CN103924272A - 一种太阳电池前驱物Mo/Cu/Sn/Zn多层膜的制备方法 - Google Patents

一种太阳电池前驱物Mo/Cu/Sn/Zn多层膜的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103924272A
CN103924272A CN201410159960.2A CN201410159960A CN103924272A CN 103924272 A CN103924272 A CN 103924272A CN 201410159960 A CN201410159960 A CN 201410159960A CN 103924272 A CN103924272 A CN 103924272A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
concentration
film
mol
preparation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201410159960.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103924272B (zh
Inventor
任平
周昊
胡寸先
郝鑫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai University of Electric Power
University of Shanghai for Science and Technology
Original Assignee
Shanghai University of Electric Power
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai University of Electric Power filed Critical Shanghai University of Electric Power
Priority to CN201410159960.2A priority Critical patent/CN103924272B/zh
Publication of CN103924272A publication Critical patent/CN103924272A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103924272B publication Critical patent/CN103924272B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)

Abstract

本发明公开了一种太阳电池前驱物Mo/Cu/Sn/Zn多层膜的制备方法。即先分别制备硫酸铜与柠檬酸三钠的混合水溶液，硫酸亚锡与柠檬酸三钠的混合水溶液，氯化锌、氯化钾与聚乙二醇的混合水溶液，然后采用三电极体系，即以铂电极为对电极、甘汞电极为参比电极和Mo电极为工作电极，用电化学工作站在Mo衬底上恒电位逐层沉积Cu、Sn和Zn膜，最终获得太阳电池前驱物Mo/Cu/Sn/Zn多层膜。本发明的一种太阳电池前驱物Mo/Cu/Sn/Zn多层膜的制备方法具有制备过程成本低、周期短、操作简单等优点，并且每层膜晶粒的大小和厚度可调，形态可控。

Description

一种太阳电池前驱物Mo/Cu/Sn/Zn多层膜的制备方法
技术领域
本发明涉及一种太阳电池前驱物Mo/Cu/Sn/Zn多层膜的制备方法，在太阳电池能源领域有重要应用。
背景技术
薄膜太阳电池由于吸收系数高、价格便宜受到太阳电池领域的广泛关注。以CdTe和铜铟镓锡(CIGS)为代表的化合物薄膜太阳电池吸收系数高达104cm-1～105cm-1、实验室效率已分别达到16.7%和20.1%、其商业化效率也已达12-13%，是良好的薄膜电池，但它们面临着Cd毒性、In和Ga资源稀少的严重问题。近年来，新一代铜锌锡硫(以下简称CZTS)或铜锌锡硒（以下简称CZTSe）薄膜太阳电池由于价格便宜、原料无毒性、对环境无污染而受到广泛关注，该化合物具有类似CuInSe2的结构，直接带隙1.50eV左右，吸收系数达104cm-1，其中Zn和Sn资源丰富且无毒，是有潜力的太阳电池吸收材料。
目前，CZTS或CZTSe薄膜的制备主要是先获得金属前驱物薄膜后硫化或硒化获得薄膜吸收层。前驱物薄膜主要有单层金属混合物薄膜和逐层金属膜。经过实验证实，逐层金属膜的堆积顺序影响CZTS或CZTSe薄膜的结构和性能，其中Mo/Cu/Sn/Zn或Mo/Zn/Cu/Sn均有可能硫化后获得单相的CZTS或CZTSe吸收层。目前该多层膜的制备主要是通过真空技术（主要包括热蒸发法和溅射法）和非真空技术(主要有联胺溶液法和电沉积法)。真空技术具有成膜质量好的优点，但设备昂贵、复杂、大面积生产受限；而电沉积法具有工艺简单，价格便宜、能扩大面积制膜的特点。目前，使用电沉积法制备CZTS或CZTSe太阳电池前驱物，考虑到金属离子电沉积的顺序，基本上是沉积Mo/Cu/Sn/Zn体系，对于Cu、Sn和Zn的沉积很多会用到硫酸、盐酸或强碱，因此Mo/Cu/Sn/Zn薄膜的制备存在制备复杂、体系不友好等技术问题。
发明内容
本发明的目的是为了解决上述的制备复杂、体系不友好等技术问题而提供一种太阳电池铜锌锡硫化合物前驱物Mo/Cu/Sn/Zn多层膜的制备方法，该制备方法具有制备过程工艺简单、体系环保、膜层形态可控等特点。
本发明的技术方案
一种太阳电池前驱体Mo/Cu/Sn/Zn多层膜的制备方法，即先分别制备硫酸铜与柠檬酸三钠的混合水溶液，硫酸亚锡与柠檬酸三钠的混合水溶液，氯化锌、氯化钾与聚乙二醇的混合水溶液，采用三电极体系，即以铂电极为对电极、甘汞电极为参比电极和Mo电极为工作电极，用电化学工作站在Mo衬底上恒电位逐层沉积Cu、Sn和Zn膜，最终获得太阳电池前驱物Mo/Cu/Sn/Zn多层膜，其制备过程具体包括如下步骤：
（1）、将1cm×1cm，厚度为0.5mm的Mo片打磨、抛光好并制成Mo电极；
（2）、Mo/Cu薄膜的制备
采用三电极体系，即以铂电极为对电极、甘汞电极为参比电极和步骤（1）所得的Mo电极为工作电极，用电化学工作站在硫酸铜与柠檬酸三钠配制成的水溶液中，控制-0.6V的恒电位沉积100～900s，优选沉积400s，即得Mo/Cu薄膜，其Cu膜厚度为70nm-5μm；
上述的硫酸铜与柠檬酸三钠配制成的水溶液中，硫酸铜与柠檬酸三钠的浓度分别为0.005～0.50mol/L和0.01～1 mol/L，优选分别为0.1 mol/L和0.2 mol/L；
（3）、Mo/Cu/Sn薄膜的制备
采用三电极体系，即以铂电极为对电极、甘汞电极为参比电极和步骤（2）沉积好的Mo/Cu薄膜为工作电极，用电化学工作站在硫酸亚锡与柠檬酸三钠配制成的水溶液中，控制-0.7～-1.1V恒电位沉积50～500s，即得Mo/Cu/Sn薄膜，其中Sn膜厚度为200nm-5μm；
上述的硫酸亚锡与柠檬酸三钠配制成的水溶液中，硫酸亚锡与柠檬酸三钠的浓度分别为0.01～0.5mol/L和0.02～1mol/L，优选分别为0.05～0.1mol/L和0.1～0.2 mol/L；
（4）、Mo/Cu/Sn/Zn薄膜的制备
采用三电极体系，即以铂电极为对电极、甘汞电极为参比电极和步骤（3）沉积好的Mo/Cu/Sn薄膜为工作电极，用电化学工作站，在氯化锌、氯化钾和聚乙二醇6000配制成的溶液中，控制-1.2～-1.4V恒电位沉积50～500s，优选控制-1.3 V恒电位沉积500s，即得太阳电池前驱体Mo/Cu/Sn/Zn多层膜，其中Zn膜厚度为150nm-5μm；
上述的氯化锌、氯化钾和聚乙二醇6000配制成的溶液，用硼酸调节pH值到5，其中氯化锌、氯化钾和聚乙二醇6000的浓度分别为0.05～0.2mol/L、0.1～2 mol/L和0～100 mg/L，优选氯化锌、氯化钾和聚乙二醇6000的浓度分别为0.12 mol/L、0.25 mol/L和60 mg/L。
上述所得的太阳电池前驱体Mo/Cu/Sn/Zn多层膜用于制备太阳电池铜锌锡硫薄膜即CZTS薄膜或铜锌锡硒薄膜即CZTSe薄膜，具体步骤如下：
将上述太阳电池前驱体Mo/Cu/Sn/Zn多层膜制备过程中按比例沉积，即按摩尔比计算，即Cu：Sn:Zn为2:1：1的比例得到Mo/Cu/Sn/Zn多层膜，然后在500～600℃的温度下进行硫化或硒化，即得CZTS薄膜或CZTSe薄膜。
本发明的有益效果
本发明的一种太阳电池前驱物Mo/Cu/Sn/Zn多层膜制备方法，以硫酸铜、柠檬酸三钠、硫酸亚锡、氯化锌和氯化钾为原料在Mo衬底上，用电化学工作站采用逐层电沉积的方法获得Mo/Cu/Sn/Zn多层膜。与真空途径相比工艺简单，制作成本低，生产周期短，生产过程能耗低，同时由于电沉积过程中采用的是硫酸铜、柠檬酸三钠、硫酸亚锡、氯化锌和氯化钾等原料，沉积体系环保、价廉。 
进一步，本发明的一种形态可调控的Mo/Cu/Sn/Zn多层膜制备方法，可以通过改变硫酸铜、硫酸亚锡和氯化锌的浓度、沉积电位和沉积时间来控制所得的每层膜晶粒的大小和厚度，并且所得的Mo/Cu/Sn/Zn多层膜中，Cu膜、Sn膜、Zn膜逐层沉积好，形态可控。
附图说明
图1、实施例1中步骤（1）采用逐层电沉积制备的Mo/Cu薄膜的SEM图谱；
图2、实施例1步骤（2）中所得的Mo/Cu薄膜在0.1mol/LSnSO4的条件下采用逐层电沉积制备的Mo/Cu/Sn薄膜的SEM图谱；
图3、实施例1步骤（3）中，即步骤（2）在0.1mol/LSnSO4的条件下所得Mo/Cu/Sn薄膜采用逐层电沉积制备的Mo/Cu/Sn/Zn多层膜的SEM图谱；
图4、实施例1步骤（1）中所得的Mo/Cu薄膜在0.01 mol/LSnSO4所得Mo/Cu/Sn薄膜的SEM图谱；
图5、实施例1步骤（1）中所得的Mo/Cu薄膜在0.05mol/LSnSO4的条件下采用逐层电沉积制备的Mo/Cu/Sn薄膜的SEM图谱；
图6、实施例1步骤（1）中所得的Mo/Cu薄膜在0.15mol/LSnSO4的条件下采用逐层电沉积制备的Mo/Cu/Sn薄膜的SEM图谱；
图7、实施例2中在-0.7V下电沉积Sn膜所得Mo/Cu/Sn薄膜的SEM图谱；
图8、实施例2中在-0.8V下电沉积Sn膜所得Mo/Cu/Sn薄膜的SEM图谱；
图9、实施例2中在-0.9V下电沉积Sn膜所得Mo/Cu/Sn薄膜的SEM图谱；
图10、实施例2中在-1.0V下电沉积Sn膜所得Mo/Cu/Sn薄膜的SEM图谱；
图11、实施例2中在-1.1V下电沉积Sn膜所得Mo/Cu/Sn薄膜的SEM图谱；
图12、实施例3中电沉积50s所得Mo/Cu/Sn薄膜的SEM图谱；
图13、实施例3中电沉积100s所得Mo/Cu/Sn薄膜的SEM图谱；
图14、实施例3中电沉积200s所得Mo/Cu/Sn薄膜的SEM图谱；
图15、实施例3中电沉积300s所得Mo/Cu/Sn薄膜的SEM图谱；
图16、实施例3中电沉积400s所得Mo/Cu/Sn的薄膜SEM图谱。
具体实施方式
下面通过具体的实施例并结合附图对本发明进一步阐述，但并不限制本发明。
本发明所用的原料硫酸铜、柠檬酸三钠、硫酸亚锡、氯化锌和氯化钾均购自上海实验试剂有限公司；
电化学工作站为上海辰华公司的CH1660C设备。
Mo/Cu/Sn/Zn多层膜物相的测定方法：德国布鲁克公司的XRD设备。
Mo/Cu/Sn/Zn多层膜形貌的测定方法：美国FEI公司生产的场发射SEM设备。
实施例1
一种太阳电池前驱物Mo/Cu/Sn/Z多层膜的制备方法，包括如下步骤：
（1）、将4块1cm×1cm的Mo片打磨、抛光好并制成4块Mo电极；
（2）、Mo/Cu薄膜的制备
分别采用三电极体系以铂电极为对电极、甘汞电极为参比电极和步骤（1）所得的4块Mo电极为工作电极，用电化学工作站分别在硫酸铜与柠檬酸三钠配制成的水溶液中，控制-0.6V的恒电位沉积400s，分别获得4块Cu膜厚度均为250nm的Mo/Cu薄膜；
上述硫酸铜与柠檬酸三钠配制成的水溶液中，硫酸铜与柠檬酸三钠的摩尔浓度分别为0.1mol/L和0.2 mol/L；
（3）、Mo/Cu/Sn薄膜的制备
采用三电极体系以铂电极为对电极、甘汞电极为参比电极和步骤（2）沉积好的4块Mo/Cu薄膜为工作电极，用电化学工作站分别在4种不同浓度的硫酸亚锡与柠檬酸三钠配制成水溶液中，控制-0.9V恒电位沉积400s，即得4块Sn膜厚度分别约为650nm、1μm、2μm、3μm的Mo/Cu/Sn薄膜；
上述硫酸亚锡与柠檬酸三钠制成水溶液中，硫酸亚锡的摩尔浓度分别为0.01 mol/L、0.05 mol/L、0.1 mol/L和0.15 mol/L，对应的柠檬酸三钠的摩尔浓度分别为0.02 mol/L、0.10 mol/L、0.2 mol/L和0.3 mol/L ；
（4）、Mo/Cu/Sn/Zn多层膜的制备
分别采用三电极体系以铂电极为对电极、甘汞电极为参比电极和步骤（3）沉积好的4块厚度分别为650nm、1μm、2μm、3μm的Mo/Cu/Sn薄膜为工作电极，用电化学工作站在氯化锌、氯化钾和聚乙二醇6000配制成溶液中，控制-1.3V恒电位沉积500s，即得4块Mo/Cu/Sn/Zn多层膜。
上述的氯化锌、氯化钾和聚乙二醇6000配制成溶液中，氯化锌、氯化钾和聚乙二醇6000的摩尔浓度分别为0.12mol/L、0. 25mol/L和60mg/l，用硼酸调节pH值到5。
采用美国FEI公司的场发射SEM设备(JEOL 2000)仪器对上述步骤（2）所得的Mo/Cu薄膜、步骤（3）在硫酸亚锡的摩尔浓度0.1mol/L条件下的Mo/Cu/Sn薄膜、步骤（4）中，即步骤（3）在0.1mol/LSnSO4所得Mo/Cu/Sn薄膜采用逐层电沉积制备的Mo/Cu/Sn/Zn多层膜进行扫描，其SEM图谱分别如图1-3所示，通过图1-3分析，可以得出Cu、Sn和Zn逐层沉积好；
采用美国FEI公司的场发射SEM设备(JEOL 2000)仪器对上述步骤（3）对应于硫酸亚锡摩尔浓度分别为0.01mol/L、0.05mol/L和0.15mol/L下所得的Mo/Cu/Sn薄膜进行扫描，其SEM图谱分别如图4-6所示，通过图2、图4-6进行对比分析改变硫酸亚锡的浓度可以获得晶粒大小和致密度不同的Mo/Cu/Sn薄膜中的Sn膜。
实施例2
一种太阳电池前驱物Mo/Cu/Sn/Zn多层膜的制备方法，包括如下步骤：
（1）、将5块1cm×1cm的Mo片打磨、抛光好并制成5块Mo电极；
（2）、Mo/Cu薄膜的制备
采用三电极体系以铂电极为对电极、甘汞电极为参比电极和步骤（1）所得的5块Mo电极为工作电极，用电化学工作站，在硫酸铜与柠檬酸三钠配制成的水溶液中，控制-0.6V的恒电位沉积400s，即得5块厚度均为250nm的Mo/Cu薄膜；
上述硫酸铜与柠檬酸三钠配制成的水溶液中，硫酸铜与柠檬酸三钠的摩尔浓度分别为0.1mol/L和0.2 mol/L；
（3）、Mo/Cu/Sn薄膜的制备
采用三电极体系以铂电极为对电极、甘汞电极为参比电极和步骤（2）沉积好的Mo/Cu薄膜为工作电极用电化学工作站，在硫酸亚锡与柠檬酸三钠配制成的水溶液中，分别控制-0.7V、-0.8V、-0.9V、-1.0V、-1.1V恒电位沉积300s，即得Mo/Cu/Sn薄膜；
上述的硫酸亚锡与柠檬酸三钠配制成的水溶液中，硫酸亚锡与柠檬酸三钠的摩尔浓度分别为0.1和0.2mol/L；
采用美国FEI公司的场发射SEM设备(JEOL 2000)仪器对Sn沉积电位分别在-0.7V、-0.8V、-0.9V、-1.0V和-1.1V下所得的Mo/Cu/Sn薄膜进行扫描，其SEM图谱分别如图7-11所示，通过图7-11进行对比分析，改变沉积电位可以获得晶粒大小和致密度不同的Sn膜;
（4）、Mo/Cu/Sn/Zn多层膜的制备
采用三电极体系以铂电极为对电极、甘汞电极为参比电极和步骤（3）沉积好的5块Mo/Cu/Sn薄膜为工作电极，用电化学工作站，在氯化锌、硼酸、氯化钾和聚乙二醇配制成水溶液中，控制在-1.3V恒电位沉积500s，即得5块Mo/Cu/Sn/Zn多层膜；
上述的氯化锌、氯化钾和聚乙二醇6000配制成溶液中，氯化锌、氯化钾和聚乙二醇6000的摩尔浓度分别为0.12mol/L、0. 25mol/L和60mg/l，用硼酸调节pH值到5。
实施例3
一种太阳电池前驱物Mo/Cu/Sn/Zn多层膜的制备方法，包括如下步骤：
（1）、将5块1cm×1cm的Mo片打磨、抛光好并制成5块Mo电极；
（2）、Mo/Cu薄膜的制备
采用三电极体系，即以铂电极为对电极、甘汞电极为参比电极和步骤（1）所得的5块Mo电极为工作电极，用电化学工作站在硫酸铜与柠檬酸三钠配制成的水溶液中，控制-0.6V的恒电位下，将5块Mo电极沉积400s，即得厚度均为250nm的5块Mo/Cu薄膜；
上述的硫酸铜与柠檬酸三钠配制成的水溶液中，硫酸铜与柠檬酸三钠的摩尔浓度分别为0.1mol/L和0.2 mol/L；
（3）、Mo/Cu/Sn薄膜的制备
采用三电极体系，即以铂电极为对电极、甘汞电极为参比电极和步骤（2）沉积好的5块Mo/Cu薄膜为工作电极，用电化学工作站在硫酸亚锡与柠檬酸三钠配制成的水溶液中，控制-0.9V恒电位下，将5块Mo/Cu薄膜分别沉积50s、100s、200s、300s和400s，即得Sn膜厚度分别约为100nm、190nm、360nm、530nm、700nm的Mo/Cu/Sn薄膜；
上述的硫酸亚锡与柠檬酸三钠配制成的水溶液中，硫酸亚锡与柠檬酸三钠的摩尔浓度分别为0.05和0. 1mol/L；
采用美国FEI公司的场发射SEM设备(JEOL 2000)仪器对上述步骤（3）对应于Sn沉积时间分别为50s、100s、200s、300s和400s下所得的Mo/Cu/Sn薄膜进行扫描，所得的SEM图谱分别见图12-16；从图12-16的对比中可以看出，通过改变时间可以改变Mo/Cu/Sn薄膜中Sn薄膜的厚度;
（4）、Mo/Cu/Sn/Zn多层膜的制备
采用三电极体系以铂电极为对电极、甘汞电极为参比电极和步骤（3）沉积好的5块Mo/Cu/Sn薄膜为工作电极，用电化学工作站在氯化锌、氯化钾和聚乙二醇配制成的溶液中，控制-1.3V恒电位沉积500s，即得Mo/Cu/Sn/Zn多层膜；
上述的氯化锌、氯化钾和聚乙二醇6000配制成的溶液，用硼酸调节pH值到5，其中氯化锌、氯化钾和聚乙二醇6000的摩尔浓度分别为0.12mol/L、0. 25mol/L和60mg/l。 
综上所述，本发明的一种形态可调控的Mo/Cu /Sn /Zn多层膜的制备方法，通过控制改变硫酸铜、硫酸亚锡、氯化锌浓度、沉积电位可控制晶粒大小，通过改变各层薄膜层的沉积时间可控制各层薄膜层的厚度。另外，本发明的一种形态可调控的Mo/Cu /Sn /Zn多层膜的制备方法可以对每一层膜的形态均可控，本发明中只是以Sn膜为例来进行说明如何控制膜的形态，但并不限制对Cu膜、Zn膜的形态的控制。
以上所述内容仅为本发明构思下的基本说明，而依据本发明的技术方案所做的任何等效变换，均应属于本发明的保护范围。

Claims (5)

1.一种太阳电池前驱物Mo/Cu/Sn/Zn多层膜的制备方法，其特征在于具体包括如下步骤：
（1）、将1cm×1cm，厚度为0.5mm的Mo片打磨、抛光好并制成Mo电极；
（2）、Mo/Cu薄膜的制备
采用三电极体系，即以铂电极为对电极、甘汞电极为参比电极和步骤（1）所得的Mo电极为工作电极，用电化学工作站在硫酸铜与柠檬酸三钠配制成的水溶液中，控制-0.6V的恒电位沉积100～900s，即得Mo/Cu薄膜；
上述的硫酸铜与柠檬酸三钠配制成的水溶液中，硫酸铜与柠檬酸三钠的浓度分别为0.005～0.50mol/L和0.01～1 mol/L；
（3）、Mo/Cu/Sn薄膜的制备
采用三电极体系，即以铂电极为对电极、甘汞电极为参比电极和步骤（2）沉积好的Mo/Cu薄膜为工作电极，用电化学工作站在硫酸亚锡与柠檬酸三钠配制成的水溶液中，控制-0.7～-1.1V恒电位沉积50～500s，即得Mo/Cu/Sn薄膜；
上述的硫酸亚锡与柠檬酸三钠配制成的水溶液中，硫酸亚锡与柠檬酸三钠的浓度分别为0.01～0.15mol/L和0.02～0.3 mol/L；
（4）、Mo/Cu/Sn/Zn多层膜的制备
采用三电极体系，即以铂电极为对电极、甘汞电极为参比电极和步骤（3）沉积好的Mo/Cu/Sn薄膜为工作电极，用电化学工作站在氯化锌、氯化钾和聚乙二醇6000配制成的溶液中，控制-1.2～-1.4V恒电位沉积50～500s，即得Mo/Cu/Sn/Zn多层膜；
上述的氯化锌、氯化钾和聚乙二醇6000配制成的溶液，用硼酸调节pH值到5，其中氯化锌、氯化钾和聚乙二醇6000的浓度分别为0.05～0.2mol/L、0.1～2 mol/L和0～100 mg/L。
2.如权利要求1所述的一种太阳电池前驱体Mo/Cu/Sn/Zn多层膜的制备方法，其特征在于步骤（2）中硫酸铜的浓度为0.1mol/L，柠檬酸三钠的浓度为0.2 mol/L，-0.6V恒电位下沉积时间为400s；
步骤（3）中硫酸亚锡的浓度为0.01～0.15mol/L，柠檬酸三钠的浓度为0.02～0. 3mol/L，-0.9V下恒电位沉积400s；
步骤（4）中氯化锌的浓度为0.12 mol/L，氯化钾的浓度为0.25 mol/L，聚乙二醇6000的浓度为60mg/L，-1.3V下恒电位沉积500s。
3.如权利要求2所述的一种太阳电池前驱体Mo/Cu/Sn/Zn多层膜的制备方法，其特征在于步骤（2）中硫酸铜的浓度为0.1 mol/L，柠檬酸三钠的浓度为0.2 mol/L，-0.6V恒电位下沉积时间为400s；
步骤（3）中硫酸亚锡的浓度为0.1mol/L，柠檬酸三钠的浓度为0.2mol/L，-0.7V～-1.1V下恒电位沉积300s；
步骤（4）中氯化锌的浓度为0.12 mol/L，氯化钾的浓度为0.25 mol/L，聚乙二醇6000的浓度为60mg/L，-1.3V下恒电位沉积500s。
4.如权利要求2所述的一种太阳电池前驱体Mo/Cu/Sn/Zn多层膜的制备方法，其特征在于步骤（2）中硫酸铜的浓度为0.1 mol/L，柠檬酸三钠的摩尔浓度为0.2 mol/L，-0.6V恒电位下沉积时间为400s；
步骤（3）中硫酸亚锡的浓度为0.05mol/L，柠檬酸三钠的浓度为0.1mol/L，-0.9V下恒电位沉积50～400s；
步骤（4）中氯化锌的浓度为0.12 mol/L，氯化钾的浓度为0.25 mol/L，聚乙二醇6000的浓度为60mg/L，-1.3V下恒电位沉积500s。
5.如权利要求1所述的一种太阳电池前驱体Mo/Cu/Sn/Zn多层膜的制备方法，其特征在于所述的电化学工作站为上海辰华公司的CH1660C。
CN201410159960.2A 2014-04-22 2014-04-22 一种太阳电池前驱物Mo/Cu/Sn/Zn多层膜的制备方法 Expired - Fee Related CN103924272B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410159960.2A CN103924272B (zh) 2014-04-22 2014-04-22 一种太阳电池前驱物Mo/Cu/Sn/Zn多层膜的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410159960.2A CN103924272B (zh) 2014-04-22 2014-04-22 一种太阳电池前驱物Mo/Cu/Sn/Zn多层膜的制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103924272A true CN103924272A (zh) 2014-07-16
CN103924272B CN103924272B (zh) 2016-06-08

Family

ID=51142656

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410159960.2A Expired - Fee Related CN103924272B (zh) 2014-04-22 2014-04-22 一种太阳电池前驱物Mo/Cu/Sn/Zn多层膜的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103924272B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105648492A (zh) * 2016-01-13 2016-06-08 中国科学院上海技术物理研究所 一种铜锌锡硫薄膜的制备方法
CN111074309A (zh) * 2019-12-31 2020-04-28 河北科技大学 一种Sn-Ni合金负极材料的制备方法
CN111092216A (zh) * 2019-12-31 2020-05-01 河北科技大学 一种纳米线型Sn-Ni合金负极材料的制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110085721A (ko) * 2010-01-21 2011-07-27 전남대학교산학협력단 단일 공정 전기증착법을 이용한 ｃｚｔｓ 박막의 제조방법
CN102492972A (zh) * 2011-12-12 2012-06-13 云南师范大学 一种Cu2ZnSnS4薄膜的电化学制备工艺
CN102637755A (zh) * 2012-04-28 2012-08-15 中山大学 一种纳米结构czts薄膜光伏电池及其制备方法
CN103022176A (zh) * 2011-09-23 2013-04-03 旺能光电股份有限公司 具有铜锌锡硫吸收层的太阳能装置及其制造方法
CN103078010A (zh) * 2013-02-03 2013-05-01 电子科技大学 一种铜锌锡硫薄膜太阳能电池的全非真空工艺制备方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110085721A (ko) * 2010-01-21 2011-07-27 전남대학교산학협력단 단일 공정 전기증착법을 이용한 ｃｚｔｓ 박막의 제조방법
CN103022176A (zh) * 2011-09-23 2013-04-03 旺能光电股份有限公司 具有铜锌锡硫吸收层的太阳能装置及其制造方法
CN102492972A (zh) * 2011-12-12 2012-06-13 云南师范大学 一种Cu2ZnSnS4薄膜的电化学制备工艺
CN102637755A (zh) * 2012-04-28 2012-08-15 中山大学 一种纳米结构czts薄膜光伏电池及其制备方法
CN103078010A (zh) * 2013-02-03 2013-05-01 电子科技大学 一种铜锌锡硫薄膜太阳能电池的全非真空工艺制备方法

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
J.J. SCRAGG ET AL: "A-Synthesis and characterization of Cu2ZnSnS4 absorber layers by an electrodeposition-annealing route", 《THIN SOLID FILMS》 *
JONATHAN J. SCRAGG ET AL: "Towards sustainable materials for solar energy conversion:Preparation and photoelectrochemical characterization of Cu2ZnSnS4", 《ELECTROCHEMISTRY COMMUNICATIONS》 *
XIANCONG HE ET AL: "Synthesis of Cu2ZnSnS4 films from sequentially electrodeposited Cu–Sn–Zn precursors and their structural and optical properties", 《MATERIALS IN ELECTRONICS》 *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105648492A (zh) * 2016-01-13 2016-06-08 中国科学院上海技术物理研究所 一种铜锌锡硫薄膜的制备方法
CN111074309A (zh) * 2019-12-31 2020-04-28 河北科技大学 一种Sn-Ni合金负极材料的制备方法
CN111092216A (zh) * 2019-12-31 2020-05-01 河北科技大学 一种纳米线型Sn-Ni合金负极材料的制备方法
CN111074309B (zh) * 2019-12-31 2021-01-12 河北科技大学 一种Sn-Ni合金负极材料的制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN103924272B (zh) 2016-06-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Morales et al. Electrodeposition of Cu2 O: An Excellent Method for Obtaining Films of Controlled Morphology and Good Performance in Li-Ion Batteries
CN102741458B (zh) 生产铜铟镓硒(cigs)太阳能电池的电化学方法
Han et al. Hydrazine processed Cu 2 SnS 3 thin film and their application for photovoltaic devices
CN103025916B (zh) 用于金属硫化物层的湿化学沉积的浴沉积溶液及相关生产方法
US20130168825A1 (en) Fabrication of ionic liquid electrodeposited cu-sn-zn-s-se thin films and method of making
Long et al. Effects of sulfurization temperature on phases and opto-electrical properties of Cu2ZnSnS4 films prepared by sol–gel deposition
CN102268702A (zh) 铜铟镓硒薄膜的光电化学沉积制备法
He et al. Synthesis of Cu 2 ZnSnS 4 films from sequentially electrodeposited Cu–Sn–Zn precursors and their structural and optical properties
CN103924272B (zh) 一种太阳电池前驱物Mo/Cu/Sn/Zn多层膜的制备方法
Lin et al. Ternary semiconductor compounds CuInS2 (CIS) thin films synthesized by electrochemical atomic layer deposition (EC-ALD)
CN102181893A (zh) 一种利用调节pH值电沉积制备富铟CuInSe2薄膜的方法
CN101262027A (zh) 中性pH条件双电位阶跃电沉积制备铜铟硒薄膜的方法
US20130017322A1 (en) Method for forming an indium (iii) sulfide film
Khalil et al. Co-electrodeposition of metallic precursors for the fabrication of CZTSe thin films solar cells on flexible Mo foil
WO2013033729A1 (en) Electrodepostion of gallium for photovoltaics
Dhanwate et al. Effect of growth potential on the electrodeposition of CIS thin films
US20110186124A1 (en) Electrically conductive zinc oxide layered film and photoelectric conversion device comprising the same
Tang et al. Production of CIGS solar cell with an appropriate atomic ratio using magnetron sputtering
CN104947165A (zh) 一种氟掺杂的n型氧化亚铜半导体薄膜的制备方法
Ebrahim et al. Preparation and characterization of chalcopyrite compound for thin film solar cells
CN103820825A (zh) 一种形态可调控的Mo/Zn薄膜的制备方法
Howlader et al. Pin-hole free MAPb0. 75 Sn0. 25 (I0. 5Br0. 5) 3 films spin casted without anti-solvent by adding MAAc additive to Perovskite ink
Ren et al. Growth kinetics and microstructures of Cu nanofilms on Mo substrate by electrodeposition
CN101826574A (zh) 非真空制作铜铟镓硒光吸收层的方法
CN105332026A (zh) 电化学沉积法制备Cu2FeSnS4薄膜

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20160608

Termination date: 20190422

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee