CN103885285A - 一种针对光刻版图接触孔热点的检查方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种针对光刻版图接触孔热点的检查方法，根据接触孔与相应互连线的包围值对原始接触孔进行分类，并对分类后的接触孔覆盖一一对应的矩形作为分类标记，然后对不同类型的接触孔进行不同规格的最小叠对面积检查，最终在光刻版图的设计中实现更加精确的光刻工艺友善性检查，同时能更精确地找到光刻版图设计中的接触孔接触不良的工艺热点。

Description

一种针对光刻版图接触孔热点的检查方法

技术领域

本发明涉及可制造性图形设计领域，具体涉及一种针对光刻版图接触孔热点的检查方法。

背景技术

目前，接触孔热点的检查方法是对互连线和接触孔分别进行工艺偏差模拟，然后检查叠对面积百分比，用统一规格标准判定接触孔的接触情况，这种检查方法完全依赖模型模拟，没有考虑到模型本身的缺陷（特别是对于二维图形的模拟误差会偏大，因此，检查到的工艺热点不能很好的反应实际硅片上的问题严重程度，会对生产部门判定和解决最重要的工艺热点造成干扰。

在工艺偏差模拟的过程中，有些热点的模拟结果和硅片结果匹配较好，而有些热点的模拟结果和硅片结果匹配不佳，硅片的实际图形相比模拟结果更加糟糕，即叠对面积百分比小于模拟值；可能是因为这些热点位于细线的头上而且周围图形密集，二维效应明显（高频信息丢失造成的圆角corner rounding和缩头line-end shortening),OPC模型的误差会较简单图形偏大。

中国专利（公开号：CN102832152A）公开了一种在线检测接触孔的方法，所述方法包括：进行自对准接触孔刻蚀；确定晶圆检测区域，所述检测区域为可能出现接触孔形状异常缺陷的区域；关键尺寸扫描电子显微镜（CD-SEM）对所述检测区域中的接触孔俯视图像的内圈直径进行测量；如果测量得到的内圈直径不在预设范围内则CD-SEM提示存在接触孔形状异常缺陷。本发明可以在不报废晶圆的前提下，检测出接触孔的形状异常缺陷。

中国专利（公开号：CN102981356A）公开了一种以接触孔模型为基础的光学邻近校正法，此方法是利用相同间距、不同线宽的一系列测试图案所收集的数据，来建立接触孔模型，以校正邻近效应所造成的线宽偏差现象。

上述两件专利均未解决现有技术中接触孔接触不良的检查方法完全依赖模型模拟，但并没有考虑到模型本身的缺陷（特别是对于二维图形的模拟误差会偏大），因此，检查到的工艺热点不能很好的反应实际硅片上的问题严重程度，会对生产部门判定和解决最重要的工艺热点造成干扰。

发明内容

本发明公开了一种针对光刻版图接触孔热点的检查方法，根据接触孔与相应互连线的包围值对原始接触孔进行分类，并对分类后的接触孔覆盖一一对应的矩形作为分类标记，然后对不同类型的接触孔进行不同规格的最小叠对面积检查(Minimum Area Overlap Check)，最终在光刻版图的设计中实现更加精确的光刻工艺友善性检查（Lithography Friendly Design Check），同时能更精确地找到光刻版图设计中的接触孔接触不良的工艺热点。

本发明记载了一种针对光刻版图接触孔热点的检查方法，其中，所述方法包括：

提供一设置有接触孔图形和互连线图形的光刻版图，且每个所述接触孔图形均对应一个所述互连线图形；

根据所述接触孔图形被所述互连线图形所覆盖的包围值将所述接触孔图形划分为两个种类并对其进行分类标记；

对所述光刻版图进行光学临近效应修正工艺后，继续工艺偏差图形模拟；

根据所述接触孔图形的种类对所述模拟后接触孔图形进行热点检查；

其中，所述包围值为每个所述接触孔图形与其对应的互连线图形之间的最小距离。

上述方法，其中，所述接触孔图形为矩形，所述互连线图形为多边形；

其中，所述互连线图形与对应的所述接触孔图形均有重合部分。

上述方法，其中，根据所述光刻版图的原始数据得到所述包围值，根据所述包围值所述接触孔被分为A类接触孔和B类接触孔。

上述方法，其中，所述B类接触孔中包围值≥50nm的外边数量≥2。

上述方法，其中，所述A类接触孔中包围值≥50nm的外边数量＜2。

上述方法，其中，所述光刻版图进行工艺偏差图形模拟得出每个接触孔图形及其互连线图形的叠对面积百分比。

其中，所述叠对面积百分比为所述接触孔图形与相对应互连线图形的重合面积与该接触孔面积之比。

上述方法，其中，针对所述A类接触孔，在实际硅片上的叠对面积百分比要小于通过工艺偏差模拟后得到的叠对面积百分比。

上述方法，其中，所述分类标记对A类接触孔和B类接触孔进行标记区分，所述分类标记与所述接触孔图形一一对应，并以所述接触孔图形为中心对该接触孔进行完全包围。

上述方法，其中，所述分类标记的外轮廓为矩形，并对A类接触孔和B类接触孔进行了区分；

其中，所述分类标记之间不会相互重叠。

上述方法，其中，当分类后的接触孔图形的叠对面积百分比小于最小叠对面积，可判定该接触孔图形的为热点；

其中，A类接触孔的最小叠对面积大于B类接触孔的最小叠对面积。

本发明具有如下技术优势：

1、根据接触孔图形与互连线图形的包围值对原始接触孔进行分类，通过对不同分类的接触孔图形进行不同规格的最小叠对面积检查，实现更加精确的光刻工艺友善性检查。

2、根据接触孔图形与互连线图形的包围值对原始接触孔进行分类，并对分类后的接触孔图形的数据覆盖一一对应的矩形作为分类标记，可以更精确地找到光刻版图设计中的接触孔接触不良的工艺热点。

附图说明

构成本发明的一部分的附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1为光刻版图中接触孔图形和互连线图形的结构示意图；

图2为本发明工艺流程图；

图3为本发明A类接触孔的结构示意图；

图4为本发明B类接触孔的结构示意图；

图5为本发明实施例一中优选的光刻版图分类示意图；

图6为本发明实施例一中优选的光刻版图分类标记示意图。

具体实施方式

结合以下具体实施例和附图，对本发明作进一步的详细说明。实施本发明的过程、条件、实验方法等，除以下专门提及的内容之外，均为本领域的普遍知识和公知常识，本发明没有特别限制内容。

图1为光刻版图中接触孔图形和互连线图形的结构示意图；如图1所示，在光刻版图3上设有若干个接触孔图形，每个接触孔图形覆盖有对应的互连线图形，在理想工艺状况下，接触孔图形应被互连线图形的外轮廓线完全包围，叠对面积百分比为100%（叠对面积百分比为接触孔图形与相对应互连线图形的重合面积与该接触孔图形面积之比），优选地，在光刻版图3中，接触孔图形1和互连线图形2部分重合，叠对面积百分比小于100%，在光刻版图设计工艺中，当光刻版图3中接触孔图形1和的叠对面积百分比小于最小叠对面积，该接触点1可归类热点。

实施例一

本发明公开了一种针对光刻版图接触孔图形热点的检查方法，图2为本发明工艺流程图，如图2所示；

首先，根据接触孔图形被互连线图形所覆盖的包围值将接触孔图形划分为两个种类，具体地，接触孔图形为矩形，互连线图形为多边形比如（矩形，平行四边形等等），其中，该互连线图形与对应的接触图形均有重合部分，根据光刻版图的原始数据得到所述包围值，该包围值为接触孔图形的外边相距相应互连线外边的最小距离。

接触孔被分为A类接触孔和B类接触孔，即A类接触孔中包围值≥50nm的外边数量＜2，B类接触孔中包围值≥50nm的外边数量≥2，优选地，图3为本发明A类接触孔的结构示意图；如图3所示，接触孔图形11和互连线图形12之间的包围值X1、X2、X3均小于50nm，X4大于50nm，因此图3中的接触孔图形11为A类接触孔；图4为本发明B类接触孔的结构示意图；如图4所示，图4中左图接触孔图形11和互连线图形12之间的包围值X1、X2、X3、X4均大于50nm，而图4中右图中接触孔图形11和互连线图形12之间的包围值X2、X4均大于50nm，X1、X3等于0（包围值等于0，即接触孔图形的该边与对应互连线图形的边重合；包围值小于0，即接触孔图形的该条边没有被对应的互连线图形所包围）；针对所述A类接触孔，在实际光刻版图上的叠对面积百分比要小于通过工艺偏差模拟后得到的叠对面积百分比；上述分类只是本发明一种示意，本发明可以根据具体工艺和具体需求进行其他分类方法。

其次，对分类后的接触孔图形进行分类标记，具体地，该分类标记对A类接触孔和B类接触孔进行标记区分，所述分类标记与所述接触孔图形一一对应，并以所述接触孔图形为中心对该接触孔图形进行完全包围，分类标记的外轮廓为矩形，并对A类接触孔和B类接触孔进行了区分，所述分类标记之间不会相互重叠，即分类标记相邻的两个接触孔图形之间的最小距离的一般大于分类标记的边长。

优选地，图5为本发明实施例一中优选的光刻版图分类示意图；图6为本发明实施例一中优选的光刻版图分类标记示意图；如图6所示，分类标记13包围着A类接触孔，分类标记14包围着B类接触孔，本发明中的接触孔图形为矩形，分类标记是以该接触孔图形为中心等比例放大的矩形，该分类标记的边长与对应的接触孔图形的边长之差等于相邻两个接触孔图形最小距离的3/8。

对光刻版图上的接触孔图形进行分类并标记后，对光刻版图上不同分类的接触孔图形以及互连线图形进行不同光学邻近效应修正，具体地，在计算机中运行光学邻近效应修正模型(OPC模型)获得对接触孔图形以及互连线图形修正，并对修正后的光刻版图进行工艺偏差图形模拟，得出每个接触孔图形及其互连线图形的叠对面积百分比(所述叠对面积百分比为所述接触孔图形与相对应互连线图形的重合面积与该接触孔图形面积之比)。

接着，根据所述接触孔图形的种类对所述模拟后接触孔图形进行热点检查；具体地，当分类后的接触孔图形的叠对面积百分比小于最小叠对面积（最小叠对面积根据工艺要求和设计要求来设定），表明该接触孔图形接触不良，可判定该接触孔图形的为热点，优选地，在本实施例中的A类接触孔和B类接触孔，由于A类接触孔二维效应较大，因此在实际硅片上的叠对面积百分比要小于通过工艺偏差模拟后得到的叠对面积百分比，因此A类接触孔的最小叠对面积大于B类接触孔的最小叠对面积，即检查A类接触孔的规格要高于B类接触孔。

最后，将判定为热点的接触孔图形的位置编写成索引文件，该索引文件便于工作人员在设计光刻版图中审阅。

以上仅为本发明较佳的实施例，并非因此限制本发明的实施方式及保护范围，对于本领域技术人员而言，应当能够意识到凡运用本发明说明书及图示内容所做出的等同替换和显而易见的变化所得到的方案，均应当包含在本发明的保护范围内。

Claims (10)

1.一种针对光刻版图接触孔热点的检查方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一设置有接触孔图形和互连线图形的光刻版图，且每个所述接触孔图形均对应一个所述互连线图形；

根据所述接触孔图形被所述互连线图形所覆盖的包围值将所述接触孔图形划分为两个种类并对其进行分类标记；

对所述光刻版图进行光学临近效应修正工艺后，继续工艺偏差图形模拟；

根据所述接触孔图形的种类对所述模拟后接触孔图形进行热点检查；

其中，所述包围值为每个所述接触孔图形与其对应的互连线图形之间的最小距离。

2.如权利要求1所述的一种针对光刻版图接触孔热点的检查方法，其特征在于，所述接触孔图形为矩形，所述互连线图形均为多边形；其中，所述互连线图形与对应的所述接触孔图形均有重合部分。

3.如权利要求1所述的一种针对光刻版图接触孔热点的检查方法，其特征在于，根据所述光刻版图的原始数据得到所述包围值，根据所述包围值所述接触孔被分为A类接触孔和B类接触孔。

4.如权利要求3所述的一种针对光刻版图接触孔热点的检查方法，其特征在于，所述B类接触孔中包围值≥50nm的外边数量≥2。

5.如权利要求3所述的一种针对光刻版图接触孔热点的检查方法，其特征在于，所述A类接触孔中包围值≥50nm的外边数量＜2。

6.如权利要求1所述的一种针对光刻版图接触孔热点的检查方法，其特征在于，所述光刻版图进行工艺偏差图形模拟得出每个接触孔图形及其互连线图形的叠对面积百分比。

其中，所述叠对面积百分比为所述接触孔图形与相对应互连线图形的重合面积与该接触孔面积之比。

7.如权利要求3所述的一种针对光刻版图接触孔热点的检查方法，其特征在于，针对所述A类接触孔，在实际硅片上的叠对面积百分比要小于通过工艺偏差模拟后得到的叠对面积百分比。

8.如权利要求3所述的一种针对光刻版图接触孔热点的检查方法，其特征在于，所述分类标记对A类接触孔和B类接触孔进行标记区分，所述分类标记与所述接触孔图形一一对应，并以所述接触孔图形为中心对该接触孔进行完全包围。

9.如权利要求7所述的一种针对光刻版图接触孔热点的检查方法，其特征在于，所述分类标记的外轮廓为矩形，并对A类接触孔和B类接触孔进行了区分；

其中，所述分类标记之间不会相互重叠。

10.如权利要求1所述的一种针对光刻版图接触孔热点的检查方法，其特征在于，当分类后的接触孔图形的叠对面积百分比小于最小叠对面积，可判定该接触孔图形的为热点；

其中，A类接触孔的最小叠对面积大于B类接触孔的最小叠对面积。

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