CN103825582A - 抗单粒子翻转和单粒子瞬态的d触发器 - Google Patents

Abstract

本发明公开了抗单粒子翻转和单粒子瞬态的D触发器，目的是解决D触发器抗单粒子瞬态和抗单粒子翻转能力不高的问题。本发明由时钟电路、主锁存器、从锁存器、反相器电路，缓冲器电路组成，主锁存器和从锁存器均为冗余加固的锁存器，主锁存器和从锁存器前后串联，并均与时钟电路连接；主锁存器还与缓冲器电路相连，从锁存器还与反相器电路相连。分离主锁存器和从锁存器中互为冗余的C²MOS电路中的上拉PMOS管和下拉NMOS管，提高了本发明抗单粒子翻转的能力。在时钟电路里和主锁存器前加入缓冲电路，使得在持续时间较长的单粒子瞬态脉冲下不发生错误，且双模冗余通路进一步增加了抗单粒子瞬态的能力。

Description

抗单粒子翻转和单粒子瞬态的D触发器

技术领域

本发明涉及一种主从D触发器，特别涉及一种抗单粒子翻转（Single EventUpset,SEU）和抗单粒子瞬态（Single Event Transient,SET）的D触发器。

背景技术

宇宙空间中存在大量高能粒子（质子、电子、重离子等），集成电路中的时序电路受到这些高能粒子轰击后，其保持的状态有可能发生翻转，此效应称为单粒子翻转效应，单粒子轰击集成电路的LET（线性能量转移）值越高，越容易产生单粒子翻转效应。集成电路中的组合电路受到这些高能粒子轰击后，有可能产生瞬时电脉冲，此效应称为单粒子瞬态效应，单粒子轰击集成电路的LET值越高，产生的瞬时电脉冲持续时间越长，电脉冲越容易被时序电路采集。如果时序电路的状态发生错误翻转，或者单粒子瞬态效应产生的瞬时电脉冲被时序电路错误采集，都会造成集成电路工作不稳定甚至产生致命的错误，这在航天、军事领域尤为严重。因此，对集成电路进行加固从而减少单粒子翻转效应和单粒子瞬态效应越来越重要。

D触发器是集成电路中使用最多的时序单元之一，其抗单粒子翻转和单粒子瞬态的能力对整个集成电路的抗单粒子翻转和单粒子瞬态的能力起关键作用，对D触发器进行相应加固可以使集成电路的抗单粒子翻转和单粒子瞬态能力得到提高。

传统的D触发器为主从D触发器，一般由主级锁存器和从级锁存器串联构成。将普通锁存器替换为DICE（Dual Interlocked Storage Cell，双互锁存储单元）等冗余加固结构可以实现抗单粒子翻转的D触发器。在此基础上改造输入输出端口，可以实现同时抗单粒子翻转和单粒子瞬态。M.J.Myjak等人在The47^thIEEE International Midwest Symposium on Circuits and Systems（第47届IEEE电路与系统中西部国际会议）上发表的“Enhanced Fault-Tolerant CMOS MemoryElements”（增强容错的CMOS存储单元）（2004年，第I-453～I-456页）上提出了一种改进的DICE电路，该电路采用DICE电路进行抗单粒子翻转加固，并把双向数据线分成了两个写数据线和两个读数据线，通过数据线的双模冗余，使得在任意时刻通过某一数据线传播到DICE电路的单粒子瞬态脉冲难以造成整个电路状态的翻转，从而实现针对单粒子瞬态的加固。但是数据线的双模冗余存在正反馈回路，在较长持续时间的单粒子瞬态脉冲下会产生锁存信息翻转，抗单粒子瞬态能力不高。

D.G.Mavis等在IEEE Reliability Physics Symposium（国际可靠性物理会议）上发表的“Soft error rate mitigation techniques for modern microcircuits”（减少现代微电路软错误率的技术）（2002年第216页-225页）中提出了时间采样D触发器电路。该电路在锁存数据的反馈环中引入了延迟和表决电路，因而具备了一定抗单粒子翻转和单粒子瞬态能力。但是表决电路本身不具备抗单粒子瞬态的能力，在单粒子瞬态脉冲下会输出错误数据，抗单粒子瞬态能力不高。

申请号为200910046337.5的中国专利公开了一种抗单粒子翻转和单粒子瞬态脉冲的D触发器。该发明是一种结构类似于时间采样结构的D触发器，包括两个多路开关、两个延迟电路、两个保护门电路和三个反相器，实现了D触发器的抗单粒子翻转和单粒子瞬态的加固。该专利具有抗单粒子瞬态的能力，但由于第三个反向器的输出端Q连接第二个多路开关的输入端VIN0，形成了正反馈回路，在较长持续时间的单粒子瞬态脉冲下会产生锁存信息翻转，抗单粒子瞬态能力不高。

申请号为201110322680.5的中国专利公开了抗单粒子翻转的D触发器，如图1所示，该发明由时钟电路、主锁存器、从锁存器、第一反相器电路和第二反向器电路组成，可以在较高LET值的单粒子轰击下正常工作而不产生单粒子翻转。由于该发明在时钟电路内、主锁存器前没有采用缓冲电路，所以不具备抗单粒子瞬态的能力，而且主锁存器、从锁存器未采用双模冗余，当单粒子轰击的LET值较高时，线路上的某一个节点翻转则会导致整个电路翻转。

发明内容

本发明要解决的技术问题是，针对目前的D触发器抗单粒子瞬态和抗单粒子翻转能力不高的问题，提出一种抗单粒子翻转和单粒子瞬态的D触发器。

本发明具体思想是：对主锁存器和从锁存器进行双模冗余加固，可以抗单粒子翻转；在时钟电路内和主锁存器前加入缓存电路，可以抗单粒子瞬态；切断从锁存器中可能由单粒子瞬态脉冲导致的正反馈回路，可以在较长持续时间的抗单粒子瞬态下不发生翻转。

本发明抗单粒子翻转和单粒子瞬态的D触发器由时钟电路、主锁存器、从锁存器、反相器电路和缓冲器电路组成。主锁存器和从锁存器均为冗余加固的锁存器,主锁存器和从锁存器前后串联，并均与时钟电路连接;主锁存器还与缓冲器电路相连，从锁存器还与反相器电路相连；

本发明抗单粒子翻转和抗单粒子瞬态的D触发器有两个输入端和一个输出端。两个输入端分别是时钟信号输入端CK和数据信号输入端D；输出端是Q。

时钟电路有一个输入端和四个输出端，输入端为CK，输出端为c1、c2、cn1、cn2。时钟电路由十二个PMOS和十四个NMOS组成。第三十二PMOS管的栅极Pg32连接CK，漏极Pd32连接第三十二NMOS管的漏极Nd32；第三十三PMOS管的栅极Pg33连接第三十二PMOS管的漏极Pd32，漏极Pd33连接第三十三NMOS管的漏极Nd33，源极Ps33连接电源VDD；第三十四PMOS管的栅极Pg34连接第三十三PMOS管的漏极Pd33，漏极Pd34连接第三十四NMOS管的漏极Nd34，源极Ps34连接电源VDD；第三十五PMOS管的栅极Pg35连接第三十四PMOS管的漏极Pd34，漏极Pd35连接第三十五NMOS管的漏极Nd35，源极Ps35连接电源VDD；第三十六PMOS管的栅极Pg36连接CK，漏极Pd36连接第三十七PMOS管的源极Ps37，源极Ps36连接VDD；第三十七PMOS管的栅极Pg37连接第三十五PMOS管的漏极Pd35，漏极Pd37连接第三十六NMOS管的漏极Nd36，并作为时钟电路的一个输出端cn1；第三十八PMOS管的栅极Pg38连接CK，漏极Pd38连接第三十九PMOS管的源极Ps39，源极Ps38连接VDD；第三十九PMOS管的栅极Pg39连接第三十五PMOS管的漏极Pd35，漏极Pd39连接第三十八NMOS管的漏极Nd38；第四十PMOS管的栅极Pg40作为时钟电路的一个输出端c1，漏极Pd40连接第三十七PMOS管的漏极Pd37，并连接输出端cn1，源极Ps40连接VDD；第四十一PMOS管的栅极Pg41连接第四十一NMOS管的栅极Ng41并作为时钟电路的一个输出端c2，漏极Pd41连接第四十一NMOS管的漏极Nd41并作为时钟电路的一个输出端cn2，源极Ps41连接VDD；第四十二PMOS管的栅极Pg42连接输出端cn1，漏极Pd42连接输出端c1，源极Ps42连接VDD；第四十三PMOS管的栅极Pg43连接输出端cn2，漏极Pd43连接输出端c2，源极Ps43连接VDD；第三十二NMOS管的栅极Ng32连接CK，漏极Nd32连接第三十二PMOS管的漏极Pd32；第三十三NMOS管的栅极Ng33连接第三十二NMOS管的漏极Nd32，漏极Nd33连接第三十三PMOS管的漏极Pd33，源极Ns33连接电源VSS；第三十四NMOS管的栅极Ng34连接第三十三NMOS管的漏极Nd33，漏极Nd34连接第三十四PMOS管的漏极Pd34，源极Ns34连接电源VSS；第三十五NMOS管的栅极Ng35连接第三十四NMOS管的漏极Nd34，漏极Nd35连接第三十五PMOS管的漏极Pd35，源极Ns35连接电源VSS；第三十六NMOS管的栅极Ng36连接第三十五NMOS管的漏极Nd35，源极Ns36连接第三十七NMOS管的漏极Nd37，漏极连接cn1；第三十七NMOS管的栅极Ng37连接CK，漏极Nd37连接第三十六NMOS管的源极Nd36，源极Ns37连接VSS；第三十八NMOS管的栅极Ng38连接第三十五NMOS管的漏极Nd35，源极Ns38连接第三十九NMOS管的漏极Nd39，漏极连接cn2；第三十九NMOS管的栅极Ng39连接CK，漏极Nd39连接第三十八NMOS管的源极Nd38，源极Ns39连接VSS；第四十NMOS管的栅极Ng40连接输出端c1，漏极Nd40连接输出端cn2，源极Ns40连接第四十四NMOS管的漏极Nd44；第四十一NMOS管的栅极Ng41连接输出端c2，漏极Nd41连接输出端cn2，源极Ns41连接第四十五NMOS管的漏极Nd45；第四十二NMOS管的栅极Ng42连接输出端cn1，漏极Nd42连接输出端c1，源极Ns42连接VSS；第四十三NMOS管的栅极Ng43连接输出端cn2，漏极Nd43连接输出端c2，源极Ns43连接VSS；第四十四NMOS管的漏极Nd44连接第四十NMOS管的源极Ns40，栅极Ng44连接输出端c1，源极Ns44连接VSS；第四十五NMOS管的漏极Nd45连接第四十一NMOS管的源极Ns41，栅极Ng45连接输出端c1，源极Ns45连接VSS。

缓冲器电路有一个输入端和一个输出端，输入端为D，输出端为D1。缓冲电路由八个PMOS管和八个NMOS管组成，缓冲电路中所有PMOS管的衬底连接电源VDD，所有NMOS管的衬底接地VSS。第一PMOS管的栅极Pg1连接输入D并和第一NMOS管的栅极Ng1连接，漏极Pd1连接第一NMOS管的漏极Ng1，源极Ps1连接VDD；第二PMOS管的栅极Pg2连接第一PMOS管的漏极Pd1，漏极Pd2连接第二NMOS管的漏极Nd2，源极Ps2连接VDD；第三PMOS管的栅极Pg3连接第二PMOS管的漏极Pd2，漏极Pd3连接第三NMOS管的漏极Nd3，源极Ps3连接VDD；第四PMOS管的栅极Pg4连接第三PMOS管的漏极Pd3，漏极Pd4连接第四NMOS管的漏极Nd4，源极Ps4连接VDD；第五PMOS管的栅极Pg5连接第四PMOS管的漏极Pd4，漏极Pd5连接第五NMOS管的漏极Nd5，源极Ps5连接VDD；第六PMOS管的栅极Pg6连接第五PMOS管的漏极Pd5，漏极Pd6连接第六NMOS管的漏极Nd6，源极Ps6连接VDD；第七PMOS管的栅极Pg7连接第六PMOS管的漏极Pd6，漏极Pd7连接第七NMOS管的漏极Nd7，源极Ps7连接VDD；第八PMOS管的栅极Pg8连接第七PMOS管的漏极Pd7，漏极Pd8连接第八NMOS管的漏极Nd8并作为缓冲器的输出端D1，源极Ps8连接VDD；第一NMOS管的栅极Ng1连接Pg1，漏极Nd1连接Pd1，源极Ns1连接VSS;第二NMOS管的栅极Ng2连接第一NMOS管的漏极Nd1，漏极Nd2连接Pd2，源极Ns2连接VSS；第三NMOS管的栅极Ng3连接第二NMOS管的漏极Nd2，漏极Nd3连接Pd3，源极Ns3连接VSS；第四NMOS管的栅极Ng4连接第三NMOS管的漏极Nd3，漏极Nd4连接Pd4，源极Ns4连接VSS；第五NMOS管的栅极Ng5连接第四NMOS管的漏极Nd4，漏极Nd5连接Pd5，源极Ns5连接VSS；第六NMOS管的栅极Ng6连接第五NMOS管的漏极Nd5，漏极Nd6连接Pd6，源极Ns6连接VSS；第七NMOS管的栅极Ng7连接第六NMOS管的漏极Nd6，漏极Nd7连接Pd7，源极Ns7连接VSS；第八NMOS管的栅极Ng8连接第七NMOS管的漏极Nd7，漏极Nd8连接Pd8，源极Ns8连接VSS。

主锁存器有六个输入端和两个输出端，输入端与D，D1，c1，c2，cn1，cn2相连；输出端是m1，m1r。主锁存器由十二个PMOS和十二个NMOS组成，主锁存器中所有PMOS管的衬底连接电源VDD，所有NMOS管的衬底接地VSS。第九PMOS的栅极Pg9连接D，漏极连接第十PMOS的源极Ps10，源极Ps10连接VDD；第十PMOS的栅极Pg10连接D1，源极Ps10连接第九PMOS管的漏极Pd9，漏极Pd10连接第十一PMOS管的源极Ps11；第十一PMOS管的栅极Pg11连接c1，源极Ps11连接第十PMOS管的漏极Pd10，漏极Pd11连接第九NMOS漏极Nd9；第十二PMOS的栅极Pg12连接D，漏极连接第十三PMOS的源极Ps13，源极Ps12连接VDD；第十三PMOS的栅极Pg13连接D1，源极Ps13连接第十二PMOS管的漏极Pd12，漏极Pd13连接第十四PMOS管的源极Ps14；第十四PMOS管的栅极Pg14连接c2，源极Ps14连接第十三PMOS管的漏极Pd13，漏极Pd14连接第十二NMOS漏极Nd12；第十五PMOS的栅极Pg15连接Pd11，漏极连接第十五NMOS管的漏极Nd15并作为主锁存器的一个输出端m1r，源极连接VDD；第十六PMOS的栅极连接Pg16连接Pd14，漏极连接第十六NMOS管的漏极Nd16并作为主锁存器的一个输出端m1，源极连接VDD；第十七PMOS管栅极Pg17连接第十六PMOS管的漏极Pd16，漏极Pd17连接第十八PMOS管的源极Ps18，源极Ps18连接VDD；第十八PMOS管的栅极Pg18连接cn1，漏极Pd18连接第十七NMOS管的漏极Nd17，源极Ps18连接Pd17；第十九PMOS管的栅极Pg19连接第十五PMOS管的漏极Pd15，漏极Pd19连接第二十PMOS管的源极Ps20，源极Ps19连接VDD；第二十PMOS管的栅极Pg20连接cn2，漏极Pd20连接第十九NMOS管的漏极Nd19，源极Ps20连接Pd19；第九NMOS管的栅极Ng9连接cn1，源极Ns9连接第十NMOS管的漏极Nd10，漏极Nd9连接第十一PMOS管的漏极Pd11；第十NMOS管的栅极Ng10连接第八NMOS管的漏极Nd8，漏极Nd10连接第九NMOS管的源极Ns9，源极Ns10连接Nd11；第十一NMOS管的栅极Ng11连接输入D，漏极Nd11连接Ns10，源极Ns11连接VSS；第十二NMOS管的栅极Ng12连接cn2，源极Ns12连接第十三NMOS管的漏极Nd13，漏极Nd12连接第十四PMOS管的漏极Pd14；第十三NMOS管的栅极Ng13连接第八NMOS管的漏极Nd8，漏极Nd13连接第十二NMOS管的源极Ns12，源极Ns13连接Nd14；第十四NMOS管的栅极Ng14连接输入D，漏极Nd14连接Ns13，源极Ns11连接VSS；第十五NMOS管的栅极Ng15连接第十二NMOS管的漏极Nd12，漏极Nd15连接第十五PMOS管的漏极Pd15，源极Ns15连接VSS；第十六NMOS管的栅极Ng16连接第九NMOS管的漏极Nd9，漏极Nd16连接第十六PMOS管的漏极Pd16，源极Ns15连接VSS；第十七NMOS管的栅极Ng17连接输入端c1，漏极Nd17连接第九NMOS管的漏极Nd9，源极Ns17连接第十八NMOS管的漏极Nd18；第十八NMOS管的栅极Ng18连接第十五NMOS管的漏极Nd15，漏极Nd18连接Ns17，源极连接VSS;第十九NMOS管的栅极Ng19连接输入端c2，漏极Nd19连接第十二NMOS管的漏极Nd12，源极Ns19连接第二十NMOS管的漏极Nd20,；第二十NMOS管的栅极Ng20连接第十六NMOS管的漏极Nd16，漏极Nd20连接Ns19，源极连接VSS。

从锁存器有六个输入端和两个输出端，输入端与c1，c2，cn1，cn2，m1，m1r相连；输出端是s0，s0r。从锁存器由十个PMOS管和十个NMOS管组成，从锁存器中所有PMOS管的衬底连接电源VDD，所有NMOS管的衬底接地VSS。第二十一PMOS管的栅极Pg21连接m1r，漏极Pd21连接第二十二PMOS管的源极Ps22，源极Ps21连接电源VDD；第二十二PMOS管的栅极Pg22连接cn1，漏极Pd22连接第二十一NMOS管的漏极Nd21，源极连接Pd21；第二十三PMOS管的栅极Pg23连接m1，漏极Pd23连接第二十四PMOS管的源极Ps24，源极Ps23连接电源VDD；第二十四PMOS管的栅极Pg24连接cn2，漏极Pd24连接第二十三NMOS管的漏极Nd23，源极连接Pd23；第二十五PMOS管的栅极Pg25连接Pd22，漏极Pd25连接第二十五NMOS管的漏极Nd25，源极Ps25连接电源VDD；第二十六PMOS管的栅极Pg26连接Pd24，漏极Pd26连接第二十六NMOS管的漏极Nd26，源极Ps26连接电源VDD；第二十七PMOS管的栅极Pg27连接Pd26，漏极Pd27连接第二十八PMOS管的源极Ps28，源极Ps27连接电源VDD；第二十八PMOS管的栅极Pg28连接c1，漏极Pd28连接第二十七NMOS管的漏极Nd27并作为从锁存器的一个输出端s0，源极Ps28连接Pd27；第二十九PMOS管的栅极Pg29连接Pd25，漏极Pd29连接第三十PMOS管的源极Ps30，源极Ps29连接电源VDD；第三十PMOS管的栅极Pg30连接c2，漏极Pd30连接第二十九NMOS管的漏极Nd29并作为从锁存器的另一个输出端s0r，源极Ps30连接Pd29；第二十一NMOS管的栅极Ng21连接c，漏极Nd21连接Pd22，源极Ns21连接第二十二NMOS管的漏极Nd22；第二十二NMOS管的栅极Ng22连接m1，漏极Nd22连接Ns21，源极Ns22接地VSS；第二十三NMOS管的栅极Ng23连接c2，漏极Nd23连接Pd24，源极Ns23连接第二十四NMOS管的漏极Nd24；第二十四NMOS管的栅极Ng24连接m1r，漏极Nd24连接Ns23，源极Ns24接地VSS；第二十五NMOS管的栅极Ng25连接Pd24，漏极Nd25连接Pd25，源极Ns25接地VSS；第二十六NMOS管的栅极Ng26连接Pd22，漏极Nd26连接Pd26，源极Ns26接地VSS；第二十七NMOS管的栅极Ng27连接cn1，漏极Nd27连接Pd28，源极Ns27连接第二十八NMOS管的漏极Nd28；第二十八NMOS管的栅极Ng28连接Pd25，漏极Nd28连接Ns27，源极Ns28接地VSS；第二十九NMOS管的栅极Ng29连接cn2，漏极Nd29连接Pd30，源极Ns29连接第三十NMOS管的漏极Nd30；第三十NMOS管的栅极Ng30连接Pd26，漏极Nd30连接Ns29，源极Ns30接地VSS。

反相器电路有两个输入端和一个输出端，输入端连接s0和s0r，输出端为Q。反相器电路由第三十一PMOS管和第三十一NMOS管组成。第三十一PMOS管的衬底和源极Ps31均连接电源VDD，第三十一NMOS管的衬底和源极Ns31均接地VSS。第三十一PMOS管的栅极Pg31接输入端s0，漏极Pd31连接第三十一NMOS管的漏极Nd31并作为反相器的输出端Q。第三十一NMOS管的栅极Ng31接输入端s0r，漏极Nd31连接Pd31。

本发明抗单粒子翻转和抗单粒子瞬态的D触发器工作过程如下：

时钟电路接收CK，对其进行缓冲后通过电路中间形成的反相器电路产生与CK反向的cn1和cn2，通过电路末端的反相器电路产生与CK同向的c1和c2，并把cn1、cn2、c1和c2传入到主锁存器和从锁存器。缓冲器电路接收D，将D进行延迟后输出与D同相的D1。在CK为低电平期间，cn1和cn2为高电平、c1和c2为低电平，主锁存器开启，接收D和D1并对D和D1中可能带有的单粒子瞬态脉冲进行滤除然后通过锁存器输出与D同相的m1和m1r，从锁存器处于保存状态，不接收主锁存器输出的m1、m1r，而是保存上一个CK下降沿采样到的m1、m1r；在CK为高电平期间，cn1和cn2为低电平、c1和c2为高电平，主锁存器处于保存状态，保存前一个CK上升沿采样到的D和D1并输出与D同相的m1和m1r，从锁存器开启并接收主锁存器的输出m1和m1r，对m1和m1r进行缓冲并输出与m1和m1r反相的s0和s0r。在任意时刻反相器电路都要接收从锁存器的输出s0和s0r，对s0和s0r缓冲并输出与s0和s0r反相的Q。

采用本发明可以达到以下技术效果：

本发明抗单粒子翻转和抗单粒子瞬态的D触发器的抗单粒子翻转和抗单粒子瞬态能力优于传统未加固的D触发器、时间采样加固的D触发器和传统双模冗余加固的D触发器。本发明对传统未加固的D触发器结构进行改造，对主锁存器和从锁存器均进行了双模冗余加固，并针对主锁存器和从锁存器中C²MOS电路进行了改进，即分离互为冗余的C²MOS电路中的上拉PMOS管和下拉NMOS管，提高了本发明抗单粒子翻转的能力。在时钟电路里和主锁存器前加入缓冲器电路，使本发明在持续时间较长的单粒子瞬态脉冲下不发生错误；通过精心设计双模冗余通路，切断从锁存器中可能由单粒子瞬态脉冲导致的正反馈回路，进一步增加了抗单粒子瞬态的能力。本发明抗单粒子翻转和单粒子瞬态的D触发器适合用于抗单粒子翻转和抗单粒子瞬态加固集成电路的标准单元库，应用于航空、航天等领域。

附图说明

图1为申请号为201110322680.5的抗单粒子翻转的D触发器总体逻辑结构示意图。

图2为本发明抗单粒子翻转和单粒子瞬态的D触发器总体逻辑结构示意图。

图3为本发明抗单粒子翻转和单粒子瞬态的D触发器中时钟电路结构示意图。

图4为本发明抗单粒子翻转和单粒子瞬态的D触发器中缓冲器电路结构示意图。

图5为本发明抗单粒子翻转和单粒子瞬态的D触发器中主锁存器结构示意图。

图6为本发明抗单粒子翻转和单粒子瞬态的D触发器中从锁存器结构示意图。

图7为本发明抗单粒子翻转和单粒子瞬态的D触发器中反相器电路结构示意图。

具体实施方式

图2为本发明抗单粒子翻转和单粒子瞬态的D触发器逻辑结构示意图。本发明由时钟电路（如图3所示）、缓冲器电路（如图4所示）、主锁存器（如图5所示）、从锁存器（如图6所示）、和反相器电路（如图7所示）组成。本发明抗单粒子翻转和抗单粒子瞬态的D触发器有两个输入端和一个输出端。两个输入端分别是CK即时钟信号输入端和D即数据信号输入端；输出端是Q。时钟电路接收CK，对CK进行缓冲处理后分别输出c1、c2和cn1、cn2。缓冲器电路接收D，将D进行延迟后输出与D同相的D1。主锁存器接收D以及D1、c1、c2和cn1、cn2，主锁存器在c1、c2和cn1、cn2的控制下对D和D1进行锁存处理后输出m1、m1r。从锁存器接收m1、m1r以及c1、c2和cn1、cn2，从锁存器在c1、c2和cn1、cn2的控制下对m1、m1r进行锁存处理后分别输出s0、s0r。反相器电路接收s0、s0r，对其进行缓冲处理后输出Q

如图3所示，时钟电路有一个输入端和四个输出端，输入端为CK，输出端为c1、c2、cn1、cn2。时钟电路由十二个PMOS和十四个NMOS组成。第三十二PMOS管的栅极Pg32连接CK，漏极Pd32连接第三十二NMOS管的漏极Nd32；第三十三PMOS管的栅极Pg33连接第三十二PMOS管的漏极Pd32，漏极Pd33连接第三十三NMOS管的漏极Nd33，源极Ps33连接电源VDD；第三十四PMOS管的栅极Pg34连接第三十三PMOS管的漏极Pd33，漏极Pd34连接第三十四NMOS管的漏极Nd34，源极Ps34连接电源VDD；第三十五PMOS管的栅极Pg35连接第三十四PMOS管的漏极Pd34，漏极Pd35连接第三十五NMOS管的漏极Nd35，源极Ps35连接电源VDD；第三十六PMOS管的栅极Pg36连接CK，漏极Pd36连接第三十七PMOS管的源极Ps37，源极Ps36连接VDD；第三十七PMOS管的栅极Pg37连接第三十五PMOS管的漏极Pd35，漏极Pd37连接第三十六NMOS管的漏极Nd36，并作为时钟电路的一个输出端cn1；第三十八PMOS管的栅极Pg38连接CK，漏极Pd38连接第三十九PMOS管的源极Ps39，源极Ps38连接VDD；第三十九PMOS管的栅极Pg39连接第三十五PMOS管的漏极Pd35，漏极Pd39连接第三十八NMOS管的漏极Nd38；第四十PMOS管的栅极Pg40作为时钟电路的一个输出端c1，漏极Pd40连接第三十七PMOS管的漏极Pd37，并连接输出端cn1，源极Ps40连接VDD；第四十一PMOS管的栅极Pg41连接第四十一NMOS管的栅极Ng41并作为时钟电路的一个输出端c2，漏极Pd41连接第四十一NMOS管的漏极Nd41并作为时钟电路的一个输出端cn2，源极Ps41连接VDD；第四十二PMOS管的栅极Pg42连接输出端cn1，漏极Pd42连接输出端c1，源极Ps42连接VDD；第四十三PMOS管的栅极Pg43连接输出端cn2，漏极Pd43连接输出端c2，源极Ps43连接VDD；第三十二NMOS管的栅极Ng32连接CK，漏极Nd32连接第三十二PMOS管的漏极Pd32；第三十三NMOS管的栅极Ng33连接第三十二NMOS管的漏极Nd32，漏极Nd33连接第三十三PMOS管的漏极Pd33，源极Ns33连接电源VSS；第三十四NMOS管的栅极Ng34连接第三十三NMOS管的漏极Nd33，漏极Nd34连接第三十四PMOS管的漏极Pd34，源极Ns34连接电源VSS；第三十五NMOS管的栅极Ng35连接第三十四NMOS管的漏极Nd34，漏极Nd35连接第三十五PMOS管的漏极Pd35，源极Ns35连接电源VSS；第三十六NMOS管的栅极Ng36连接第三十五NMOS管的漏极Nd35，源极Ns36连接第三十七NMOS管的漏极Nd37，漏极连接cn1；第三十七NMOS管的栅极Ng37连接CK，漏极Nd37连接第三十六NMOS管的源极Nd36，源极Ns37连接VSS；第三十八NMOS管的栅极Ng38连接第三十五NMOS管的漏极Nd35，源极Ns38连接第三十九NMOS管的漏极Nd39，漏极连接cn2；第三十九NMOS管的栅极Ng39连接CK，漏极Nd39连接第三十八NMOS管的源极Nd38，源极Ns39连接VSS；第四十NMOS管的栅极Ng40连接输出端c1，漏极Nd40连接输出端cn2，源极Ns40连接第四十四NMOS管的漏极Nd44；第四十一NMOS管的栅极Ng41连接输出端c2，漏极Nd41连接输出端cn2，源极Ns41连接第四十五NMOS管的漏极Nd45；第四十二NMOS管的栅极Ng42连接输出端cn1，漏极Nd42连接输出端c1，源极Ns42连接VSS；第四十三NMOS管的栅极Ng43连接输出端cn2，漏极Nd43连接输出端c2，源极Ns43连接VSS；第四十四NMOS管的漏极Nd44连接第四十NMOS管的源极Ns40，栅极Ng44连接输出端c1，源极Ns44连接VSS；第四十五NMOS管的漏极Nd45连接第四十一NMOS管的源极Ns41，栅极Ng45连接输出端c1，源极Ns45连接VSS。

如图4所示，缓冲器电路有一个输入端和一个输出端，输入端为D，输出端为D1。缓冲电路由八个PMOS管和八个NMOS管组成，缓冲电路中所有PMOS管的衬底连接电源VDD，所有NMOS管的衬底接地VSS。第一PMOS管的栅极Pg1连接输入D并和第一NMOS管的栅极Ng1连接，漏极Pd1连接第一NMOS管的漏极Ng1，源极Ps1连接VDD；第二PMOS管的栅极Pg2连接第一PMOS管的漏极Pd1，漏极Pd2连接第二NMOS管的漏极Nd2，源极Ps2连接VDD；第三PMOS管的栅极Pg3连接第二PMOS管的漏极Pd2，漏极Pd3连接第三NMOS管的漏极Nd3，源极Ps3连接VDD；第四PMOS管的栅极Pg4连接第三PMOS管的漏极Pd3，漏极Pd4连接第四NMOS管的漏极Nd4，源极Ps4连接VDD；第五PMOS管的栅极Pg5连接第四PMOS管的漏极Pd4，漏极Pd5连接第五NMOS管的漏极Nd5，源极Ps5连接VDD；第六PMOS管的栅极Pg6连接第五PMOS管的漏极Pd5，漏极Pd6连接第六NMOS管的漏极Nd6，源极Ps6连接VDD；第七PMOS管的栅极Pg7连接第六PMOS管的漏极Pd6，漏极Pd7连接第七NMOS管的漏极Nd7，源极Ps7连接VDD；第八PMOS管的栅极Pg8连接第七PMOS管的漏极Pd7，漏极Pd8连接第八NMOS管的漏极Nd8并作为缓冲器的输出端D1，源极Ps8连接VDD；第一NMOS管的栅极Ng1连接Pg1，漏极Nd1连接Pd1，源极Ns1连接VSS;第二NMOS管的栅极Ng2连接第一NMOS管的漏极Nd1，漏极Nd2连接Pd2，源极Ns2连接VSS；第三NMOS管的栅极Ng3连接第二NMOS管的漏极Nd2，漏极Nd3连接Pd3，源极Ns3连接VSS；第四NMOS管的栅极Ng4连接第三NMOS管的漏极Nd3，漏极Nd4连接Pd4，源极Ns4连接VSS；第五NMOS管的栅极Ng5连接第四NMOS管的漏极Nd4，漏极Nd5连接Pd5，源极Ns5连接VSS；第六NMOS管的栅极Ng6连接第五NMOS管的漏极Nd5，漏极Nd6连接Pd6，源极Ns6连接VSS；第七NMOS管的栅极Ng7连接第六NMOS管的漏极Nd6，漏极Nd7连接Pd7，源极Ns7连接VSS；第八NMOS管的栅极Ng8连接第七NMOS管的漏极Nd7，漏极Nd8连接Pd8，源极Ns8连接VSS。

如图5所示（改），主锁存器有五个输入端和两个输出端，输入端与D1，c1，c2，cn1，cn2相连；输出端是m1，m1r。主锁存器由十二个PMOS和十二个NMOS组成，主锁存器中所有PMOS管的衬底连接电源VDD，所有NMOS管的衬底接地VSS。第九PMOS的栅极Pg9连接D（有六个输入端吗？是否应当只有D1？），漏极连接第十PMOS的源极Ps10，源极Ps10连接VDD；第十PMOS的栅极Pg10连接D1，源极Ps10连接第九PMOS管的漏极Pd9，漏极Pd10连接第十一PMOS管的源极Ps11；第十一PMOS管的栅极Pg11连接c1，源极Ps11连接第十PMOS管的漏极Pd10，漏极Pd11连接第九NMOS漏极Nd9；第十二PMOS的栅极Pg12连接D，漏极连接第十三PMOS的源极Ps13，源极Ps12连接VDD；第十三PMOS的栅极Pg13连接D1，源极Ps13连接第十二PMOS管的漏极Pd12，漏极Pd13连接第十四PMOS管的源极Ps14；第十四PMOS管的栅极Pg14连接c2，源极Ps14连接第十三PMOS管的漏极Pd13，漏极Pd14连接第十二NMOS漏极Nd12；第十五PMOS的栅极Pg15连接Pd11，漏极连接第十五NMOS管的漏极Nd15并作为主锁存器的一个输出端m1r，源极连接VDD；第十六PMOS的栅极连接Pg16连接Pd14，漏极连接第十六NMOS管的漏极Nd16并作为主锁存器的一个输出端m1，源极连接VDD；第十七PMOS管栅极Pg17连接第十六PMOS管的漏极Pd16，漏极Pd17连接第十八PMOS管的源极Ps18，源极Ps18连接VDD；第十八PMOS管的栅极Pg18连接cn1，漏极Pd18连接第十七NMOS管的漏极Nd17，源极Ps18连接Pd17；第十九PMOS管的栅极Pg19连接第十五PMOS管的漏极Pd15，漏极Pd19连接第二十PMOS管的源极Ps20，源极Ps19连接VDD；第二十PMOS管的栅极Pg20连接cn2，漏极Pd20连接第十九NMOS管的漏极Nd19，源极Ps20连接Pd19；第九NMOS管的栅极Ng9连接cn1，源极Ns9连接第十NMOS管的漏极Nd10，漏极Nd9连接第十一PMOS管的漏极Pd11；第十NMOS管的栅极Ng10连接第八NMOS管的漏极Nd8，漏极Nd10连接第九NMOS管的源极Ns9，源极Ns10连接Nd11；第十一NMOS管的栅极Ng11连接输入D，漏极Nd11连接Ns10，源极Ns11连接VSS；第十二NMOS管的栅极Ng12连接cn2，源极Ns12连接第十三NMOS管的漏极Nd13，漏极Nd12连接第十四PMOS管的漏极Pd14；第十三NMOS管的栅极Ng13连接第八NMOS管的漏极Nd8，漏极Nd13连接第十二NMOS管的源极Ns12，源极Ns13连接Nd14；第十四NMOS管的栅极Ng14连接输入D，漏极Nd14连接Ns13，源极Ns11连接VSS；第十五NMOS管的栅极Ng15连接第十二NMOS管的漏极Nd12，漏极Nd15连接第十五PMOS管的漏极Pd15，源极Ns15连接VSS；第十六NMOS管的栅极Ng16连接第九NMOS管的漏极Nd9，漏极Nd16连接第十六PMOS管的漏极Pd16，源极Ns15连接VSS；第十七NMOS管的栅极Ng17连接输入端c1，漏极Nd17连接第九NMOS管的漏极Nd9，源极Ns17连接第十八NMOS管的漏极Nd18；第十八NMOS管的栅极Ng18连接第十五NMOS管的漏极Nd15，漏极Nd18连接Ns17，源极连接VSS;第十九NMOS管的栅极Ng19连接输入端c2，漏极Nd19连接第十二NMOS管的漏极Nd12，源极Ns19连接第二十NMOS管的漏极Nd20,；第二十NMOS管的栅极Ng20连接第十六NMOS管的漏极Nd16，漏极Nd20连接Ns19，源极连接VSS。

如图6所示，从锁存器有六个输入端和两个输出端，输入端与c1，c2，cn1，cn2，m1，m1r相连；输出端是s0，s0r。从锁存器由十个PMOS管和十个NMOS管组成，从锁存器中所有PMOS管的衬底连接电源VDD，所有NMOS管的衬底接地VSS。第二十一PMOS管的栅极Pg21连接m1r，漏极Pd21连接第二十二PMOS管的源极Ps22，源极Ps21连接电源VDD；第二十二PMOS管的栅极Pg22连接cn1，漏极Pd22连接第二十一NMOS管的漏极Nd21，源极连接Pd21；第二十三PMOS管的栅极Pg23连接m1，漏极Pd23连接第二十四PMOS管的源极Ps24，源极Ps23连接电源VDD；第二十四PMOS管的栅极Pg24连接cn2，漏极Pd24连接第二十三NMOS管的漏极Nd23，源极连接Pd23；第二十五PMOS管的栅极Pg25连接Pd22，漏极Pd25连接第二十五NMOS管的漏极Nd25，源极Ps25连接电源VDD；第二十六PMOS管的栅极Pg26连接Pd24，漏极Pd26连接第二十六NMOS管的漏极Nd26，源极Ps26连接电源VDD；第二十七PMOS管的栅极Pg27连接Pd26，漏极Pd27连接第二十八PMOS管的源极Ps28，源极Ps27连接电源VDD；第二十八PMOS管的栅极Pg28连接c1，漏极Pd28连接第二十七NMOS管的漏极Nd27并作为从锁存器的一个输出端s0，源极Ps28连接Pd27；第二十九PMOS管的栅极Pg29连接Pd25，漏极Pd29连接第三十PMOS管的源极Ps30，源极Ps29连接电源VDD；第三十PMOS管的栅极Pg30连接c2，漏极Pd30连接第二十九NMOS管的漏极Nd29并作为从锁存器的另一个输出端s0r，源极Ps30连接Pd29；第二十一NMOS管的栅极Ng21连接c，漏极Nd21连接Pd22，源极Ns21连接第二十二NMOS管的漏极Nd22；第二十二NMOS管的栅极Ng22连接m1，漏极Nd22连接Ns21，源极Ns22接地VSS；第二十三NMOS管的栅极Ng23连接c2，漏极Nd23连接Pd24，源极Ns23连接第二十四NMOS管的漏极Nd24；第二十四NMOS管的栅极Ng24连接m1r，漏极Nd24连接Ns23，源极Ns24接地VSS；第二十五NMOS管的栅极Ng25连接Pd24，漏极Nd25连接Pd25，源极Ns25接地VSS；第二十六NMOS管的栅极Ng26连接Pd22，漏极Nd26连接Pd26，源极Ns26接地VSS；第二十七NMOS管的栅极Ng27连接cn1，漏极Nd27连接Pd28，源极Ns27连接第二十八NMOS管的漏极Nd28；第二十八NMOS管的栅极Ng28连接Pd25，漏极Nd28连接Ns27，源极Ns28接地VSS；第二十九NMOS管的栅极Ng29连接cn2，漏极Nd29连接Pd30，源极Ns29连接第三十NMOS管的漏极Nd30；第三十NMOS管的栅极Ng30连接Pd26，漏极Nd30连接Ns29，源极Ns30接地VSS。

如图7所示，反相器电路有两个输入端和一个输出端，输入端连接s0和s0r，输出端为Q。反相器电路由第三十一PMOS管和第三十一NMOS管组成。第三十一PMOS管的衬底和源极Ps31均连接电源VDD，第三十一NMOS管的衬底和源极Ns31均接地VSS。第三十一PMOS管的栅极Pg31接输入端s0，漏极Pd31连接第三十一NMOS管的漏极Nd31并作为反相器的输出端Q。第三十一NMOS管的栅极Ng31接输入端s0r，漏极Nd31连接Pd31。

北京原子能研究院H-13串列加速器可以产生LET值分别为2.88MeV·cm²/mg、8.62MeV·cm²/mg、12.6MeV·cm²/mg和17.0MeV·cm²/mg的四种地面重离子辐照测试环境。将处于正常工作状态的传统未加固的D触发器、传统双模冗余加固的D触发器、时间采样加固的D触发器、申请号为201110322680.5的中国专利提出的抗单粒子翻转的D触发器和本发明抗单粒子翻转和单粒子瞬态的D触发器分别连接相同的1000级反向器链的输出端并以40MHz的时钟频率工作，1000级反向器链的输入端连接低电平。将上述电路置于北京原子能研究院H-13串列加速器产生的LET值分别为2.88MeV·cm²/mg、8.62MeV·cm²/mg、12.6MeV·cm²/mg和21.3MeV·cm²/mg的地面重离子辐照测试环境中，统计各LET的重离子辐照过程中各D触发器发生错误输出的次数。每种LET的重离子辐照总注量为10⁷ion/cm²。表1为使用北京原子能研究院H-13串列加速器进行的地面重粒子辐照测试得到的传统未加固的D触发器、传统双模冗余加固的D触发器、时间采样加固的D触发器、申请号为201110322680.5的中国专利提出的抗单粒子翻转的D触发器和本发明抗单粒子翻转的D触发器在LET值分别为2.88MeV·cm²/mg、8.62MeV·cm²/mg、12.6MeV·cm²/mg和21.3MeV·cm²/mg的地面重离子辐照过程中发生错误输出的次数。每种LET的重离子辐照总注量为10⁷ion/cm²。从表1的统计可以看出，本发明的抗单粒子翻转和单粒子瞬态能力优于传统未加固的D触发器、传统双模冗余加固的D触发器、时间采样加固的D触发器、申请号为201110322680.5的中国专利提出的抗单粒子翻转的D触发器，适合用于抗单粒子翻转和单粒子瞬态加固集成电路的标准单元库，应用于航空、航天等领域。

表1

Claims (6)

1.抗单粒子翻转和单粒子瞬态的D触发器，包括时钟电路、主锁存器、从锁存器、反相器电路，其特征在于抗单粒子翻转和单粒子瞬态的D触发器还包括缓冲器电路；主锁存器和从锁存器前后串联，并均与时钟电路连接;主锁存器还与缓冲器电路相连，从锁存器还与反相器电路相连；有两个输入端和一个输出端；两个输入端分别是时钟信号输入端CK和数据信号输入端D；输出端是Q。

2.如权利要求1所述抗单粒子翻转和单粒子瞬态的D触发器，其特征在于所述时钟电路有一个输入端和四个输出端，输入端为CK，输出端为c1、c2、cn1、cn2；时钟电路由十二个PMOS和十四个NMOS组成；第三十二PMOS管的栅极Pg32连接CK，漏极Pd32连接第三十二NMOS管的漏极Nd32；第三十三PMOS管的栅极Pg33连接第三十二PMOS管的漏极Pd32，漏极Pd33连接第三十三NMOS管的漏极Nd33，源极Ps33连接电源VDD；第三十四PMOS管的栅极Pg34连接第三十三PMOS管的漏极Pd33，漏极Pd34连接第三十四NMOS管的漏极Nd34，源极Ps34连接电源VDD；第三十五PMOS管的栅极Pg35连接第三十四PMOS管的漏极Pd34，漏极Pd35连接第三十五NMOS管的漏极Nd35，源极Ps35连接电源VDD；第三十六PMOS管的栅极Pg36连接CK，漏极Pd36连接第三十七PMOS管的源极Ps37，源极Ps36连接VDD；第三十七PMOS管的栅极Pg37连接第三十五PMOS管的漏极Pd35，漏极Pd37连接第三十六NMOS管的漏极Nd36，并作为时钟电路的一个输出端cn1；第三十八PMOS管的栅极Pg38连接CK，漏极Pd38连接第三十九PMOS管的源极Ps39，源极Ps38连接VDD；第三十九PMOS管的栅极Pg39连接第三十五PMOS管的漏极Pd35，漏极Pd39连接第三十八NMOS管的漏极Nd38；第四十PMOS管的栅极Pg40作为时钟电路的一个输出端c1，漏极Pd40连接第三十七PMOS管的漏极Pd37，并连接输出端cn1，源极Ps40连接VDD；第四十一PMOS管的栅极Pg41连接第四十一NMOS管的栅极Ng41并作为时钟电路的一个输出端c2，漏极Pd41连接第四十一NMOS管的漏极Nd41并作为时钟电路的一个输出端cn2，源极Ps41连接VDD；第四十二PMOS管的栅极Pg42连接输出端cn1，漏极Pd42连接输出端c1，源极Ps42连接VDD；第四十三PMOS管的栅极Pg43连接输出端cn2，漏极Pd43连接输出端c2，源极Ps43连接VDD；第三十二NMOS管的栅极Ng32连接CK，漏极Nd32连接第三十二PMOS管的漏极Pd32；第三十三NMOS管的栅极Ng33连接第三十二NMOS管的漏极Nd32，漏极Nd33连接第三十三PMOS管的漏极Pd33，源极Ns33连接电源VSS；第三十四NMOS管的栅极Ng34连接第三十三NMOS管的漏极Nd33，漏极Nd34连接第三十四PMOS管的漏极Pd34，源极Ns34连接电源VSS；第三十五NMOS管的栅极Ng35连接第三十四NMOS管的漏极Nd34，漏极Nd35连接第三十五PMOS管的漏极Pd35，源极Ns35连接电源VSS；第三十六NMOS管的栅极Ng36连接第三十五NMOS管的漏极Nd35，源极Ns36连接第三十七NMOS管的漏极Nd37，漏极连接cn1；第三十七NMOS管的栅极Ng37连接CK，漏极Nd37连接第三十六NMOS管的源极Nd36，源极Ns37连接VSS；第三十八NMOS管的栅极Ng38连接第三十五NMOS管的漏极Nd35，源极Ns38连接第三十九NMOS管的漏极Nd39，漏极连接cn2；第三十九NMOS管的栅极Ng39连接CK，漏极Nd39连接第三十八NMOS管的源极Nd38，源极Ns39连接VSS；第四十NMOS管的栅极Ng40连接输出端c1，漏极Nd40连接输出端cn2，源极Ns40连接第四十四NMOS管的漏极Nd44；第四十一NMOS管的栅极Ng41连接输出端c2，漏极Nd41连接输出端cn2，源极Ns41连接第四十五NMOS管的漏极Nd45；第四十二NMOS管的栅极Ng42连接输出端cn1，漏极Nd42连接输出端c1，源极Ns42连接VSS；第四十三NMOS管的栅极Ng43连接输出端cn2，漏极Nd43连接输出端c2，源极Ns43连接VSS；第四十四NMOS管的漏极Nd44连接第四十NMOS管的源极Ns40，栅极Ng44连接输出端c1，源极Ns44连接VSS；第四十五NMOS管的漏极Nd45连接第四十一NMOS管的源极Ns41，栅极Ng45连接输出端c1，源极Ns45连接VSS。

3.如权利要求1所述的抗单粒子翻转和单粒子瞬态的D触发器，其特征在于所述缓冲器电路有一个输入端和一个输出端，输入端为D，输出端为D1；缓冲电路由八个PMOS管和八个NMOS管组成，缓冲电路中所有PMOS管的衬底连接电源VDD，所有NMOS管的衬底接地VSS；第一PMOS管的栅极Pg1连接输入D并和第一NMOS管的栅极Ng1连接，漏极Pd1连接第一NMOS管的漏极Ng1，源极Ps1连接VDD；第二PMOS管的栅极Pg2连接第一PMOS管的漏极Pd1，漏极Pd2连接第二NMOS管的漏极Nd2，源极Ps2连接VDD；第三PMOS管的栅极Pg3连接第二PMOS管的漏极Pd2，漏极Pd3连接第三NMOS管的漏极Nd3，源极Ps3连接VDD；第四PMOS管的栅极Pg4连接第三PMOS管的漏极Pd3，漏极Pd4连接第四NMOS管的漏极Nd4，源极Ps4连接VDD；第五PMOS管的栅极Pg5连接第四PMOS管的漏极Pd4，漏极Pd5连接第五NMOS管的漏极Nd5，源极Ps5连接VDD；第六PMOS管的栅极Pg6连接第五PMOS管的漏极Pd5，漏极Pd6连接第六NMOS管的漏极Nd6，源极Ps6连接VDD；第七PMOS管的栅极Pg7连接第六PMOS管的漏极Pd6，漏极Pd7连接第七NMOS管的漏极Nd7，源极Ps7连接VDD；第八PMOS管的栅极Pg8连接第七PMOS管的漏极Pd7，漏极Pd8连接第八NMOS管的漏极Nd8并作为缓冲器的输出端D1，源极Ps8连接VDD；第一NMOS管的栅极Ng1连接Pg1，漏极Nd1连接Pd1，源极Ns1连接VSS;第二NMOS管的栅极Ng2连接第一NMOS管的漏极Nd1，漏极Nd2连接Pd2，源极Ns2连接VSS；第三NMOS管的栅极Ng3连接第二NMOS管的漏极Nd2，漏极Nd3连接Pd3，源极Ns3连接VSS；第四NMOS管的栅极Ng4连接第三NMOS管的漏极Nd3，漏极Nd4连接Pd4，源极Ns4连接VSS；第五NMOS管的栅极Ng5连接第四NMOS管的漏极Nd4，漏极Nd5连接Pd5，源极Ns5连接VSS；第六NMOS管的栅极Ng6连接第五NMOS管的漏极Nd5，漏极Nd6连接Pd6，源极Ns6连接VSS；第七NMOS管的栅极Ng7连接第六NMOS管的漏极Nd6，漏极Nd7连接Pd7，源极Ns7连接VSS；第八NMOS管的栅极Ng8连接第七NMOS管的漏极Nd7，漏极Nd8连接Pd8，源极Ns8连接VSS。

4.如权利要求1所述的抗单粒子翻转和单粒子瞬态的D触发器，其特征在于所述主锁存器有六个输入端和两个输出端，输入端与D，D1，c1，c2，cn1，cn2相连；输出端是m1，m1r；主锁存器由十二个PMOS和十二个NMOS组成，主锁存器中所有PMOS管的衬底连接电源VDD，所有NMOS管的衬底接地VSS；第九PMOS的栅极Pg9连接D，漏极连接第十PMOS的源极Ps10，源极Ps10连接VDD；第十PMOS的栅极Pg10连接D1，源极Ps10连接第九PMOS管的漏极Pd9，漏极Pd10连接第十一PMOS管的源极Ps11；第十一PMOS管的栅极Pg11连接c1，源极Ps11连接第十PMOS管的漏极Pd10，漏极Pd11连接第九NMOS漏极Nd9；第十二PMOS的栅极Pg12连接D，漏极连接第十三PMOS的源极Ps13，源极Ps12连接VDD；第十三PMOS的栅极Pg13连接D1，源极Ps13连接第十二PMOS管的漏极Pd12，漏极Pd13连接第十四PMOS管的源极Ps14；第十四PMOS管的栅极Pg14连接c2，源极Ps14连接第十三PMOS管的漏极Pd13，漏极Pd14连接第十二NMOS漏极Nd12；第十五PMOS的栅极Pg15连接Pd11，漏极连接第十五NMOS管的漏极Nd15并作为主锁存器的一个输出端m1r，源极连接VDD；第十六PMOS的栅极连接Pg16连接Pd14，漏极连接第十六NMOS管的漏极Nd16并作为主锁存器的一个输出端m1，源极连接VDD；第十七PMOS管栅极Pg17连接第十六PMOS管的漏极Pd16，漏极Pd17连接第十八PMOS管的源极Ps18，源极Ps18连接VDD；第十八PMOS管的栅极Pg18连接cn1，漏极Pd18连接第十七NMOS管的漏极Nd17，源极Ps18连接Pd17；第十九PMOS管的栅极Pg19连接第十五PMOS管的漏极Pd15，漏极Pd19连接第二十PMOS管的源极Ps20，源极Ps19连接VDD；第二十PMOS管的栅极Pg20连接cn2，漏极Pd20连接第十九NMOS管的漏极Nd19，源极Ps20连接Pd19；第九NMOS管的栅极Ng9连接cn1，源极Ns9连接第十NMOS管的漏极Nd10，漏极Nd9连接第十一PMOS管的漏极Pd11；第十NMOS管的栅极Ng10连接第八NMOS管的漏极Nd8，漏极Nd10连接第九NMOS管的源极Ns9，源极Ns10连接Nd11；第十一NMOS管的栅极Ng11连接输入D，漏极Nd11连接Ns10，源极Ns11连接VSS；第十二NMOS管的栅极Ng12连接cn2，源极Ns12连接第十三NMOS管的漏极Nd13，漏极Nd12连接第十四PMOS管的漏极Pd14；第十三NMOS管的栅极Ng13连接第八NMOS管的漏极Nd8，漏极Nd13连接第十二NMOS管的源极Ns12，源极Ns13连接Nd14；第十四NMOS管的栅极Ng14连接输入D，漏极Nd14连接Ns13，源极Ns11连接VSS；第十五NMOS管的栅极Ng15连接第十二NMOS管的漏极Nd12，漏极Nd15连接第十五PMOS管的漏极Pd15，源极Ns15连接VSS；第十六NMOS管的栅极Ng16连接第九NMOS管的漏极Nd9，漏极Nd16连接第十六PMOS管的漏极Pd16，源极Ns15连接VSS；第十七NMOS管的栅极Ng17连接输入端c1，漏极Nd17连接第九NMOS管的漏极Nd9，源极Ns17连接第十八NMOS管的漏极Nd18；第十八NMOS管的栅极Ng18连接第十五NMOS管的漏极Nd15，漏极Nd18连接Ns17，源极连接VSS;第十九NMOS管的栅极Ng19连接输入端c2，漏极Nd19连接第十二NMOS管的漏极Nd12，源极Ns19连接第二十NMOS管的漏极Nd20,；第二十NMOS管的栅极Ng20连接第十六NMOS管的漏极Nd16，漏极Nd20连接Ns19，源极连接VSS。

5.如权利要求1所述的抗单粒子翻转和单粒子瞬态的D触发器，其特征在于所述从锁存器有六个输入端和两个输出端，输入端与c1，c2，cn1，cn2，m1，m1r相连；输出端是s0，s0r；从锁存器由十个PMOS管和十个NMOS管组成，从锁存器中所有PMOS管的衬底连接电源VDD，所有NMOS管的衬底接地VSS；第二十一PMOS管的栅极Pg21连接m1r，漏极Pd21连接第二十二PMOS管的源极Ps22，源极Ps21连接电源VDD；第二十二PMOS管的栅极Pg22连接cn1，漏极Pd22连接第二十一NMOS管的漏极Nd21，源极连接Pd21；第二十三PMOS管的栅极Pg23连接m1，漏极Pd23连接第二十四PMOS管的源极Ps24，源极Ps23连接电源VDD；第二十四PMOS管的栅极Pg24连接cn2，漏极Pd24连接第二十三NMOS管的漏极Nd23，源极连接Pd23；第二十五PMOS管的栅极Pg25连接Pd22，漏极Pd25连接第二十五NMOS管的漏极Nd25，源极Ps25连接电源VDD；第二十六PMOS管的栅极Pg26连接Pd24，漏极Pd26连接第二十六NMOS管的漏极Nd26，源极Ps26连接电源VDD；第二十七PMOS管的栅极Pg27连接Pd26，漏极Pd27连接第二十八PMOS管的源极Ps28，源极Ps27连接电源VDD；第二十八PMOS管的栅极Pg28连接c1，漏极Pd28连接第二十七NMOS管的漏极Nd27并作为从锁存器的一个输出端s0，源极Ps28连接Pd27；第二十九PMOS管的栅极Pg29连接Pd25，漏极Pd29连接第三十PMOS管的源极Ps30，源极Ps29连接电源VDD；第三十PMOS管的栅极Pg30连接c2，漏极Pd30连接第二十九NMOS管的漏极Nd29并作为从锁存器的另一个输出端s0r，源极Ps30连接Pd29；第二十一NMOS管的栅极Ng21连接c，漏极Nd21连接Pd22，源极Ns21连接第二十二NMOS管的漏极Nd22；第二十二NMOS管的栅极Ng22连接m1，漏极Nd22连接Ns21，源极Ns22接地VSS；第二十三NMOS管的栅极Ng23连接c2，漏极Nd23连接Pd24，源极Ns23连接第二十四NMOS管的漏极Nd24；第二十四NMOS管的栅极Ng24连接m1r，漏极Nd24连接Ns23，源极Ns24接地VSS；第二十五NMOS管的栅极Ng25连接Pd24，漏极Nd25连接Pd25，源极Ns25接地VSS；第二十六NMOS管的栅极Ng26连接Pd22，漏极Nd26连接Pd26，源极Ns26接地VSS；第二十七NMOS管的栅极Ng27连接cn1，漏极Nd27连接Pd28，源极Ns27连接第二十八NMOS管的漏极Nd28；第二十八NMOS管的栅极Ng28连接Pd25，漏极Nd28连接Ns27，源极Ns28接地VSS；第二十九NMOS管的栅极Ng29连接cn2，漏极Nd29连接Pd30，源极Ns29连接第三十NMOS管的漏极Nd30；第三十NMOS管的栅极Ng30连接Pd26，漏极Nd30连接Ns29，源极Ns30接地VSS。

6.如权利要求1所述的抗单粒子翻转和单粒子瞬态的D触发器，其特征在于所述反相器电路有两个输入端和一个输出端，输入端连接s0和s0r，输出端为Q；反相器电路由第三十一PMOS管和第三十一NMOS管组成；第三十一PMOS管的衬底和源极Ps31均连接电源VDD，第三十一NMOS管的衬底和源极Ns31均接地VSS；第三十一PMOS管的栅极Pg31接输入端s0，漏极Pd31连接第三十一NMOS管的漏极Nd31并作为反相器的输出端Q；第三十一NMOS管的栅极Ng31接输入端s0r，漏极Nd31连接Pd31。

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