CN103889595A - 导电膜的涂覆中各向异性的减小 - Google Patents

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Abstract

本文中提供了形成导电膜的方法，该方法包括：提供涂覆溶液，所述涂覆溶液具有多个导电纳米结构和流体载体；在机器方向上移动网状件；通过在移动的所述网状件上沉积所述涂覆溶液形成湿膜，其中所述湿膜具有平行于所述机器方向延伸的第一维度和与所述机器方向垂直的第二维度；沿所述第二维度在所述湿膜上施加气流，从而所述湿膜中所述导电纳米结构的至少一些被再定向；以及允许所述湿膜变干，以提供所述导电膜。

Description

导电膜的涂覆中各向异性的减小
相关申请的交叉引用
本申请根据35U.S.C.§119（e）要求于2012年7月1日提交的第61/504,021号美国临时申请、于2011年9月2日提交的第61/530,814号美国临时专利申请的权益，这些申请的全部内容通过引用并入本文。
背景技术
导电纳米结构（由于其亚微米尺寸）能够形成薄导电膜。通常薄导电膜是光学透明的，所以其也被称为“透明导体”。共同待决且共同所有的第11/504,822号、第11/871,767号、以及第11/871,721号美国专利申请描述了透明导体，其通过互连各向异性的导电纳米结构如金属纳米线形成。基于纳米结构的透明导体作为透明电极是特别有用的，如与电色显示器（包括平板显示器和触摸屏）中薄膜晶体管相联接的透明电极。另外，基于纳米结构的透明导体作为滤色器和偏振器等上的涂覆层时也是合适的。上述共同待决申请的全部内容通过引用并入本文。
为制备导电膜或纳米结构网络层，纳米结构的液态分散体可沉积在基底上，然后进行干化或固化过程。液态分散体还被称为“墨水组合物”或“墨水制剂”。墨水组合物通常包括纳米结构（例如金属纳米线）和液态载体（或分散剂）。还可存在可选的试剂（如粘合剂、粘度调节剂、和/或表面活性剂），以便于纳米结构的分散和/或纳米结构在基底上的固定。
具有纳米结构网络层的薄膜在墨水沉积后并在分散剂至少部分地变干或蒸发之后形成。纳米结构网络层因此包括纳米结构，其中纳米结构随机分布并且彼此互连且与墨水组合物的非挥发性组分（包括例如粘合剂、粘度调节剂以及表面活性剂）互连。
如在上文引用的共同所有的第11/504,822号美国专利申请中公开的，卷对卷网状件涂覆适于用于透明导体的制造的这种基于溶液的沉积（涂覆）过程。具体地，网状件涂覆在柔性基底（“网状件”）上产生大体一致且可再产的导电膜。合适的卷对卷沉积过程可包括但不限于狭缝模具过程、凹印过程、反向凹印过程、微型凹印过程、反向卷过程以及迈尔棒过程。存在对进一步增强导电膜的一致性和再现性的需要。
发明内容
一实施方式提供了形成导电膜的方法，该方法包括：
提供涂覆溶液，所述涂覆溶液具有多个导电纳米结构和流体载体；
在机器方向上移动网状件；
通过在移动的所述网状件上沉积所述涂覆溶液形成湿膜，其中所述湿膜具有平行于所述机器方向延伸的第一维度和与所述机器方向垂直的第二维度；
沿所述第二维度在所述湿膜上施加气流，从而所述湿膜中所述导电纳米结构的至少一些被再定向；以及
允许所述湿膜变干，以提供所述导电膜。
另一实施方式提供了根据上述方法形成的导电膜，其中当沿第一维度的第一薄层电阻（RMD）和沿第二维度的第二薄层电阻（RTD）在导电膜上给定地点处被测量时，第二薄层电阻与第一薄层电阻的比率（RTD/RMD）定义了薄层电阻的各向异性，并且该各向异性小于2、或小于1.5、或小于1.4、或小于1.2。
又一实施方式提供了一种导电膜，其中各向异性在第二维度上的多个地点处被测量，以提供最大各向异性和最小各向异性，其中最大各向异性与最小各向异性之差小于最小各向异性的25%、或小于最小各向异性的20%、或小于最小各向异性的15%、或小于最小各向异性的10%、或小于最小各向异性的5%。
另一实施方式提供了形成导电膜的方法，该方法包括：
形成湿膜，所述湿膜具有多个导电纳米结构和流体载体并具有第一维度和与所述第一维度垂直的第二维度；以及
沿所述第二维度在所述湿膜上施加气流，从而所述湿膜中所述导电纳米结构的至少一些被再定向。
又一实施方式提供了一种导电膜，其包括多个导电纳米结构，其中所述导电膜的第一维度垂直于所述导电膜的第二维度并且沿所述第一维度的第一薄层电阻（RMD）和沿所述第二维度的第二薄层电阻（RTD）在所述导电膜上给定地点处被测量，并且所述第二薄层电阻与所述第一个薄层电阻的比率（RTD/RMD）定义了所述薄层电阻的各向异性，所述各向异性小于2、或小于1.5、或小于1.4、或小于1.2。
附图说明
图1示出了通过穿过网状件的气流减少薄层电阻的各向异性的基本构思；
图2示出了作为位置的函数的各向异性减小（样本A为利用穿过网状件的气流制造的，样本B为没有利用穿过网状件的气流制造的对照样本）；
图3A和图3B示出了没有穿过网状件的气流而沉积的纳米线的显微照片（A）和具有穿过网状件的气流而沉积的纳米线的显微照片（B）；
图4是使用气管作为通道设备的穿过网状件的气流的示意性实施；
图5是在湿膜的整个宽度上提供基本一致气流量的气管的侧视图。
具体实施方式
在卷对卷涂覆过程中，被涂覆的基底移动的方向在本文中被称为机器方向（“MD”）。与MD垂直（即，成直角）的方向被称为穿过网状件的方向或横向方向（“TD”）。在纳米线的墨水组合物的卷对卷沉积期间，已观察到沉积的纳米线可表现出与横向方向相比增大的在机器方向上排列的倾向。排列上的这种变化会导致与纳米线在横向方向上的连接范围相比纳米线在机器方向上具有更长的连接范围。这样可引起透明导体薄层电阻的各向异性，其中这种薄层电阻在机器方向（RMD）上比其在横向方向（RTD）上更低。
本文中提供了一种后沉积处理，以通过在纳米线溶液沉积之后立即施加穿过网状件的气流减小RMD与RTD之间的差别。据信在纳米线排列中观察到的各向异性是由于涂覆过程中涂覆珠或狭缝模具的切变而由纳米线的优先对准导致的。
MD上纳米线优先排列的减少可在湿膜沉积之后并当该膜仍然能够充分地流动以允许层流时被实现，而不是在沉积期间解决这种各向异性。如图1所示，湿膜或涂覆层（10）在机器方向（30）上形成在移动的网状件（20）上。在湿膜变干或固化之前，气流（40）从供气装置（50）（例如，气刀）在基本与机器方向（30）垂直的方向上被施加。可观察到气流可减小或除去可能发生在沉积期间的纳米线的任何优先排列。据信穿过湿膜的层流导致纳米线（尤其是之前已沿机器方向（即垂直于层流）排列的纳米线）某种程度的再定向。
因此，一实施方式提供了形成导电膜的方法，该方法包括：
（a）提供涂覆溶液，其中该涂覆溶液具有多个导电纳米结构和流体载体；
（b）在机器方向上移动网状件；
（c）通过在移动的网状件上沉积涂覆溶液形成湿膜，其中湿膜具有平行于机器方向延伸的第一维度和与机器方向垂直的第二维度；
（d）沿第二维度在湿膜上施加气流，从而湿膜中导电纳米结构的至少一些被再定向；以及
（e）允许湿膜变干，以提供导电膜。
在多种实施方式中，沉积步骤包括将涂覆溶液从储液器连续地压至移动的网状件上（即，通过狭缝模具方法）。
在另外的多种实施方式中，当湿膜沿机器方向移动时，气流被连续地施加。优选地，在湿膜被沉积之后立即施加气流，以保证湿膜能够充分地流动，以允许导电纳米结构将自身再定向。沉积与气流之间的时间间隔在某种程度上取决于液态载体的挥发性和量。对于基于水的涂覆溶液，气流将在沉积后5秒、或10秒、或20秒或30秒内开始。重要的是在施加气流的时候，膜还没有经历任何显著的变干并且因此纳米线仍可通过外部装置被再定向。
可通过本领域技术人员公知的任何装置供给气流。通常，气流源可以是例如位于移动的网状件一侧的气刀，或悬置在移动网状件上方的气道或气管。还如图2-图5所示，气流源可设计成在湿膜的整个宽度上（即，沿第二维度）提供一致的气流。然后允许湿膜充分地变干。
在没有后沉积处理的情况下，薄层电阻的各向异性（定义为TD薄层电阻与MD薄层电阻的比）可高达2。在根据本公开的多种实施方式中，薄层电阻的各向异性可小于2、或小于1.5、或小于1.4、或小于1.2。
位于与供气装置邻近一侧的层流（由于在该位置处具有更多的气流）通常比位于远离供气装置的侧向地点处的层流更强。因此，层流在纳米线的排列上的效果还可更明显，如图2中的图表所示。图2示出了样本A（没有穿过网状件的气流）和样本B（具有穿过网状件的气流）的作为测量地点的函数的薄层电阻的各向异性。右侧（与供气装置邻近的）的各向异性从2减小至1.2。左侧（远离供气装置）的各向异性仅从2减小至1.4。
在图2所示的设置中，标准的气刀优选地用于生成穿过被涂覆的膜的气流。更具体地，被导向穿过约15cm×1cm的矩形开口的吹风机位于被涂覆的膜的水平处，约距被涂覆的膜的边缘0.5mm至10mm。气流速度为0.l m/s至10m/s，优选为约1m/s。被涂覆的膜的宽度为30cm。如图2的图表所示，被涂覆的膜的各向异性从2或更大减小至1.5或更小，以产生具有不大于1.5的各向异性的银纳米线透明导体。
图3A和图3B示出了如通过纳米线微观排列证明的层流的效果。图3A示出了在没有气流处理的情况下导电膜的纳米线排列。如图所示，排列在机器方向（MD）上的纳米线比没有排列在机器方向上的纳米线更多，指示由于应变的优先排列。对于经受层流的纳米线，如图3B所示，由于纳米线的再定向，存在很少优先排列的证明。
因此，另一实施方式提供了导电膜，其中当在导电膜上给定地点处测量沿第一维度（即，机器方向）的第一薄层电阻和沿第二维度（即，横向方向）的第二薄层电阻时，第二薄层电阻与第一薄层电阻的比率定义了薄层电阻的各向异性，其中该各向异性小于2、或小于1.5、或小于1.4、或小于1.2、或在1-1.5的范围内、或在1.2-1.5的范围内、或在1.4-1.5的范围内。
沿MD的薄层电阻（RMD）和沿TD的薄层电阻（RTD）可通过以下方式测量，即，第一切割出被涂覆的膜的多个部分（例如每个5cm×5cm的部分），并通过两点探针测量。通常，两点探针具有间隔开2.5cm的两条导电橡胶（每个2.5cm长）。如本领域技术人员容易认识到的，其他尺寸也是合适的。
图2-图3还示出，在网状件的全宽度上提供具有恒定风速的穿过网状件的气流，以在网状件的宽度上在所有点处诱导更一致的各向异性减小会是存在一些优点的。
因此，在另一实施方式中，各向异性在第二维度上的多个地点处被测量，以提供最大各向异性和最小各向异性，其中最大各向异性与最小各向异性之差小于最小各向异性的25%。在其他实施方式中，最大各向异性与最小各向异性之差小于最小各向异性的20%、或小于最小各向异性的15%、或小于最小各向异性的10%、或小于最小各向异性的5%。
图4示出的是管式设备（100）的示意性设计，该管式设备（100）输送穿过网状件的气流，以帮助形成具有恒定速度但不接触网状件的气流。如图所示，湿膜（80）通过狭缝模具沉积装置（90）形成在网状件（60）上，其中网状件（60）在机器方向（70）上移动。在湿膜（80）变干或固化之前，气流（110）从气管（100）在基本与机器方向（70）垂直的方向上被施加。该管不直接接触网状件，以防止损坏或干扰湿涂覆。因为气密封件不可能安装在管与网状件之间，所以可能丢失一些气。为了修正这种损失，可修改管，以使得管的横截面在出口处比在入口处更小。
在网状件的涂覆线中管道可放置成靠近辊或靠近辊之间的平的区域。管可由任何合适的刚性材料（例如，铝）制造。优选地，管约为2.5cm宽、1cm高并延伸被涂覆的膜的宽度。管可具有半圆形横截面、方形横截面、矩形横截面、或其他形状的横截面。管的底部边缘优选放置成距被涂覆的膜的上表面约0.1mm至约10mm。如图4所示，在被涂覆的膜的边缘附近，管可在其开口处联接至供气源。用于交叉流动的气的供气源可以是吹风机、空气压缩机或其他交叉流动气源。
当使用刚性管时，为在被涂覆的膜的整个宽度上维持更恒定的气流，管内部的体积可沿其长度逐渐减小。图5中示出了这种结构的一个实施方式，图5是根据本公开的刚性管100的一个实施方式的侧视图。如图所示，管的横截面面积从管的近供气装置端120减小至管的远端140。供气装置端120优选联接至移动的供气装置，管160的上倾斜面封闭而管的下面（180）向涂覆膜（未示出）开放，该涂覆膜在管之下通过。
更广泛地说，薄层电阻的潜在的各向异性（不考虑引起各向异性的特殊因素）可通过涉及气流的方法被减小或除去。因此，另一实施方式提供了形成导电膜的方法，该方法包括：
（a）形成具有多个导电纳米结构和流体载体的湿膜，其中湿膜具有第一维度和与第一维度垂直的第二维度；以及
（b）沿第二维度在湿膜上施加气流，从而湿膜中导电纳米结构的至少一些被再定向；
在多种另外的实施方式中，该方法包括在施加气流之后允许湿膜变干以提供导电膜的步骤。
在更具体的实施方式中，湿膜连续形成在移动的基底上，该移动基底沿第一维度移动。在尤其优选的实施方式中，湿膜通过狭缝模具涂覆在卷对卷过程中形成。
在另外的实施方式中，当湿膜移动时，气流被连续地施加。
如此形成的导电膜的特性为具有小于2的各向异性（如本文中定义的）。在更具体的实施方式中，各向异性小于1.5、或小于1.4、或小于1.2、或在1-1.5的范围内、或在1.2-1.5的范围内，或在1.4-1.5的范围内。
因此，一实施方式提供了导电膜，该导电膜包括多个导电纳米结构，其中导电膜的第一维度垂直于导电膜的第二维度并且沿第一维度的第一薄层电阻（RMD）和沿第二维度的第二薄层电阻（RTD）在导电膜上给定地点处被测量，并且第二薄层电阻与第一个薄层电阻的比率（RTD/RMD）定义了薄层电阻的各向异性，该各向异性小于2、或小于1.5、或小于1.4、或小于1.2。
在多种其他实施方式中，在第二维度上的多个地点处测量了各向异性，以提供最大各向异性和最小各向异性，其中最大各向异性与最小各向异性之差小于最小各向异性的25%、或小于最小各向异性的20%、或小于最小各向异性的15%、或小于最小各向异性的10%、或小于最小各向异性的5%。
下面更详细地描述了各个部件。
导电纳米结构
总体来说，本文中描述的透明导体是具有导电纳米结构的薄导电膜。在透明导体中，通过纳米结构间的连续物理接触建立了一个或多个导电通路。当存在足够的纳米结构以到达电渗透阈值时，纳米结构的导电网络形成，电渗透阈值因此是重要的值，在该值以上可实现长距离连接性。
如本文中使用的，“导电纳米结构”或“纳米结构”泛指导电的纳米尺寸结构，其至少一个维度小于500nm，更优选小于250nm、100nm、50nm或25nm。
纳米结构可呈任何形状或几何形状。在某些实施方式中，纳米结构各向同性地成形（即，纵横比=1）。典型的各向同性纳米结构包括纳米粒子。在优选实施方式中，纳米结构各向异性地成形（即，纵横比≠1）。如本文中使用的，“纵横比”指的是纳米结构的长度与宽度（或直径）间的比率。各向异性的纳米结构通常具有沿其长度的纵向轴线。如本文中定义的，示例性各向异性的纳米结构包括纳米线和纳米管。
纳米结构可以是实芯的或中空的。实芯的纳米结构包括例如纳米粒子和纳米线。“纳米线”因此指的是实芯的各向异性纳米结构。通常，每个纳米线具有大于10的纵横比（长度：直径），该纵横比优选大于50、更优选大于100。通常，纳米线的长度大于500nm、大于lμm，或大于10μm。
中空的纳米结构包括例如纳米管。通常，纳米管具有大于10的纵横比（长度：直径），该纵横比优选大于50、更优选大于100。通常，纳米管的长度大于500nm、大于1μm，或大于10μm。
纳米结构可由任何导电材料形成。最通常的，导电材料是金属的。金属材料可以是单质金属（例如过渡金属）或金属化合物（例如金属氧化物）。金属材料还可以是双金属材料或金属合金，其包括两种或更多种金属。合适的金属包括但不限于银、金、铜、镍、镀金的银、铂以及钯。导电材料还可以非金属的，如碳或石墨（碳的同素异形体）。
导电膜
通过基于溶液的方法，导电膜首先通过在基底上沉积墨水组合物而形成为湿膜，其中该墨水组合物包括多个纳米结构和液态载体。当湿膜的液态载体（挥发性组分）充分变干时，导电膜被形成。导电膜包括随机分布并彼此互连的纳米结构。当纳米结构的数目到达渗透阈值时，薄膜是导电的。因此，除非另外指明，如本文中使用的，“导电膜”指的是纳米结构网络层，该纳米结构网络层由与墨水组合物的任何非挥发性组分（包括例如以下中一个或多个：粘度调节剂、表面活性剂和防蚀剂）结合的网络与渗透纳米结构形成。
用于分散的液态载体可以是水、酒精、酮或其组合。示例性酒精可包括异丙醇（IPA）、乙醇、双丙酮醇（DAA）或IPA和DAA的组合。示例性酮可包括甲基乙基酮（MEK）和甲基丙基甲酮（MPK）。
表面活性剂用来减小纳米结构和/或光散射材料的聚集。合适的表面活性剂的代表性示例包括氟表面活性剂如ZONYL
Figure BDA0000470517060000091
表面活性剂，包括ZONYL
Figure BDA0000470517060000092
FSN、ZONYL
Figure BDA0000470517060000093
FSO、ZONYL
Figure BDA0000470517060000094
FSA、ZONYL
Figure BDA0000470517060000095
FSH（DuPontChemicals（杜邦化学），威明顿，DE）、以及NOVECTM（3M，圣保罗，MN）。其他示例性表面活性剂包括基于烷基酚聚氧乙烯醚的非离子型表面活性剂。优选的表面活性剂包括例如辛基酚乙氧基化物如TRITONTM（×100、×114、×45），以及羟乙基壬基酚酯如TERGITOLTM（Dow ChemicalCompany（陶氏化学公司）、Midland MI）。另外的示例性非离子型表面活性剂包括炔基表面活性剂如DYNOL
Figure BDA0000470517060000096
（604、607）（Air Products andChemicals，Inc.（空气化工产品有限公司），阿伦敦，PA）和n-十二烷基β-D-麦芽糖苷。
粘度调节剂作为将纳米结构固定在基底上的粘合剂。合适的粘度调节剂的示例包括羟丙基甲基纤维素（HPMC）、甲基纤维素、黄原胶、聚乙烯醇、羟甲基化纤维素、以及羟乙基纤维素。
在具体实施方式中，涂覆溶液中表面活性剂与粘度调节剂的重量比优选为约80：1至约0.01：1；粘度调节剂与导电纳米结构的重量比优选为约5：1至约0.000625：1；以及导电纳米结构与表面活性剂的重量比优选为约560：1至约5：1。取决于所使用的应用的方法和基底，可修改涂覆溶液组分的比率。用于涂覆溶液的优选粘性范围在约1cP和100cP之间。
导电膜的导电性经常通过“薄层电阻”进行测量，其表示为欧姆/方（或“ohm/sq”）。薄层电阻至少是表面负荷密度、纳米结构的尺寸/形状、以及纳米结构成分的内在电性能的函数。如本文中所使用的，如果薄膜具有不高于108ohm/sq的薄层电阻，则其被认为是导电的。优选地，薄层电阻不高于104ohm/sq、3,000ohm/sq、1,000ohm/sq、或350ohm/sq、或100ohm/sq。通常，由金属纳米结构形成的导电网络的薄层电阻为10ohm/sq至1000ohm/sq、100ohm/sq至750ohm/sq、50ohm/sq至200ohm/sq、100ohm/sq至500ohm/sq、100ohm/sq至250ohm/sq、10ohm/sq至200ohm/sq、10ohm/sq至50ohm/sq、或1ohm/sq至100ohm/sq。对于本文中描述的光电设备，薄层电阻通常小于20欧姆/方、小于15欧姆/方、或小于10欧姆/方。
光学上，基于纳米结构的透明导体具有在可见光区（400nm-700nm）的高透光率。通常，当透光率在可见区中大于70%、或更通常大于85%时，透明导体在光学上被认为是清楚的。更优选地，透光率大于90%、大于93%、或大于95%。如本文中使用的，除非另外指明，导电膜是光学透明的（例如，透光率大于70%）。因此，术语透明导体，透明导电膜、层或涂覆层，导电膜、层或涂覆层，以及透明电极可互换地使用。
本说明书中引用的或申请数据页中列出的所有美国专利、美国专利申请公开、美国专利申请、外国专利、国外专利申请以及非专利出版物的全部内容通过引用并入本文。
根据以上描述，虽然为了说明的目的本文中已经描述了本发明的具体实施方式，但是可以在不背离本发明的范围和精神的情况下做出多种修改。因此，本发明并非旨在被限制，而仅由后附权利要求书限制。

Claims (23)

1.一种形成导电膜的方法，包括：
提供涂覆溶液，所述涂覆溶液具有多个导电纳米结构和流体载体；
在机器方向上移动网状件；
通过在移动的所述网状件上沉积所述涂覆溶液形成湿膜，其中所述湿膜具有平行于所述机器方向延伸的第一维度和与所述机器方向垂直的第二维度；
沿所述第二维度在所述湿膜上施加气流，从而所述湿膜中所述导电纳米结构的至少一些被再定向；以及
允许所述湿膜变干，以提供所述导电膜。
2.根据权利要求1所述的方法，其中形成湿膜的步骤包括将所述涂覆溶液从储液器连续压到移动的所述网状件上。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述形成湿膜的步骤包括狭缝模具涂覆。
4.根据权利要求1所述的方法，其中当所述湿膜沿所述机器方向移动时，所述气流被连续地施加。
5.根据权利要求4所述的方法，其中所述气流在沉积所述涂覆溶液之后30秒内被施加。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中所述气流来源于沿移动的所述网状件的一侧的气源。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中所述气流来源于气道，所述气道悬置在移动的所述网状件上方并垂直于所述机器方向延伸。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其中所述涂覆溶液包括多个银纳米线、粘度调节剂以及水。
9.一种通过权利要求1至8中任一项所述的方法制备的导电膜。
10.根据权利要求9所述的导电膜，其中当在所述导电膜上的给定地点处测量沿所述第一维度的第一薄层电阻（RMD）和沿所述第二维度的第二薄层电阻（RTD）时，所述第二薄层电阻与所述第一薄层电阻的比率（RTD/RMD）定义所述薄层电阻的各向异性，并且所述各向异性小于2、或小于1.5、或小于1.4、或小于1.2。
11.根据权利要求10所述的导电膜，其中所述各向异性为1至1.5、或1.2至1.5、或1.4至1.5。
12.根据权利要求10所述的导电膜，其中所述各向异性在所述第二维度上的多个地点处被测量，以提供最大各向异性和最小各向异性，并且所述最大各向异性与所述最小各向异性之差小于所述最小各向异性的25%。
13.根据权利要求12所述的导电膜，其中所述最大各向异性与所述最小各向异性之差小于所述最小各向异性的20%、或小于所述最小各向异性的15%、或小于所述最小各向异性的10%，或小于所述最小各向异性的5%。
14.一种形成导电膜的方法，包括：
形成湿膜，所述湿膜具有多个导电纳米结构和流体载体、并具有第一维度和与所述第一维度垂直的第二维度；以及
沿所述第二维度在所述湿膜上施加气流，从而所述湿膜中所述导电纳米结构的至少一些被再定向。
15.根据权利要求14所述的方法，还包括：在施加所述气流之后，允许所述湿膜变干，以提供所述导电膜。
16.根据权利要求14至15中任一项所述的方法，其中所述湿膜连续地形成在移动的基底上，所述移动的基底沿所述第一维度移动。
17.根据权利要求14至16中任一项所述的方法，其中所述湿膜通过狭缝模具涂覆形成。
18.根据权利要求14至17中任一项所述的方法，其中在所述湿膜移动时所述气流被连续地施加。
19.一种通过权利要求14至18中任一项所述的方法制备的导电膜。
20.一种导电膜，包括多个导电纳米结构，其中所述导电膜的第一维度垂直于所述导电膜的第二维度，并且沿所述第一维度的第一薄层电阻（RMD）和沿所述第二维度的第二薄层电阻（RTD）在所述导电膜上给定地点处被测量，并且所述第二薄层电阻与所述第一个薄层电阻的比率（RTD/RMD）定义了所述薄层电阻的各向异性，所述各向异性小于2、或小于1.5、或小于1.4、或小于1.2。
21.根据权利要求20所述的导电膜，其中所述各向异性为1至1.5、或1.2至1.5、或1.4至1.5。
22.根据权利要求20所述的导电膜，其中所述各向异性在所述第二维度上的多个地点处被测量，以提供最大各向异性和最小各向异性，并且所述最大各向异性与所述最小各向异性之差小于所述最小各向异性的25%。
23.根据权利要求22所述的导电膜，其中所述最大各向异性与所述最小各向异性之差小于所述最小各向异性的20%、或小于所述最小各向异性的15%、或小于所述最小各向异性的10%，或小于所述最小各向异性的5%。
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Denomination of invention: Anisotropy reduction in coating of conductive films

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