CN103929135B - 包络跟踪漏极调制器、射频放大电路及方法 - Google Patents
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Abstract
本公开是关于一种包络跟踪漏极调制器、射频放大电路及方法，属于电子技术应用领域。所述方法包括：通过所述包络检波单元从输入的射频信号中获取出对应的包络信号；通过所述线性放大单元接收所述包络检波单元获取的所述包络信号，根据预设倍数放大所述包络信号，并根据放大后的包络信号输出第一跟踪电压；通过所述开关单元根据所述包络检波单元获取的所述包络信号生成对应所述包络信号的脉宽电压；通过所述还原单元将所述开关单元生成的脉宽电压还原为对应所述脉宽电压的第二跟踪电压，所述第一跟踪电压与所述第二跟踪电压被叠加输出为射频功率放大器的漏极调节电压。本公开实现了对射频信号的更好的跟踪匹配，进而提升射频功率放大器的使用效率。
Description
技术领域
本公开涉及电子技术应用领域，特别涉及一种包络跟踪漏极调制器、射频放大电路及方法。
背景技术
射频功率放大器是手机电路系统里射频模块中功率消耗最大的器件。作为整个射频模块的核心前端部分，射频功率放大器的使用效率将影响整个手机系统的效率，进而影响电池的供电时间。
在相关的提升射频功率放大器使用效率的技术中，存在ET(Envelope tracking,包络跟踪)技术。请参考图1，其示出了使用ET技术的射频放大电路的结构示意图。该射频放大电路包括耦合器120、包络跟踪漏极调制器140、时延模块160和射频功率放大器PA180。输入的射频信号经过耦合器120后，耦合一部分功率到包络跟踪漏极调制器140中的包络检波器142，剩余的功率经过时延模块160输入到射频功率放大器PA180。包络检波器142从射频信号中检波出包络信号，然后包络信号输入到包络跟踪漏极调制器140中的线性放大部分144进行放大，放大后的信号作为射频功率放大器PA180的漏极调节电压，输出到射频功率放大器PA180的漏极。然后射频功率放大器PA180根据该漏极调节电压对经过时延模块160后输入的射频信号放大后，输出最终放大后的射频信号。其中，线性放大部分144根据幅度来对包络信号进行放大，当包络信号的幅度较小时，包络跟踪漏极调制器140输出的漏极调节电压也小；当包络信号的幅度较大时，包络跟踪漏极调制器140输出的漏极调节电压也大，从而提高射频功率放大器PA180的使用效率。
公开人在实现本公开的过程中，发现上述方式至少存在如下缺陷：线性放大部分144在跟踪包络信号时，对小功率的射频信号提升的使用效率较好，对大功率的射频信号提升的使用效率较差。
发明内容
为了实现对射频信号的跟踪匹配，进而提升射频功率放大器的使用效率，本公开实施例提供了一种包络跟踪漏极调制器、射频放大电路及方法。所述技术方案如下：
第一方面，提供了一种包络跟踪漏极调制器，包括：包络检波单元、线性放大单元、开关单元和还原单元，其中：
所述包络检波单元，用于从输入的射频信号中获取出对应的包络信号；
所述线性放大单元，用于接收所述包络检波单元获取的所述包络信号，根据预设倍数放大所述包络信号的幅度，并根据放大后的包络信号输出第一跟踪电压；
所述开关单元，用于根据所述包络检波单元获取的所述包络信号生成对应所述包络信号的脉宽电压；
所述还原单元，用于将所述开关单元生成的脉宽电压还原为对应所述脉宽电压的第二跟踪电压，所述第一跟踪电压与所述第二跟踪电压被叠加输出为射频功率放大器的漏极调节电压。
可选地，所述包络检波单元，用于从耦合器输入的所述射频信号中获取出对应的包络信号，所述射频信号是所述耦合器从原始射频信号中耦合出的信号。
可选地，所述线性放大单元包括：氮化镓GaN材料的金属-氧化层半导体场效晶体MOSFET管。
可选地，所述开关单元，包括脉宽调制单元和降压型开关电源；
所述脉宽调制单元，用于在所述包络信号的幅度小于第一预设阈值时，输出所述脉宽调制信号中的低电平；在所述包括信号的幅度大于所述第一预设阈值时，输出所述脉宽调制信号中的高电平；
所述降压型开关电源，用于根据所述脉宽调制单元输出的所述脉宽调制信号生成对应所述包络信号的脉宽电压。
第二方面，提供了一种射频放大电路，所述射频放大电路包括：耦合器、包络跟踪漏极调制器、时延模块和射频功率放大器，所述耦合器的两个输出端分别与所述包络跟踪漏极调制器的输入端和所述时延模块的输入端相连，所述包络跟踪漏极调制器的输出端与所述射频功率放大器的漏极相连，所述时延模块的输出端与所述射频功率放大器的输入端相连；其中，
所述包络跟踪漏极调制器是如第一方面或第一方面中任一种可能的的实施方式所述的包络跟踪漏极调制器。
第三方面，提供了一种包络跟踪方法，用于如第一方面所述的包络跟踪漏极调制器中，所述方法包括：
通过所述包络检波单元从输入的射频信号中获取出对应的包络信号；
通过所述线性放大单元接收所述包络检波单元获取的所述包络信号，根据预设倍数放大所述包络信号的幅度，并根据放大后的包络信号输出第一跟踪电压；
通过所述开关单元根据所述包络检波单元获取的所述包络信号生成对应所述包络信号的脉宽电压；
通过所述还原单元将所述开关单元生成的脉宽电压还原为对应所述脉宽电压的第二跟踪电压，所述第一跟踪电压与所述第二跟踪电压被叠加输出为射频功率放大器的漏极调节电压。
可选地，所述根据预设倍数放大所述包络信号，包括：
通过所述包络检波单元从耦合器输入的所述射频信号中获取出对应的包络信号，所述射频信号是所述耦合器从原始射频信号中耦合出的信号。
可选地，所述通过所述开关单元根据所述包络检波单元获取的所述包络信号生成对应所述包络信号的脉宽电压，包括：
通过所述开关单元中的脉宽调制单元在所述包络信号的幅度小于第一预设阈值时，输出所述脉宽调制信号中的低电平，并在所述包括信号的幅度大于所述第一预设阈值时，输出所述脉宽调制信号中的高电平；
通过所述开关单元中的降压型开关电源根据所述脉宽调制单元输出的所述脉宽调制信号生成对应所述包络信号的脉宽电压。
本公开的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：
通过包络检波单元从输入的射频信号中获取出对应的包络信号，并根据所述包络信号通过线性放大单元获取放大后的包络信号，再根据放大后的包络信号输出第一跟踪电压；通过开关单元生成对应所述包络信号的脉宽电压，再经由还原单元得到对应所述脉宽电压的第二跟踪电压，进而通过叠加第一跟踪电压输出为射频功率放大器的漏极调节电压。从而能够根据实际输入的射频信号获取对应的脉宽电压，使得实现了对射频信号更好的跟踪匹配，进而提升了射频功率放大器的使用效率，特别是针对大功率的射频信号提升了使用效率。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
附图说明
为了更清楚地说明本公开的实施例，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是根据相关技术示出的一种ET技术的射频放大电路的结构示意图。
图2是根据一示例性实施例示出的一种包络跟踪漏极调制器的结构示意图。
图3是根据一示例性实施例示出的另一种包络跟踪漏极调制器的结构示意图。
图4是根据一示例性实施例示出的一种射频放大电路的结构示意图。
图5是根据一示例性实施例示出的一种包络跟踪方法的流程示意图。
图6是根据一示例性实施例示出的另一种包络跟踪方法的流程示意图。
图7是根据一示例性实施例示出的一种包络跟踪方法在处理5MHz信号时的仿真效果示意图。
图8是根据一示例性实施例示出的一种包络跟踪方法在处理10MHz信号时的仿真效果示意图。
图9是根据一示例性实施例示出的一种包络跟踪方法在处理20MHz信号时的仿真效果示意图。
图10是根据一示例性实施例示出的一种包络跟踪方法在处理40MHz信号时的仿真效果示意图。
图11是根据一示例性实施例示出的一种包络跟踪方法根据包络信号的幅度提供脉宽电压的仿真效果示意图。
通过上述附图，已示出本公开明确的实施例，后文中将有更详细的描述。这些附图和文字描述并不是为了通过任何方式限制本公开构思的范围，而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本公开的概念。
具体实施方式
为了使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本公开作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本公开一部份实施例，而不是全部的实施例。基于本公开中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本公开保护的范围。
图2是根据一示例性实施例示出的一种包络跟踪漏极调制器的结构示意图，该包络跟踪漏极调制器适用于移动通信设备中的射频电路。该包络跟踪漏极调制器可以包括：包络检波单元210、线性放大单元220、开关单元230和还原单元240。
包络检波单元210，用于从输入的射频信号中获取出对应的包络信号。
线性放大单元220，用于接收包络检波单元210获取的包络信号，根据预设倍数放大包络信号，并根据放大后的包络信号输出第一跟踪电压。
开关单元230，用于根据包络检波单元210获取的包络信号生成对应包络信号的脉宽电压。
还原单元240，用于将开关单元230生成的脉宽电压还原为对应脉宽电压的第二跟踪电压，第一跟踪电压与第二跟踪电压被叠加输出为射频功率放大器的漏极调节电压。
综上所述，本实施例提供的包络跟踪漏极调制器，通过包络检波单元从输入的射频信号中获取出对应的包络信号，并根据包络信号通过线性放大单元获取放大后的包络信号，再根据放大后的包络信号输出第一跟踪电压；通过开关单元生成对应所述包络信号的脉宽电压，再经由还原单元得到对应脉宽电压的第二跟踪电压，进而通过叠加第一跟踪电压输出为射频功率放大器的漏极调节电压。从而能够根据实际输入的射频信号获取对应的脉宽电压，使得实现了对射频信号更好的跟踪匹配，进而提升了射频功率放大器的使用效率，特别是针对大功率的射频信号提升了使用效率。
图3是根据另一示例性实施例示出的一种包络跟踪漏极调制器的结构示意图，该包络跟踪漏极调制器适用于移动通信设备中的射频电路。该包络跟踪漏极调制器可以包括：包络检波单元210、线性放大单元220、开关单元230和还原单元240。
包络检波单元210，用于从输入的射频信号中获取出对应的包络信号。其中，包络检波单元210，用于从耦合器输入的射频信号中获取出对应的包络信号，该射频信号是耦合器从原始射频信号中耦合出的信号。
线性放大单元220，用于接收包络检波单元210获取的包络信号，根据预设倍数放大包络信号，并根据放大后的包络信号输出第一跟踪电压。线性放大单元220，用于根据预设倍数放大包络信号的幅度。
为了实现超宽带的跟踪效果，线性放大单元220包括：氮化镓GaN材料的金属-氧化层半导体场效晶体MOSFET管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET简称金氧半场效晶体管)。
开关单元230，用于根据包络检波单元210获取的包络信号生成对应包络信号的脉宽电压。其中，开关单元230，包括脉宽调制单元231和降压型开关电源232；
脉宽调制单元231，用于在包络信号的幅度小于第一预设阈值时，输出脉宽调制信号中的低电平；在包括信号的幅度大于第一预设阈值时，输出脉宽调制信号中的高电平；
降压型开关电源232，用于根据脉宽调制单元231输出的脉宽调制信号生成对应包络信号的脉宽电压。
还原单元240，用于将开关单元230生成的脉宽电压还原为对应脉宽电压的第二跟踪电压，第一跟踪电压与第二跟踪电压被叠加输出为射频功率放大器的漏极调节电压。
综上所述，本实施例提供的包络跟踪漏极调制器，通过包络检波单元从输入的射频信号中获取出对应的包络信号，并根据所述包络信号通过线性放大单元获取放大后的包络信号，再根据放大后的包络信号输出第一跟踪电压；通过开关单元生成对应所述包络信号的脉宽电压，再经由还原单元得到对应所述脉宽电压的第二跟踪电压，进而通过叠加第一跟踪电压输出为射频功率放大器的漏极调节电压。从而能够根据实际输入的射频信号获取对应的脉宽电压，使得实现了对射频信号的跟踪匹配，进而提升了射频功率放大器的使用效率，特别是针对大功率的射频信号提升了使用效率。
同时，由于采用了GaN材料的MOSFET管，可以最大跟踪到40MHz的包络信号，从而可实现超宽带信号包络跟踪。
图4是根据一示例性实施例示出的一种射频放大电路的结构示意图，该射频放大电路适用于移动通信设备，其中，移动通信设备可以是智能手机、平板电脑、电子书阅读器或者掌上电脑之类的电子设备；
该射频放大电路包括：耦合器310、包络跟踪漏极调制器320、时延模块330和射频功率放大器340，所述耦合器310的两个输出端分别与所述包络跟踪漏极调制器320的输入端和所述时延模块330的输入端相连，所述包络跟踪漏极调制器320的输出端与所述射频功率放大器340的漏极相连，所述时延模块330的输出端与所述射频功率放大器340的输入端相连；其中，
所述包络跟踪漏极调制器340如图2或图3所述的包络跟踪漏极调制器。
综上所述，本实施例提供的射频放大电路，通过包络跟踪漏极调制器中的包络检波单元从输入的射频信号中获取出对应的包络信号，并根据所述包络信号通过线性放大单元获取放大后的包络信号，再根据放大后的包络信号输出第一跟踪电压；通过开关单元生成对应所述包络信号的脉宽电压，再经由还原单元得到对应所述脉宽电压的第二跟踪电压，进而通过叠加第一跟踪电压输出为射频功率放大器的漏极调节电压。从而能够根据实际输入的射频信号获取对应的脉宽电压，使得实现了对射频信号的更好的跟踪匹配，进而提升了射频功率放大器的使用效率，特别是针对大功率的射频信号提升了使用效率。
同时，由于采用了GaN材料的MOSFET管，可以最大跟踪到40MHz的包络信号，从而可实现超宽带信号包络跟踪。
下述为本公开方法实施例，可以用于执行本公开设备实施例。对于本公开设备实施例中未披露的细节，请参照本公开方法实施例。
图5是根据一示例性实施例示出的一种包络跟踪方法的流程示意图，该包络跟踪方法适用于采用图2或者图3所示出的包络跟踪漏极调制器的移动通信设备，其中，移动通信设备可以是智能手机、平板电脑、电子书阅读器或者掌上电脑之类的电子设备。该包络跟踪方法可以包括如下几个步骤：
在步骤401中，通过包络检波单元从输入的射频信号中获取出对应的包络信号。
在步骤402中，通过线性放大单元接收包络检波单元获取的包络信号，根据预设倍数放大包络信号，并根据放大后的包络信号输出第一跟踪电压。
在步骤403中，通过开关单元根据包络检波单元获取的包络信号生成对应包络信号的脉宽电压。
在步骤404中，通过还原单元将开关单元生成的脉宽电压还原为对应所述脉宽电压的第二跟踪电压，第一跟踪电压与第二跟踪电压被叠加输出为射频功率放大器的漏极调节电压。
综上所述，本实施例提供的包络跟踪方法，通过包络检波单元从输入的射频信号中获取出对应的包络信号，并根据所述包络信号通过线性放大单元获取放大后的包络信号，再根据放大后的包络信号输出第一跟踪电压；通过开关单元生成对应所述包络信号的脉宽电压，再经由还原单元得到对应所述脉宽电压的第二跟踪电压，进而通过叠加第一跟踪电压输出为射频功率放大器的漏极调节电压。从而能够根据实际输入的射频信号获取对应的脉宽电压，使得实现了对射频信号的跟踪匹配，进而提升了射频功率放大器的使用效率，特别是针对大功率的射频信号提升了使用效率。
图6是根据另一示例性实施例示出的一种包络跟踪方法的流程图，本实施例以该包络跟踪方法适用于采用图2或者图3所示出的包络跟踪漏极调制器的移动通信设备，其中，移动通信设备可以是智能手机、平板电脑、电子书阅读器或者掌上电脑之类的电子设备。该包络跟踪方法可以包括如下几个步骤：
在步骤501中，通过包络检波单元从输入的射频信号中获取出对应的包络信号。
其中，该射频信号是耦合器从原始射频信号中耦合出的信号。
本公开中通过包络检波单元从耦合器输入的射频信号RFin(Radio Frequency)中获取出对应的包络信号。该包络检波单元可以是一个包络检波器。
在步骤502中，通过线性放大单元接收包络检波单元获取的包络信号，根据预设倍数放大包络信号，并根据放大后的包络信号输出第一跟踪电压。
可选的，该线性放大单元根据预设倍数放大包络信号的幅度。
这里包络跟踪漏极调制器中的线性放大单元真实的放大包络信号的幅度，例如，对于20MHz的长期演进型LTE(Long Term Evolution)包络信号，线性放大单元的线性工作带宽要达到5倍信号带宽(100MHz)以上才能不失真的放大包络信号，在本公开提供的实施例中采用第三代半导体材料氮化镓GaN设计的金属-氧化层半导体场效晶体管MONSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET简称金氧半场效晶体管)通过测试可达到190MHz带宽。
由此看出，本公开中线性放大单元中由于使用第三代半导体材料氮化镓GaN设计的金氧半场效晶体管，从而为保证通过包络检波单元获取的包络信号不失真放大，并在线性输出上能够得到如仿真效果图7～10所示的第一跟踪电压。
在相关技术中普通射频功率放大器能够跟踪5MHz～20MHz的包络信号，而通过对本公开提供的包络跟踪方法进行测试验证可跟踪最大到40MHz的包络信号，从而可验证本公开可实现超宽带信号包络跟踪，测试结果如图7～图10所示，其中图7为包络信号带宽为5MHz的信号，图8为包络信号带宽为10MHz的信号，图9为包络信号带宽为20MHz的信号，图10为包络信号带宽为40MHz的信号，这里图7～图10所示的包络信号上的白线为包络跟踪漏极调制器输出的第一跟踪电压V1，由测试结果可看出本公开能够实现对40MHz包络信号很好的跟踪。
在步骤503中，通过开关单元中的脉宽调制单元在包络信号的幅度小于第一预设阈值时，输出脉宽调制信号中的低电平，并在包括信号的幅度大于所述第一预设阈值时，输出脉宽调制信号中的高电平。
在步骤504中，通过开关单元中的降压型开关电源根据脉宽调制单元输出的脉宽调制信号生成对应包络信号的脉宽电压。
本公开的示例采用了脉冲宽度调制PMW(Pulse Width Modulation)调制器及降压型开关电源对获取的包络信号进行测试，其中，若包络信号幅度越大，脉宽电压的宽度越宽；若包络信号幅度越小，脉宽电压的宽度就越窄，如图11的仿真效果图所示，当获取的包络信号幅度越大时，开关单元中的脉宽调制单元提供高电平，降压型开关电源根据包络信号的幅度提供宽的脉宽电压；当获取得包络信号幅度越小时，脉宽调制单元提供低电平，降压型开关电源根据包络信号的幅度提供窄的脉宽电压，在图11中随着包络信号的幅度对应变宽的为脉宽电压V2。
在步骤505中，通过还原单元将开关单元生成的脉宽电压还原为对应脉宽电压的第二跟踪电压，第一跟踪电压与第二跟踪电压被叠加输出为射频功率放大器的漏极调节电压。
这里本公开提供的实施例中通过使用电感将脉宽电压还原为第二跟踪电压，再将第一跟踪电压与第二跟踪电压叠加输出为上述实施例中图4所示的射频放大电路中射频功率放大器的漏极调节电压。
综上所述，本实施例提供的包络跟踪方法，通过包络检波单元从输入的射频信号中获取出对应的包络信号，并根据所述包络信号通过使用氮化镓GaN的金氧半场效晶体管的线性放大单元获取放大后的包络信号，再根据放大后的包络信号输出第一跟踪电压；通过开关单元生成对应所述包络信号的脉宽电压，再经由还原单元得到对应所述脉宽电压的第二跟踪电压，进而通过叠加第一跟踪电压输出为射频功率放大器的漏极调节电压。从而能够根据实际输入的射频信号获取对应的脉宽电压，并且由于线性放大单元中氮化镓GaN的金氧半场效晶体管实现了超宽带信号包络跟踪，进而提升了射频功率放大器的使用效率，特别是针对大功率的射频信号提升了使用效率。
同时，由于采用了GaN材料的MOSFET管，可以最大跟踪到40MHz的包络信号，从而可实现超宽带信号包络跟踪。
上述本公开实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分步骤可以通过硬件来完成，也可以通过程序来指令相关的硬件完成，所述的程序可以存储于一种计算机可读存储介质中，上述提到的存储介质可以是只读存储器，磁盘或光盘等。
以上所述仅为本公开的较佳实施例，并不用以限制本公开，凡在本公开的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本公开的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种包络跟踪漏极调制器，其特征在于，包括：包络检波单元、线性放大单元、开关单元和还原单元，其中：
所述包络检波单元，用于从输入的射频信号中获取出对应的包络信号；
所述线性放大单元，用于接收所述包络检波单元获取的所述包络信号，根据预设倍数放大所述包络信号的幅度，并根据放大后的包络信号输出第一跟踪电压，所述线性放大单元包括：氮化镓GaN材料的金属-氧化层半导体场效晶体MOSFET管；
所述开关单元，用于根据所述包络检波单元获取的所述包络信号生成对应所述包络信号的脉宽电压；
所述还原单元，用于将所述开关单元生成的脉宽电压还原为对应所述脉宽电压的第二跟踪电压，所述第一跟踪电压与所述第二跟踪电压被叠加输出为射频功率放大器的漏极调节电压。
2.根据权利要求1所述的包络跟踪漏极调制器，其特征在于，
所述包络检波单元，用于从耦合器输入的所述射频信号中获取出对应的包络信号，所述射频信号是所述耦合器从原始射频信号中耦合出的信号。
3.根据权利要求1至2任一所述的包络跟踪漏极调制器，其特征在于，所述开关单元，包括脉宽调制单元和降压型开关电源；
所述脉宽调制单元，用于在所述包络检波单元获取的所述包络信号的幅度小于第一预设阈值时，输出所述脉宽调制信号中的低电平；在所述包络信号的幅度大于所述第一预设阈值时，输出所述脉宽调制信号中的高电平；
所述降压型开关电源，用于根据所述脉宽调制单元输出的所述脉宽调制信号生成对应所述包络信号的脉宽电压。
4.一种射频放大电路，其特征在于，所述射频放大电路包括：耦合器、包络跟踪漏极调制器、时延模块和射频功率放大器，所述耦合器的两个输出端分别与所述包络跟踪漏极调制器的输入端和所述时延模块的输入端相连，所述包络跟踪漏极调制器的输出端与所述射频功率放大器的漏极相连，所述时延模块的输出端与所述射频功率放大器的输入端相连；其中，
所述包络跟踪漏极调制器是如权利要求1至3任一所述的包络跟踪漏极调制器。
5.一种包络跟踪方法，其特征在于，用于如权利要求1所述的包络跟踪漏极调制器中，所述方法包括：
通过所述包络检波单元从输入的射频信号中获取出对应的包络信号；
通过所述线性放大单元接收所述包络检波单元获取的所述包络信号，根据预设倍数放大所述包络信号的幅度，并根据放大后的包络信号输出第一跟踪电压；
通过所述开关单元根据所述包络检波单元获取的所述包络信号生成对应所述包络信号的脉宽电压；
通过所述还原单元将所述开关单元生成的脉宽电压还原为对应所述脉宽电压的第二跟踪电压，所述第一跟踪电压与所述第二跟踪电压被叠加输出为射频功率放大器的漏极调节电压。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述根据预设倍数放大所述包络信号，包括：
通过所述包络检波单元从耦合器输入的所述射频信号中获取出对应的包络信号，所述射频信号是所述耦合器从原始射频信号中耦合出的信号。
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述通过所述开关单元根据所述包络检波单元获取的所述包络信号生成对应所述包络信号的脉宽电压，包括：
通过所述开关单元中的脉宽调制单元在所述包络检波单元获取的所述包络信号的幅度小于第一预设阈值时，输出所述脉宽调制信号中的低电平，并在所述包络信号的幅度大于所述第一预设阈值时，输出所述脉宽调制信号中的高电平；
通过所述开关单元中的降压型开关电源根据所述脉宽调制单元输出的所述脉宽调制信号生成对应所述包络信号的脉宽电压。
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Citations (3)
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101247153A (zh) * | 2008-03-13 | 2008-08-20 | 中兴通讯股份有限公司 | 一种提升功放效率的方法及其数字预失真宽带发信机 |
| CN101527545A (zh) * | 2009-04-17 | 2009-09-09 | 京信通信系统（中国）有限公司 | Doherty包络跟踪功率放大器及处理射频信号的方法 |
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Non-Patent Citations (2)
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| 一种开关线性符合包络线跟踪电源的控制策略;熊小玲 等;《电工技术学报》;20120831;第27卷(第8期);第101-107页 * |
| 开关线性符合包络线跟踪电源的全前馈方法;郗焕 等;《电工技术学报》;20130831;第28卷(第8期);第135-141页 * |
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