CN103803637B - 一种CdS量子点的制备方法 - Google Patents

一种CdS量子点的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103803637B
CN103803637B CN201410039204.6A CN201410039204A CN103803637B CN 103803637 B CN103803637 B CN 103803637B CN 201410039204 A CN201410039204 A CN 201410039204A CN 103803637 B CN103803637 B CN 103803637B
Authority
CN
China
Prior art keywords
quantum dot
cds quantum
preparation
cds
reaction
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201410039204.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103803637A (zh
Inventor
王多发
章天金
王芳杰
徐进民
田茂
夏汉明
王晓晶
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hubei University
Original Assignee
Hubei University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hubei University filed Critical Hubei University
Priority to CN201410039204.6A priority Critical patent/CN103803637B/zh
Publication of CN103803637A publication Critical patent/CN103803637A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103803637B publication Critical patent/CN103803637B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)

Abstract

本发明公开了一种制备CdS量子点的方法,其特征在于合成一种既含有S元素又含Cd元素的单源前驱体Cd(<i>i</i>-PrOCS2)2(C5H4N)2,经热处理,直接得到纳米级别的CdS量子点。本发明中CdS量子点的制备方法操作工艺简单易行,对设备要求低,无需使用特殊的真空设备,反应条件温和,容易控制,而且热分解过程中的副产物为气体,得到固体产物的纯度较高。本发明方法的产物后处理程序,简单而且制备CdS量子点,稳定性好,分散均匀,颗粒均一,将更有利于光电方面的应用与发展。

Description

一种CdS量子点的制备方法
技术领域
本发明属于新能源技术领域,具体涉及CdS量子点的一种制备方法。
背景技术
由于量子尺寸效应,半导体量子点展现了与对应本体材料不同的的物理性质,因而被广泛应用于不同的科技领域,包括生物标签、发光二极管、激光器以及太阳能电池。量子点又可以称为半导体纳米晶体,是一种由II-VI族元素或III-V族元素组成的纳米晶粒。CdS(硫化镉)量子点是一种重要的半导体纳米粒子,具有良好的光学性能和表面可修饰性,直接带隙半导体,是最有可能用于太阳能电池的量子点,也可广泛应用于荧光标记物质光发射器件、激光、生物检测与分析等领域。中国专利CN101074370A公开了一种CdS量子点的制备方法,其方法是:将60g十六烷基胺在120℃的条件下真空脱气2h;降低十六烷基胺的温度至80℃,在氮气氛条件下将1g(Me4N)4[S4Cdl0(SPh)16]加入十六烷基胺,并以2℃/min的速度升温至150~240℃;待CdS量子点达到设定颗粒尺寸,降低混合物温度至60℃;用无水甲醇离心分离、沉淀物再真空干燥,即得到CdS量子点。其方法是通过控制反应温度来控制量子点粒径大小,制备单源前体时无需真空设备。该方法尽管在一定程度上优化了CdS量子点的制备方法,而且实现了通过控制反应温度来控制CdS量子点的粒径大小,但是操作过程相对复杂,而且反应条件苛刻,影响因素多,制备成本高,从而限制了CdS量子点在实际中的大量生产应用。
由于CdS纳米晶体的合成原料成本昂贵且有毒,制备方法繁琐,而且需要引入外在的能量,如高温加热、微波、超声和机械加工等,且后处理繁琐。因此,发展一种简单、温和且无需过多后处理的CdS量子点的制备方法显得尤为重要。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种反应条件温和、操作简单的制备CdS量子点的方法。该方法后处理简单。
一种CdS量子点的制备方法,包括以下步骤:
(1)分别称取摩尔比为1:0.5~0.7:0.3~0.5的异丙基原磺酸钾、2,2-联吡啶与CdCl2,将异丙基原磺酸钾分散于水中得到悬浮液A;在搅拌下将2,2-联吡啶和CdCl2固体均匀混合,添加去离子水,制备得到均匀混合的悬浮液B;
(2)将悬浮液A在搅拌下过滤至悬浮液B中,室温搅拌反应30~100min,得到白色悬浮液C,对C进行抽滤,去离子水清洗掉沉淀表面未完全反应的离子和有机物,空气中干燥,得到白色固体沉淀物D;
(3)在搅拌下,将白色固体沉淀物D分散在CH2Cl2中,过滤,再用己烷清洗掉沉淀表面未完全反应的离子和有机物,干燥,得到单源前驱体Cd(i-PrOCS2)2(C5H4N)2
(4)将得到的单源前驱体Cd(i-PrOCS2)2(C5H4N)2处在温度为200℃的干燥箱中进行热分解反应5~7小时,得到黄色CdS量子点。
步骤(3)中,干燥过程可以在空气中干燥20h,再转至室温真空干燥24h。
本发明合成CdS量子点的制备方法操作工艺简单,反应温度不超过200℃,无需从外界引入过多的能量。反应最后产生的是气体,无需提纯,后处理简单。本方法制备出来的量子点,稳定,分散均匀,颗粒均一,其优良的物理化学性质,如量子尺寸效应、发光性能和化学加工性能及在生物标记、生物传感、光电子学和太阳能电池等领域有广泛的应用。
附图说明
图1是本发明合成CdS量子点实验流程示意图,可以清楚地看到实验操作简单易行,对设备要求不高。
图2是实施例2合成CdS量子点的场发射高分辨率透射电子显微镜的图,可以算出CdS量子点的平均粒径约为4nm。
具体实施方式
实施例1,CdS量子点按以下步骤制备:
(1)称取质量为0.87g,5mmol异丙基原磺酸钾,0.39g,2.5mmol2,2-联吡啶与0.57g,2.5mmolCdCl2,首先将异丙基原磺酸钾溶解于10mL水中得到悬浮液A。然后在搅拌下将2,2-联吡啶和CdCl2固体均匀混合,添加50ml的去离子水,制备得到均匀混合的悬浮液B。
(2)将悬浮液A在室温搅拌的过程中,缓慢地过滤至悬浮液B中,室温搅拌反应30min,得到白色固体悬浮液C。对C进行抽滤,去离子水反复清洗3次,空气干燥,得到白色固体沉淀物D。
(3)在搅拌下,首先将(2)中白色固体沉淀物D完全分散在20mlCH2Cl2中,过滤,再用25ml的己烷分别抽滤清洗3次;然后空气干燥20h,转至室温真空干燥24h,最后得到单源前驱体Cd(i-PrOCS2)2(C5H4N)2
(4)将得到的单源前驱体Cd(i-PrOCS2)2(C5H4N)2处在温度为200℃的干燥箱中进行热分解反应5小时。最后得到黄色分粉末,与标准PDF卡对比,是CdS量子点。
实施例2
(1)称取质量为0.87g,5mmol异丙基原磺酸钾,0.26g,3.3mmol2,2-联吡啶与0.38g,1.67mmolCdCl2,首先将异丙基原磺酸钾溶解于10mL水中得到悬浮液A。然后在搅拌下将2,2-联吡啶和CdCl2固体均匀混合,添加50ml的去离子水,制备得到均匀混合的悬浮液B。
(2)将悬浮液A在室温搅拌的过程中,缓慢地过滤至悬浮液B中,室温搅拌反应30min,得到白色固体悬浮液C。对C进行抽滤,去离子水反复清洗4次,空气干燥,得到白色固体沉淀物D。
(3)在搅拌下,首先将(2)中白色固体沉淀物D完全分散在20mlCH2Cl2中,过滤,再用20ml的己烷分别抽滤清洗4次;然后空气干燥20h,转至室温真空干燥24h,最后得到单源前驱体Cd(i-PrOCS2)2(C5H4N)2
(4)将得到的单源前驱体Cd(i-PrOCS2)2(C5H4N)2处在温度为200℃的干燥箱中进行热分解反应6小时。最后得到黄色CdS量子点。制备出的CdS量子点可均匀的分散于乙醇溶液中。CdS量子点的场发射高分辨透射电子显微镜(TEM)图如图2所示,从图2中可以看出本实施方式CdS量子点的平均粒径约为4nm,在乙醇中均匀分散,没有团聚现象。实施方式简单,易操作。

Claims (2)

1.一种制备CdS量子点的方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)分别称取摩尔比为1:0.5~0.7:0.3~0.5的异丙基原磺酸钾、2,2-联吡啶与CdCl2,将异丙基原磺酸钾分散于水中得到悬浮液A;在搅拌下将2,2-联吡啶和CdCl2固体均匀混合,添加去离子水,制备得到均匀混合的悬浮液B;
(2)将悬浮液A在搅拌下过滤至悬浮液B中,室温搅拌反应30~100min,得到白色悬浮液C,对白色悬浮液C进行抽滤,去离子水清洗掉沉淀表面未完全反应的离子和有机物,空气中干燥,得到白色固体沉淀物D;
(3)在搅拌下,将白色固体沉淀物D分散在CH2Cl2中,过滤,再用己烷清洗掉沉淀表面未完全反应的离子和有机物,干燥,得到单源前驱体Cd(i-PrOCS2)2(C5H4N)2
(4)将得到的单源前驱体Cd(i-PrOCS2)2(C5H4N)2处在温度为200℃的干燥箱中进行热分解反应5~7小时,得到黄色CdS量子点。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤(3)中,干燥过程先在空气中干燥20h,再转至室温真空干燥24h。
CN201410039204.6A 2014-01-27 2014-01-27 一种CdS量子点的制备方法 Expired - Fee Related CN103803637B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410039204.6A CN103803637B (zh) 2014-01-27 2014-01-27 一种CdS量子点的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410039204.6A CN103803637B (zh) 2014-01-27 2014-01-27 一种CdS量子点的制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103803637A CN103803637A (zh) 2014-05-21
CN103803637B true CN103803637B (zh) 2016-05-11

Family

ID=50701088

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410039204.6A Expired - Fee Related CN103803637B (zh) 2014-01-27 2014-01-27 一种CdS量子点的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103803637B (zh)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1556028A (zh) * 2004-01-09 2004-12-22 中国科学院长春应用化学研究所 硫化镉纳米棒的合成方法
CN101074370A (zh) * 2007-06-27 2007-11-21 哈尔滨工业大学 一种CdS量子点的制备方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100621308B1 (ko) * 2004-05-28 2006-09-14 삼성전자주식회사 다중 파장에서 발광하는 황화 카드뮴 나노 결정의 제조방법 및 그에 의해 수득된 황화 카드뮴 나노 결정

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1556028A (zh) * 2004-01-09 2004-12-22 中国科学院长春应用化学研究所 硫化镉纳米棒的合成方法
CN101074370A (zh) * 2007-06-27 2007-11-21 哈尔滨工业大学 一种CdS量子点的制备方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Low temperature synthesis of hexagonal phase ZnS nanocrystals by thermolysis of an air-stable single-source molecular precursor in air;Liu Wei;《Materials Letters》;20051006;第60卷;第551-554页 *
Synthesis and crystal and molecular structure of mixed-ligand complexes Cd(2,2-Bipy)(i-PrOCS2)2 and (2,2-Bipy)(i-BuOCS2)2;Larionov S. V. et al.;《Journal of Structural Chemistry》;20051231;第46卷(第6期);正文第1023页第1段第1行及最后一段 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN103803637A (zh) 2014-05-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101451270B (zh) 一种大批量制备贵金属纳米线的方法
CN107790160B (zh) 一种磷掺杂硫化锌镉固溶体催化剂、光催化体系及分解水制氢的方法
Sowers et al. Chemical mechanisms of semiconductor nanocrystal synthesis
CN106883845B (zh) 一种钙钛矿微晶发光材料、制备方法及其应用
CN104772157A (zh) 一种g-C3N4表面生长TiO2纳米晶的方法与应用
CN102976393B (zh) 一种羟基氧化镓纳米晶体的制备方法
Miao et al. Double‐Template Synthesis of CdS Nanotubes with Strong Electrogenerated Chemiluminescence
Rajesh Kumar et al. A facile one step synthesis of SnO 2/CuO and CuO/SnO 2 nanocomposites: photocatalytic application
CN106966382A (zh) 一种超临界连续水热合成石墨烯量子点的方法
CN101747890B (zh) 不同配体包覆的量子点的合成和纯化方法及其产品
CN102786078B (zh) 一种羟基氧化镓纳米晶体的制备方法
TW201243026A (en) Preparation method for red fluorescent gold nanomaterial
Dalvand et al. Controlling morphology and structure of nanocrystalline cadmium sulfide (CdS) by tailoring solvothermal processing parameters
CN103586463A (zh) 猕猴桃果汁绿色合成纳米金的方法
CN103332674A (zh) 一种基于酒石酸和有机胺水热合成碳量子点的方法
CN104030256B (zh) 一种CdSe量子点及其制备方法
CN105621407A (zh) 一步合成硫掺杂石墨烯量子点的方法
CN103204538B (zh) 一种多孔ZnO和ZnO/Ag纳米自支持膜的制备方法
CN103771487A (zh) 一种微波合成Ag2S-CdS异质纳米结构的方法
CN101774633B (zh) 水溶液中制备CdS:Mn纳米颗粒的方法
CN103803637B (zh) 一种CdS量子点的制备方法
CN109574065B (zh) 一种类叶片状的Zn0.2Cd0.8S材料的制备方法
CN110182847A (zh) 一种花状MoO2纳米材料的制备方法
CN107413358B (zh) 一种黑磷量子点/凹凸棒纳米复合材料及其制备方法和应用
CN103011153B (zh) 石墨烯溶胶及石墨烯的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20160511

Termination date: 20220127