CN103941788B - 芯片自适应电压调整器及方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种芯片自适应电压调整器及方法，该电压调整器包括：关键路径监控模块，用于判断芯片的当前电压是否需要升压或降压，当需要升压或降压时，输出一升压或降压指示；指示控制模块，与所述关键路径监控模块相连，用于对所述升压或降压指示进行运算，并输出电压识别VID值；电压调节模块VRM，与所述指示控制模块相连，用于根据所述VID值向所述芯片输出对应的电压，通过电压调整器解决了现有技术中调整芯片供电电压时需要经过繁琐的大样本标定及查表，而且对个体差异感知不足引起节能效果降低的技术问题。

Description

芯片自适应电压调整器及方法

技术领域

本发明涉及一种电压调整技术，尤其涉及一种时序关键路径监控的芯片自适应电压调整器及方法。

背景技术

随着移动设备和芯片集成度的不断提高，设备能耗以及可持续使用时间日益成为人们关注的焦点，但是芯片设计中的时序为了满足各种工艺温度频率条件，电压裕量往往较大，而电压的平方与功耗成正比，所以在集成电路中通过电压调整技术对集成电路不同负载状态情况下使用不用的工作电压，从而达到降低芯片功耗的目的。

现有技术中，如图1所示，通过自适应电压调整(Adaptive Voltage Scaling，简称：AVS)技术调整芯片的工作电压，从而降低芯片的功耗，具体为：基于跟踪芯片的性能变化，实时监控芯片的频率、工艺和温度，根据监控获得的频率、工艺和温度参数，在电压识别(Voltage Identification，简称：VID)控制器中根据对预先标定形成的映射表进行查找，得到对应的VID值并输出VID值，电压调节模块(Voltage Regulator Module，简称VRM)电源模块根据VID值为芯片输出一工作电压。

然而，现有技术中，芯片的频率、工艺和温度所需的电压需要经过大样本标定，依据标定结果形成映射表，然而，标定过程非常繁琐，使得应用效率降低，而且在应用时，对个体差异感知不足，降低了节能效果。

发明内容

本发明提供一种芯片自适应电压调整器及方法，解决了现有技术中调整芯片供电电压时需要经过繁琐的大样本标定及查表，而且对个体差异感知不足引起节能效果降低的技术问题。

第一方面，本发明提供一种芯片自适应电压调整器，包括：

关键路径监控模块，用于判断芯片的当前电压是否需要升压或降压，当需要升压或降压时，输出一升压或降压指示；

指示控制模块，与所述关键路径监控模块相连，用于对所述升压或降压指示进行运算，并输出电压识别VID值；

电压调节模块VRM，与所述指示控制模块相连，用于根据所述VID值向所述芯片输出对应的电压。

在第一方面的第一种可能的实现方式中，所述关键路径监控模块包括

时序关键路径单元，用于输出第一时序裕量；

第一关键路径监控单元，用于输出第二时序裕量，其中所述第一关键路径监控单元是在所述时序关键路径单元中增加裕量ΔT1延长线组成，或

所述第一关键路径监控单元是将所述时序关键路径单元进行复制，在复制的时序关键路径单元中增加裕量ΔT1延长线组成；

第二关键路径监控单元，用于输出第三时序裕量，其中所述第二关键路径监控单元是在所述第一关键路径监控单元中增加裕量ΔT2延长线组成；

第一处理单元，用于根据所述第一时序裕量和所述第二时序裕量判断是否升压，若是，则输出升压指示；

第二处理单元，用于根据所述第一时序裕量和所述第三时序裕量判断是否降压，若是，则输出降压指示。

根据第一方面或第一方面的第一种可能实现方式，在第二种可能的实现方式中，所述指示控制模块包括：

升压指示单元，用于对所述升压指示进行或运算，输出升压VID指令；

降压指示单元，用于对所述降压指示进行与运算，输出降压VID指令；

VID控制器，用于根据所述升压VID指令或所述降压VID指令，将存储的VID值升高或降低并向所述VRM输出，以使所述VRM根据VID值调整所述芯片的工作电压。

根据第一方面第二种可能实现方式，在第三种可能的实现方式中，所述VID控制器包括：

识别单元，用于识别所述升压VID指令和所述降压VID指令，若识别出为所述升压VID指令，则将存储的VID值升高并向所述VRM输出，若识别出为所述降压VID指令，则将存储的VID值降低并向所述VRM输出；

根据第一方面、第一方面的第一种至第三种可能的任一实现方式，在第四种可能的实现方式中，所述指示控制模块还用于向所述关键路径监控模块发送清零指示，以使所述关键路径监控模块清除保存的所述升压或降压指示，以便电压调整后输出重新判断得到的升压或降压指示。

第二方面，提供一种芯片自适应电压调整方法，包括：

关键路径监控模块判断芯片的当前电压是否需要升压或降压，当需要升压或降压时，输出一升压或降压指示；

指示控制模块根据所述关键路径监控模块输出的升压或降压指示，运算并输出电压识别VID值；

电压调节模块VRM根据所述指示控制模块输出的所述VID值，向所述芯片输出对应的电压。

在第二方面的第一种可能的实现方式中，关键路径监控模块判断芯片的当前电压是否需要升压或降压，当需要升压或降压时，输出一升压或降压指示之前，包括：

在时序关键路径单元中增加裕量ΔT1延长线构成第一关键路径监控单元，或

复制所述时序关键路径单元，在复制的时序关键路径单元中增加裕量ΔT1延长线构成第一关键路径监控单元；

在所述第一关键路径监控单元中增加裕量ΔT2延长线构成第二关键路径监控单元。

根据第二方面的第一种可能的实现方式，在第二方面的第二种可能的实现方式中，关键路径监控模块判断芯片的当前电压是否需要升压或降压，当需要升压或降压时，输出一升压或降压指示，包括：

根据所述时序关键路径单元获取第一时序裕量；

根据所述第一关键路径监控单元获取第二时序裕量；

根据所述第二关键路径监控单元获取第三时序裕量；

根据所述第一时序裕量和所述第二时序裕量判断是否升压，若是，则输出升压指示；

根据所述第一时序裕量和所述第三时序裕量判断是否降压，若是，则输出降压指示。

根据第二方面、第二方面的第一种至第二种可能的任一实现方式，在第二方面的第三种可能的实现方式中，所述指示控制模块根据所述关键路径监控模块输出的升压或降压指示，运算并输出电压识别VID值，包括：

所述指示控制模块根据所述关键路径监控模块输出的升压指示做或运算，得到升压VID指令，或

所述指示控制模块根据所述关键路径监控模块输出的降压指示做与运算，得到降压VID指令；

所述指示控制模块内的VID控制器识别所述升压VID指令和所述降压VID指令，若识别出为所述升压VID指令，则将存储的VID值升高并向所述VRM输出，若识别出为所述降压VID指令，则将存储的VID值降低并向所述VRM输出。

根据第二方面、第二方面的第一种至第三种可能的任一实现方式，在第二方面的第四种可能的实现方式中，所述指示控制模块根据所述关键路径监控模块输出的升压或降压指示，运算并输出电压识别VID值之后，还包括；

所述指示控制模块向所述关键路径监控模块发送清零指示，以使所述关键路径监控模块清除保存的所述升压或降压指示，以便电压调整后输出重新判断得到的升压或降压指示。

本发明实施例提供的芯片自适应电压调整器及方法，通过该芯片自适应电压调整器避免了现有技术中调整芯片供电电压时需要经过繁琐的大样本标定及查表，提升了电压调整的效率，而且本发明可以对每个样本进行检测，监控更直接，降压幅度更充分，节能效果更好。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明芯片自适应电压调整器实施例一的结构示意图；

图2为本发明时序关键路径单元的结构示意图；

图3为本发明芯片自适应电压调整器的关键路径监控模块的结构示意图A；

图4为本发明芯片自适应电压调整器的关键路径监控模块的结构示意图B；

图5为本发明芯片自适应电压调整方法实施例的流程示意图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

图1为本发明芯片自适应电压调整器实施例一的结构示意图，如图1所示，本实施例的芯片自适应电压调整器包括：

关键路径监控模块10，指示控制模块20，电压调节模块(Voltage RegulatorModule，简称：VRM)30，其中，指示控制模块20分别与关键路径监控模块10和VRM30相连，在本实施例中，关键路径监控模块可以为多个，如图1所示，关键路径监控模块10可以对芯片40中的样本1进行检测，关键路径监控模块11对芯片40中的样本2进行检测，关键路径监控模块12对芯片40中的样本3进行检测，所以本实施的芯片自适应电压调整器根据芯片40中的样本个数设定关键路径监控模块的个数可以实现对芯片40中的每个样本进行检测从而调整工作电压，关键路径监控模块10通过对样本1进行检测，根据检测结果判断样本1的当前电压是否需要升压或降压，当需要升压或降压，则向指示控制器20输出升压指示1或降压指示1，同理关键路径监控模块11和关键路径监控模块12根据判断结果，分别输出升压指示2、升压指示3或降压指示2、降压指示3，关键路径监控模块10、关键路径监控模块11和关键路径监控模块12都与指示控制模块20相连，指示控制模块20包括升压指示单元21、降压指示单元22和VID控制器23，其中，升压指示单元21用于将升压指示1、升压指示2或升压指示3，做或运算得到升压电压识别(Voltage Identification，简称：VID)指令，其中，升压指示只有有效无效两种状态，在多个升压指示之间一起取或，降压指示单元22用于根据降压指示1、降压指示2或降压指示3做与运算得到降压VID指令，其中，降压指示只有有效无效两种状态，在多个降压指示之间一起取与，VID控制器23根据升压指示单元21输出的升压VID指令将保存的现有VID值升高，并将升高后的新VID值代替现有的VID值，或者根据降压指示单元21输出的降压VID指令将保存的现有VID值降低，并将降低后的新VID值代替现有的VID值，VID控制器23通过硬件管脚将新VID值输出给VRM30，或者VRM30通过软件方式读取新VID值，其中新VID值可以为升高后的新VID值也可以为降低后的新VID值，VRM30根据新VID值调整电压，并将调整后的电压输出至芯片40。

本发明实施例提供的芯片自适应电压调整器，通过该芯片自适应电压调整器避免了现有技术中调整芯片供电电压时需要经过繁琐的大样本标定及查表，提升了电压调整的效率，而且本发明可以对每个样本进行检测，监控更直接，降压幅度更充分，节能效果更好。

图2为本发明时序关键路径单元的结构示意图，图3为本发明芯片自适应电压调整器的关键路径监控模块的结构示意图A，图4为本发明芯片自适应电压调整器的关键路径监控模块的结构示意图B，在上述实施例的基础上，本实施例中，如图2-4所示，本实施例中，是以图1中关键路径监控模块10为例进行说明，其他关键路径监控模块的结构可以参见关键路径监控模块10，关键路径监控模块10包括：

时序关键路径单元31，第一关键路径监控单元32，第二关键路径监控单元33，第一处理单元34，第二处理单元35，其中，时序关键路径单元31的结构为现有技术，可以参见图2所示的结构，时序关键路径单元31是一种通用路径模型，是集成电路中时序裕量最小的路径，在动态调整电压时最易发生时序不稳定问题，芯片内部时序主要包括触发器建立保持时间Tsu、门电路的延时Tpd、和走线延时Tline，在本发明中，时序关键路径单元31输出的时序裕量Dout0的计算方法如下：

时序裕量Dout0＝周期T－触发器输出延时Tco－门电路延时Tpd－走线时延Tline－触发器建立保持时间Tsu+时钟偏移Tskew

其中，周期T为芯片的时钟周期，触发器输出延时Tco是触发器1的输入数据Din被时钟打入到触发器1到输入数据Din到达触发器1输出端的延时时间，输入数据Din来自真实数据，要求输入数据Din为一直是有翻转的数据，门电路延时Tpd是门电路2的传输延迟时间，它表示门电路2在输入脉冲波形的作用下，其输出波形相对于输入波形延迟了多长的时间，触发器建立保持时间Tsu是时钟沿到来之前数据从不稳定到稳定所需的时间，时钟偏移Tskew指时钟信号到达两个相互连接的触发器1和触发器3(3a)的差异。

如图3所示，第一关键路径监控单元32是在时序关键路径单元31的走线时延Tline中增加裕量ΔT1延长线构成，根据上述时序裕量Dout0的计算方法，第一关键路径监控单元32输出的时序裕量Dout1如下所示：

时序裕量Dout1＝周期T－触发器输出延时Tco－门电路延时Tpd－走线时延(Tline+ΔT1)－触发器建立保持时间Tsu+时钟偏移Tskew

可以看出，时序裕量Dout1＝时序裕量Dout0－ΔT1，在本实施例中，规定时序裕量Dout1>0，即时序裕量Dout0－ΔT1>0。

第二关键路径监控单元33是在第一关键路径监控单元32的走线时延(Tline+ΔT1)中增加裕量ΔT2延长线组成，即第二关键路径监控单元33在时序关键路径单元31的走线时延Tline中增加了ΔT1+ΔT2，第二关键路径监控单元33输出的时序裕量Dout2如下所示：

时序裕量Dout2＝周期T－触发器输出延时Tco－门电路延时Tpd－走线时延(Tline+ΔT1+ΔT2)－触发器建立保持时间Tsu+时钟偏移Tskew

可以看出，时序裕量Dout2＝时序裕量Dout0－ΔT1－ΔT2，在本实施例中，规定时序裕量Dout2<0，即时序裕量Dout0－ΔT1－ΔT2<0。

第一处理单元34中包括异或器4a、触发器3f和脉冲信号保持电路5a，其中，将上述时序裕量Dout0和时序裕量Dout0输入至异或器4a，若Dout1＜0，即时序裕量Dout0－ΔT1＜0，此时时序裕量Dout0异或时序裕量Dout1出现不同，即需要升压，经过触发器3f和脉冲信号保持电路5a，输出升压指示信号；第二处理单元35中包括异或器4b、触发器3d、触发器3e和脉冲信号保持电路5b，其中触发器3d用于将时序裕量Dout0进行移位得到时序裕量Dout0+，时序裕量Dout0与时序裕量Dout0+是相同的，将时序裕量Dout0+和时序裕量Dout2输入至异或器4b，若Dout2＞0，即时序裕量Dout0－ΔT1－ΔT2＞0，此时时序裕量Dout0+异或时序裕量Dout2出现不同，即需要降压，经过触发器3e和脉冲信号保持电路5b，输出降压指示信号。

在本实施例中，指示控制器20读取关键路径监控模块的升压或降压指示，分别在升压指示单元21或降压指示单元22中进行运算，得到升压VID指令或降压VID指令并输出至VID控制器，VID控制器的识别单元(未示出)对接收到的指令进行识别，若识别出为升压VID指令，则将存储的VID值(电压未调整之前的工作电压对应的VID值)升高并向VRM输出，若识别出为降压VID指令，则将存储的VID值降低并向VRM输出，同时将存储的VID值替换为升高或降低后的VID值，指示控制器20向VRM输出升高或降低的VID值后，指示控制器20向关键路径监控模块发送清零指示CR，关键路径监控模块接收到所述清零指示CR后，将脉冲信号保持电路5a(5b)中的脉冲信号保持器进行清除，以便电压调整后输出重新判断得到的升压或降压指示。

本发明实施例提供的芯片自适应电压调整器，通过在关键时序路径中增加关键路径，实现了芯片供电电压的调整，该芯片自适应电压调整器避免了现有技术中调整芯片供电电压时需要经过繁琐的大样本标定及查表，提升了电压调整的效率，而且本发明可以对每个样本进行检测，监控更直接，降压幅度更充分，节能效果更好。

在上述实施例的基础上，本实施例中，关键路径监控模块10可以如图3所示的结构构造，即在时序关键路径单元31的走线时延Tline中直接增加ΔT做二次触发构造，关键路径监控模块10还可以如图4所示，将时序关键路径单元31进行复制，得到复制的时序关键路径单元31’，其中，时序关键路径单元31和时序关键路径单元31’中的触发器、门电路和时钟保持一致，在复制的时序关键路径单元31’的走线时延中增加ΔT做裕量，按照图3对应的实施例进行相应的操作，本实施例中，时序关键路径单元31’中的Din0使用时钟信号，用复制的时序关键路径单元31’替代时序关键路径单元31，适用于时序关键路径单元31的输入信号Din翻转率不足以支持关键路径监控判决的场合，以及时序关键路径单元31的布线约束不足以直接引出做监控的场合。

图5为本发明芯片自适应电压调整方法实施例一的流程示意图，参见图2-5所示，本实施例中，芯片自适应电压调整方法包括：

步骤501、关键路径监控模块判断芯片的当前电压是否需要升压或降压，当需要升压或降压时，输出一升压或降压指示。

具体的，以关键路径监控模块10为例，在步骤501之前，还包括：关键路径监控模块10在时序关键路径单元(如图2和图3的时序关键路径单元31所示)中增加裕量ΔT1延长线构成第一关键路径监控单元，所述第一关键路径监控单元与上述实施例中的第一关键路径单元32的结构是相同，具体可以参见上述实施例中的第一关键路径监控单元32，本实施例中，关键路径监控模块还可以复制时序关键路径，在复制的时序关键路径增加裕量ΔT1延长线构成第一关键路径监控单元，其中时序关键路径是集成电路中时序裕量最小的路径，时序裕量的计算方法参见上述实施例，在所述第一关键路径监控单元中增加裕量ΔT2延长线构成第二关键路径监控单元，关键路径监控模块根据时序关键路径获取第一时序裕量Dout(Dout0)，根据第一关键路径监控单元获取第二时序裕量Dout1，根据第二关键路径监控单元获取第三时序裕量Dou2，其中当Dout1＝(Dout0－ΔT1)＜0，则需要升压，并输出升压指示，当Dout1＝(Dout0－ΔT1)＞0则不需要做任何处理，即不输出升压指示；当Dout2＝(Dout0－ΔT1－ΔT2)＞0，则需要降压，并输出降压指示，当Dout2＝(Dout0－ΔT1－ΔT2)＜0，则不做任何处理，即不需要输出降压指示。

步骤502、指示控制模块根据所述关键路径监控模块输出的升压或降压指示，运算并输出VID值。

指示控制模块20根据关键路径监控模块10输出的升压指示做或运算，得到升压VID指令，或者指示控制模块20根据关键路径监控模块10输出的降压指示做与运算，得到降压VID指令，然后将升压VID指令或降压VID指令输出给VID控制器，所述VID控制器根据升压VID指令或降压VID指令修改保存的VID值(未调整电压时芯片工作电压对应的VID值)，即根据升压VID指令将保存的VID值升高得到新的VID值并向VRM输出，或根据降压VID指令将保存的VID值降低得到新的VID值并向VRM输出。

进一步地，VID控制器读取到降压VID指令或升压VID指令时，首先需要对读取的指令进行识别，当识别出为升压VID指令则将存储的VID值升高并向所述VRM输出，若识别出为所述降压VID指令，则将存储的VID值降低并向所述VRM输出。

步骤503、VRM根据所述指示控制模块输出的VID值，向所述芯片输出对应的电压。

VRM30根据所述指示控制模块20输出的VID值，调整芯片的工作电压，并将调整后的电压向芯片输出。

本发明实施例提供的芯片自适应电压调整方法，通过在关键时序路径中增加关键路径，实现了芯片供电电压的调整，通过该方法避免了现有技术中调整芯片供电电压时需要经过繁琐的大样本标定及查表，提升了电压调整的效率，而且本发明可以对每个样本进行检测，监控更直接，降压幅度更充分，节能效果更好。

在上述实施例的基础上，本实施例中，所述指示控制模块20根据所述关键路径监控模块输出的升压或降压指示，运算并输出电压识别VID值之后，还包括；

所述指示控制模块20向所述关键路径监控模块10发送清零指示CR，以使所述关键路径监控模块10清除保存的所述升压或降压指示，以便电压调整后输出重新判断得到的升压或降压指示。

本发明中，芯片自适应电压调整不依赖工艺、温度和频率监控，直接通过增加关键路径对每个样本进行检测，通过关键路径可以自动反应出芯片的电压、工艺、温度和频率带来的时序变化，从而根据时序变化来调整芯片的工作电压，监控更直接，不必使用现有技术的读取工艺、温度和频率然后查表获取电压，也不必对大量样本进行标定获取对应表，通过本发明可以提高电压调整的效率，而且可以感知到每个样本的差异，节能效果更充分。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (8)

1.一种芯片自适应电压调整器，其特征在于，包括：

关键路径监控模块，用于判断芯片的当前电压是否需要升压或降压，当需要升压或降压时，输出一升压或降压指示；

指示控制模块，与所述关键路径监控模块相连，用于对所述升压或降压指示进行运算，并输出电压识别VID值；

电压调节模块VRM，与所述指示控制模块相连，用于根据所述VID值向所述芯片输出对应的电压；

所述指示控制模块包括：

升压指示单元，用于对升压指示进行或运算，输出升压VID指令；

降压指示单元，用于对所述降压指示进行与运算，输出降压VID指令；

VID控制器，用于根据所述升压VID指令或所述降压VID指令，将存储的VID值升高或降低并向所述VRM输出，以使所述VRM根据VID值调整所述芯片的工作电压。

2.根据权利要求1所述的调整器，其特征在于，所述关键路径监控模块包括

时序关键路径单元，用于输出第一时序裕量；

第一关键路径监控单元，用于输出第二时序裕量，其中所述第一关键路径监控单元是在所述时序关键路径单元中增加裕量ΔT1延长线组成，或

所述第一关键路径监控单元是将所述时序关键路径单元进行复制，在复制的时序关键路径单元中增加裕量ΔT1延长线组成；

第二关键路径监控单元，用于输出第三时序裕量，其中所述第二关键路径监控单元是在所述第一关键路径监控单元中增加裕量ΔT2延长线组成；

第一处理单元，用于根据所述第一时序裕量和所述第二时序裕量判断是否升压，若是，则输出升压指示；

第二处理单元，用于根据所述第一时序裕量和所述第三时序裕量判断是否降压，若是，则输出降压指示。

3.根据权利要求1所述的调整器，其特征在于，所述VID控制器包括：

识别单元，用于识别所述升压VID指令和所述降压VID指令，若识别出为所述升压VID指令，则将存储的VID值升高并向所述VRM输出，若识别出为所述降压VID指令，则将存储的VID值降低并向所述VRM输出。

4.根据权利要求1-3任一所述的调整器，其特征在于，所述指示控制模块还用于向所述关键路径监控模块发送清零指示，以使所述关键路径监控模块清除保存的所述升压或降压指示，以便电压调整后输出重新判断得到的升压或降压指示。

5.一种芯片自适应电压调整方法，其特征在于，包括：

关键路径监控模块判断芯片的当前电压是否需要升压或降压，当需要升压或降压时，输出一升压或降压指示；

指示控制模块根据所述关键路径监控模块输出的升压或降压指示，运算并输出电压识别VID值；

电压调节模块VRM根据所述指示控制模块输出的所述VID值，向所述芯片输出对应的电压；

所述指示控制模块根据所述关键路径监控模块输出的升压或降压指示，运算并输出电压识别VID值，包括：

所述指示控制模块根据所述关键路径监控模块输出的升压指示做或运算，得到升压VID指令，或

所述指示控制模块根据所述关键路径监控模块输出的降压指示做与运算，得到降压VID指令；

所述指示控制模块内的VID控制器识别所述升压VID指令和所述降压VID指令，若识别出为所述升压VID指令，则将存储的VID值升高并向所述VRM输出，若识别出为所述降压VID指令，则将存储的VID值降低并向所述VRM输出。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，关键路径监控模块判断芯片的当前电压是否需要升压或降压，当需要升压或降压时，输出一升压或降压指示之前，包括：

在时序关键路径单元中增加裕量ΔT1延长线构成第一关键路径监控单元，或

复制所述时序关键路径单元，在复制的所述时序关键路径单元中增加裕量ΔT1延长线构成第一关键路径监控单元；

在所述第一关键路径监控单元中增加裕量ΔT2延长线构成第二关键路径监控单元。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，关键路径监控模块判断芯片的当前电压是否需要升压或降压，当需要升压或降压时，输出一升压或降压指示，包括：

根据所述时序关键路径单元获取第一时序裕量；

根据所述第一关键路径监控单元获取第二时序裕量；

根据所述第二关键路径监控单元获取第三时序裕量；

根据所述第一时序裕量和所述第二时序裕量判断是否升压，若是，则输出升压指示；

根据所述第一时序裕量和所述第三时序裕量判断是否降压，若是，则输出降压指示。

8.根据权利要求5-7任一所述的方法，其特征在于，所述指示控制模块根据所述关键路径监控模块输出的升压或降压指示，运算并输出电压识别VID值之后，还包括；

所述指示控制模块向所述关键路径监控模块发送清零指示，以使所述关键路径监控模块清除保存的所述升压或降压指示，以便电压调整后输出重新判断得到的升压或降压指示。