CN103928578A - Led外延层及其生长方法和led芯片 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims abstract description 105
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 96
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 86
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims description 37
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 24
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 abstract description 16
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 abstract description 5
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 16
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 13
- RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N triethylgallium Chemical compound CC[Ga](CC)CC RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 9
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical group C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 6
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical group [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 210000004877 mucosa Anatomy 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
- H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0075—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds comprising nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
- H01L33/325—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen characterised by the doping materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明提供了一种LED外延层及其生长方法和LED芯片，该LED外延层，包括依序生长的N型局限层、MQW层和P型局限层，MQW层包括多个结构单元，每个结构单元内包括InGaN层和GaN层，其特征在于，结构单元内还包括至少一层掺镁层。本发明提供的LED外延层通过在多量子阱层中增设掺杂镁层，使得GaN势垒表面粗糙，影响InGaN势阱的生长，抑制InGaN横向生长，促进InGaN三维生长，从而增加InGaN中的量子点数，从而将LED芯片的发光效率提高5～6％。
Description
技术领域
本发明涉及LED(发光二极光)领域，特别地，涉及一种LED外延层及其生长方法和LED芯片。
背景技术
量子点是准零维的纳米材料，有少量的原子构成，量子点三个维度的尺寸均在100nm以下，外观似极小的点状物，其内部电子在各方向上的运动都受到限制，因而量子点的局限效应特别显著。量子点所具有的特性介于体半导体的特性和分立分子的特性之间。量子点可以用于各种应用，例如，在晶体管、太阳能电池、LED、二极管激光器中，用作医疗成像试剂，用作量子位、以及用作存储器。
GaN基LED蓝绿光发光器件中多以InGaN/GaN超晶格多量子阱层(MQW层)作为发光层。如图1所示，包括MQW层的LED芯片包括依次叠置的衬底1’(蓝宝石或碳化硅)、缓冲GaN层2’、不掺杂GaN层3’、N型局限层4’、MQW层5’、P型局限层6’和掺杂Mg的GaN层7’。其中MQW层5’以彼此叠置的InGaN层51’和GaN层52’为一个单元。MQW层5’重复多个该单元结构，得到MQW层5’。MQW层5’的增设能提高LED芯片的发光效率。为了进一步LED芯片的发光效率还需要进一步地提高空穴和电子的复合效率。增加InGaN中量子点可以增加电子和空穴的复合概率，从而提高芯片的出光效率。实验室中多采用激光照射生长好的LED外延结构，破坏InGaN的二维连续性从而获得较多的量子点。但该方法照射效果不确定，不适于工业运用。
发明内容
本发明目的在于提供一种LED外延层及其生长方法和LED芯片，以解决现有技术中LED芯片发光效率低的技术问题。
为实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种LED外延层，包括依序生长的N型局限层、MQW层和P型局限层，MQW层包括多个结构单元，每个结构单元内包括InGaN层和GaN层，其特征在于，结构单元内还包括至少一层掺镁层。
进一步地，掺镁层为MgN。
进一步地，掺镁层厚度≤1.0nm。
进一步地，掺镁层中镁的掺杂浓度5E+18～1E+19。
进一步地，MQW层中结构单元数为10～15个。
进一步地，各结构单元中InGaN层为InxGa(1～x)N层，x＝0.15～0.25，优选InGaN层中In掺杂浓度1E+20～3E+20，优选InGaN层的厚度为2.8～3.5nm。
根据本发明的另一方面还提供了一种上述LED外延层的生长方法，包括依序生长的N型局限层、MQW层和P型局限层的步骤，生长MQW层的步骤包括：依序生长多个结构单元，生长每个结构单元的步骤包括依序生长的掺镁层、InGaN层和GaN层，掺镁层为MgN，生长掺镁层的步骤中，生长温度为700～850℃，在压力为300～400mbar下，同时通入镁源和NH330～50s以生长掺镁层。
进一步地，InGaN层为InxGa(1～x)N层，x＝0.15～0.25，InGaN层的生长方法包括以下步骤：在700～750℃下同时通入镓源和铟源以及NH3以生长In的掺杂浓度1E+20～3E+20的InxGa(1～x)N层。
进一步地，GaN层的生长方法包括以下步骤：在800～850℃下同时通入镓源和NH3以生长厚度为10～15nm的GaN层。
根据本发明的另一方面还提供了一种LED芯片，包括外延层，外延层上述外延层。
本发明具有以下有益效果：
本发明提供的LED外延层通过在多量子阱层中增设掺杂镁层，使得GaN势垒表面粗糙，影响InGaN势阱的生长，抑制InGaN横向生长，促进InGaN三维生长，从而增加InGaN中的量子点数，从而将LED芯片的发光效率提高5～6％。
除了上面所描述的目的、特征和优点之外，本发明还有其它的目的、特征和优点。下面将参照图，对本发明作进一步详细的说明。
附图说明
构成本申请的一部分的附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1是本发明优选实施例的示意图；
图2是本发明优选实施例的示意图；
图3是本发明优选实施例的示意图；
图4是本发明优选实施例的示意图；以及
图5是本发明优选实施例芯片发光效率结果图。
图例说明：
1、衬底；2、缓冲GaN层；3、不掺杂Si的GaN层；4、N型局限层；5、MQW层；51、InGaN层；52、GaN层；53、掺镁层；6、P型局限层；7、掺杂Mg的GaN层。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的实施例进行详细说明，但是本发明可以由权利要求限定和覆盖的多种不同方式实施。
本发明提供了一种LED外延层，通过在MQW层中增设掺镁层53，使得GaN势垒表面变得粗糙，对InGaN势阱生长造成影响，抑制InGaN的横向生长，促进InGaN的三维生长，增加了InGaN的量子点，提高电子和空穴的复合效率。从而提高了芯片的发光效率。
本发明一方面提供了一种LED外延层，包括N型局限层4、MQW层5和P型局限层6，MQW层5生长于N型局限层4上，P型局限层6生长于MQW层5上，MQW层5包括多个结构单元，每个结构单元内包括至少一层掺镁层53。
LED外延层的常规结构可以如背景技术中所列，也可以根据实际需要对其进行调整。LED外延层实例1的结构如图2所示，LED外延层包括依次叠置的衬底1、缓冲GaN层2、不掺杂Si的GaN层3、N型局限层4、MQW层5、P型局限层6和掺杂Mg的GaN层7。其中MQW层5包括多个结构单元，每个结构单元内包括至少一层掺镁层53。常规MQW层5以彼此叠置的InGaN层51和GaN层52为一个单元。增设的掺镁层53位置任意，可以设置于InGaN层51的顶部或底部，同样，也可以设置于GaN层52的顶部或底部。以图2为例说明。该结构单元包括InGaN层51、GaN层52和掺镁层53。结构单元结构为InGaN层51设置于N型局限层4的顶面上。GaN层52设置于InGaN层51的顶面上。掺镁层53设置于GaN层52的顶面上。下一个单元结构叠置于上一个单元结构顶面上。重复多个该单元结构得到MQW层5。P型局限层6设置于MQW层5的顶面上。掺杂Mg的GaN层7设置于P型局限层6的顶面上。掺镁层53可以为任意掺杂镁的能用于LED外延层的层。优选为MgN。采用MgN无需更换生产过程中的载气，提高生产效率。掺镁层53的厚度可以为常用的层厚，优选为≤1.0nm。此时能最大限度的增加InGaN层51中的量子点数量。同时避免由于掺镁层53厚度过厚对MQW层5的激发空穴和电子的效果的影响。掺镁层53过厚还会遮蔽一部分LED外延层所发出的光，从而中和了设置掺镁层53后增加的出光效率。无论InGaN层51和GaN层52的厚度如何，掺镁层53的厚度均以≤1.0nm为最优。更优选的掺镁层53的厚度为0.5～0.1nm。此时掺镁层53增强效果最优。
掺镁层53中镁的掺杂浓度可以为常用掺杂浓度，优选掺杂浓度为5E+18～1E+19。如果掺杂镁的浓度过大，会使得掺杂的镁有可能深入LED外延层中临近的其他层中，从而影响其他层发光效果的发挥，反而降低了LED外延层的发光效果。而如果掺杂浓度过小则会掺镁层53的粗糙度又无法有效发挥增加MQW层5中量子点数量的作用。
MQW层5中可以包括常规数量的结构单元，如5～20个均能实现本发明的效果。如果结构单元过多则有可能会遮蔽LED外延层的出射光，如果过少则又无法发挥MQW层5增加LED外延层发光效率的效果。更优选的为10～15个。此时发光效果最优。
优选各结构单元中InGaN层51为InxGa(1～x)N层，x＝0.15～0.25，优选InGaN层51中In掺杂浓度1E+20～3E+20，优选InGaN层51的厚度为2.8～3.5nm。按此条件生长InGaN层51配合上述掺镁层53能起到最优的增加出光效率的效果。
实例2的LED外延层如图3所示。实例2与实例1的区别在于MQW层5的一个单元结构为设置于N型局限层4的顶面上的掺镁层53。InGaN层51的设置于掺镁层53的顶面上。GaN层52设置于InGaN层51的顶面上。
实例3的LED外延层如图4所示。实例3与实例1的区别在于MQW层5的一个单元结构为设置于N型局限层4的顶面上InGaN层51。InGaN层51的顶面上设置掺镁层53。GaN层52设置于掺镁层53的顶面上。
最优选的，结构单元中掺镁层53生长于N型局限层4的顶面上，InGaN层51生长于掺镁层53的顶面上，GaN层52生长于InGaN层51的顶面上。此时LED外延层的发光效率增加最多。
实例1～3中所提到的结构均可在生长InGaN层51时增加其中的量子点数量，从而提高LED外延层的发光效率。LED外延层处衬底外的各个层均通过生长获得。在MQW层5中的GaN势垒前插入一层掺镁层53使得GaN势垒表面变得粗糙，影响InGaN势阱的生长，抑制InGaN材料的横向生长，促进InGaN的三维生长，增加InGaN材料中各向受限的量子点的数量，从而提高了LED外延层中电子和空穴的复合效率，从而提高了LED外延层的发光效率。优选的结构单元InGaN层51生长于掺镁层53上，GaN层52生长于InGaN层51上。
本发明的另一方面还提供了上述LED外延层的生长方法，掺镁层的生长方法包括以下步骤：在压力为300～400mbar下，同时通入镁源和NH330～50s生长掺镁层。
掺镁层的生长方法可以按常规MQW层5中各层的生长条件进行。优选在压力为300～400mbar下，同时通入镁源和NH330～50s生长掺镁层。按此条件生长掺镁层能保证所得掺镁层53的厚度≤0.1nm。
以NH3为载气能与InGaN层和GaN层所用载气相同，避免更换载气。
优选掺镁层的生长温度为700～850℃。此生长温度与MQW层中的InGaN层和GaN层的生长温度重叠，使得生长掺镁层53时无需另外设置生长温度即可得到该成。
镁源可以为二茂镁(CP2Mg)。
MQW层中的InGaN层和GaN层可以按常规方法进行生产。优选地，InGaN层的生长方法包括以下步骤：在700～750℃下同时通入镓源和铟源以及NH3生长InxGa(1～x)N，x＝0.15～0.25。InGaN层的厚度可以为常用厚度，优选厚度为2.8～3.5nm的InGaN层，InGaN层中In的掺杂浓度可以为常用的掺杂浓度，优选为1E+20～3E+20。按此条件生长得到的MQW层5配合掺镁层53对于LED外延层的发光效率提高效果最优。
GaN层的生长方法包括以下步骤：在800～850℃下同时通入镓源和NH3。生长GaN得到厚度为10～15nm的GaN层。
镓源可以为三甲基镓(TMGa)或三乙基镓(TEGa)。铟源可以为三甲基铟(TMIn)。
衬底1可以为蓝宝石Al2O3材料或碳化硅或硅等常用衬底材料制成。优选为(0001)面蓝宝石。此时衬底1的各向性能最优。缓冲GaN层2按常规方法制得。
以下举例说明LED外延层的制备方法，包括以下步骤：
N型掺杂剂为硅烷(SiH4)，铝源为三甲基铝(TMAl)。
1、在1000～1100℃，反应腔压力维持在150～200mbar的氢气气氛下处理蓝宝石衬底12～7分钟；
2、降温至550～750℃，反应腔压力维持在300～600mbar，同时通入NH3，TMGa在蓝宝石衬底1上生长厚度为30～60nm的缓冲GaN层2；
3、升高温度到1100～1300℃，反应腔压力维持在200～400mbar，同时通入NH3，TMGa，生长2～4μm的不掺杂GaN层3；
4、然后同时通入NH3，TMGa，SiH4生长掺杂Si的N型GaN，Si掺杂浓度5E+18～1E+19，总厚度控制在2～4μm得到N型局限层4；
5、反应腔压力维持在300～400mbar，同时通入NH3，Cp2Mg30～50s生长MgN晶核0.5～1.0nm，得到掺镁层53；
6、同时通入TEGa和TMIn以及NH3在700～750℃下生长得到InGaN层51，InGaN层51的掺杂浓度为1E+20～3E+20，厚度为2.8～3.5nm的InxGa(1～x)N(x＝0.15～0.25)；
7、升温至800～850℃同时通入TEGa和NH3生长10～15nm的GaN层52。MQW层5中结构单元的生长周期为10～15个；
8、再升高温度到900～1000℃，反应腔压力维持在200～300mbar，同时通入NH3，TMGa、TMAl、Cp2Mg持续生长20～50nm的P型AlGaN作为P型局限层6，Al掺杂浓度1E+20～3E+20，Mg掺杂浓度5E+18～1E+19；
9、再升高温度到1000～1100℃，反应腔压力维持在600～900mbar，NH3，TMGa、Cp2Mg持续生长100～200nm的掺镁的P型GaN作为掺杂Mg的GaN层7，Mg掺杂浓度1E+19～1E+20；
10、最后降温至700～800℃，保温20～30分钟，接着炉内冷却。
按上述方法进行生长即可得到具有掺镁层53的LED外延层。显然LED外延层的生长方法并不限于此。
本发明的另一方面还提供了一种具有上述结构的LED外延层制成的LED芯片。该芯片发光效率相对未设置掺镁层53的芯片提高5～6％。
实施例
以下实施例中所用物料均为市售。
所得LED外延层研磨切割成762μm*762μm(30mi*30mil)的外延层颗粒，然后在对比例、实施例所得LED外延层的相同位置各自挑选150颗晶粒，按常规工艺在相同条件下封装成白光LED，并对每个LED芯片编号。分别对每个LED芯片通以350mA电流，驱动各白光LED，采用积分球对其光电性能进行测试。积分球按常规方法使用。
实施例1
1、在1100℃，反应腔压力维持在200mbar的氢气气氛下处理蓝宝石衬底17分钟；
2、降温至550℃，反应腔压力维持在300mbar，同时通入NH3，TMGa在蓝宝石衬底1上生长厚度为30nm的缓冲GaN层2；
3、升高温度到1100℃，反应腔压力维持在200mbar，同时通入NH3，TMGa，生长2μm的不掺杂GaN层3；
4、然后同时通入NH3，TMGa，SiH4生长掺杂Si的N型GaN，Si掺杂浓度1E+19，总厚度控制在2～4μm得到N型局限层4；
5、反应腔压力维持在300mbar，同时通入Cp2Mg和NH350s生长厚度为1.0nm的MgN晶核，得到掺镁层53；掺镁层53为MgN层，掺杂浓度1E+19。
6、同时通入TEGa和TMIn以及NH3在700℃下生长得到InGaN层51，InGaN层51的掺杂浓度为1E+20，厚度为2.8nm的InxGa(1～x)N(x＝0.25)；
7、升温至800℃同时通入TEGa和NH3生长10nm的GaN层52。MQW层5中结构单元的生长周期为10个；
8、再升高温度到1000℃，反应腔压力维持在300mbar，同时通入TMGa、TMAl和Cp2Mg以及NH3，生长50nm的P型AlGaN作为P型局限层6，Al掺杂浓度3E+20，Mg掺杂浓度5E+18；
9、再升高温度到1100℃，反应腔压力维持在900mbar，同时通入TMGa、Cp2Mg和NH3，持续生长100nm的掺镁的P型GaN作为掺杂Mg的GaN层7，Mg掺杂浓度1E+20；
10、最后降温至700～800℃，保温20～30分钟，接着炉内冷却，得到LED外延层1。
实施例2
1、在1100℃，反应腔压力维持在200mbar的氢气气氛下处理蓝宝石衬底17分钟；
2、降温至750℃，反应腔压力维持在600mbar，同时通入NH3，TMGa在蓝宝石衬底1上生长厚度为60nm的缓冲GaN层2；
3、升高温度到1300℃，反应腔压力维持在400mbar，同时通入NH3，TMGa，生长4μm的不掺杂GaN层3；
4、然后同时通入NH3，TMGa，SiH4生长掺杂Si的N型GaN，Si掺杂浓度1E+19，总厚度控制在2μm得到N型局限层4；
5、反应腔压力维持在400mbar，同时通入Cp2Mg和NH350s生长厚度为0.5nm的MgN晶核，得到掺镁层53；掺镁层53为MgN层，掺杂浓度5E+18。
6、同时通入TEGa和TMIn以及NH3在700℃下生长得到InGaN层51，InGaN层51的掺杂浓度为1E+20，厚度为2.8nm的InxGa(1～x)N(x＝0.15)；
7、升温至800℃同时通入TEGa和NH3生长10nm的GaN层52。MQW层5中结构单元的生长周期为15个；
8、再升高温度到900℃，反应腔压力维持在200mbar，同时通入TMGa、TMAl和Cp2Mg以及NH3，持续生长20nm的P型AlGaN作为P型局限层6，Al掺杂浓度3E+20，Mg掺杂浓度5E+18；
9、再升高温度到1100℃，反应腔压力维持在900mbar，同时通入TMGa、Cp2Mg和NH3，持续生长200nm的掺镁的P型GaN作为掺杂Mg的GaN层7，Mg掺杂浓度1E+20；
10、最后降温至800℃，保温30分钟，接着炉内冷却，得到LED外延层2。
实施例3
1、在1000℃，反应腔压力维持在150mbar的氢气气氛下处理蓝宝石衬底12分钟；
2、降温至550℃，反应腔压力维持在300mbar，同时通入NH3，TMGa在蓝宝石衬底1上生长厚度为30nm的缓冲GaN层2；
3、升高温度到1100℃，反应腔压力维持在200mbar，同时通入NH3，TMGa，生长2μm的不掺杂GaN层3；
4、然后同时通入NH3，TMGa，SiH4生长掺杂Si的N型GaN，Si掺杂浓度5E+18，总厚度控制在2μm得到N型局限层4；
5、反应腔压力维持在300mbar，同时通入Cp2Mg和NH330s生长厚度为0.5nm的MgN晶核，得到掺镁层53；掺镁层53为MgN层，掺杂浓度5E+18。
6、同时通入TEGa和TMIn以及NH3在700℃下生长得到InGaN层51，InGaN层51的掺杂浓度为1E+20，厚度为2.8nm的InxGa(1～x)N(x＝0.15)；
7、升温至800℃同时通入TEGa和NH3生长10nm的GaN层52。MQW层5中结构单元的生长周期为10个；
8、再升高温度到1000℃，反应腔压力维持在200mbar，同时通入TMGa、TMAl和Cp2Mg以及NH3，生长50nm的P型AlGaN作为P型局限层6，Al掺杂浓度3E+20，Mg掺杂浓度5E+18；
9、再升高温度到1100℃，反应腔压力维持在900mbar，同时通入TMGa、Cp2Mg和NH3，持续生长200nm的掺镁的P型GaN作为掺杂Mg的GaN层7，Mg掺杂浓度1E+19；
10、最后降温至700℃，保温30分钟，接着炉内冷却，得到LED外延层3。
实施例4
1、在1150℃，反应腔压力维持在170mbar的氢气气氛下处理蓝宝石衬底16分钟；
2、降温至600℃，反应腔压力维持在500mbar，同时通入NH3，TMGa在蓝宝石衬底1上生长厚度为40nm的缓冲GaN层2；
3、升高温度到1200℃，反应腔压力维持在300mbar，同时通入NH3，TMGa，生长3μm的不掺杂GaN层3；
4、然后同时通入NH3，TMGa，SiH4生长掺杂Si的N型GaN，Si掺杂浓度5E+18～1E+19，总厚度控制在3μm得到N型局限层4；
5、反应腔压力维持在350mbar，同时通入Cp2Mg和NH340s生长厚度为0.70nm的MgN晶核，得到掺镁层53；掺镁层53为MgN层，掺杂浓度0.5E+19。
6、同时通入TEGa和TMIn以及NH3在740℃下生长得到InGaN层51，InGaN层51的掺杂浓度为1E+20，厚度为3.0nm的InxGa(1～x)N(x＝0.20)；
7、升温至810℃同时通入TEGa和NH3生长14nm的GaN层52。MQW层5中结构单元的生长周期为13个；
8、再升高温度到950℃，反应腔压力维持在250mbar，同时通入TMGa、TMAl和Cp2Mg以及NH3，生长30nm的P型AlGaN作为P型局限层6，Al掺杂浓度2E+20，Mg掺杂浓度7E+18；
9、再升高温度到1000℃，反应腔压力维持在700mbar，同时通入TMGa、Cp2Mg以及NH3，持续生长150nm的掺镁的P型GaN作为掺杂Mg的GaN层7，Mg掺杂浓度2E+19；
10、最后降温至750℃，保温25分钟，接着炉内冷却，得到LED外延层4。
实施例5
与实施例4的区别在于掺镁层53所用载气为N2，厚度为0.1nm，MQW层5中结构单元的生长周期为8个；得到LED外延层6。
对比例1
与实施例1的区别在于未生产掺镁层53。得到LED外延层7。
LED外延层1～7分别制成150颗LED芯片测定各个芯片的亮度，结果列于表1中。
表1LED外延层1～7制成LED芯片的平均亮度
| LED外延层编号 | 平均亮度/(mw) |
| 1 | 530 |
| 2 | 535 |
| 3 | 537 |
| 4 | 538 |
| 5 | 536 |
| 6 | 534 |
| 7 | 505 |
由表1可见，设置掺镁层53后所得LED芯片的亮度可以达到538mw，而未设置掺镁层53的对比例所得外延层制成的LED芯片平均亮度仅为505mw，说明通过设置掺镁层53，LED芯片的发光亮度得到的较大的提高。
由图5可知，对比例中所得LED芯片7未设置掺镁层53，发光效率低于本发明提供的LED芯片1约5～6％。由此可知，本发明中通过增设掺镁层53，能起到提高LED芯片的发光效率的目的。同时能增加LED芯片中量子点的数量，为未来研究增加LED芯片中量子点数量的方法指明了方向。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种LED外延层，包括依序生长的N型局限层、MQW层和P型局限层，所述MQW层包括多个结构单元，每个所述结构单元内包括InGaN层和GaN层，其特征在于，所述结构单元内还包括至少一层掺镁层。
2.根据权利要求1所述的LED外延层，其特征在于，所述掺镁层为MgN。
3.根据权利要求1所述的LED外延层，其特征在于，所述掺镁层厚度≤1.0nm。
4.根据权利要求1所述的LED外延层，所述掺镁层中镁的掺杂浓度5E+18～1E+19。
5.根据权利要求1所述的LED外延层，其特征在于，所述MQW层中所述结构单元数为10～15个。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的LED外延层，其特征在于，各所述结构单元中所述InGaN层为InxGa(1～x)N层，所述x＝0.15～0.25，优选所述InGaN层中In掺杂浓度1E+20～3E+20，优选所述InGaN层的厚度为2.8～3.5nm。
7.一种如权利要求1至6中任一项所述LED外延层的生长方法，包括依序生长的N型局限层、MQW层和P型局限层的步骤，其特征在于，生长所述MQW层的步骤包括：依序生长多个结构单元，生长每个所述结构单元的步骤包括依序生长的掺镁层、InGaN层和GaN层，所述掺镁层为MgN，生长所述掺镁层的步骤中，生长温度为700～850℃，在压力为300～400mbar下，同时通入镁源和NH330～50s生长所述掺镁层。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述InGaN层为InxGa(1～x)N层，所述x＝0.15～0.25，所述InGaN层的生长方法包括以下步骤：在700～750℃下同时通入镓源和铟源以及NH3以生长In的掺杂浓度1E+20～3E+20的所述InxGa(1～x)N层。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述GaN层的生长方法包括以下步骤：在800～850℃下同时通入镓源和NH3以生长厚度为10～15nm的所述GaN层。
10.一种LED芯片，包括外延层，其特征在于，所述外延层为权利要求1至6中任一项所述的外延层。
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| CN201410163418.4A CN103928578A (zh) | 2014-04-22 | 2014-04-22 | Led外延层及其生长方法和led芯片 |
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Family
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Family Applications (1)
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| CN201410163418.4A Pending CN103928578A (zh) | 2014-04-22 | 2014-04-22 | Led外延层及其生长方法和led芯片 |
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