CN103918031A - 具有双连续层的记录叠层 - Google Patents

具有双连续层的记录叠层 Download PDF

Info

Publication number
CN103918031A
CN103918031A CN201280051490.7A CN201280051490A CN103918031A CN 103918031 A CN103918031 A CN 103918031A CN 201280051490 A CN201280051490 A CN 201280051490A CN 103918031 A CN103918031 A CN 103918031A
Authority
CN
China
Prior art keywords
successive layers
magnetic
layers
exchange coupling
particle
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201280051490.7A
Other languages
English (en)
Inventor
Z·吴
L·唐
S·王
A·海卢
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seagate Technology LLC
Original Assignee
Seagate Technology LLC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seagate Technology LLC filed Critical Seagate Technology LLC
Publication of CN103918031A publication Critical patent/CN103918031A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
    • G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
    • G11B5/66—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers
    • G11B5/674—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers having differing macroscopic or microscopic structures, e.g. differing crystalline lattices, varying atomic structures or differing roughnesses
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/1278—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive specially adapted for magnetisations perpendicular to the surface of the record carrier
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B2005/0002—Special dispositions or recording techniques
    • G11B2005/0026—Pulse recording
    • G11B2005/0029—Pulse recording using magnetisation components of the recording layer disposed mainly perpendicularly to the record carrier surface
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/90—Magnetic feature

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Magnetic Record Carriers (AREA)

Abstract

具有双连续层的垂直磁性记录叠层(104)及其制造方法。垂直磁性记录叠层包括衬底(106)、一个或多个磁性颗粒记录层(110)以及具有第一和第二连续层(112、114)的双连续层。设置在第二连续层(114)和磁性颗粒记录层之间的第一连续层(112)具有适中的横向交换耦合，这种适中的横向交换耦合高于磁性颗粒层的横向交换耦合。第二连续层具有比第一连续层更高的横向交换耦合。

Description

具有双连续层的记录叠层
相关申请交叉引用
本申请要求2011年8月25日提交的题为“Recording Stack with a DualContinuous Layer(具有双连续层的记录叠层)”的美国非临时专利申请No.13/217,531的优先权，该非临时专利申请特别就其全部公开和教导的内容援引包含于此。
技术领域
本发明涉及具有增加的存储容量和平衡的机械强健性和记录性能的垂直磁性记录叠层。
背景技术
信息可被存储在垂直磁性记录叠层上。可使用读/写头将信息写至垂直磁性记录叠层和/或从垂直磁性记录叠层读取信息。
发明内容
本文描述和要求保护的实现方式提供具有双连续层的垂直磁性记录叠层。在一种实现中，垂直磁性记录叠层包括衬底、一个或多个磁性颗粒记录层以及具有第一和第二连续层的双连续层。设置在第二连续层和磁性颗粒记录层之间的第一连续层具有适中横向交换耦合，这种适中横向交换耦合高于磁性颗粒层的横向交换耦合。第二连续层具有比第一连续层更高的横向交换耦合。
通过阅读下面的详细描述，这些以及各种其它的特征将会变得显而易见。
附图简述
图1示出一示例性垂直磁性记录系统。
图2示出具有双连续层的示例性垂直磁性记录叠层。
图3示出用于制造具有双连续层的垂直磁性记录叠层的示例性操作。
具体实施方式
垂直磁性记录系统——例如包括垂直记录头和具有双连续层的耦合颗粒/连续(CGC)结构的垂直磁性记录叠层的系统——可表现出超高密度记录能力，由此导致增加的存储容量。
垂直磁性记录叠层的存储容量可通过增加磁性颗粒记录层的面密度来提高。然而，随着磁性颗粒记录层的面密度增加，其它性能因素可变得更为相关，包括但不限于磁性颗粒记录层的热稳定性、记录方便性(即可写性)以及介质噪声。
一般，磁性颗粒记录层包括磁性颗粒。磁性颗粒记录层的热稳定性基于磁性颗粒记录层的磁性各向异性和磁性颗粒的体积，它与磁性颗粒记录层的厚度成比例。减少磁性颗粒体积增加面记录密度但也降低了磁性颗粒记录层的热稳定性。磁性颗粒随着它们的体积接近其超顺磁极限而变得热不稳定，这使层内的热波动与磁性颗粒的各向异性能量形成竞争。当热波动导致相对于磁性颗粒的磁各向异性能量的反磁化时，达到超顺磁极限。因此，可通过增加磁性颗粒记录层中的磁性颗粒的平均磁各向异性能量来提高热稳定性。
然而，由于磁性颗粒记录层的高饱和场和头材料有限的饱和磁化，增加磁性颗粒的平均磁各向异性能量可能导致记录容易的问题。例如，增加磁性颗粒的平均磁各向异性能量增加了切换场，该切换场是在写操作过程中改变磁性颗粒的磁性取向所需的磁场。如此，单纯增加磁性颗粒的磁各向异性能量无法完全通过增加的面密度增加来解决问题。
CGC结构优化颗粒间交换耦合以通过热稳定来平衡信噪比(SNR)。CGC结构可包括单个连续层，该连续层是表现出高的垂直磁各向异性并具有横向地连续扩展的交换耦合的薄膜。连续层在层内具有强的横向交换耦合并与磁性颗粒记录层垂直地耦合。与磁性颗粒记录层的垂直交换耦合减少了切换场，并且在连续层和磁性颗粒记录层之间耦合的较高体积增加了热稳定性。然而，作为结果，写过程中的切换体积增加，这可能导致额外的转变噪声、增加的抖动以及扩展记录的线密度的能力下降。
SNR与记录位中的磁性颗粒的数量成比例。磁性颗粒记录层的颗粒性质由于位转变的不规则性可能导致噪声。例如，噪声可来源于垂直交换耦合、各向异性场的分布以及写场梯度。可通过调节连续层的材料、结构和厚度来提高热稳定性和SNR。例如，可通过调整连续层的厚度来改变具有给定饱和磁化MS和磁晶各向异性的连续层与磁性颗粒层之间的垂直交换耦合。然而，被调整以取得最佳垂直交换耦合的连续层的厚度另外影响到垂直磁性记录叠层的机械强健性并可能导致空间损失。例如，连续层可以是薄的，由此导致较低的总横向交换耦合和较低的切换体积，这在记录过程中产生较少的噪声。然而，薄的连续层经常具有低劣的机械强健性。替代地，连续层可以是厚的，这导致较大的总横向交换耦合，增加了机械强健性。然而，厚的连续层在写和读过程中经常经历空间损失。因此，应当平衡机械强健性和记录性能这两者。
具有双连续层的垂直磁性记录层增进了机械强健性和包括记录性能的磁性质之间的平衡。双连续层允许大范围地调谐双连续层和磁性颗粒记录层之间的垂直交换耦合，同时双连续层的总厚度被控制在相对小的范围，由此导致在写和读过程中具有最小空间损失的最大机械性能。
表1将具有单连续层的垂直磁性记录叠层的磁性质和记录参数与具有双连续层的垂直磁性记录叠层进行比较。该磁性质包括：矫顽力场Hc，核场Hn以及磁厚度积Mrt。记录参数包括：写加擦除WPE、反覆写Rev_OW、轨道上位错误率PE、轨道外位错误率OTC、介质信噪比ESMNR以及总信噪比ESNR。如表1所示，双连续层改善了磁性质和记录参数。
图1示出一示例性垂直磁性记录系统100。垂直磁性记录系统100包括读/写头102，该读/写头102产生与垂直磁性记录叠层104垂直的磁场。
在一种实现中，垂直磁性记录叠层104包括衬底106、一个或多个下层108、一个或多个磁性颗粒记录层110以及包括第一连续层112和第二连续层114的双连续层。
一个或多个下层108被设置在衬底106上，该衬底106是由非磁性材料制成的。在一种实现中，下层108包括至少一个软磁下层(SUL)。
SUL将从读/写头102发出的磁通引导通过磁性颗粒记录层110。磁通从读/写头102的写极发出并经过磁性颗粒记录层110进入SUL。因此，磁路被形成在读/写头102、磁性颗粒记录层110和SUL之间。
下层108可包括附加层，例如一个或多个中间层和/或粘合层。在一种实现中，中间层由非磁性材料制成。中间层防止SUL和磁性颗粒记录层110之间的相互影响。此外，中间层促进磁性颗粒记录层110的结晶微结构和磁性质。例如，沿与磁性颗粒记录层110的表面垂直的方向的易磁化轴形成残留磁化。粘合层增加衬底106和SUL之间的粘合并提供低的表面粗糙度。
一个或多个磁性颗粒记录层110中的每一个是数据存储层。在一种实现中，磁性颗粒记录层110是硬磁材料，该硬磁材料既不磁化也不轻易地去磁化。磁性颗粒记录层110具有颗粒结构，该颗粒结构包括由在颗粒边界处的例如氧化物的非磁性材料隔开的磁性晶粒。磁性晶粒表现出垂直的磁各向异性。磁性颗粒记录层110可以是例如单个薄膜层、多个毗邻的磁性颗粒层或具有由薄的非磁性间隔层隔开的多个磁性薄膜的层压结构。
双连续层包括第一连续层112和第二连续层114。第一连续层112被设置在磁性颗粒记录层110和第二连续层114之间。然而，该第一连续层112不一定与磁性颗粒记录层110和/或第二连续层114毗邻，并且可以存在附加的层。第一连续层112具有适中横向交换耦合，它高于磁性颗粒记录层110的横向交换耦合。第二连续层114具有比第一连续层112更高的横向交换耦合。双连续层允许大范围地调谐连续层112、114与磁性颗粒记录层110之间的垂直交换耦合，同时双连续层的总厚度导致最大机械性能以及最小间隔损失。此外，第二连续层114的较高横向交换耦合提供读取时的较高振幅和对磁性颗粒记录层110增加的垂直交换耦合，这增加了介质记录位错误率和线密度。
在一种实现中，具有适中横向交换耦合的第一连续层112的厚度大于具有较高横向交换耦合的第二连续层114的厚度。例如，第一连续层112可具有大约的厚度，而第二连续层114可具有大约的厚度。在另一实现中，第一连续层112的厚度在范围内，而第二连续层114的厚度在范围内。另外，对于第二连续层114，随着第二连续层114的厚度增加，矫顽力场Hc减小并且磁化厚度积Mrt增加。
此外，在一种实现中，第二连续层114具有大于第一连续层112的饱和磁化的饱和磁化(MS)。例如，第一连续层112可具有大约10-800emu/cm3的饱和磁化，并且第二连续层114可具有大约100-1200emu/cm3的饱和磁化。在另一实现中，第一连续层112具有在100-600emu/cm3范围内的饱和磁化，而第二连续层114具有在200-1000emu/cm3范围内的饱和磁化。在又一实现中，第一连续层112具有在200-500emu/cm3范围内的饱和磁化，而第二连续层114具有在400-900emu/cm3范围内的饱和磁化。
在一种实现中，第一连续层112和第二连续层114可具有不同的材料成分。例如，第一连续层112可包括含Co的合金的材料，该材料具有一种或多种元素，包括但不限于Cr、Pt、Ni、Ta、B、Nb、O、Ti、Si、Mo、Cu、Ag、Ge和Fe。第二连续层114可包括含Co的合金的材料，该材料具有一种或多种元素，包括但不限于Cr、Pt、Ni、Ta、B、Nb、O、Ti、Si、Mo、Cu、Ag、Ge、Fe。在一种实现中，第一连续层112包括具有低于70原子百分比的Co原子浓度的材料，而第二连续层114包括具有高于70原子百分比的Co原子浓度的材料。然而，也考虑其它浓度和材料。
磁性记录叠层104可进一步包括覆层116。覆层116保护第二连续层114不受读/写头102的碰撞并提高读/写头102和磁性记录叠层104之间的润滑。覆层116可例如包括具有金刚石状结构的基于碳的膜。
图2示出具有双连续层的示例性垂直磁性记录叠层200。在一种实现中，垂直记录叠层200包括衬底202、下层204、磁性颗粒记录层214、双连续层224和覆层230。然而，垂直磁性记录叠层200可具有更多或更少的层。
在一种实现中，衬底202由非磁性材料制成，例如非磁性金属或合金(例如在沉积表面上的Al、基于Al的合金以及具有NiP镀层的AlMg以增加硬度)、玻璃、陶瓷、玻璃-陶瓷、聚合材料或组合物或类似材料的叠层。衬底202可以是盘形的。然而，也可考虑其它形状。
下层204被设置在衬底202上。在一种实现中，下层204包括粘合层206、SUL208、第一中间层210和第二中间层212。然而，下层204可具有更多或更少的层。
粘合层206增加了衬底202和SUL208之间的粘合性并提供低的表面粗糙度。在一种实现中，粘合层206是非晶的。此外，粘合层206可控制SUL208的各向异性。粘合层206可达到大约厚并例如由包括但不限于Ti、基于Ti的合金、Cr和基于Cr的合金的材料制成。
SUL208在写过程中引导从头发出的磁通通过磁性颗粒记录层214。SUL208由呈现软磁特性的材料制成，例如容易被磁化和去磁化的材料。例如，SUL208可由软磁材料制成，包括但不限于Ni、NiFe(坡莫合金),Co,Fe、含Fe合金(例如NiFe(坡莫合金)、FeN、FeSiAl或FeSiAlN)、含Co合金(例如CoZr、CoZrCr、CoZrNb)或含Co-Fe合金(例如CoFeZrNb、CoFe、FeCoB和/或FeCoC)。SUL208的厚度可以例如大约为在一种实现中，SUL208具有充分饱和磁通密度(Bs)(例如100-1,920emu/cc)和低的各向异性(Hk)(例如达到大约200Oe)。在一种实现中，SUL208材料是非晶的，它在x射线衍射图中相比背景噪声不表现出占优势的尖峰。在另一实现中，SUL208包括由耦合层分隔的两个SUL层，以使这两个SUL层跨耦合层具有铁磁或反铁磁耦合。耦合层可由下列材料构成，包括但不限于Ru和Ru合金、Cr或Cr合金，并可大约为厚。
在一种实现中，下层204包括第一中间层210和第二中间层212，这些中间层由非磁性材料(例如Ru合金)制成。中间层210、212防止SUL208和磁性颗粒记录层214之间的相互作用。此外，中间层210、212促进磁性颗粒层214的微观结构和磁性质。例如，中间层210、212建立一六边形紧密堆积(HCP)结晶取向，这种结晶取向诱发磁性颗粒记录层214中的<002>生长取向，其中易磁化轴垂直于磁性颗粒记录层214的平面。
在一种实现中，磁性颗粒记录层214包括第一磁性颗粒记录层216和第二磁性记录层218，它们彼此毗邻并具有不同的磁性和/或本征性质。然而，在其它实现中，磁性颗粒记录层214可以是单个薄膜层或具有由薄的非磁性间隔层隔开的多个磁性薄膜的叠层结构。磁性颗粒记录层214的总膜厚可以是例如大约
磁性颗粒记录层214是数据存储层。在一种实现中，磁性颗粒记录层214是硬磁材料，该硬磁材料既不磁化也不轻易地去磁化。磁性颗粒记录层214具有颗粒结构，该颗粒结构包括由在颗粒边界处的非磁性物质隔开的磁性晶粒。在一种实现中，磁性晶粒由磁合金制成，例如Co合金，其具有一种或多种元素，包括但不限于Cr、Pt、Ni、Ta、B、Nb、O、Ti、Si、Mo、Cu、Ag、Ge和Fe。非磁性物质可以是氧化物，包括但不限于SiO2、TiO2、CoO、Cr2O3和Ta2O5、WO3、Nb2O5、B2O3或这些氧化物的混合物。磁性晶粒表现出垂直的磁各向异性。薄膜中的结晶各向异性可以是例如大约0-25k Oe。
磁性颗粒记录层214与双连续层224垂直地交换耦合。在一种实现中，双连续层224是包括第一连续层220和第二连续层222的薄膜。第一连续层220被设置在磁性颗粒记录层214和第二连续层222之间。然而，第一连续层220不一定毗邻于磁性颗粒记录层214和/或第二连续层222，并可以有附加的层。连续层220、222表现出高的垂直磁化各向异性并具有连续横向延伸的交换耦合。连续层220、222中的每一个在层中具有强的横向交换耦合。第一连续层220具有适中横向交换耦合，它高于磁性颗粒记录层214的横向交换耦合。第二连续层222具有比第一连续层220更高的横向交换耦合。双连续层224允许大范围地调谐连续层220、222与磁性颗粒记录层214之间的垂直交换耦合，同时双连续层224的总厚度导致最大机械性能以及最小间隔损失。此外，第二连续层222的较高横向交换耦合提供读取时的较高振幅和对磁性颗粒记录层214增加的垂直交换耦合，这增加了介质记录位错误率和线密度。
在一种实现中，具有适中横向交换耦合的第一连续层220的厚度大于具有较高横向交换耦合的第二连续层222的厚度。例如，第一连续层220可具有大约的厚度，而第二连续层222可具有大约的厚度。在另一实现中，第一连续层220的厚度在范围内，而第二连续层222的厚度在范围内。另外，对于第二连续层222，随着第二连续层222的厚度增加，矫顽力场Hc减小并且磁化厚度积Mrt增加。
此外，在一种实现中，第二连续层222具有大于第一连续层220的饱和磁化的饱和磁化(MS)。例如，第一连续层220可具有大约10-800emu/cm3的饱和磁化，并且第二连续层222可具有大约100-1200emu/cm3的饱和磁化。在另一实现中，第一连续层220具有在100-600emu/cm3范围内的饱和磁化，而第二连续层222具有在200-1000emu/cm3范围内的饱和磁化。在又一实现中，第一连续层220具有在200-500emu/cm3范围内的饱和磁化，而第二连续层222具有在400-900emu/cm3范围内的饱和磁化。
在一种实现中，第一连续层220和第二连续层222可具有不同的材料成分。例如，第一连续层220可包括含Co的合金的材料，该材料具有一种或多种元素，包括但不限于Cr、Pt、Ni、Ta、B、Nb、O、Ti、Si、Mo、Cu、Ag、Ge和Fe。第二连续层222可包括含Co的合金的材料，该材料具有一种或多种元素，包括但不限于Cr、Pt、Ni、Ta、B、Nb、O、Ti、Si、Mo、Cu、Ag、Ge、Fe。在一种实现中，第一连续层112包括具有低于70原子百分比的Co原子浓度的材料，而第二连续层114包括具有高于70原子百分比的Co原子浓度的材料。然而，也考虑其它浓度和材料。
在一种实现中，覆层230包括保护层226和润滑层228。保护层226保护垂直磁化记录叠层200在写和读过程中不受头的碰撞。在一种实现中，保护层226具有金刚石状结构并由非晶碳材料制成，其进一步包括例如氢、氮、组合离子束沉积、利用化学气体或混合物的离子束沉积。润滑层228提高了头和垂直磁性记录叠层200之间的润滑性。润滑层228可以是例如聚全氟甲基异丙基醚(PFPE)膜。
图3示出制造具有双连续层的垂直磁性记录叠层的示例性操作300。
SUL成形操作302在衬底上形成SUL。在一种实现中，衬底由非磁性材料制成，例如非磁性金属或合金(例如在沉积表面上的Al、基于Al的合金以及具有NiP镀层的AlMg以增加硬度)、玻璃、陶瓷、玻璃-陶瓷、聚合材料或组合物或类似材料的叠层。
SUL成形操作302将SUL沉积在衬底上。在一种实现中，SUL是非晶的并可由软磁材料制成，包括但不限于Ni、NiFe(坡莫合金),Co,Fe、含Fe合金(例如NiFe(坡莫合金)、FeN、FeSiAl或FeSiAlN)、含Co合金(例如CoZr、CoZrCr、CoZrNb)或含Co-Fe合金(例如CoFeZrNb、CoFe、FeCoB和/或FeCoC)。SUL成形操作302沉积SUL以使厚度例如大约为
在一种实现中，SUL成形操作302包括在沉积SUL之前在衬底上沉积非晶粘合层。SUL成形操作302沉积粘合层，例如使得该厚度达到大约厚，并且材料成分包括Ti、基于Ti的合金、Cr或基于Cr的合金。SUL成形操作302可进一步包括沉积附加的非磁性叠层。
中间层成形操作304将一个或多个中间层沉积在SUL上。在一种实现中，一个或多个中间层由具有<002>生长取向的非磁性材料(例如Ru合金)制成。
磁性层成形操作306在一个或多个中间层之上形成一个或多个磁性存储层。在一种实现中，磁性层成形操作306将一个或多个磁性存储层沉积在中间层上以使一个或多个磁性存储层以HCP<002>生长取向生长。一个或多个磁性存储层可以是多个毗邻层、单个薄膜层或具有由薄的非磁性间隔层隔开的多个磁性薄膜的叠层结构。在一种实现中，磁性层成形操作306沉积一个或多个磁性存储层以使总膜厚例如大约为此外，磁性层成形操作306沉积一个或多个磁性存储层以形成构造隔开的微观结构，它包括在晶粒边界处通过非磁性材料隔开的磁性晶粒。在一种实现中，磁性晶粒由磁合金制成，例如Co合金，其具有一种或多种元素，包括但不限于Cr、Pt、Ni、Ta、B、Nb、O、Ti、Si、Mo、Cu、Ag、Ge和Fe。非磁性材料可以是氧化物，包括但不限于SiO2、TiO2、CoO、Cr2O3和Ta2O5、WO3、Nb2O5、B2O3或这些氧化物的混合物。磁性晶粒表现出垂直的磁各向异性。薄膜中的结晶各向异性可以是例如大约0-25k Oe。
第一连续层成形操作308在一个或多个磁性存储层之上与衬底毗邻地形成第一连续层。第一连续层成形操作308沉积第一连续层以使适中横向交换耦合存在，该适中横向交换耦合高于一个或多个磁性存储层的横向交换耦合。在一种实现中，第一连续层成形操作308沉积具有大约厚度的第一连续层。在另一实现中，第一连续层以大约的厚度被沉积。此外，第一连续层成形操作308在一种实现中沉积第一连续层以使该第一连续层具有大约10-800emu/cm3的饱和磁化。在另一实现中，第一连续层被沉积以使其具有100-600emu/cm3的饱和磁化。在另一实现中，第一连续层被沉积以使其具有范围在200-500emu/cm3内的饱和磁化。第一连续层成形操作308沉积第一连续层以形成例如含Co的合金的材料，该材料具有一种或多种元素，包括但不限于Cr、Pt、Ni、Ta、B、Nb、O、Ti、Si、Mo、Cu、Ag、Ge和Fe。在一种实现中，第一连续层成形操作308沉积第一连续层以形成具有低于70原子百分比的Co原子浓度的材料。然而，也考虑其它浓度和材料。
第二连续层成形操作310在第一连续层之上在衬底远端形成第二连续层。第二连续层成形操作310沉积第二连续层以使其具有后比第一连续层更高的横向交换耦合。在一种实现中，第二连续层成形操作310以小于第一连续层厚度的厚度沉积第二连续层。例如，在一种实现中，第二连续层成形操作310沉积具有大约厚度的第二连续层。在另一实现中，第二连续层以大约的厚度被沉积。此外，在一种实现中，第二连续层成形操作310沉积第二连续层以使第二连续层具有比第一连续层的饱和磁化更大的饱和磁化(MS)。例如，在一种实现中，第二连续层被沉积以使其具有大约100-1200emu/cm3的饱和磁化。在另一实现中，第二连续层被沉积以使其具有200-1000emu/cm3的饱和磁化。在又一实现中，第二连续层被沉积以使其具有大约400-900emu/cm3的饱和磁化。第二连续层成形操作310沉积第二连续层以形成例如含Co的合金的材料，该材料具有一种或多种元素，包括但不限于Cr、Pt、Ni、Ta、B、Nb、O、Ti、Si、Mo、Cu、Ag、Ge和Fe。在一种实现中，第二连续层成形操作310沉积第二连续层以形成具有高于70原子百分比的Co原子浓度的材料。然而，也考虑其它浓度和材料。
覆层成形操作312在第二连续层之上形成覆层。在一种实现中，覆层成形操作312在第二连续层上沉积非晶碳合金结构和聚合物润滑剂。
操作300可包括附加的和/或更少的操作并可以任何顺序被执行。
前面的说明、示例和数据给出本发明的示例性实施例的结构和用途的完整描述。可作出本发明的许多实现方式而不脱离本发明的精神和范围。此外，不同实现的结构特征在又一实现中可被组合而不背离所述权利要求书。上述实现以及其它实现落在所附权利要求的范围内。

Claims (20)

1.一种磁性记录叠层，包括：
衬底；
设置在所述衬底上的一个或多个磁性颗粒记录层，所述一个或多个磁性颗粒记录层中的每一个具有横向交换耦合；
具有适中横向交换耦合的第一连续层，所述适中横向交换耦合比所述一个或多个磁性颗粒记录层的横向交换耦合更高；以及
具有比所述第一连续层的横向交换耦合更高的横向交换耦合的第二连续层，其中所述第一连续层被设置在所述一个或多个磁性颗粒记录层与所述第二连续层之间。
2.如权利要求1所述的磁性记录叠层，其特征在于，还包括：
设置在所述衬底与所述一个或多个磁性颗粒记录层之间的一个或多个下层。
3.如权利要求1所述的磁性记录叠层，其特征在于，还包括：
设置在所述第二连续层之上的覆层。
4.如权利要求1所述的磁性记录叠层，其特征在于，所述一个或多个下层包括软磁下层、粘合层以及一个或多个中间层。
5.如权利要求1所述的磁性记录叠层，其特征在于，所述第一连续层的厚度大于所述第二连续层的厚度。
6.如权利要求1所述的磁性记录叠层，其特征在于，所述第二连续层的饱和磁化大于所述第一连续层的饱和磁化。
7.如权利要求1所述的磁性记录叠层，其特征在于，所述第一连续层和所述第二连续层的材料成分包括具有从下组中选取的一种或多种元素的Co合金：Cr、Pt、Ni、Ta、B、Nb、O、Ti、Mo、Cu、Ag、Ge和Fe。
8.一种磁性记录叠层，包括：
衬底；
设置在所述衬底上的一个或多个磁性颗粒记录层，所述一个或多个磁性颗粒记录层中的每一个具有横向交换耦合；
具有适中横向交换耦合的第一连续层，所述适中横向交换耦合比所述一个或多个磁性颗粒记录层的横向交换耦合更高；以及
具有比所述第一连续层的横向交换耦合更高的横向交换耦合的第二连续层，其中所述第一连续层的厚度大于所述第二连续层的厚度并且所述第二连续层的饱和磁化高于所述第一连续层的饱和磁化。
9.如权利要求8所述的磁性记录叠层，其特征在于，所述第一连续层的厚度在之间，而所述第二连续层的厚度在之间。
10.如权利要求8所述的磁性记录叠层，其特征在于，所述第一连续层的厚度在之间，而所述第二连续层的厚度在之间。
11.如权利要求8所述的磁性记录叠层，其特征在于，所述第一连续层的饱和磁化在10-800emu/cm3之间，而所述第二连续层的饱和磁化在100-1200emu/cm3之间。
12.如权利要求8所述的磁性记录叠层，其特征在于，所述第一连续层的饱和磁化在100-600emu/cm3之间，而所述第二连续层的饱和磁化在200-1000emu/cm3之间。
13.如权利要求8所述的磁性记录叠层，其特征在于，所述第一连续层的饱和磁化在200-500emu/cm3之间，而所述第二连续层的饱和磁化在400-900emu/cm3之间。
14.如权利要求8所述的磁性记录叠层，其特征在于，所述第一连续层和所述第二连续层的材料成分包括具有从下组中选取的一种或多种元素的Co合金：Cr、Pt、Ni、Ta、B、Nb、O、Ti、Mo、Cu、Ag、Ge和Fe。
15.一种方法，包括：
在衬底上沉积一个或多个下层；
在一个或多个下层上沉积一个或多个磁性颗粒记录层，所述一个或多个磁性颗粒记录层各自具有横向交换耦合；
在所述一个或多个磁性颗粒记录层上沉积第一连续层，所述第一连续层具有比所述一个或多个磁性颗粒记录层的横向交换耦合更高的适中横向交换耦合；以及
在所述第一连续层上沉积第二连续层，所述第二连续层具有比所述第一连续层的横向交换耦合更高的横向交换耦合。
16.如权利要求15所述的方法，其特征在于，还包括：
在所述第二连续层上沉积覆层。
17.如权利要求15所述的方法，其特征在于，所述第一连续层的厚度大于所述第二连续层的厚度。
18.如权利要求15所述的方法，其特征在于，所述第二连续层的饱和磁化高于所述第一连续层的饱和磁化。
19.如权利要求15所述的方法，其特征在于，所述第一连续层和所述第二连续层的材料成分包括具有从下组中选取的一种或多种元素的Co合金：Cr、Pt、Ni、Ta、B、Nb、O、Ti、Mo、Cu、Ag、Ge和Fe。
20.如权利要求15所述的方法，其特征在于，所述第一连续层的厚度在之间，而所述第二连续层的厚度在之间，其中所述第一连续层的饱和磁化在10-800emu/cm3之间而所述第二连续层的饱和磁化在100-1200emu/cm3之间。
CN201280051490.7A 2011-08-25 2012-08-23 具有双连续层的记录叠层 Pending CN103918031A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/217,531 2011-08-25
US13/217,531 US20130052485A1 (en) 2011-08-25 2011-08-25 Recording stack with a dual continuous layer
PCT/US2012/051994 WO2013028825A1 (en) 2011-08-25 2012-08-23 Recording stack with a dual continuous layer

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN103918031A true CN103918031A (zh) 2014-07-09

Family

ID=47744154

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201280051490.7A Pending CN103918031A (zh) 2011-08-25 2012-08-23 具有双连续层的记录叠层

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20130052485A1 (zh)
JP (1) JP2014524633A (zh)
KR (1) KR20140053365A (zh)
CN (1) CN103918031A (zh)
SG (1) SG11201400181WA (zh)
WO (1) WO2013028825A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9672856B1 (en) * 2015-11-19 2017-06-06 HGST Netherlands B.V. Perpendicular magnetic recording media with lateral exchange control layer
US9990951B2 (en) * 2016-02-23 2018-06-05 Seagate Technology Llc Perpendicular magnetic recording with multiple antiferromagnetically coupled layers

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1941090A (zh) * 2005-09-27 2007-04-04 株式会社东芝 磁记录介质和磁记录装置
US20080070065A1 (en) * 2006-09-14 2008-03-20 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Perpendicular magnetic recording medium with an exchange-spring recording structure and a lateral coupling layer for increasing intergranular exchange coupling
US20090011281A1 (en) * 2007-07-04 2009-01-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Perpendicular magnetic recording medium and magnetic recording apparatus
US20090226763A1 (en) * 2005-06-13 2009-09-10 Showa Denko K.K. Perpendicular magnetic recording medium, production process thereof, and magnetic recording and reproducing apparatus

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6468670B1 (en) * 2000-01-19 2002-10-22 International Business Machines Corporation Magnetic recording disk with composite perpendicular recording layer
JP2007273057A (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Fujitsu Ltd 垂直磁気記録媒体および磁気記憶装置
WO2007114400A1 (ja) * 2006-03-31 2007-10-11 Hoya Corporation 垂直磁気記録媒体の製造方法
US8592061B2 (en) * 2006-09-29 2013-11-26 Wd Media (Singapore) Pte. Ltd. Magnetic recording medium with controlled grain diameters
WO2008099859A1 (ja) * 2007-02-13 2008-08-21 Hoya Corporation 磁気記録媒体、磁気記録媒体の製造方法、及び磁気ディスク
WO2008149812A1 (ja) * 2007-05-30 2008-12-11 Hoya Corporation 垂直磁気記録媒体および垂直磁気記録媒体の製造方法
US20090080110A1 (en) * 2007-09-24 2009-03-26 Andreas Berger Perpendicular recording magnetic media with imbalanced magnetic moment multilayer cap structure
US8603649B2 (en) * 2007-10-07 2013-12-10 Wd Media (Singapore) Pte. Ltd. Perpendicular magnetic recording medium
US8114470B2 (en) * 2008-11-26 2012-02-14 Seagate Technology Llc Reduced spacing recording apparatus

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090226763A1 (en) * 2005-06-13 2009-09-10 Showa Denko K.K. Perpendicular magnetic recording medium, production process thereof, and magnetic recording and reproducing apparatus
CN1941090A (zh) * 2005-09-27 2007-04-04 株式会社东芝 磁记录介质和磁记录装置
US20080070065A1 (en) * 2006-09-14 2008-03-20 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Perpendicular magnetic recording medium with an exchange-spring recording structure and a lateral coupling layer for increasing intergranular exchange coupling
US20090011281A1 (en) * 2007-07-04 2009-01-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Perpendicular magnetic recording medium and magnetic recording apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
KR20140053365A (ko) 2014-05-07
SG11201400181WA (en) 2014-05-29
WO2013028825A1 (en) 2013-02-28
US20130052485A1 (en) 2013-02-28
JP2014524633A (ja) 2014-09-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6893748B2 (en) Soft magnetic film for perpendicular recording disk
JP5892213B2 (ja) 磁気記録方法
CN1845241B (zh) 垂直磁记录介质
CN103854674B (zh) 具有减小的磁头保持间距、头介质间距或头到软底层间距的记录介质
CN101197138B (zh) 具有含粒间交换增强层的多层记录结构的垂直磁记录介质
CN100468525C (zh) 磁记录介质的制造
JP2009059402A (ja) 垂直磁気記録媒体及びそれを用いた磁気記録再生装置
JP2012053969A (ja) 垂直磁気記録媒体
JP2009289360A (ja) 垂直磁気記録媒体及び磁気記憶装置
CN102682789A (zh) 包括零磁性层的叠层
US20090109579A1 (en) Magnetic recording medium, manufacturing method thereof and magnetic storage apparatus
JP2012027989A (ja) 垂直磁気記録媒体
CN101246699A (zh) 垂直磁记录介质、其制造方法和磁记录设备
KR20120062801A (ko) 신뢰성 있는 기입성 및 삭제성을 가진 자기 기록 매체
CN103918031A (zh) 具有双连续层的记录叠层
CN103456320A (zh) 磁记录介质及磁存储装置
JP2012226792A (ja) 磁気記録媒体
JP5677789B2 (ja) 磁気記録媒体及び磁気記録再生装置
JP2009252308A (ja) 垂直磁気記録媒体
KR100601938B1 (ko) Ｃｏ계 수직자기기록매체
JP2004310944A (ja) 垂直磁気記録媒体および磁気記憶装置
CN101169939B (zh) 垂直磁记录介质及其制造方法以及磁记录系统
US10020015B2 (en) Magnetic medium having multilayered servo layer and method of forming the same
JP2005044415A (ja) 磁気記録媒体及び磁気記録媒体の製造方法
JP2010238331A (ja) 垂直磁気記録媒体

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20140709