CN103884873A - 一种防止可靠性测试时发生共振的结构 - Google Patents

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王炯
周柯
陈雷刚
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Abstract

本发明提供了一种防止可靠性测试时发生共振的结构，涉及半导体测试工艺领域，包括测试机台、测试器件和外加电容，测试器件和外加电容设于测试机台上，测试器件上设有漏极和衬底，测试器件的漏极和衬底之间并联外加电容，并联的测试器件和外加电容的外加频率不等于测试机台的固有频率。本发明的技术方案有效的解决了封装级别可靠性测试发生共振无法正常测试的问题，不但节约了测试资源，还节约了测试时间。

Description

一种防止可靠性测试时发生共振的结构
技术领域
本发明涉及用于半导体测试工艺领域，尤其涉及一种防止可靠性测试时发生共振的结构。
背景技术
在进行封装级别的可靠性测试前，现有流程中都会做一次测试前的快速检测（Quick check）来确认初始参数是否正常，如果一旦发生共振现象，Infinity（一种封装级别的可靠性测试系统）的Quickcheck结果就会发生漂移，Id和Ig值会不同程度变大，跟实际的值不符，这样测试就无法正常进行。
共振是外加频率与固有频率相同或接近从而产生最大振幅的现象。产生共振的条件是当电容的容抗与设备电感的感抗在50Hz下相等时，就产生共振。共振时，电感与电容上的电压或电流会比正常值大得多，造成电容或设备的损坏。当发现有共振问题后，只能把测试转到晶圆级别的可靠性测试进行。
中国专利（CN102520340A）公开了一种具有测试结构的半导体封装元件及其测试方法。半导体封装元件包括基板、测试用芯片、第一待测芯片及第二待测芯片。测试用芯片及第一待测芯片设于基板上。第二待测芯片电性连接于第一待测芯片。其中，一测试向量信号经由基板及测试用芯片测试第一待测芯片及第二待测芯片。但该专利不能避免共振的发生。
中国专利（CN102654559A）公开了一种测试半导体封装堆叠晶片的测试系统及其半导体自动化测试机台，该用于测试一个置放在一组测试座上的待测晶片的测试系统，包括一组位于该测试座上方的测试臂及一组于该测试座上方位置以及远离该测试座上方位置之间来回移动的测试机构，其中该测试机构内部具有一检测晶片，自该检测晶片处电性导接并向该测试座方向延伸出多个测试探针；因此，当该测试机构移动至该组测试座上方位置与测试臂之间时，该测试臂向下压迫该测试机构，迫使该测试机构的多个测试探针迫紧抵触待测晶片，使该测试机构内部的检测晶片与待测晶片电性连接形成一组测试回路，以进行半导体封装堆叠晶片测试。于堆叠晶片封装前自动将底部晶片分类，提高测试效率，节省人力成本。但该专利任然不能避免共振的发生。
发明内容
鉴于上述问题，本发明提供一种防止可靠性测试时发生共振的结构。
本发明解决技术问题所采用的技术方案为：
一种防止可靠性测试时发生共振的结构，包括测试机台、测试器件和外加电容，所述测试器件和外加电容设于所述测试机台上，所述测试器件上设有漏极和衬底，所述测试器件的漏极和衬底之间并联所述外加电容，所述并联的测试器件和外加电容的外加频率不等于所述测试机台的固有频率。
其中，所述外加电容的电容值为0.05～0.12皮法。
其中，所述外加电容的电容值为0.1皮法。
其中，所述外加电容为耐高温电容。
其中，所述测试机台为封装级别的测试机台。
本发明的技术方案有效的解决了封装级别可靠性测试发生共振无法正常测试的问题，如果转到晶圆级别测试机台上测试，不仅浪费了封装所花的时间还占用了晶圆级别测试机台的资源。所以本发明不但节约了测试资源，还节约了测试时间。
附图说明
参考所附附图，以更加充分的描述本发明的实施例。然而，所附附图仅用于说明和阐述，并不构成对本发明范围的限制。
图1本发明实施例的结构示意图；
图2本发明实施例的等效电路示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明，显然，所描述的实例仅仅是本发明一部分实例，而不是全部的实例。基于本发明汇总的实例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有实例，都属于本发明保护的范围。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实例及实例中的特征可以相互自由组合。
如图1中所示，本发明是一种防止可靠性测试时发生共振的结构，包括测试机台、测试器件1和外加电容2。
本发明的实施例在测试器件1的漏极和衬底端之间并联一个外加电容2来达到从改变测试结构的电容值来改变外加频率的目的，使得器件外加频率与设备固有频率无法在工频50HZ附近接近或相同，避免共振现象的发生，并优选外加电容2的电容值为0.1皮法。
也就是说，外加电容2使得器件整体的电容容抗值发生改变，如此造成器件外加频率发生改变，与设备固有频率存在较大差异，使得共振的条件无法满足来避免共振的发生。
特别是在进行封装级别可靠性测试时，当快速检测（Quickcheck）发现Id和Ig有明显变大断定发生共振后，就可以使用本发明的方法，在DUT板子上找到对应漏极和衬底的插孔，插入事先准备的外加电容2即可。即在测试机台的每个样品插座旁边的插孔上，根据具体的打线情况找到漏极和衬底两端所对应的插孔，把优选为耐高温电容的外加电容对应插入就可以达到在漏极和衬底端之间并联一个电容的目的。
如图2中所示，当在测试器件的漏极和衬底端之间并联了一个外加电容后整个器件的电容值将发生改变，如此器件的外加频率与设备的固有频率无法在工频50Hz下接近或相等，也就无法满足产生共振的必要条件，来避免共振情况的发生。
本发明的实施例有效的解决了封装级别可靠性测试发生共振无法正常测试的问题，不但节约了测试资源，还节约了测试时间。
以上所述仅为本发明较佳的实施例，并非因此限制本发明的实施方式及保护范围，对于本领域技术人员而言，应当能够意识到凡运用本发明说明书及图示内容所做出的等同替换和显而易见的变化所得到的方案，均应当包含在本发明的保护范围内。

Claims (5)

1.一种防止可靠性测试时发生共振的结构，其特征在于，包括测试机台、测试器件和外加电容，所述测试器件和外加电容设于所述测试机台上，所述测试器件上设有漏极和衬底，所述测试器件的漏极和衬底之间并联所述外加电容，所述并联的测试器件和外加电容的外加频率不等于所述测试机台的固有频率。
2.如权利要求1所述的防止可靠性测试时发生共振的结构，其特征在于，所述外加电容的电容值为0.05～0.12皮法。
3.如权利要求2所述的防止可靠性测试时发生共振的结构，其特征在于，所述外加电容的电容值为0.1皮法。
4.如权利要求1所述的防止可靠性测试时发生共振的结构，其特征在于，所述外加电容为耐高温电容。
5.如权利要求1所述的防止可靠性测试时发生共振的结构，其特征在于，所述测试机台为封装级别的测试机台。
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