温度系数τf为-53ppm/℃～-51ppm/℃，介电常数εr为10.8～11.8，导热系数λ为22.375W/(m·K)～24.928W/(m·K)。该微波介质陶瓷的导热系数是传统的微波介质陶瓷的10倍以上。
上述微波介质陶瓷具有较大的导热系数，应用于高功率大型通信器件时，可以将高功率的冲击引起的局部剧烈受热的热量快速地散发，从而可以有效避免局部剧烈受热引起微波介质陶瓷的瓷体损坏。使得上述微波介质陶瓷有着极大的应用价值和市场潜力。
如图1所示，一实施方式的微波介质陶瓷的制备方法，包括如下步骤：
S110、提供质量比为90～98:2～10的α-三氧化二铝和助烧剂的混合粉末，助烧剂包括质量比为2:2:1的二氧化硅、碳酸锂和三氧化二镱。
α-Al2O3、SiO2、Li2CO3和Yb2O3分别是高纯α-Al2O3、高纯SiO2、高纯Li2CO3和高纯Yb2O3。
助烧剂采用如下步骤制备，将质量比为2:2:1的二氧化硅、碳酸锂和三氧化二镱研磨成粉末，接着在875℃～925℃下煅烧85min～95min，得到助烧剂。
将质量比为2:2:1的二氧化硅、碳酸锂和三氧化二镱研磨成粉末的操作为，往质量比为2:2:1的二氧化硅、碳酸锂和三氧化二镱中加入AKM分散剂，球磨3小时。AKM分散剂的用量为二氧化硅、碳酸锂和三氧化二镱总质量的0.1％～0.2％。
将质量比为2:2:1的二氧化硅、碳酸锂和三氧化二镱研磨成粉末后，得到的粉末的中位径(D50)为0.48μm～0.68μm。
质量比为90～98:2～10的α-三氧化二铝和助烧剂的混合粉末通过如下步骤制备，往质量比为90～98:2～10的α-三氧化二铝和助烧剂的混合物中加入乙醇，接着球磨4小时，烘干后得到混合粉末。
混合粉末的中位径(D50)为0.78μm～1.48μm。
S120、往混合粉末中加入胶黏剂造粒，压制成型后得到陶瓷生坯。
在本实施方式中，胶黏剂为聚乙烯醇(PVA)。加入的聚乙烯醇的质量可以为混合粉末质量的1.0％～1.8％。在其他实施例中，胶黏剂也可以为石蜡或者其他具有相同功能的胶黏剂。
造粒的操作为，将加入了胶黏剂的混合粉末制备成颗粒。
往混合粉末中加入胶黏剂造粒后，压制成型得到陶瓷生坯前，还可以先将造粒后得到的颗粒过60目筛，接着将过筛后的细粉过300目筛，收集过300目筛后的粗粉用于制备陶瓷生坯。
压制成型得到陶瓷生坯的操作在压强为15Mpa～25Mpa的条件下进行。
陶瓷生坯的直径为12mm左右，厚度为1.5mm左右。
S130、采用放电等离子烧结技术对陶瓷生坯进行烧结处理，得到微波介质陶瓷。
烧结处理的温度为1325℃～1375℃，压强为25MPa～29MPa，时间为25min～35min。
优选的，烧结处理的温度为1350℃，压强为27MPa，时间为30min。
上述微波介质陶瓷的制备方法，助烧剂中的SiO2和Li2CO3相对于α-Al2O3熔点较低。通过添加助烧剂，能有效的降低烧结温度，使该微波介质陶瓷的烧结温度比传统的α-Al2O3微波介质陶瓷的烧结温度低150℃以上。采用放电等离子烧结技术(SPS)进行烧结处理，能够在烧结过程中清洗颗粒表面，抑制晶粒的异常长大，并且能实现快速烧结。并且，助烧剂中的Yb2O3具有促进烧结的作用，能够有效提高微波介质陶瓷的致密度，从而得到晶粒小且均匀，致密度高的微波介质陶瓷，提高微波介质陶瓷的导热系数，有效改善陶瓷的微波介电性能。
上述微波介质陶瓷可以应用于无源微波器件或微波电子元器件中。无源微波器件可以为高功率微波介质谐振器、高功率介质滤波器或微波天线等微波通信设备。微波电子元器件可以为微波基板等。
下面为具体实施例部分。
实施例1
往2克SiO2、2克Li2CO3和1克Yb2O3中加入0.005克AKM分散剂，球磨3小时，得到D50为0.48μm的粉末。接着将粉末在875℃下煅烧95min，得到助烧剂。
将95克α-Al2O3和5克助烧剂混合，得到混合物。往混合物中加入乙醇，球磨4小时，烘干后得到D50为0.78μm的混合粉末。
往混合粉末中加入石蜡造粒。然后将造粒后得到的颗粒过60目筛，接着将过筛后的细粉过300目筛，收集过300目筛后的粗粉。将过300目筛后的收集的粗粉在15Mpa下压制成直径为12mm，厚度为1.5mm的陶瓷生坯。
接着将陶瓷生坯采用放电等离子烧结技术在1375℃，29MPa的条件下烧结25min，得到微波介质陶瓷。
实施例2
往4克SiO2、4克Li2CO3和2克Yb2O3中加入0.02克AKM分散剂，球磨3小时，得到D50为0.68μm的粉末。接着将粉末在900℃下煅烧90min，得到助烧剂。
将90克α-Al2O3和10克助烧剂混合，得到混合物。往混合物中加入乙醇，球磨4小时，烘干后得到D50为1.32μm的混合粉末。
往混合粉末中加入1.8克的PVA造粒。然后将造粒后得到的颗粒过60目筛，接着将过筛后的细粉过300目筛，收集过300目筛后的粗粉。将过300目筛后收集的粗粉在25Mpa下压制成直径为12mm，厚度为1.5mm的陶瓷生坯。
接着将陶瓷生坯采用放电等离子烧结技术在1325℃，27MPa的条件下烧结35min，得到微波介质陶瓷。
实施例3
往0.8克SiO2、0.8克Li2CO3和0.4克Yb2O3中加入0.002克AKM分散剂，球磨3小时，得到D50为0.5μm的粉末。接着将粉末在925℃下煅烧85min，得到助烧剂。
将98克α-Al2O3和2克助烧剂混合，得到混合物。往混合物中加入乙醇，球磨4小时，烘干后得到D50为1.48μm的混合粉末。
往混合粉末中加入1克的PVA造粒。然后将造粒后得到的颗粒过60目筛，接着将过筛后的细粉过300目筛，收集过300目筛后的粗粉。将过300目筛后收集的粗粉在20Mpa下压制成直径为12mm，厚度为1.5mm的陶瓷生坯。
接着将陶瓷生坯采用放电等离子烧结技术在1350℃，27MPa的条件下烧结30min，得到微波介质陶瓷。
实施例3制备的微波介质陶瓷的X射线衍射图如图2所示。实施例3制备的微波介质陶瓷的扫描电镜图如图3所示。从图3可以看出，实施例3制备的微波介质陶瓷结构致密，晶粒大小均匀，晶粒尺寸较小。
对比例1
往100克α-Al2O3中加入乙醇，球磨4小时，烘干后得到D50为1.48μm的粉末。
往粉末中加入石蜡造粒。然后将造粒后得到的颗粒过60目筛，接着将过筛后的细粉过300目筛，收集过300目筛后的粗粉。将过300目筛后收集的粗粉在20Mpa下压制成直径为12mm，厚度为1.5mm的陶瓷生坯。
接着将陶瓷生坯采用放电等离子烧结技术在1350℃，27MPa的条件下烧结30min，得到微波介质陶瓷。
根据Hakki-Coleman介质谐振法，用网络分析仪测试实施例1～3以及对比例1的微波介质陶瓷的性能，频率温度系数τf由τf＝(ft1-ft0)/((t1-t0)×ft0)计算得到，其中t0＝25℃，t1＝85℃，ft2和ft1为这两个温度点的谐振频率，测试结果如表1所示。
表1
从表1可以看出，通过添加助烧剂，能够有效提高微波介质陶瓷的致密度，从而得到晶粒小且均匀，致密度高的微波介质陶瓷，提高微波介质陶瓷的导热系数，有效改善陶瓷的微波介电性能。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种微波介质陶瓷，其特征在于，包括质量比为90～98:2～10的α-三氧化二铝和助烧剂，所述助烧剂包括质量比为2:2:1的二氧化硅、碳酸锂和三氧化二镱。
2.根据权利要求1所述的微波介质陶瓷，其特征在于，所述α-三氧化二铝和所述助烧剂的质量比为92:8。
3.一种的微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供质量比为90～98:2～10的α-三氧化二铝和助烧剂的混合粉末，所述助烧剂包括质量比为2:2:1的二氧化硅、碳酸锂和三氧化二镱；
往所述混合粉末中加入胶黏剂造粒，压制成型后得到陶瓷生坯；以及
采用放电等离子烧结技术对所述陶瓷生坯进行烧结处理，得到所述微波介质陶瓷。
4.根据权利要求3所述的微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，所述烧结处理的温度为1325℃～1375℃，压强为25MPa～29MPa，时间为25min～35min。
5.根据权利要求3所述的微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，所述混合粉末通过如下步骤制备，往质量比为90～98:2～10的α-三氧化二铝和助烧剂的混合物中加入乙醇，接着球磨4小时，烘干后得到所述混合粉末。
6.根据权利要求3所述的微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，所述助烧剂采用如下步骤制备，将质量比为2:2:1的二氧化硅、碳酸锂和三氧化二镱研磨成粉末，接着在875℃～925℃下煅烧85min～95min，得到所述助烧剂。
7.根据权利要求3所述的微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，所述混合粉末的中位径为0.78μm～1.48μm。
8.根据权利要求3所述的微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，所述胶黏剂为聚乙烯醇或石蜡。
9.根据权利要求8所述的微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，所述聚乙烯醇的质量为所述混合粉末质量的1.0％～1.8％。
10.根据权利要求3所述的微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，往所述混合粉末中加入胶黏剂造粒后，压制成型得到陶瓷生坯前，先将造粒后得到的颗粒过60目筛，接着将过筛后的细粉过300目筛，收集过300目筛后的粗粉用于制备所述陶瓷生坯。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410166735.1A CN103951439B (zh) | 2014-04-23 | 2014-04-23 | 微波介质陶瓷及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410166735.1A CN103951439B (zh) | 2014-04-23 | 2014-04-23 | 微波介质陶瓷及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103951439A true CN103951439A (zh) | 2014-07-30 |
| CN103951439B CN103951439B (zh) | 2015-11-18 |
Family
ID=51328830
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410166735.1A Active CN103951439B (zh) | 2014-04-23 | 2014-04-23 | 微波介质陶瓷及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103951439B (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105777108A (zh) * | 2016-04-01 | 2016-07-20 | 广东国华新材料科技股份有限公司 | 一种高介电常数的纳米介质陶瓷及其制备方法 |
| CN107867828A (zh) * | 2016-09-28 | 2018-04-03 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 一种Al2O3陶瓷材料的制备方法及其作为微波陶瓷窗材料的应用 |
| CN111470864A (zh) * | 2020-05-01 | 2020-07-31 | 桂林理工大学 | 一种硅基温度稳定型微波介质陶瓷材料及其制备方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102627447A (zh) * | 2012-03-21 | 2012-08-08 | 广东工业大学 | 一种低温热压快速烧结高热导率氧化铝基透明陶瓷的方法 |
| CN103342543A (zh) * | 2013-06-28 | 2013-10-09 | 珠海微晶新材料科技有限公司 | 一种led陶瓷基板及其制备方法 |
-
2014
- 2014-04-23 CN CN201410166735.1A patent/CN103951439B/zh active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102627447A (zh) * | 2012-03-21 | 2012-08-08 | 广东工业大学 | 一种低温热压快速烧结高热导率氧化铝基透明陶瓷的方法 |
| CN103342543A (zh) * | 2013-06-28 | 2013-10-09 | 珠海微晶新材料科技有限公司 | 一种led陶瓷基板及其制备方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 陈大明: "《先进陶瓷材料的注凝技术与应用》", 30 November 2011, 国防工业出版社, article "先进陶瓷材料的注凝技术与应用", pages: 140-141 * |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105777108A (zh) * | 2016-04-01 | 2016-07-20 | 广东国华新材料科技股份有限公司 | 一种高介电常数的纳米介质陶瓷及其制备方法 |
| CN105777108B (zh) * | 2016-04-01 | 2018-05-25 | 广东国华新材料科技股份有限公司 | 一种高介电常数的纳米介质陶瓷及其制备方法 |
| CN107867828A (zh) * | 2016-09-28 | 2018-04-03 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 一种Al2O3陶瓷材料的制备方法及其作为微波陶瓷窗材料的应用 |
| CN111470864A (zh) * | 2020-05-01 | 2020-07-31 | 桂林理工大学 | 一种硅基温度稳定型微波介质陶瓷材料及其制备方法 |
| CN111470864B (zh) * | 2020-05-01 | 2021-11-16 | 桂林理工大学 | 一种硅基温度稳定型微波介质陶瓷材料及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103951439B (zh) | 2015-11-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103304186A (zh) | 一种铁氧体基复合磁介天线基板材料及其制备方法 | |
| CN103864406A (zh) | 一种低介电常数微波介质陶瓷及其制备方法 | |
| CN104310980A (zh) | 一种微波介质陶瓷材料及其制备方法 | |
| CN111592348A (zh) | 一种具有优异温度稳定性的低介电常数微波介质陶瓷及其制备方法 | |
| CN108249902A (zh) | 一种硅酸盐基低介微波介质陶瓷及其制备方法 | |
| WO2019113973A1 (zh) | 一种介质陶瓷材料及其制备方法 | |
| CN105777111B (zh) | 一种巨介电常数低介电损耗的电介质陶瓷材料及其制备方法 | |
| CN103951439B (zh) | 微波介质陶瓷及其制备方法 | |
| CN105645958A (zh) | 一种铌酸钠无铅反铁电压电陶瓷的制备方法 | |
| CN102603282A (zh) | 超低温烧结温度稳定型微波介质陶瓷及其制备方法 | |
| CN103833351B (zh) | 微波介质陶瓷及其制备方法 | |
| CN105198409B (zh) | 一种高储能密度钛酸锶钡基玻璃复相陶瓷的制备方法 | |
| CN110885243A (zh) | 一种低介电常数铝酸盐微波介质陶瓷材料及其制备方法 | |
| CN111925207B (zh) | 一种Mg3B2O6-Ba3(VO4)2复合陶瓷材料及制备方法 | |
| CN105693220B (zh) | 一种正温度系数硅酸盐微波介质陶瓷材料及其制备方法 | |
| JP6598809B2 (ja) | 電波吸収体、その製造方法及び高周波モジュール | |
| Bafrooei et al. | Microwave sintering of nanopowder ZnNb2O6: Densification, microstructure and microwave dielectric properties | |
| CN105777108B (zh) | 一种高介电常数的纳米介质陶瓷及其制备方法 | |
| CN104098330A (zh) | 采用后退火工艺制备高性能钛酸锶钡热释电陶瓷的方法 | |
| CN107253856A (zh) | 一种近零谐振频率温度系数的微波介质材料及其制备方法 | |
| CN110845226A (zh) | 一种微波介质陶瓷材料SrGa2O4及其制备方法 | |
| CN114573344B (zh) | 一种两相复合微波介质陶瓷材料及其制备方法和应用 | |
| CN103553599B (zh) | 一种znt-brt复合微波介质陶瓷及其制备方法 | |
| CN110627480B (zh) | MgO-Al2O3-GeO2三元体系微波介质材料的制备方法 | |
| CN108794004B (zh) | 一种镧钕掺杂镍酸盐陶瓷及其制备方法和应用 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |